JPH04359515A

JPH04359515A - プラズマ化学気相成長法

Info

Publication number: JPH04359515A
Application number: JP3134532A
Authority: JP
Inventors: Yasuro Ikeda; 康郎池田
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1991-06-06
Filing date: 1991-06-06
Publication date: 1992-12-11
Anticipated expiration: 2013-07-02
Also published as: JP2771347B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、超高集積半導体装置の
製造方法に関し、特に、絶縁膜の化学気相成長法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来のプラズマ化学気相成長法は、反応
ガスにＴＥＯＳ及び酸素を用い、反応容器内の対向電極
間に、一定出力の高周波電力を印加し、一定強度のプラ
ズマを発生させながら、被処理基板上に所望の薄膜を形
成していた。

【０００３】図９に、従来のプラズマ気相成長装置の概
略図を示す。シリコン原料となるＴＥＯＳ（テトラエチ
ルオルソシリケート）ガスは、バブラー１３２に入れた
液体状のＴＥＯＳ１３１を、流量調節器１２３にて流量
調節されたヘリウム（Ｈｅ）ガスにてバブリングし、Ｔ
ＥＯＳを蒸発させて生成する。オゾン含有酸素は、流量
調節器１２０で流量調節された酸素ガスをオゾン発生器
１６５を通過させ、濃度１０％程度のオゾンを含有させ
て生成する。ＴＥＯＳガス及びオゾン含有酸素ガスは、
ＴＥＯＳ導入口１３８及び酸素・オゾン導入口１３９よ
りマニホールド１３６に導入され、マニホールド１３６
内で混合されて、ガス拡散板１４０に当たり拡散し、シ
ャワー電極１４２を通ってさらに均一に分散し、基板１
４７の表面に吹き付けられる。基板１４７は、ＳｉＣサ
セプタ１４４上に装着され、石英板１４５を通して加熱
ランプ１４６から光加熱され、３５０℃程度の温度に保
持されている。シャワー電極１４２は、絶縁リング１４
１によって他の部分と電気的に絶縁されており、１３．
５６ＭＨｚ高周波電源１２９およびハイパスフィルター
１３０、４５０ｋＨｚ高周波電源１３３およびローパス
フィルター１３４で生成された２つの周波数の高周波電
圧がマッチングボックス１３５を介して印加されている
。排気管１４８は真空ポンプ１４９に接続されており、
反応室１４３の圧力は、数Ｔｏｒｒに保持されている。

【０００４】通常、上記のような装置では、まず、ＴＥ
ＯＳガスと酸素の混合ガスシャワー電極１４２から基板
１４７に吹き付け、圧力等の安定を確認した後、一定の
高周波電圧をシャワー電極１４２に印加し、ＴＥＯＳ及
び酸素を分解させて基板１４７上に所望の膜を形成する
。

【０００５】このような単純な方法では、形成された膜
の下地段差に対する段差被覆性（ステップカバレッジ）
が極めて悪い（約５０％）事が判っており、プラズマ化
学気相成長法と、オゾンとＴＥＯＳの熱化学気相成長法
とを交互に行うことが試みられている。図１０に、その
ような方法を行う際に、シャワー電極１４２に印加され
る高周波電力と、プラズマ中の酸素イオン数と、原料ガ
ス中のオゾン濃度の、成膜時間に対する変化を示してい
る。プラズマ化学気相成長を行っており、高周波電力が
印加されている期間は、酸素イオン数が最大値を示すが
、オゾン熱化学気相成長を行っており、高周波電力がゼ
ロの期間は、酸素イオン数もゼロになっている。また、
高周波電力をゼロにしてから、オゾンを流し始めるため
、オゾン濃度が上昇するまでに一定時間が必要である。

【０００６】上記のように、プラズマ化学気相成長法と
オゾン熱化学気相成長法を交互に行った場合、膜がどの
ように形成されるかを、図１１（ａ）〜（ｄ）に示す。下地基板上に形成されたアルミ配線１５３上に、まず（
ｂ）の様に、第１のプラズマＣＶＤ膜１５４が形成され
る。次に、（ｃ）の様に、アルミ配線間の狭いスペース
を埋め込むために、第１の熱ＣＶＤ膜１５５が形成され
る。さらに、（ｄ）の様に、第２のプラズマＣＶＤ膜１
５６が形成される。このような工程が繰り返されて所望
の膜厚まで膜形成が行われ、第１１図（ｄ）の様に、多
層構造の膜が形成される。特に、このような方法では、
オゾン熱ＣＶＤ膜１５５がそのままの形で残っている事
が重要である。

