WO2012134002A1 - 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치 - Google Patents

패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치 Download PDF

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박강환
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주식회사 앤비젼
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    • G02F1/1306—Details
    • G02F1/1309—Repairing; Testing

Definitions

  • the present invention relates to a pattern inspection method and a pattern inspection apparatus of a substrate on which a pattern layer is formed, and more particularly, to a pattern inspection method and a pattern inspection apparatus of a substrate on which a pattern layer is formed that enables efficient pattern inspection at low cost.
  • the display means can be directly applied to LCD, TV or AV monitors, computer displays, etc., which can be contributed to various video display devices in society, such as flat-vision panel, plasma display panel, plasma display panel, Liquid crystal displays (LCDs) are thin and light and have been developed in various ways to realize large screens.
  • LCDs liquid crystal displays
  • a liquid crystal display device includes a pair of transparent glass substrates on which transparent electrodes are formed, a liquid crystal material between two glass substrates, and two polarizers attached to the outer surface of each glass substrate to polarize light. It consists of an intestinal polarizer and a back light that emits light. Indium tin oxide (ITO) is widely used as a transparent electrode printed on a glass substrate in consideration of conductivity and transparency.
  • ITO Indium tin oxide
  • the transparent electrode is an electrode for applying a voltage to the liquid crystal material
  • the pattern inspection is performed because the accuracy of the electrode pattern shape is important.
  • it detects the change of capacitance by phase difference measuring method using a dedicated integrated circuit and checks the accuracy of the pattern as the degree of response or by checking the shape of the pattern reflected by the light by using camera, lens, or lighting. This is used.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a pattern inspection method and a pattern inspection apparatus of a substrate on which a pattern layer is formed that enables efficient pattern inspection at low cost.
  • Pattern inspection method of a substrate having a pattern layer for achieving the above object is a wavelength within the range that the substrate is transmitted, but the pattern layer is not transmitted on the substrate on which the pattern layer is formed. Irradiating a first wavelength light having a first wavelength that is phosphorus; And detecting a second wavelength light having a second wavelength emitted after the substrate on which the pattern layer is formed absorbs the irradiated first wavelength light.
  • the substrate may further include a fluorescent material layer including a fluorescent material absorbing the first wavelength light to generate a second wavelength light having a second wavelength.
  • the pattern layer may include ITO.
  • the fluorescent material may include a polyimide
  • the polyimide may include at least one of the following formula.
  • the first wavelength is a wavelength of the ultraviolet wavelength region
  • the second wavelength is a wavelength of the visible light wavelength region
  • the first wavelength is a wavelength within 250nm to 350nm
  • the second wavelength is a wavelength within 400nm to 500nm Can be.
  • the pattern inspection method of the substrate on which the pattern layer is formed may further include detecting the second wavelength light transmitted through the substrate on which the pattern layer is formed and inspecting the pattern layer formed on the substrate.
  • a pattern inspection apparatus for a substrate on which a pattern layer is formed includes a first wavelength having a first wavelength on the substrate on which the pattern layer is formed, a wavelength within a range in which the substrate transmits and the pattern layer does not transmit.
  • a sensing unit configured to detect the second wavelength light having the second wavelength emitted while the irradiated first wavelength light passes through the substrate on which the pattern layer is formed.
  • the substrate may include a fluorescent material layer including a fluorescent material that absorbs the first wavelength light to generate a second wavelength light having a second wavelength, and on the other hand, the first wavelength light
  • An inspection aid including a fluorescent material that absorbs the light and generates a second wavelength light having a second wavelength may be provided on one side of the substrate.
  • the pattern layer may include ITO, and the fluorescent material may include polyimide.
  • the polyimide may include at least one of the following formulae.
  • the first wavelength may be a wavelength in the ultraviolet wavelength region
  • the second wavelength may be a wavelength in the visible wavelength region
  • the first wavelength may be a wavelength within 250 nm to 350 nm
  • the second wavelength may be within 400 nm to 500 nm. It may be a wavelength.
  • the sensing unit may inspect the pattern layer formed on the substrate using the detected second wavelength light.
  • the pattern inspection method of the substrate on which the pattern layer is formed according to the present invention is used, the pattern is inspected through an optical inspection method according to the transmission wavelength difference between the substrate and the pattern. There is an effect that can be inspected at an ultra high resolution having a contrast of more than twice.
  • 1 is a view provided for the description of the pattern inspection method of the substrate on which the pattern layer is formed according to an embodiment of the present invention.
  • 2A and 2B are graphs showing absorbance according to wavelengths of glass and ITO, respectively.
  • FIG 3 is a view showing a pattern inspection apparatus of a substrate on which a pattern layer is formed according to an embodiment of the present invention.
  • 4A and 4B are views provided to explain a pattern inspection method of a substrate on which a pattern layer is formed according to another embodiment of the present invention.
  • 5 is a view showing absorbance according to the wavelength of the polyimide.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating a pattern inspection apparatus of a substrate on which a pattern layer is formed, according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a view showing a specific configuration of the pattern inspection apparatus according to the present invention.
  • FIG. 8 is a view showing the concept of a pattern inspection method according to the present invention.
  • 1 is a view provided for the description of the pattern inspection method of the substrate on which the pattern layer is formed according to an embodiment of the present invention.
  • the pattern inspection method of the substrate on which the pattern layer is formed includes a first wavelength light having a first wavelength on the substrate on which the pattern layer is formed, a wavelength within a range in which the substrate transmits and the pattern layer does not transmit. Investigating; And detecting the first wavelength light transmitted through the substrate on which the pattern layer is formed.
  • the pattern layer 120 formed on the substrate 110 refers to the pattern layer 120 formed of a material different from that of the substrate 110.
  • the substrate 110 transmits but the pattern layer 120 does not transmit. Does not irradiate light.
  • the first wavelength light L 1 is irradiated from the lower side of the substrate 110 to the upper side where the pattern layer 120 is formed.
