JP2007180561A - アンチレフレクティブコーティング及びその堆積の方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ヘリウムガスを用いてプラズマ励起シラン酸化物プロセス、プラズマ励起シランオキシナイトライドプロセス及びプラズマ励起シランナイトライドプロセスの堆積速度を下げる。また、ヘリウムはプロセスを安定化するためにも用いられ、別々の膜を堆積できるようにした。本発明はまた、プロセスパラメータを制御して、所望の光学挙動を得るための最適な屈折率、吸収率及び厚さを変化させたアンチレフレクティブ層を生成する。
【選択図】図1
Description
本発明は、アンチレフレクティブ層を堆積するための装置及びプロセスを提供する。ARL膜は薄いため、安定なプロセスを得るためには、プロセスの堆積速度は低いことが望ましい。本発明は、プラズマ励起シラン酸化物プロセス、プラズマ励起シランオキシナイトライドプロセス及びプラズマ励起シランナイトライドプロセスの堆積速度を下げるための装置及びプロセスを提供する。好ましい具体例では、ヘリウムガスが用いられる。ヘリウムは化学気相堆積のキャリアガスとして周知であるが、これを本発明で用いるのは、プロセスの堆積速度を制御するためだからである。ヘリウムを添加することにより、特に装置操作が長期間行われた場合に、薄膜の厚さを更に正確に制御できるようになる。また、ヘリウムはプロセスを安定化し、別々の膜を堆積できるようにし、堆積した膜が良好に制御されるようになる。
本発明に従ってARLを堆積するための堆積プロセスは、プラズマ励起化学気相堆積法(PECVD)技術を用いて、SiH4対N2Oの比が1.0〜3.0である場合にSiH4とN2Oの間の化学反応を引き起こす操作を有している。このプロセスは更に、NH3ガス、N2ガス及びヘリウムガスを添加する操作を有している。図1は、本発明に従ってアンチレフレクティブ層を堆積するための真空チャンバ15を有する、簡略化された平行板PECVDシステム10の1つの具体例を例示する。
本発明に従ってARLを堆積するためのプロセスの好ましい具体例は、ヘリウムの存在下で、SiH4対N2Oの比が0.5〜3.0、好ましくは1.0である場合のSiH4とN2Oの間の化学反応を引き起こための、プラズマ励起化学気相堆積法(PECVD)技術のための装置及びこの技術の使用を有している。このプロセスは更に、NH3ガス、N2ガス及びHeガスを添加する操作を有している。図1は、本発明に従ってアンチレフレクティブ層を堆積するための真空チャンバ15を有する、簡略化された平行板PECVDシステム10の1つの具体例を例示する。
n3・2t = 1/2(mλ) (1)
光線3と5の強度がほぼ同じであること
I3 = I5 (2)。
Claims (9)
- 薄膜堆積で安定性及び良好な厚さ制御を実現するために、プラズマ励起プロセスを制御するための方法であって、
所望の安定性及び厚さを実現するために要求される不活性ガスの量を決めるステップと、
前記プロセスに前記不活性ガスを添加するステップと、
前記不活性ガスの添加を制御して前記量を実現し、前記プロセスの堆積速度を下げるステップと、
を有する方法。 - 半導体処理チャンバで基板上にアンチレフレクティブ層を堆積するための方法であって、該方法は、前記アンチレフレクティブ膜の光学的性質及び化学的性質の両方を正確に制御することを可能にし、
チャンバ圧力を1〜6トールに設定し維持するステップと、
50〜500ワットの電力を供給する能力を有する電源に、前記チャンバを接続させるステップと、
支持体上に前記基板を支持するステップと、
前記基板を、200〜400℃の範囲の温度まで加熱するステップと、
前記支持体を、ガス散布システムから、200〜650milsの範囲の間隔を備えた距離のところに配置するステップと、
流量5〜300sccmでSiH4を前記チャンバに導入するステップと、
流量5〜300sccmでN2Oを前記チャンバに導入するステップと、
を有する方法。 - フォトレジストのパターンを形成する方法であって、
基板上に、膜を備えるアンチレフレクティブ層を形成するステップと、
前記アンチレフレクティブ膜の上にフォトレジストを形成するステップであって、前記フォトレジストと前記アンチレフレクティブ層の界面からの第1の反射光の位相が前記アンチレフレクティブ層と前記基板の界面からの第2の反射光と540゜ずれており、前記第1の反射光は前記第2の反射光とほぼ同じ強度を有して前記第2の反射光を実質的に打ち消すような、厚さと屈折率を前記膜が有する、前記ステップと、