【０００７】図１２は、従来のプラズマ化学気相成長法
とシリカル塗布法を用いた、多層配線用平坦化絶縁膜の
形成方法を示している。まず、図（ａ），（ｂ）の様に
、基板１５７上に形成されたアルミ配線１５８の上に、
プラズマＣＶＤ膜１５９を、配線間スペースに鬆（ボイ
ド）ができない程度の厚さだけ形成する。次に、図（ｃ
）の様にシリカ塗布液を塗布し、溶剤蒸発の為の１００
℃の熱処理，膜質改善の為の３００℃前後の熱処理を行
い、シリカ塗布膜（１回塗布）１６０を形成する。この
ままでは、平坦性が不十分なので、図（ｄ）の様に、図
（ｃ）で行ったシリカ塗布及び熱処理の工程を、２回以
上繰り返して、シリカ塗布膜（複数回塗布）１６１を形
成する。さらに、通常の反応性イオンエッチング法（Ｒ
ＩＥ）を用いてエッチバックする。この時、アルミ配線
上のプラズマＣＶＤ酸化膜が露出すると、酸化膜から酸
素原子が供給されるため、シリカ塗布膜のエッチングレ
ートが大きくなり、図（ｅ）の様に、エッチバック後の
シリカ塗布膜１６２は、アルミ配線段差間のスペース部
がへこんでしまう事が知られている。最後に、再度、プ
ラズマＣＶＤ膜１６３を形成して層間膜が完成する

【発明が解決しようとする課題】上述の従来のプラズマ
化学気相成長法は、段差被覆性（ステップカバレッジ）
が極めて悪く、サブミクロンのアルミ配線間スペースを
埋設する事ができなかった。サブミクロンのアルミ配線
間スペースを埋設する為には、図１１のように、プラズ
マ化学気相成長法と、オゾンとＴＥＯＳの熱化学気相成
長法とを交互に行ったり、図１２の様に、シリカ塗布膜
を多数回形成する必要がある。しかし、１０Ｔｏｒｒ程
度の減圧下で形成されたオゾン−ＴＥＯＳ熱ＣＶＤ膜や
シリカ塗布膜は、膜中に含まれる水分が多く、機械的強
度、絶縁特性等に問題があり、特に、下層アルミ配線と
上層アルミ配線を接続するスルーホールの接続不良が生
じるという欠点があった。また、図１２のようなシリカ
塗布膜をエッチバックする方法では、シリカ塗布膜を形
成する工程や、エッチバックする工程が非常に複雑で、
工程数の増加や、歩留まりの低下を招くという欠点も有
った。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ化学気
相成長法は、原料ガスの少なくとも一部分に有機シラン
と酸素或いはオゾン含有酸素を含み、基板表面へのプラ
ズマ照射強度を周期的に変化させながら所望の薄膜を形
成する。この際、プラズマ照射強度変化させる手段とし
て、プラズマの発生状態と非発生状態の繰り返して行っ
たり、基板表面へのプラズマの照射および非照射の繰り
返したり、反応容器内の対向する電極に、２種以上の周
波数の高周波電圧を印加し、その内の一部或いは全部の
高周波電力を周期的に変化させる。

【０００９】また、本発明のプラズマ化学気相成長装置
は、有機シランを供給する機構と、酸素或いはオゾン含
有酸素を供給する機構と、プラズマ発生強度を周期的に
変化させる機構、或いは、１つの反応容器内に設けられ
たプラズマ強度の異なる複数のプラズマ照射機構と、こ
の複数のプラズマ照射機構の間で基板を移動させる機構
とを有している。さらに、本発明のプラズマ化学気相成
長装置は、ウェハー表面に有機シランおよびオゾン含有
酸素を供給する機構と、酸素プラズマイオン源と、プラ
ズマ照射強度を周期的に変化させるための機械的或いは
電磁的なシャッターとを有している。また、本発明のプ
ラズマ化学気相成長装置は、反応容器内の対向する電極
に、２種以上の周波数の高周波電圧を印加し、その内の
一部或いは全部の高周波電力を周期的に変化させる機構
を有している。

【００１０】さらに、本発明の多層配線の製造方法は、
有機シランと酸素を原料ガスとし、基板表面へのプラズ
マ照射強度を周期的に変化させる、本特許請求の範囲第
１項および第２項記載の化学気相成長法により、金属配
線上に絶縁膜を金属配線の高さ以上の膜厚だけ形成する
工程と、レジスト膜，有機シリカ膜等の平坦化膜を形成
する工程と、反応性イオンエッチング法によりエッチバ
ックする工程を含んでいる。

【００１１】

【実施例】次に、本発明について、図面を参照して説明
する。

【００１２】図１は、本発明の実施例１を表すプラズマ
化学気相成長装置の概略縦断面図である。図２は、図１
のプラズマ化学気相成長装置の動作を、印加高周波電力
、酸素イオン数、オゾン濃度の時間変化について表した
ものである。図３は、本発明の原理の概略を表すモデル
図である。図４は、図２のような動作を行った際の、時
間経過と膜の成長過程を表す縦断面図であり、図５は、
図２のような動作を行った際、高周波オン時間（ｔＯＮ
）の割合（デューティーＤ）と膜成長速度、ステップカ
バレッジ、ＯＨ基の吸収係数の関係を示す。