  • the first wavelength light L 1 transmits the substrate 110 but does not transmit the pattern layer 120. That is, the first wavelength light L 1 is light having a first wavelength that is a wavelength that the substrate 110 transmits but the pattern layer 120 does not transmit.
  • the surface opposite to the surface where the first wavelength light is irradiated The first wavelength light transmitted through the pattern layer 120 may be detected by using a sensing unit capable of detecting the first wavelength light in. Accordingly, the region in which the first wavelength light is detected is a region in which the first wavelength light is transmitted as it is because no pattern is formed in the pattern layer 120, and the region in which the first wavelength light is not detected is the pattern layer. Since the region that does not transmit 120, that is, the region where the first wavelength light is absorbed by the pattern layer 120, is a region where a pattern is formed.
  • the pattern shape may be obtained according to whether the first wavelength light is detected, the pattern of the substrate 110 on which the pattern layer 120 is formed may be inspected.
  • the substrate 110 is a substrate that transmits light having a wavelength in the ultraviolet region, that is, a wavelength of 100 nm to 380 nm, and when the pattern layer 120 includes a material that does not transmit light having a wavelength in the ultraviolet region, the ultraviolet sensing unit is used.
  • the shape of the pattern layer 120 can be detected.
  • the substrate 110 is a glass substrate and the pattern layer 120 includes ITO.
  • 2A and 2B are graphs showing absorbance according to wavelengths of glass and ITO, respectively. Comparing FIGS. 2A and 2B, the glass has a high transmittance even at a wavelength of 250 nm to 350 nm, and transmits light having a wavelength of 250 nm to 350 nm.
  • the graph showing the tendency of the light transmittance to fall to 0% near 350 nm it can be predicted that the light transmittance is hardly transmitted at 250 nm to 350 nm.
  • the pattern layer 120 may be inspected by setting the wavelength of the first wavelength light to 250 nm to 350 nm.
  • FIG 3 is a view showing a pattern inspection apparatus of a substrate on which a pattern layer is formed according to an embodiment of the present invention.
  • the pattern inspection apparatus 350 of FIG. 3 applies a first wavelength light having a first wavelength that is a wavelength within a range in which the substrate transmits and the pattern layer does not transmit to the substrate 330 on which the pattern layer is formed.
  • a sensing unit 320 that detects transmitted light that is light passing through the substrate 330 on which the pattern layer is formed.
  • the light emitting unit 310 irradiates the first wavelength light having the first wavelength, which is a wavelength within a range through which the substrate is transmitted but not the pattern layer, toward the substrate 330 on which the pattern layer is formed.
  • the sensing unit 320 detects the transmitted first wavelength light and inspects the pattern using the first wavelength light.
  • the pattern layer on the substrate may be located on either side facing the light emitting portion or the side facing the sensing portion.
  • 4A and 4B are views provided to explain a pattern inspection method of a substrate on which a pattern layer is formed according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 4A and 4B are views provided to explain a pattern inspection method of a substrate on which a pattern layer 220 according to another embodiment of the present invention is formed.
  • the pattern layer 220 is formed on the substrate 210, and a fluorescent material layer 230 is further formed on the pattern layer 220.
  • the same contents as those described with reference to FIG. 1 will be omitted.
  • the fluorescent material layer 230 absorbs the first wavelength light to generate the second wavelength light having the second wavelength.
  • the first wavelength light L 1 when the first wavelength light L 1 is irradiated to the lower portion of the substrate 210, the first wavelength light L 1 transmits the substrate 210 but does not transmit the pattern layer 220. Therefore, the first wavelength light L 1 transmitted to the region where the pattern layer 220 is not formed is converted into light having a wavelength different from that of the first wavelength in the fluorescent material layer 230 formed thereon.
  • the second wavelength converted from the fluorescent material layer 230 to a wavelength different from the first wavelength is emitted again in the direction in which the first wavelength is scanned.
  • the first wavelength is absorbed by the fluorescent material layer 230
  • the second wavelength is emitted in the direction in which the first wavelength is scanned according to the energy change caused by the chemical reaction of the fluorescent material centered on the absorbed surface.
  • the second wavelength light L 2 is detected by using a sensing unit capable of detecting the second wavelength under the fluorescent material layer 230.
  • the wavelength of the light used for the pattern inspection is converted using the fluorescent material layer 230 in consideration of the optical characteristics of the substrate 210 and the pattern layer 220. That is, when the optical characteristics of the substrate 210 and the pattern layer 220 are very similar, the first wavelength region that transmits the substrate 210 but does not transmit the pattern layer 220 is difficult to find in the visible light region. You can find it at However, when the first wavelength is an ultraviolet region, the UV sensing unit for detecting ultraviolet rays may be expensive. Therefore, in order to use a camera for a visible light which is inexpensive and relatively simple to use, it is preferable to convert the light of the first wavelength, which is an ultraviolet region, into the light of the second wavelength, which is a visible region, and detect it.
  • the phosphor layer 230 may be polyimide.
  • some of the directional polyimide of the polyimide exhibits a fluorescence property that absorbs light in the wavelength of 250nm to 350nm to emit light in the wavelength of 400nm to 500nm.
  • Examples of the polyimide exhibiting such characteristics include Ph / An of Formula 1, Ph4F / An of Formula 2, Ph / Ch of Formula 3, and Ph4F / Ch of Formula 4.
  • 5 is a view showing absorbance according to the wavelength of the polyimide of Formula 1 to Formula 4.
  • the first wavelength light of 250 nm to 350 nm may be irradiated to the substrate 210 for inspection.
  • the first wavelength light L 1 of 250 nm to 350 nm transmitted through the pattern layer 220 is converted into the second wavelength light L 2 having a wavelength of 400 nm to 500 nm in the polyimide fluorescent material layer 230, and the visible light camera and By using the same sensing unit, the pattern of the pattern layer 220 may be inspected.