を有し
前記厚さと前記屈折率は、ある範囲内にあり、且つ、露光波長が与えられたとき正確に決定することができ、前記厚さと前記屈折率は信頼性及び反復性をもって実現可能である方法。 - Al−Si基板の上に前記アンチレフレクティブ層を形成するステップと、
前記アンチレフレクティブ層の上にフォトレジストを形成するステップと
を有し、
前記アンチレフレクティブ層は、
波長約248nmでの露光に対して、前記フォトレジストと前記アンチレフレクティブ層の界面からの第1の反射光の位相が、前記アンチレフレクティブ層と前記Al−Si基板の界面からの第2の反射光と540゜ずれており、前記第1の反射光は、前記第2の反射光とほぼ同じ強度を有して前記第2の反射光を実質的に打ち消す、
独自の膜の性質を有している膜を備え、
前記アンチレフレクティブ膜は、2.1〜2.4の範囲の反射屈折率nと、0.2〜0.5の範囲の吸収屈折率kと、500〜1000オングストロームの範囲の厚さとを有している方法。 - 薄膜干渉を実質的に排除する独自の性質を有するアンチレフレクティブ層であって、前記層は、
1.7〜2.9の範囲の反射屈折率nと、0〜1.3の範囲の吸収屈折率kと、200〜3000オングストロームの範囲の厚さとを有するアンチレフレクティブ膜
を備え、
露光波長365nm以下に対して、前記フォトレジストと前記アンチレフレクティブ層の界面からの第1の反射光と前記アンチレフレクティブ層と前記基板の界面からの第2の反射光との間に、180゜の奇数倍の位相シフトが存在し、前記第1の反射光は前記第2の反射光とほぼ同じ強度を有して前記第2の反射光を実質的に打ち消す、アンチレフレクティブ層。 - 基板処理システムであって、
真空チャンバと、
真空チャンバ内に配置される、基板を支持するための基板支持体と、
チャンバ内にプロセスガスを導入するためのガスマニホールドと、
ガス源からガスマニホールドへプロセスガスを散布するための、ガスマニホールドにつながったガス散布システムと、
基板支持体とチャンバの間につながる電源と真空チャンバ内の圧力を制御するための真空システムと、
コンピュータを有する、ガス散布システムと電源と真空システムとを制御するためのコントローラと、
基板処理システムの動作を支持するためのコンピュータ読み出し可能プログラムコードを有するコンピュータ使用可能媒体を備えるコントローラであって、前記コンピュータ読みだし可能プログラムコードは、
ガス散布システムにSiH4とN2Oとの混合物を備える第1のプロセスガスをチャンバに導入させてウエハの上にプラズマ励起CVD層を堆積させるための、コンピュータ読み出し可能プログラムコードと、
ガス散布システムにHeを備える第2のプロセスガスをチャンバに導入させて第1の層の堆積速度を制御するための、コンピュータ読み出し可能プログラムコードと
を備える、前記コントローラと、
を備える基板処理システム。 - プラズマ励起プロセスを制御して薄膜堆積の厚さ制御を実現する方法であって、
所望の低い堆積速度に要する不活性ガスの量を決定するステップと、
不活性ガスをプロセスに添加するステップと、
不活性ガスをプロセスに添加するステップを制御して所望の低い堆積速度を実現するステップと
を有する方法。 - 半導体処理チャンバ内で基板上にアンチレフレクティブ層を堆積するための方法であって、
Heを用いて1〜6トールの範囲のチャンバ圧力を与えるステップと、
チャンバをRF電源に接続して、50〜500ワットを受容するステップと、
基板をチャンバ内で支持するステップと、
基板を200〜400℃の範囲の温度に加熱するステップと、
ガス散布システムを介して流量5〜300sccmでSiH4を導入するステップと、
ガス散布システムを介して流量5〜300sccmでN2Oを導入するステップと
を有する方法。 - フォトレジストパターンを形成する方法であって、
基板上にアンチレフレクティブ層を形成するステップと、
アンチレフレクティブ層上にフォトレジストの層を形成するステップであって、フォトレジストとアンチレフレクティブ層の界面からの第1の反射光の位相がアンチレフレクティブ層と基板の界面からの第2の反射光と540゜ずれているような、厚さと屈折率を該層が有する、前記ステップと
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