【００１３】図１のプラズマ化学気相成長装置において
、シリコン原料となる珪酸エチル（以下ＴＥＯＳと呼ぶ
）ガスは、この図では表されていないＴＥＯＳタンクか
ら供給される、液体状のＴＥＯＳを、マスフロー型の液
体流量調節器３で流量調節し、蒸発器１２で完全に気化
させ、流量調節器４で流量調節されたヘリウムと混合さ
れて生成される。オゾン含有酸素は、流量調節器２で流
量調節された酸素を、無声放電型のオゾン発生器１１に
導入し、１〜１０％のオゾンを含有させて生成される。このようにして生成された、ＴＥＯＳガス及びオゾン含
有酸素ガスは、ＴＥＯＳ導入口１４及びオゾン導入口１
３からマニホールド１５に導入される。マニホールド内
では、これらのガスは混合され、ガス拡散板１７に当た
る事によって、ほぼ均一に拡散する。さらに、シャワー
電極１９に当たると、さらに均一に分散し、基板２８の
表面に吹き付けられる。基板２８は、ＳｉＣサセプタ２
１上に装着され、石英板２２を通して加熱ランプ２３か
ら光加熱され、２００〜４５０℃程度の温度に保持され
ている。シャワー電極１９は、絶縁リング１８によって
他の部分と電気的に絶縁されており、１３．５６ＭＨｚ
高周波電源３９およびハイパスフイルター３８、４５０
ｋＨｚ高周波電源３６およびローパスフイルター３５で
生成された２つの周波数の高周波電圧が、マッチングボ
ックス３７を介して印加されている。排気管２４は真空
ポンプ２６に接続されており、反応室２０の圧力は、０
．１〜数十Ｔｏｏｒに保持されている。

【００１４】本実施例では、シャワー電極１９に接続さ
れているマッチングボックス３７の内部に、２つの周波
数の高周波電圧を混合する混合器部と、インピーダンス
整合を行うマッチング部と、ダミーロードと、半導体ス
イッチがあり、シャワー電極１９に印加する高周波電圧
をオン・オフ出来るようになっている。また、パルスジ
ェネレータ４０の発生するパルスに同期して、高周波電
源３５，３６の出力を変化させ、シャワー電極１９に印
加される高周波電圧を変化させる事も可能である。これ
らの動作は、基板温度、反応室圧力等も含めて、プロセ
スコントローラ４１で制御される。これらの制御信号や
パルス等の伝達路は、図１中では破線で示されている。

【００１５】ここで、シャワー電極１９に印加する高周
波電圧を、周期１秒でオン・オフした場合の本装置の動
作を、図２乃至図５を用いて説明する。

【００１６】図２再下段は、成膜時間と高周波電力の関
係を示している。高周波電力がオンになっている時間ｔ
ＯＮの間、シャワー電極１９と基板２８或いはＳｉＣサ
セプタ２１の間にプラズマが発生し、酸素或いはオゾン
が分解し酸素イオンが発生する。図２中段は、その酸素
イオン数の変化を表している。高周波電力を印加し始め
てからプラズマ状態が安定するまでには、ある一定の時
間が必要で、なで肩の波形になっている。オゾンは酸素
より不安定であるため、高周波電力の印加によるイオン
化効率は高い。そのため、プラズマ中のオゾン分子数は
、図２上段のように、高周波電力がオンの時、かなり低
下する。

【００１７】図３（ａ），（ｂ）は、それぞれ、高周波
オンおよびオフの時の基板表面近傍の様子を表すモデル
図である。高周波オンの時、図１のシャワー電極１９と
基板２８の間にプラズマが発生する。プラズマ中では、
酸素分子やＴＥＯＳ分子は、電子４５，酸素イオン４７
，ＴＥＯＳ解離分子４６，酸素ラジカル５５等に解離す
る。また、プラズマと基板の間には、シース電圧が発生
し、酸素イオン４７は、この電圧により加速され、ドリ
フトし、基板表面に衝突する。ＴＥＯＳ解離分子４６も
基板表面に向かって拡散し、形成膜表面で、熱分解或い
は酸素イオン衝撃による分解によって膜形成前駆体５０
になる。さらに、形成膜表面で酸素ラジカル等と反応し
、形成膜５１が形成される。この際、形成膜５１の表面
には、非常に多くの酸素イオン衝撃があるため、膜形成
前駆体５０の寿命はかなり短く、形成膜表面での密度は
低い。また、酸素イオン衝撃は、形成膜５１を硬化させ
る作用があり、膜質が良好で、圧縮応力の膜の形成に役
立っている。

【００１８】さて、一旦高周波がオンになると（図３（
ｂ）参照）、電子および酸素イオン数は速やかに減少す
るが、ＴＥＯＳ解離分子４６や酸素ラジカル５５は、な
おも残っている。これらは、形成膜５１の表面に拡散し
て膜形成前駆体５０となりやがて減少する。さらに、Ｔ
ＥＯＳ分子５４とオゾン分子５６も膜表面に向かって拡
散し、反応してＴＥＯＳ解離分子や膜形成前駆体となる
。形成膜５１の表面では、膜形成反応が熱化学反応のみ
であるため、形成膜表面に、膜形成前駆体が高密度で存
在し、膜形成前駆体擬液体層５９が形成される。この膜
形成前駆体擬液体層５９は、液体の性質を示すため、基
板５２に形成されている段差の側面低部の膜厚が厚くな
り、段差側面の傾きを緩和する。