  • the polyimide may be used as an alignment layer for uniformly aligning the liquid crystal in the glass substrate in which the transparent electrode is patterned in the liquid crystal display device. Therefore, when the substrate on which the pattern layer of the present invention is formed is a glass substrate on which an ITO pattern is formed, and the present substrate is used in a liquid crystal display device, polyimide is formed on the ITO pattern as an alignment film. Therefore, the ITO pattern can be inspected using the polyimide used as the alignment layer without forming a separate fluorescent material layer 230.
  • the phosphor layer 230 is formed below the substrate 210, unlike FIG. 4A.
  • the phosphor layer 230 may be formed on the pattern layer 220 of the substrate 210, the phosphor layer 230 may be formed below the substrate 210, that is, on the surface where the pattern layer 220 is not formed. If the phosphor layer 230 is not directly formed on the substrate 210, the phosphor layer 230 may be used as a method of separately mounting the phosphor layer 230 for pattern inspection. Thus, the phosphor layer 230 may or may not be in contact with the surface of the substrate 210 or the pattern layer 220.
  • the first wavelength light L 1 for pattern inspection is irradiated from the pattern layer 220 side rather than the bottom of the substrate 210.
  • the first wavelength light L 1 irradiated from the pattern layer 220 side does not transmit the region in which the pattern is formed in the pattern layer 220, and the region in which the pattern is not formed passes through the substrate 210 to form the fluorescent material layer 230.
  • the first wavelength light L 1 is converted into the second wavelength light L 2 from the fluorescent material layer 230 and detected by a sensing unit capable of detecting the second wavelength light located on the pattern layer 220 side, and the pattern is inspected. do.
  • FIG. 6 is a view showing an example of a pattern inspection apparatus of a substrate on which a pattern layer is formed according to another embodiment of the present invention.
  • the pattern inspecting apparatus 500 of FIG. 6 includes a light emitting part for irradiating first wavelength light having a first wavelength having a wavelength within a range in which the substrate is transmitted and the pattern layer is not transmitted. 310, a sensing unit 320 for detecting the second wavelength light having a second wavelength emitted while the stage 340 supporting the substrate and the irradiated first wavelength light pass through the substrate on which the pattern layer is formed. Include.
  • the light emitting unit 510 irradiates the first wavelength light having the first wavelength, which is a wavelength within a range of transmitting the substrate and not transmitting the pattern layer, toward the substrate 330 on which the pattern layer is formed.
  • the substrate 330 on which the pattern layer is formed is a fluorescent material that absorbs first wavelength light having a wavelength within a range in which the substrate transmits and does not transmit the pattern layer to generate a second wavelength light having a second wavelength different from that. It may be a substrate further comprising a layer.
  • the light emitter 310 emits the first wavelength light
  • the sensing unit 320 detects the wavelength-converted second wavelength light emitted from the fluorescent material layer. .
  • FIG. 7 is a view showing another example of a pattern inspection apparatus of a substrate on which a pattern layer is formed according to another embodiment of the present invention.
  • the light emitting unit 610 and the sensing unit 620 are located together on one surface of a substrate 630 on which a pattern layer including a fluorescent material layer is formed. That is, in FIG. 7, the light emitting part 610 and the sensing part 620 are located together on the substrate 630 on which the pattern layer including the fluorescent material layer is formed.
  • the size of the pattern inspection apparatus may be reduced.
  • Figure 7 further shows an optical system 611 that can change the direction of the emitted light or the detected light Equipped.
  • the first wavelength light irradiated from the light emitting unit 610 inside the optical system 611 includes a pattern including a fluorescent material layer. And a mirror for reflecting toward the substrate 630 on which the layer is formed and transmitting the second wavelength light, which is light emitted from the substrate 630 on which the pattern layer including the fluorescent material layer is formed.
  • the mirror transmits the first wavelength light from the light emitting part and the second from the substrate on which the pattern layer including the fluorescent material layer is formed.
  • Wavelength light must be able to reflect. Therefore, the type of the light emitting part, the sensing part, and the mirror may be changed according to the position of the first wavelength light, the fluorescent material layer, and the substrate.
  • the substrate 210 is a glass substrate
  • an ITO pattern is formed
  • the phosphor layer 640 includes polyimide.
  • the light emitting unit 610 emits the first wavelength light L 1 having a wavelength of 250 nm to 350 nm
  • the mirror 612 reflects the wavelength of 250 nm to 350 nm in the optical system 611.
  • the reflected first wavelength light is irradiated onto the substrate 630 on which the pattern layer is formed, and the first wavelength light transmitted to the region where the pattern layer is not formed reaches the fluorescent material layer 640 and has a wavelength of 400 nm to 500 nm. It is converted into the second wavelength light L 2 .
  • the second wavelength light is emitted to the upper portion of the fluorescent material layer 640 and proceeds toward the sensing unit 620, and the mirror 612 transmits the light having a wavelength of 400 nm to 500 nm without reflecting the light of the sensing unit 620. It is detected by the lens 621 and detected by the camera 622. Therefore, since the second wavelength light is visible light of 400 nm to 500 nm, the camera 622 may use either a CCD camera or a CMOS camera having an ultraviolet filter and an infrared filter, which are not UV cameras.
  • the sensing unit 520 detects the first wavelength light and thus may be a UV camera.
  • a reflective plate may be provided to allow the transmitted light to proceed to the sensing unit 520.
  • a stage 660 may be provided to support the substrate 630 on which the pattern layer is formed and to transport the substrate 630 as necessary.
  • the pattern may be continuously inspected according to the movement of the stage 660.
  • the phosphor layer 640 is formed on the substrate on which the pattern layer is formed.
  • the phosphor layer is provided on the stage 660, and only the substrate on which the pattern layer is formed may be mounted to inspect the pattern. have.
  • the patterned substrate is separated and the phosphor layer can be reused to inspect the substrate on which the other patterned layer is formed.
  • the image detected by the camera 622 of the sensing unit 620 is transmitted to the control unit 710 to perform a pattern test.