【００１９】図４は、図２のように高周波電力を印加し
たときの時間経過と膜形成の様子をモデル的に示した縦
断面図である。まず、図４（ａ）のように、時間ｔＯＮ
（図２では０．５秒）の間、高周波がオンになり、約１
０ｎｍの第１のプラズマＣＶＤ膜６０が形成される。次に、図４（ｂ）の様に、時間ｔＯＦＦ　（０．５秒）
の間に第１の熱ＣＶＤ膜６２が形成される。時間ＴＯＦ
Ｆ　は０．５秒と非常に短く、第１の熱ＣＶＤ膜６２の
膜厚は１ｎｍ程度である。そのため、次のｔＯＮの初期
に酸素イオン衝撃等で改善され、プラズマＣＶＤ膜と同
等の膜質になってしまう。よって、図４（ｃ）のように
、改善された第１の熱ＣＶＤ膜６２は、第１のプラズマ
ＣＶＤ膜６０と区別がつかなくなってしまい、第１のプ
ラズマＣＶＤ膜６０に取り込まれてしまう。熱ＣＶＤ膜
は、膜形成前駆体擬液体層の効果で、配線間の狭少なス
ペースや段差低部の角を埋め込み、形状をスムースにす
る事が出来るので、続くプラズマＣＶＤ膜成長初期のプ
ラズマ照射により、熱ＣＶＤ膜と同等の形状でプラズマ
ＣＶＤと同等の膜質の第２のプラズマＣＶＤ膜成長前の
形成膜６４を形成した事になる。第２のプラズマＣＶＤ
膜成長前の形成膜６４により、段差低部は丸みを帯びた
形状になっているため、この上に形成される第２のプラ
ズマＣＶＤ膜６３の形状も、図４（ｃ）の様に、丸みを
帯びる。第２プラズマＣＶＤ膜成長前の形成膜６４と第２のプラ
ズマＣＶＤ膜６３も区別がつかないため、続く第２の熱
ＣＶＤ膜６５の成長段階（ｄ）では、下層膜は第２プラ
ズマＣＶＤ膜成長後の形成膜６６になる。

【００２０】以上のような段階を、多数回繰り返すこと
により、図４（ｅ）のように、アルミ配線６１の間のス
ペース部に鬆（ボイド）無く、プラズマＣＶＤ膜とほぼ
同等の、良好な膜質の形成膜を埋め込む事が出来る。

【００２１】図５は、図２中のｔＯＮとｔＯＦＦ　から
計算されるデューティー比Ｄ（Ｄ＝ｔＯＮ／（ｔＯＮ＋
ｔＯＦＦ）×１００（％））の値と、成長速度、ステッ
プカバレッジ、膜中ＯＨ基の吸収係数との関係を示して
いる。図５最下段から、成長速度はＤが大きいほど増加
する事が判り、中段からステップカバレッジは、Ｄが５
０％を越えると悪化し始める事が判り、上段から、ＯＨ
基は、Ｄが４０％を越えれば十分小さくなる事が判る。図４から、ステップカバレッジと膜中水分量（膜中ＯＨ
基吸収係数）は相反する傾向にあるが、デューティー比
Ｄの値を適当な範囲（本実施例の場合は４０から６０パ
ーセント）に設定することにより両者とも損なわないよ
うにする事が出来る事が判る。

【００２２】尚、本実施例では、有機シランガスとして
、珪酸エチル（ＴＥＯＳ：Ｓｉ（ＯＣ２　Ｈ５　）４　
）を用いたが、テトラメチルシラン（ＴＭＳ：Ｓｉ（Ｃ
Ｈ３　）３　），テトラメチルシクロテトラシロキサン
（ＴＭＣＴＳ），オクタメチルシクロテトラシロキサン
（ＯＭＣＴＳ），ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）
，トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ２　Ｈ５　）３　
），トリジメチルアミノシラン（ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３　
）２　）３　）等のシリコン含有化合物を用いても同様
の結果が得られる。また、反応ガス中にオゾンが存在し
なくても、酸素ラジカルやＴＥＯＳ解離分子の寿命はか
なり長いので、デューティー比の値を適当に選べば、同
様の結果が得られる。さらに、反応ガス中に、シラン等
のシリコン無機化合物やアンモニア等窒素化合物や、リ
ン，ホウ素，砒素，アンチモン等の水素化合物や有機化
合物を混入させた場合にも同様の結果が得られる。

【００２３】さらにまた、本実施例では、シャワー電極
１９に印加する高周波電力のみを変化させたが、パルス
ジェネレータ４０の生成するパルスに同期して、高周波
電力，反応室圧力，基板温度，ガス流量等を変化させる
と、より良好な段差被覆性が得られる。

【００２４】図６は、本発明の実施例２のプラズマ化学
気相成長装置の反応室を示し、（ａ）はその平面図であ
り、（ｂ）は、（ａ）の二点鎖線ＡＡ′での縦断面図で
ある。尚、（ａ）は、（ｂ）の一点鎖線ＢＢ′での平面
図を表している。

【００２５】反応室７２は、６つの扇型の領域に分けら
れ、時計の３時の方向の扇型が熱ＣＶＤ領域７０になっ
ており、時計回りに、プラズマＣＶＤ領域、熱ＣＶＤ領
域、プラズマＣＶＤ領域１６６と交互に配置されている
。基板６９は、回転軸７９を軸として回転するサセプタ
ー７１の上に装着され、熱ＣＶＤ領域と、プラズマＣＶ
Ｄ領域を交互に通過するようになっている。