  • the preprocessing unit 711 of the controller 710 acquires an image captured by the camera 622 and performs calibration for noise removal and precision measurement.
  • the image photographed by the camera is an image formed by the first wavelength on the substrate on which the pattern layer is formed, which is a wavelength within a range in which the substrate transmits and the pattern layer does not transmit, as described in the above embodiment, or On the substrate on which the pattern layer is formed, an image formed by the second wavelength whose wavelength is within a range in which the substrate transmits and the pattern layer does not transmit is irradiated and the wavelength of the first wavelength light is converted by the fluorescent material layer. to be.
  • the pattern inspecting unit 712 of the controller 710 detects an error of the captured image by comparing the preprocessed image by the preprocessing unit 711 with the standard pattern.
  • the detection of an error compares the captured image with the standard image as shown in FIG. 8 and detects an error degree from the difference.
  • the controller 710 not only outputs the information on the error of the pattern image detected by the pattern inspector 712 through the output unit 720 but also stores it in the database 730.

Abstract

본 발명은 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 저비용으로 효율적인 패턴 검사가 가능한 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치에 관한 것으로, 패턴층이 형성된 기판상에, '상기 기판은 투과하고 상기 패턴층은 투과하지 않는 범위 내의 파장'인 제1파장을 갖는 제1파장광을 조사하는 단계; 및 상기 패턴층이 형성된 기판이 상기 조사된 제1파장광을 흡수한 후 발산하는 제2파장을 갖는 제2파장광을 검출하는 단계를 포함한다.

Description

패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치
본 발명은 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 저비용으로 효율적인 패턴 검사가 가능한 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치에 관한 것이다.
현대는 정보화 사회라고 불려지고 있는 만큼 정보처리 장치의 발전과 보급에 따라서 영상정보의 중요성이 증대되고 아울러 그 종류의 다양화가 현저하게 이루어져 왔다. 영상정보의 가장 중요한 맨 머신 인터페이스(Man-machine Interface)로써 디스플레이(Display) 수단이 점점 중요한 시대가 되고 있다. 디스플레이 수단은 LCD, TV나 AV 모니터 및 컴퓨터 디스플레이 등에 바로 적용할 수 있어 사회의 각종 영상 표시장치로 공헌될 수 있는 플렛비젼 패널(Flat-vision Panel), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD)등 두께가 얇고 가벼우며, 대형화면의 구현이 가능하도록 다양하게 개발되고 있다.
이 중, 액정표시장치를 예로 들면, 액정표시장치는 투명 전극이 형성되어 있는 한 쌍의 투명 유리기판, 두 유리기판 사이의 액정 물질, 각각의 유리기판의 바깥 면에 부착되어 빛을 편광시키는 두 장의 편광판, 그리고 빛을 발광하는 백 라이트(back light)로 이루어진다. 유리기판 상에 인쇄되어 있는 투명한 전극은 전도성 및 투명성을 고려하여 인듐주석 산화물(Induim Tin Oxide, ITO)이 널리 사용된다.
투명전극은 액정물질에 전압을 가하기 위한 전극이므로 전극패턴형상의 정확도가 중요하기 때문에 패턴검사를 수행한다. 패턴검사에는 전용집적회로를 사용하여 위상차 측정방식으로 정전용량의 변화를 감지하여 반응정도로서 패턴의 정확도를 검사하거나 또는 카메라나 렌즈, 조명을 이용하여 빛에 반사된 패턴의 형상을 파악하여 검사하는 방법이 사용된다.
그러나, 전용집적회로를 사용하는 경우, 높은 비용이 소요되고 검사방법이 복잡하고 까다로웠으며, 카메라 등을 사용한 검사방법의 경우 투명전극의 특성상 기판과의 구별이 쉽지 않아 정확도가 낮은 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 저비용으로 효율적인 패턴 검사가 가능한 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법 및 패턴검사장치를 제공하는데 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법은 패턴층이 형성된 기판상에, '상기 기판은 투과하고 상기 패턴층은 투과하지 않는 범위 내의 파장'인 제1파장을 갖는 제1파장광을 조사하는 단계; 및 상기 패턴층이 형성된 기판이 상기 조사된 제1파장광을 흡수한 후 발산하는 제2파장을 갖는 제2파장광을 검출하는 단계를 포함한다.
이때, 상기 기판은 상기 제1파장광을 흡수하여 제2파장을 갖는 제2파장광을 발생시키는 형광물질을 포함하는 형광물질층을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 패턴층은 ITO를 포함할 수 있다.
한편, 상기 형광물질은 폴리이미드를 포함할 수 있고, 상기 폴리이미드는 다음 화학식 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
Figure PCTKR2011006905-appb-I000001
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Figure PCTKR2011006905-appb-I000002
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Figure PCTKR2011006905-appb-I000003
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Figure PCTKR2011006905-appb-I000004
또한, 상기 제1파장은 자외선 파장영역의 파장이고, 상기 제2파장은 가시광선 파장영역의 파장으로, 상기 제1파장은 250nm 내지 350nm 내의 파장이고, 상기 제2파장은 400nm 내지 500nm 내의 파장일 수 있다.
그리고, 상기 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법은 상기 패턴층이 형성된 기판을 투과한 제2파장광을 검출하여 상기 기판에 형성된 패턴층을 검사하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치는 패턴층이 형성된 기판상에, '상기 기판은 투과하고 상기 패턴층은 투과하지 않는 범위 내의 파장'인 제1파장을 갖는 제1파장광을 조사하는 발광부, 상기 기판을 지지하는 스테이지; 및 상기 조사된 제1파장광이 상기 패턴층이 형성된 기판을 통과하면서 발산되는 제2파장을 갖는 제2파장광을 검출하는 센싱부를 포함한다.