【００２６】熱ＣＶＤ領域７０には、ＴＥＯＳ導入口７
３とオゾン導入口７５から、ＴＥＯＳガス及びオゾン含
有酸素が導入され、ガス分散板８３とシャワーインジェ
クター８１で均一に分散された後、基板６９の表面へ供
給される。基板６９はサセプター７１の裏側に設置され
たヒーター８０によって約３５０℃に加熱されているた
め、基板上でオゾンとＴＥＯＳによる熱ＣＶＤ膜が成長
する。

【００２７】プラズマＣＶＤ領域１６６には、ＴＥＯＳ
導入口７３と酸素導入口７４からＴＥＯＳガス及び酸ガ
スが導入され、ガス分散板８３′とシャワー電極７８で
均一に分散され、基板６９′の表面に供給される。シャ
ワー電極７８は、絶縁リング８２及び絶縁体７６によっ
て、反応室の他の部分から電気的に絶縁されており、Ｒ
Ｆ導入端子７７から１３．５６ＭＨｚ或いは４５０ｋＨ
ｚの高周波電圧が印加される。これらの高周波電圧の印
加によって、シャワー電極７８と基板６９′或いは、サ
セプター７１の間にプラズマが励起され、プラズマＣＶ
Ｄ膜が形成される。　　前述したように、基板６９は、
回転するサセプター７１とともに、プラズマＣＶＤ領域
と熱ＣＶＤ領域を交互に通過するため、プラズマＣＶＤ
膜と熱ＣＶＤ膜が交互に形成される。この際、サセプタ
ー７１の回転速度を毎分１０回転程度にすると、熱ＣＶ
Ｄ領域７０で形成される熱ＣＶＤ膜の膜厚は約２ｎｍ程
度となり、隣会うプラズマＣＶＤ領域の成膜初期でプラ
ズマ照射され、膜質はプラズマＣＶＤ膜と同様になる。このようにして、図４で述べたのと同様に、膜質はプラ
ズマＣＶＤ膜と同様で、ステップカバレッジ及び段差埋
め込み性に優れたＣＶＤ膜が形成される。

【００２８】尚、本実施例では、反応室を６つの領域に
分割したが、これは２つ以上であれば幾つでも構わない
。また、成膜領域の種類を熱ＣＶＤ領域とプラズマＣＶ
Ｄ領域の２種類にしたが、プラズマＣＶＤ領域を印加す
る高周波の周波数や印加電力によって２種以上設けても
良い。

【００２９】さらに、本実施例では、サセプター７１を
平面のターンテーブル状にし、上方に、シャワーインジ
ェクターやシャワー電極を設けたが、サセプターを円筒
或いは多角柱状にし、その外側面に基板を装着し、基板
と対向してシャワー電極等を設けても同様の結果が得ら
れる。

【００３０】また、本実施例では、有機シランガスとし
て、珪酸エチル（ＴＥＯＳ：Ｓｉ（ＯＣ２　Ｈ５　）４
　）を用いたが、テトラメチルシラン（ＴＭＳ：Ｓｉ（
ＣＨ３　）３　），テトラメチルシクロテトラシロキサ
ン（ＴＭＣＴＳ），オクタメチルシクロテトラシロキサ
ン（ＯＭＣＴＳ），ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ
），トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ２　Ｈ５　）３
　），トリジメチルアミノシラン（ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３
　）２　）３　）等のシリコン含有化合物を用いても同
様の結果が得られる。また、反応ガス中にオゾンが存在
しなくても、酸素ラジカルやＴＥＯＳ解離分子の寿命は
かなり長いので、デューティー比の値を適当に選べば、
同様の結果が得られる。さらに、反応ガス中に、シラン
等のシリコン無機化合物やアンモニア等窒素化合物や、
リン，ホウ素，砒素，アンチモン等の水素化合物や有機
化合物を混入させた場合にも同様の結果が得られる。

【００３１】図７に、本発明の実施例３のプラズマ化学
気相成長装置の概略を示す。イオン源空洞９３には、流
量調節器１０３で流量調節された酸素ガスＯ２　と、流
量調節器８７で流量調節されたアルゴンガスＡｒが供給
され、圧力は、ｐ＝１ｍＴｏｒｒに保たれている。また
マイクロ波電源８４から、導波管８５及び透過窓８６を
経由して、周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波が供給さ
れている。さらに、主電磁石コイル９４の作る８７５ガ
ウスの磁場によって、イオン源空洞９３内では電子サイ
クロトロン共鳴（ＥＣＲ）が起こっており、イオン化率
の高い酸素プラズマが発生する。酸素イオンは主電磁石
コイル９４の発散磁界及び補助コイル９６によって反応
室９５へ引き出され、供給１０６へ照射される。

【００３２】シリコン原料となるＴＥＯＳガスは、８０
℃に保たれ恒温容器１１２内に保温されたＴＥＯＳ１１
１から蒸発したＴＥＯＳガスを、流量調節器１１３で流
量調節してＴＥＯＳ導入口１０７から反応室へ導入され
る。また、流量調節器１０１で流量調節された酸素ガス
が、オゾン発生器９８を通過してオゾン含有酸素になり
、オゾン導入口９７から供給される。基板１０６は、サ
セプター１０９上に装着され、ヒーター１１０によって
３００℃に加熱されている。また、反応室の圧力は、流
量調節器８８によって流量調節され、Ａｒ導入口１０８
から供給される希釈用アルゴンガスと真空ポンプ１０５
によって、約１ｍＴｏｒｒに保たれている。