이때, 상기 기판은 상기 제1파장광을 흡수하여 제2파장을 갖는 제2파장광을 발생시키는 형광물질을 포함하는 형광물질층을 포함할 수 있는 것은 물론, 다른 한편으로, 상기 제1파장광을 흡수하여 제2파장을 갖는 제2파장광을 발생시키는 형광물질을 포함하는 검사 보조체를 상기 기판의 일측에 구비할 수 있다.
또한, 상기 패턴층은 ITO를 포함할 수 있고, 상기 형광물질은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
이때, 상기 폴리이미드는 다음 화학식 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
Figure PCTKR2011006905-appb-I000005
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Figure PCTKR2011006905-appb-I000006
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Figure PCTKR2011006905-appb-I000007
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Figure PCTKR2011006905-appb-I000008
또한, 상기 제1파장은 자외선 파장영역의 파장이고, 상기 제2파장은 가시광선 파장영역의 파장일 수 있고, 상기 제1파장은 250nm 내지 350nm 내의 파장이고, 상기 제2파장은 400nm 내지 500nm 내의 파장일 수 있다.
한편, 상기 센싱부는 상기 검출된 제2파장광을 이용해 상기 기판에 형성된 패턴층을 검사할 수 있다.
본 발명에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법을 이용하면, 기판과 패턴과의 투과파장차이에 따른 광학검사방식을 통하여 패턴을 검사하게 되어 종래에 정확한 검사가 어려웠던 패턴검사방식의 정확도를 2배 이상의 콘트라스트를 갖는 초고정밀 해상도로 검사할 수 있는 효과가 있다.
또한, 파장변환이 가능한 형광물질층을 사용하여 고가의 UV장비가 불필요하여 보다 저비용으로 패턴을 검사할 수 있는 효과가 있다.
아울러, 투명도전막 패턴이 형성된 기판의 경우, 정확한 패턴검사가 가능하면 이러한 기판이 사용되는 LCD, PDP, 터치패널 및 플렉서블 디스플레이 등의 다양한 제품의 완성도를 높일 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법의 설명에 제공되는 도면이다.
도 2a 및 도 2b는 각각 유리 및 ITO의 파장에 따른 흡광도를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치를 나타내는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법의 설명에 제공되는 도면이다.
도 5는 폴리이미드의 파장에 따른 흡광도를 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 각각 다른 실시예에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명에 의한 패턴검사장치의 구체적인 구성을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명에 의한 패턴검사방법의 개념을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법의 설명에 제공되는 도면이다.
본 실시예에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법은 패턴층이 형성된 기판상에, '상기 기판은 투과하고 상기 패턴층은 투과하지 않는 범위 내의 파장'인 제1파장을 갖는 제1파장광을 조사하는 단계; 및 상기 패턴층이 형성된 기판을 투과한 제1파장광을 검출하는 단계를 포함한다.
기판(110)상에 형성되는 패턴층(120)은 기판(110)과는 상이한 물질로 형성된 패턴층(120)을 의미한다. 기판(110)상에 패턴층(120)이 형성된 경우, 패턴층(120)의 패턴이 정확하게 형성되었는지 확인하기 위하여, 도 1에서와 같이 기판(110)은 투과하나 패턴층(120)은 투과하지 않는 광을 조사한다.
도 1에서 제1파장광 L1은 기판(110)의 하부에서 패턴층(120)이 형성된 상부측으로 조사된다. 제1파장광 L1은 기판(110)은 투과하나 패턴층(120)은 투과하지 못한다. 즉, 제1파장광 L1은 기판(110)은 투과하나 패턴층(120)은 투과하지 못하는 파장인 제1파장을 갖는 광이다.
패턴층(120)을 검사하기 위하여 기판(110)에 기판(110)은 투과하나 패턴층(120)은 투과하지 못하는 제1파장을 갖는 광을 조사하면, 제1파장광을 조사한 면의 반대면에서 제1파장광을 검출할 수 있는 센싱부를 사용하여 패턴층(120)을 투과한 제1파장광을 검출할 수 있다. 이에 따라 제1파장광이 검출된 영역은 패턴층(120)에 패턴이 형성되지 않아 제1파장광이 그대로 투과된 영역이고, 제1파장광이 검출되지 않은 영역은 제1파장광이 패턴층(120)을 투과하지 못하는 영역, 즉 제1파장광이 패턴층(120)에 흡수된 영역이므로 패턴이 형성된 영역이다.
따라서, 제1파장광의 검출 여부에 따라 패턴형상을 획득할 수 있으므로 패턴층(120)이 형성된 기판(110)의 패턴을 검사할 수 있다.
예를 들어, 제1파장이 자외선 영역의 파장이라 하자. 기판(110)은 자외선 영역의 파장, 즉 100nm 내지 380nm의 파장의 광을 투과시키는 기판이고, 패턴층(120)은 자외선 영역의 파장을 갖는 광을 투과시키지 못하는 물질을 포함하면, 자외선 센싱부를 이용하여 패턴층(120)의 형상을 검출할 수 있다.
또한, 예를 들어, 기판(110)이 유리기판이고, 패턴층(120)은 ITO를 포함한다고 가정하자. 도 2a 및 도 2b는 각각 유리 및 ITO의 파장에 따른 흡광도를 도시한 도면이다. 도 2a 및 도 2b를 비교하여 보면, 유리는 250nm 내지 350nm의 파장에서도 투광도(transmittance)가 높아 250nm 내지 350nm의 파장의 광을 투과시킨다. 반면, ITO의 경우, 350nm 근처에서 투광도가 0%로 떨어지는 경향을 나타내는 그래프로 보아, 250nm 내지 350nm에서는 투광도가 낮아 이 파장의 광을 거의 투과시키지 못할 것을 예측할 수 있다.
따라서, 기판(110)이 유리기판이고, 패턴층(120)이 ITO를 포함하는 경우, 제1파장광의 파장을 250nm 내지 350nm로 하여 패턴층(120)을 검사할 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치를 나타내는 도면이다.
도시된 바와 같이, 도 3의 패턴검사장치(350)는 패턴층이 형성된 기판(330)에 '기판은 투과하고 패턴층은 투과하지 않는 범위 내의 파장'인 제1파장을 갖는 제1파장광을 조사하는 발광부(310); 및 패턴층이 형성된 기판(330)을 통과한 광인 투과광을 검출하는 센싱부(320)를 포함한다.
발광부(310)는 기판은 투과하고 패턴층은 투과하지 않는 범위내의 파장인 제1파장을 갖는 제1파장광을 패턴층이 형성된 기판(330) 측으로 조사한다. 패턴층이 형성된 기판(330)에서는 패턴이 형성되지 않은 영역에서 제1파장광이 투과되므로 투과된 제1파장광을 센싱부(320)가 검출하여 이를 이용하여 패턴을 검사할 수 있다. 도 3에는 도시되어 있지 않으나, 기판상의 패턴층은 발광부를 향한 면 또는 센싱부를 향한 면 중 어느 면에라도 위치하는 것이 가능하다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법의 설명에 제공되는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴층(220)이 형성된 기판의 패턴검사방법의 설명에 제공되는 도면이다. 도 4a에서, 기판(210) 상에 패턴층(220)이 형성되어 있는데, 패턴층(220)의 상부에는 형광물질층(230)이 더 형성되어 있다. 이하, 도 1을 참조하여 설명한 내용과 동일한 내용은 생략하기로 한다.
형광물질층(230)은 제1파장광을 흡수하여 제2파장을 갖는 제2파장광을 발생시킨다. 도 4a에서, 기판(210)의 하부로 제1파장광 L1이 조사되면, 제1파장광 L1은 기판(210)은 투과하나 패턴층(220)은 투과하지 못한다. 따라서, 패턴층(220)이 형성되지 않은 영역으로 투과된 제1파장광 L1은 상부에 형성된 형광물질층(230)에서 제1파장과 다른 파장의 광으로 변환된다.
형광물질층(230)에서 제1파장과 다른 파장으로 변환된 제2파장은 제1파장이 주사된 방향으로 다시 방출된다. 이는 형광물질층(230)이 제1파장이 흡수되면 흡수된 표면을 중심을 형광물질의 화학반응에 따른 에너지 변화에 따라 제2파장을 제1파장이 주사된 방향으로 방출하게 된다.
이에 따라, 패턴층(220)의 패턴형상을 검사하기 위하여는 형광물질층(230) 하부에 제2파장을 검출할 수 있는 센싱부를 사용하여 제2파장광 L2을 검출한다.
본 실시예의 패턴검사방법에서는 기판(210) 및 패턴층(220)의 광학특성을 고려하여 형광물질층(230)을 이용하여 패턴검사에 사용되는 광의 파장을 변환시킨다. 즉, 기판(210) 및 패턴층(220)의 광학특성이 매우 유사하여 기판(210)은 투과하나 패턴층(220)을 투과하지 않는 제1파장영역을 가시광선 영역에서 찾기 어려운 경우에는 자외선 영역에서 찾을 수 있다. 그러나, 제1파장이 자외선 영역인 경우, 자외선을 검출하기 위한 UV센싱부가 고가일 수 있다. 따라서, 저가이면서 사용이 비교적 간단한 가시광선용 카메라를 사용하기 위하여는 자외선 영역인 제1파장의 광을 가시광선 영역인 제2파장의 광으로 변환하여 검출하는 것이 바람직하다.
본 실시예에 있어서, 형광물질층(230)은 폴리이미드가 이용될 수 있다. 특히, 폴리이미드 중 일부 방향성 폴리이미드는 250nm 내지 350nm 파장의 광을 흡수하여 400nm 내지 500nm 파장의 광을 방출하는 형광특성을 나타낸다. 이러한 특성을 나타내는 폴리이미드로는 이하의 화학식1의 Ph/An, 화학식 2의 Ph4F/An, 화학식 3의 Ph/Ch, 및 화학식 4의 Ph4F/Ch가 있다.
[규칙 제26조에 의한 보정 21.11.2011]　
화학식 1
Figure WO-DOC-CHEMICAL-1
[규칙 제26조에 의한 보정 21.11.2011]　
화학식 2
Figure WO-DOC-CHEMICAL-2
[규칙 제26조에 의한 보정 21.11.2011]　
화학식 3
Figure WO-DOC-CHEMICAL-3
[규칙 제26조에 의한 보정 21.11.2011]　
화학식 4
Figure WO-DOC-CHEMICAL-4
도 5는 화학식 1 내지 화학식 4의 폴리이미드의 파장에 따른 흡광도를 도시한 도면이다.
따라서, 전술한 예에서, 기판(210)이 유리기판이고, 패턴층(220)이 ITO 패턴인 경우, 검사를 위하여 250nm 내지 350nm 의 제1파장광을 기판(210)에 조사할 수 있다. 이 경우, 패턴층(220)을 투과한 250nm 내지 350nm의 제1파장광 L1은 폴리이미드 형광물질층(230)에서 400nm 내지 500nm 파장의 제2파장광 L2로 변환되고, 가시광선용 카메라와 같은 센싱부를 이용하면 패턴층(220)의 패턴을 검사할 수 있다.
특히, 폴리이미드는 액정표시장치에서 투명전극이 패턴화된 유리기판 내부의 액정을 균일하게 배향하기 위한 배향막(alingment layer)으로 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명의 패턴층이 형성된 기판이 ITO패턴이 형성된 유리기판이고, 본 기판이 액정표시장치에 사용되는 경우, 폴리이미드가 배향막으로서 ITO패턴상에 형성된다. 따라서, 별도의 형광물질층(230)을 형성하지 않고서도 배향막으로 사용된 폴리이미드를 이용하여 ITO 패턴의 검사가 가능하다.