【００３３】本実施例のプラズマＣＶＤ装着では、まず
イオン源空洞９３内に酸素プラズマを発生させる。補助
コイル９６，９６′に流す電流は、イオン源から基板に
向かう磁場を発生させる向きで小さな値にしておき、酸
素プラズマの照射が均一になる程度にしておく。また、
反射磁石コイル１０２，１０２′に流す電流も、イオン
源から基板に向かう磁場を発生させる向きで小さな値に
しておく。この状態で、基板１０６表面に酸素イオンを
照射させ、ＴＥＯＳガスを供給すると、ＥＣＲプラズマ
気相成長が起こり、膜質の良いプラズマＣＶＤ膜が形成
される。を約１０ｎｍ形成する。次に、補助コイル９６
，９６′に流す電流の値を強くして、イオン源空洞出口
付近にミラー型磁場が形成されるようにし、主電磁石コ
イル９４，９４′の発散磁界によってプラズマから流れ
出す電子及びイオンが跳ね返るようにする。すると、供
給１０６上には、ＴＥＯＳガスとイオン源から拡散して
くる酸素ラジカル，酸素分子等の中性粒子のみが供給さ
れ、熱ＣＶＤ的な反応のみが起こり、ステップカバレッ
ジの良い成膜が行われる。そこで、補助コイル９６，９
６′に流す電流を、１秒から１０秒程度の周期で変化さ
せると、基板１０６に照射される酸素イオン数が周期的
に変化し、プラズマＣＶＤ膜と熱ＣＶＤ膜が交互に形成
され、さらに、熱ＣＶＤ膜のプラズマＣＶＤ膜への改質
も行われて、図４と同様に、ステップカバレッジ及び段
差埋め込み性に優れたプラズマＣＶＤが形成される。特に本実施例では、反応室圧力を１ｍＴｏｒｒ程度にし
ているので、アスペクト比の大きな溝の埋め込みも可能
になる。

【００３４】尚、基板１０６に照射される酸素イオンを
変化させる手段として、上記の例では補助コイル９４に
よって形成されるミラー型磁場を用いたが、反射磁石１
０２，１０２′によって形成されるカスプ型磁場や、サ
セプター１０９に正の電圧を印加して形成される反跳電
場を用いても良い。また、図７には示されていないが、
機械的なシャッターを用いても同様の結果が得られる。但し、機械的シャッター等を用いて、酸素ラジカルの拡
散を妨げるような構造にした場合には、オゾン発生器９
８を動作させて基板近傍にオゾンを供給し、熱化学気相
成長を促進し、熱ＣＶＤ膜の成長を促進するようにした
方がよいのは言うまでもない。

【００３５】また、上記実施例では、イオン源として電
子サイクロトロン共鳴型（ＥＣＲ）イオン源を用いたが
、酸素イオンの強度を変化させる事が出来れば、その形
式によらず同様の結果が得られる。

【００３６】また、本実施例では、有機シランガスとし
て、珪酸エチル（ＴＥＯＳ：Ｓｉ（ＯＣ２　Ｈ５　）４
　）を用いたが、テトラメチルシラン（ＴＭＳ：Ｓｉ（
ＣＨ３　）３　），テトラメチルシクロテトラシロキサ
ン（ＴＭＣＴＳ），オクタメチルシクロテトラシロキサ
ン（ＯＭＣＴＳ），ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ
），トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ２　Ｈ５　）３
　），トリジメチルアミノシラン（ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３
　）２　）３　）等のシリコン含有化合物を用いても同
様の結果が得られる。さらに、反応ガス中に、シラン等
のシリコン無機化合物やアンモニア等窒素化合物や、リ
ン，ホウ素，砒素，アンチモン等の水素化合物や有機化
合物を混入させた場合にも同様の結果が得られる。

【００３７】図８は、本発明の実施例４にもとづき、ア
ルミ多層配線の層間絶縁膜平坦化法を表す縦断面図であ
る。

【００３８】本実施例では、まず、半導体素子等を形成
した基板１１５上にアルミ配線１１４を形成する（図８
（ａ））。次に、本発明の実施例１のプラズマ化学気相
成長装置を用いて、図中（ｂ），（ｃ）のように、本発
明のＣＶＤ膜１１６をアルミ配線の膜厚より厚く形成す
る。レジスト１１７を塗布しハードベークする。レジス
ト１１７と本発明のＣＶＤ膜１１６のエッチングレート
が等しくなるように調整した反応性イオンエッチング法
を用いて、エッチバックを行い、ＣＶＤ膜の表面が平坦
になるようにする。すると、平坦化された層間膜１１８
が出来上がる。

【００３９】尚、本実施例では、平坦化のためにレジス
トを用いいたが、ポリスチレンや有機ＳＯＧ等を用いて
も同等の結果が得られる。また、平坦化法として、研磨
法も用いれば、基板全面に渡って良好な平坦性が得られ
る。

【００４０】図１３は、図１の実施例１のプラズマ化学
気相成長装置を使用した、実施例５の動作の方法を示し
ている。図１３では、１３．５６ＭＨｚ高周波電力，４
５０ｋＨｚ高周波電力，イオン電流密度，平均イオンエ
ネルギーについて表している。但し、いずれの値も、そ
れぞれの値の最大値で規格化してある。