도 4b의 경우는, 형광물질층(230)이 도 4a와 달리 기판(210)의 하부에 형성된 것을 도시하고 있다. 형광물질층(230)은 기판(210)의 패턴층(220) 상에 형성될 수 있으나 기판(210)의 하부, 즉 패턴층(220)이 형성되지 않는 면의 상부에 형성될 수 있는 것은 물론, 형광물질층(230)이 기판(210)에 직접 형성되지 않은 경우에는 패턴 검사를 위해 형광물질층(230)을 별도로 장착하는 방법으로 이용할 수 있다. 따라서, 형광물질층(230)은 기판(210)이나 패턴층(220)의 표면과 접촉하거나 또는 접촉하지 않을 수 있다.
도 4b와 같이, 형광물질층(230)이 기판(210)측에 형성되면, 패턴검사를 위한 제1파장광 L1은 기판(210)의 하부가 아닌 패턴층(220) 측에서 조사된다. 패턴층(220) 측에서 조사된 제1파장광 L1은 패턴층(220)에서 패턴이 형성된 영역은 투과하지 못하고 패턴이 형성되지 않은 영역은 기판(210)을 투과하여 형광물질층(230)에 도달한다. 제1파장광 L1은 형광물질층(230)에서 제2파장광 L2로 변환되어 패턴층(220) 측에 위치한 제2파장광을 검출할 수 있는 센싱부에 의하여 검출되고, 패턴이 검사된다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치의 일 예를 도시한 도면이다.
도 6의 패턴검사장치(500)는 패턴층이 형성된 기판(530)에 '기판은 투과하고 패턴층은 투과하지 않는 범위 내의 파장'인 제1파장을 갖는 제1파장광을 조사하는 발광부(310), 상기 기판을 지지하는 스테이지(340) 및 상기 조사된 제1파장광이 상기 패턴층이 형성된 기판을 통과하면서 발산되는 제2파장을 갖는 제2파장광을 검출하는 센싱부(320)를 포함한다.
발광부(510)는 기판은 투과하고 패턴층은 투과하지 않는 범위내의 파장인 제1파장을 갖는 제1파장광을 패턴층이 형성된 기판(330) 측으로 조사한다.
이때, 패턴층이 형성된 기판(330)은 '기판은 투과하고 패턴층은 투과하지 않는 범위 내의 파장'인 제1파장광을 흡수하여 이와 다른 제2파장을 갖는 제2파장광을 발생시키는 형광물질층을 더 포함하는 기판일 수 있다. 이러한 패턴층이 형성된 기판(330)을 검사하기 위하여는 발광부(310)는 제1파장광을 발광하고, 센싱부(320)는 형광물질층으로부터 방출되는 파장변환된 제2파장광을 검출한다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치의 다른 예를 도시한 도면이다.
도시된 바와 같이, 도 7은 발광부(610) 및 센싱부(620)는 형광물질층을 포함하는 패턴층이 형성된 기판(630)의 일면에 함께 위치하고 있다. 즉, 도 7에서는 발광부(610) 및 센싱부(620)가 형광물질층을 포함하는 패턴층이 형성된 기판(630)의 상부에 함께 위치한다.
발광부(610) 및 센싱부(620)와 동일평면상에 위치하기 때문에 패턴검사장치의 크기가 감소될 수 있다.
한편, 발광부(610)와 센싱부(620)가 동일 축에 있는 경우에 광 검출에 문제가 발생할 수도 있으므로 도 7은 발광된 광 또는 검출된 광의 진행방향을 변경할 수 있는 광학계(611)를 더 구비한다.
도 7에서, 발광부(610) 및 센싱부(620)는 광축으로 보아 서로 직각으로 위치하므로 광학계(611) 내부에는 발광부(610)로부터 조사된 제1파장광은 형광물질층을 포함하는 패턴층이 형성된 기판(630)측으로 반사시키고, 형광물질층을 포함하는 패턴층이 형성된 기판(630)으로부터 방출되는 광인 제2파장광을 투과시키기 위한 미러를 포함한다.
이와 달리, 발광부 및 센싱부의 위치가 서로 바뀌는 경우, 즉 발광부가 센싱부의 위치게 있다면 미러는 발광부로부터의 제1파장광은 투과시키고 형광물질층을 포함하는 패턴층이 형성된 기판으로부터의 제2파장광은 반사시킬 수 있어야 한다. 따라서, 발광부, 센싱부 및 미러의 종류는 제1파장광, 형광물질층, 및 기판의 위치 등에 따라 변경될 수 있다.
예를 들어, 기판(210)이 유리기판이고, ITO패턴이 형성되었으며, 형광물질층(640)은 폴리이미드를 포함한다고 가정하자. 발광부(610)는 250nm 내지 350nm의 파장을 갖는 제1파장광 L1을 조사하고, 광학계(611)에서 미러(612)는 250nm 내지 350nm의 파장을 반사시킨다. 반사된 제1파장광은 패턴층이 형성된 기판(630) 상으로 조사되고, 패턴이 형성되지 않은 영역으로 투과된 제1파장광은 형광물질층(640)에 도달하여 400nm 내지 500nm의 파장을 갖는 제2파장광 L2로 변환된다.
제2파장광은 형광물질층(640)의 상부로 방출되어 센싱부(620)측으로 진행하고, 미러(612)는 400nm 내지 500nm의 파장의 광은 반사시키지 않고 투과시키게 되어 센싱부(620)의 렌즈(621)로 검출되어 카메라(622)에서 검출된다. 따라서, 카메라(622)는 제2파장광이 400nm 내지 500nm의 가시광선이므로 UV 카메라가 아닌 자외선 필터 및 적외선 필터가 있는 CCD 카메라 또는 CMOS 카메라 중 어느 것이든 사용할 수 있다.
이와 달리 형광물질이 없는 경우에는 센싱부(520)는 제1파장광을 검출하게 되므로 UV 카메라일 수 있다. 다만, 이때에는 투과된 광을 센싱부(520)로 진행하도록 하기 위해 반사판을 구비할 수 있다.
한편, 패턴층이 형성된 기판(630)을 지지하고, 필요에 따라 이송하기 위한 스테이지(660)를 구비할 있다.