【００４１】本実施例の動作の方法では、図１３の下か
ら１段目及び２段目の様に、図１の１３．５６ＭＨｚと
４５０ｋＨｚの２つの周波数の高周波電源３９，３６に
、パルスジェネレータ４０からパルスを送り、２つの周
波数の高周波の最大出力が逆位相になるようにして、シ
ャワー電極１９に電圧を印加している。すると、図１３
下から３段目および４段目の様に、イオン電流密度の変
化は小さいが、平均イオンエネルギーは、４５０ｋＨｚ
高周波電力が最大の時に最大値を取り、１３．５６ＭＨ
ｚ高周波電力が最大の時に最小となるように出来る。これは、印加する高周波の周波数が高いと、プラズマと
基板の間に生ずる電圧（シース電圧）が減少する事によ
る。このように、イオン電流密度を変えないで、イオン
エネルギーのみを変化させた場合、イオン衝撃の強度は
周期的に変化し、膜質の劣化が無く、段差被覆性および
溝埋め込み性が改善される点では、実施例１と同様であ
るが、図１３最上段の様に、膜成長速度の変化が１０％
程度に小さくできるという利点がある。

【００４２】尚、本実施例では、図１の装置を用いたが
、本特許の他の実施例で示した、図６，図７の装置を用
いても同様の結果を得る事が出来る。

【００４３】尚、本実施例では、有機シランガスとして
、珪酸エチル（ＴＥＯＳ：Ｓｉ（ＯＣ２　Ｈ５　）４　
）を用いたが、テトラメチルシラン（ＴＭＳ：Ｓｉ（Ｃ
Ｈ３　）３　），テトラメチルシクロテトラシロキサン
（ＴＭＣＴＳ），オクタメチルシクロテトラシロキサン
（ＯＭＣＴＳ），ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）
，トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ２　Ｈ５　）３　
），トリジメチルアミノシラン（ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３　
）２　）３　）等のシリコン含有化合物を用いても同様
の結果が得られる。また、反応ガス中にオゾンが存在し
なくても、酸素ラジカルやＴＥＯＳ解離分子の寿命はか
なり長いので、デューティー比の値を適当に選べば、同
様の結果が得られる。さらに、反応ガス中に、シラン等
のシリコン無機化合物やアンモニア等窒素化合物や、リ
ン，ホウ素，砒素，アンチモン等の水素化合物や有機化
合物を混入させた場合にも同様の結果が得られる。

【００４４】さらにまた、本実施例では、シャワー電極
１９に印加する高周波電力のみを変化させたが、パルス
ジェネレータ４０の生成するパルスに同期して、高周波
電力，反応室圧力，基板温度，ガス流量等を変化させる
と、より良好な段差被覆性が得られる。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように本発明のプラズマ化
学気相成長法は、基板表面へのプラズマ照射強度を周期
的に変化させながら、優れたステップカバレッジを持つ
オゾンとＴＥＯＳの熱ＣＶＤ膜の形成と、その熱ＣＶＤ
膜のプラズマＣＶＤ膜と同等な膜質への改質、および、
プラズマＴＥＯＳ・ＣＶＤ膜の形成を繰り返して行うた
め、微細でアスペクト比の大きい溝を埋め込む事が可能
なほど優秀なステップカバレッジを有し、膜中水分量や
膜中ストレスが小さく、良好な膜質を有するプラズマＣ
ＶＤ膜の形成が可能なる効果がある。

【００４６】また、本発明のプラズマ化学気相成長装置
は、有機シランを供給する機構と、酸素或いはオゾン含
有酸素を供給する機構と、プラズマ発生強度を周期的に
変化させる機構、或いは、１つの反応容器内に設けられ
たプラズマ強度の異なる複数のプラズマ照射機構と、こ
の複数のプラズマ照射機構の間で基板を移動させる機構
、或いは、プラズマ照射強度を周期的に変化させるため
の機械的或いは電磁的なシャッターとを有しているため
、本発明のプラズマ化学気相成長法を効果的に実現でき
る。

【００４７】また、本発明の多層配線の製造方法は、有
機シランと酸素を原料ガスとし、基板表面へのプラズマ
照射強度を周期的に変化させる、本特許記載の化学気相
成長法を用い、金属配線間に鬆（ボイド）の発生の無い
絶縁膜を、金属配線の高さ以上の膜厚だけ形成する工程
を含むため、シリカ塗布膜を用いる従来の多層配線の製
造方法に比べ、層間膜中の水分量が大幅に減少し、耐ク
ラック性の向上、ストレスマイグレーションの低減、ス
ルーホールの導通特性の向上等が図られる。また、本発
明の多層配線の製造方法の工程数は、従来の方法に比べ
て著しく減少しているので、歩留まりが向上し、コスト
が低減されるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１を表すプラズマ化学気相成長
装置の概略縦断面図である。

【図２】図１のプラズマ化学気相成長装置の動作を、印
加高周波電力、酸素イオン数、オゾン濃度の時間変化に
ついて表したものである。

【図３】本発明の原理の概略を表すモデル図である。

【図４】図２のような動作を行った際の、時間経過と膜
の成長過程を表す縦断面図である。

【図５】図２のような動作を行った際、高周波オン時間
（ｔＯＮ）の割合（デューティーＤ）と膜成長速度、ス
テップカバレッジ、ＯＨ基の吸収係数の関係図である。

【図６】本発明の実施例２のプラズマ化学気相成長装置
の反応室を示し、（ａ）は概略平面図であり、（ｂ）は
、（ａ）の二点鎖線ＡＡ′での縦断面図（なお、（ａ）
は、（ｂ）の一点鎖線ＢＢ′での平面図）である。

【図７】本発明の実施例３のプラズマ化学気相成長装置
の概略を表す縦断面図である。

【図８】本発明の実施例４のアルミ多層配線の層間絶縁
膜平坦化法を表す縦断面図である。

【図９】従来のプラズマ化学気相成長装置の概略図であ
る。

【図１０】プラズマ化学気相成長装法と、オゾンとＴＥ
ＯＳの熱化学気相成長法とを交互に使用する従来の方法
における、シャワー電極に印加される高周波電力と、プ
ラズマ中の酸素イオン数と、原料ガス中のオゾン濃度の
、成膜時間に対する変化図である。

【図１１】プラズマ化学気相成長法とオゾン熱化学気相
成長法を交互に行った場合の膜成長を表す縦断面図であ
る。

【図１２】プラズマ化学気相成長法とシリカ塗布法を用
いた、従来の多層配線用平坦化絶縁膜の形成方法を示す
縦断面図である。

【図１３】図１の実施例１のプラズマ化学気相成長装置
を使用した、実施例５の動作の方法を示す、高周波電力
等の時間変化図である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　原料ガスの少なくとも一部分に有機シ
ランと酸素を含み、基板表面へのプラズマ照射強度を周
期的に変化させながら所望の薄膜を形成する事を特徴と
するプラズマ化学気相成長法。
【請求項２】　　原料ガスの少なくとも一部分に有機シ
ランとオゾン含有酸素を含み、基板表面へのプラズマ照
射強度を周期的に変化させながら所望の薄膜を形成する
事を特徴とする、請求項１記載のプラズマ化学気相成長
法。
【請求項３】　　前記プラズマ照射強度の周期的な変化
を、プラズマの発生状態と非発生状態の繰り返しにより
行う事を特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ化学
気相成長法。
【請求項４】　　前記プラズマ照射強度の周期的な変化
を、基板表面へのプラズマ照射および非照射の繰り返し
により行う事を特徴とする請求項１又は２記載のプラズ
マ化学気相成長法。
【請求項５】　　２種以上の周波数の高周波電圧を印加
し、その内の一部或いは全部の高周波電力を周期的に変
化させながら、所望の薄膜を形成することを特徴とする
プラズマ化学気相成長法。
【請求項６】　　プラズマ化学気相成長装置において、
有機シランを供給する機構と、酸素を供給する機構と、
プラズマ発生強度を周期的に変化させる機構を有する事
を特徴とするプラズマ化学気相成長装置。
【請求項７】　　プラズマ化学気相成長装置において、
有機シランを供給する機構と、オゾン含有酸素を供給す
る機構と、プラズマ発生強度を周期的に変化させる機構
を有する事を特徴とする請求項５記載のプラズマ化学気
相成長装置。
【請求項８】　　プラズマ化学気相成長装置において、
ウェハー表面に有機シランおよびオゾン含有酸素を供給
する機構と、酸素プラズマイオン源と、プラズマ照射強
度を周期的に変化させるための機械的シャッター、或い
は、電磁的なシャッターとを有する事を特徴とするプラ
ズマ化学気相成長装置。
【請求項９】　　プラズマ化学気相成長装置において、
ウェハー表面に有機シランおよびオゾン含有酸素を供給
する機構と、酸素プラズマイオン源と、プラズマ照射強
度を周期的に変化させるための機械的シャッター、或い
は、電磁的なシャッターとを有する事を特徴とするプラ
ズマ化学気相成長装置。
【請求項１０】　　有機シランを供給する機構と、酸素
を供給する機構と、１つの反応容器内に設けられたプラ
ズマ強度の異なる複数のプラズマ照射機構と、前記複数
のプラズマ照射機構の間で基板を移動させる機構とを有
する事を特徴とするプラズマ化学気相成長装置。
【請求項１１】　　有機シランを供給する機構と、オゾ
ン含有酸素を供給する機構と、１つの反応室内に設けら
れたプラズマ強度の異なる複数のプラズマ照射機構と、
前記複数のプラズマ照射機構の間で基板を移動させる機
構とを有する事を特徴とするプラズマ化学気相成長装置
。
【請求項１２】　　２種以上の周波数の高周波電圧を印
加する機構を有するプラズマ化学気相成長装置において
、その内の一部或いは全部の高周波電力を周期的に変化
させる機構を有する事を特徴とするプラズマ化学気相成
長装置。
【請求項１３】　　有機シランと酸素を原料ガスとし、
基板表面へのプラズマ照射強度を周期的に変化させる、
本特許請求の範囲第１項から第５項記載の化学気相成長
法により、金属配線上に絶縁膜を金属配線の高さ以上の
膜厚だけ形成する工程と、レジスト膜，有機シリカ膜等
の平坦化膜を形成する工程と、反応性イオンエッチング
法によりエッチバックする工程を含む事を特徴とする多
層配線の製造方法。