따라서, 패턴층이 형성된 기판(630)의 크기가 큰 경우나 계속적으로 검사가 필요한 경우에는 스테이지(660)의 움직임에 따라 계속하여 패턴을 검사할 수 있다.
본 실시예에서는 패턴층이 형성된 기판 상에 형광물질층(640)이 형성된 것으로 보아 설명하였으나, 형광물질층은 스테이지(660)상에 구비되고, 패턴층이 형성된 기판만 장착되어 패턴이 검사될 수 있다. 패턴이 검사된 기판은 분리되고 형광물질층은 다른 패턴층이 형성된 기판을 검사하기 위하여 재사용될 수 있다.
또한 본 발명에 따라, 센싱부(620)의 카메라(622)를 통해 검출된 영상은 제어부(710)로 전송되어 패턴 검사를 실시한다.
팬턴 검사는 먼저, 제어부(710)의 전처리부(711)에서 카메라(622)를 통해 촬영된 영상을 획득하여 노이즈 제거 및 정밀 측정을 위한 캘리브레이션을 수행한다.
여기서, 카메라를 통해 촬영된 영상은 상기 실시예에서 설명한 바와 같이, 패턴층이 형성된 기판상에서 "기판은 투과하고 패턴층은 투과하지 않는 범위 내의 파장"인 제1파장에 의해 형성되는 영상이거나, 혹은 패턴층이 형성된 기판상에서 "기판은 투과하고 패턴층은 투과하지 않는 범위 내의 파장"인 제1파장이 조사되고, 형광물질층에 의해 제1파장광의 파장이 변환된 제2파장에 의해 형성되는 영상이다.
전처리 과정에 의해, 노이즈 제거 및 캘리브레이션이 수행되면, 제어부(710)의 패턴 검사부(712)는 전처리부(711)에 의해 전처리된 영상과 표준 패턴을 비교하여 촬영된 영상의 오류를 검출한다.
오류의 검출은 도 8과 같이 촬영된 영상과 표준 영상을 비교하여 그 차이로부터 오류 정도를 검출한다.
제어부(710)는 패턴 검사부(712)에 의해 검출된 패턴 영상의 오류에 대한 정보를 출력부(720)를 통해 출력함은 물론 데이터베이스(730)에 저장한다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니라, 첨부된 청구범위에 의해 해석되어야 한다. 또한, 본 발명에 대하여 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.

Claims (20)

  1. 패턴층이 형성된 기판상에, '상기 기판은 투과하고 상기 패턴층은 투과하지 않는 범위 내의 파장'인 제1파장을 갖는 제1파장광을 조사하는 단계; 및
    상기 패턴층이 형성된 기판이 상기 조사된 제1파장광을 흡수한 후 발산하는 제2파장을 갖는 제2파장광을 검출하는 단계를 포함하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은
    상기 제1파장광을 흡수하여 제2파장을 갖는 제2파장광을 발생시키는 형광물질을 포함하는 형광물질층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 패턴층은 ITO를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 형광물질은
    폴리이미드를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법.
  5. [규칙 제26조에 의한 보정 21.11.2011]　
    제 4 항에 있어서, 상기 폴리이미드는 다음 화학식 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴검사방법.
    Figure WO-DOC-FIGURE-5a
    ,
    Figure WO-DOC-FIGURE-5b
    ,
    Figure WO-DOC-FIGURE-5c
    ,
    Figure WO-DOC-FIGURE-5d
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1파장은 자외선 파장영역의 파장이고,
    상기 제2파장은 가시광선 파장영역의 파장인 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1파장은 250nm 내지 350nm 내의 파장인 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제2파장은 400nm 내지 500nm 내의 파장인 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 패턴층이 형성된 기판을 투과한 제2파장광을 검출하여 상기 기판에 형성된 패턴층을 검사하는 단계를 더 포함하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 패턴층을 검사하는 단계는
    상기 제2파장광에 의해 형성된 영상과 표준 영상을 비교하여 오류를 검출하여 패턴층을 검사하는 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사방법
  11. 패턴층이 형성된 기판상에, '상기 기판은 투과하고 상기 패턴층은 투과하지 않는 범위 내의 파장'인 제1파장을 갖는 제1파장광을 조사하는 발광부;
    상기 기판을 지지하는 스테이지; 및
    상기 조사된 제1파장광이 상기 패턴층이 형성된 기판을 통과하면서 발산되는 제2파장을 갖는 제2파장광을 검출하는 센싱부를 포함하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 기판은
    상기 제1파장광을 흡수하여 제2파장을 갖는 제2파장광을 발생시키는 형광물질을 포함하는 형광물질층을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제1파장광을 흡수하여 제2파장을 갖는 제2파장광을 발생시키는 형광물질을 포함하는 검사 보조체를 상기 기판의 일측에 구비하는 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치.
  14. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
    상기 패턴층은 ITO를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 형광물질은
    폴리이미드를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치.
  16. [규칙 제26조에 의한 보정 21.11.2011]　
    제 15 항에 있어서, 상기 폴리이미드는 다음 화학식 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴검사장치.
    Figure WO-DOC-FIGURE-16a
    ,
    Figure WO-DOC-FIGURE-16b
    ,
    Figure WO-DOC-FIGURE-16c
    ,
    Figure WO-DOC-FIGURE-16d
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 제1파장은 자외선 파장영역의 파장이고,
    상기 제2파장은 가시광선 파장영역의 파장인 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제1파장은 250nm 내지 350nm 내의 파장인 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 제2파장은 400nm 내지 500nm 내의 파장인 것을 특징으로 하는 패턴층이 형성된 기판의 패턴검사장치.
  20. 제 14 항에 있어서,
    상기 검출된 제2파장광에 의해 형성된 영상과 표준 영상을 비교하여 오류를 검출하여 패턴층을 검사하는 제어부를 더 포함하는 것은 특징으로 하는 패턴검사장치.
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