JP2007179922A - 半田吸い上がりバリア部を持つ端子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、半田吸い上がりバリア部を有する端子であって、オージェ電子分光分析装置で測定した場合に該領域から平均して、Cが50〜70at%及びNiが20〜40at%検出されることを特徴とする端子である。
本発明に係る端子は以下の(a)〜(c)の工程:(a)端子の母材にニッケル下地めっきと表面金めっきが施される工程、(b)成分にCを含む封孔処理液で該端子が表面処理される工程、(c)該端子の1又は2以上の箇所がレーザー照射されて該箇所に半田吸い上がりバリア部が形成される工程、を順次行うことを含む方法によって製造することができる。
【選択図】図1
Description
また、端子に突起(特開2003−45532号公報)や窪み(特開2002−158264号公報)を形成し、形態において、バリア部を形成とする方法もあるが、端子に突起や窪みを形成するには、端子にある程度の大きさが必要となり、小型化した端子には適用が困難である。
本発明はかかる知見に基づいて完成されたものであり、本発明は一側面において、半田吸い上がりバリア部を有する端子であって、オージェ電子分光分析装置で測定した場合に該バリア部表面から平均してCが50〜70at%及びNiが20〜40at%検出されることを特徴とする端子である。
また、本発明は別の一側面において、半田吸い上がりバリア部を有する端子であって、オージェ電子分光分析装置で測定した場合に該バリア部表面から平均してCが50〜70at%、Niが20〜40at%及びOが10〜15at%検出されることを特徴とする端子である。
(a)ニッケル下地めっきと随意に表面金めっきを端子の母材の少なくとも半田吸い上がりバリア部を設けようとする箇所に施す工程、
(b)成分にCを含む封孔処理液で該端子の少なくとも半田吸い上がりバリア部を設けようとする箇所を表面処理する工程、
(c)該端子の半田吸い上がりバリア部を設けようとする1又は2以上の箇所を局部的に熱処理する工程、
を順次行うことを含む方法により製造することができる。
該バリア部は端子の1又は2以上の箇所に設けることができるが、例えば該バリア部をバイパスして半田が半田付け部から接点部へと吸い上がる経路を遮断するのに充分な領域を有しているのが好ましい。
従って、上記Cの原子百分率(at%)はこのコンタミネーションも加味した数値範囲であるが、測定条件による測定値のばらつきをできるだけ少なくするために、本発明においては以下の条件でバリア部表面を測定したときの値を採用する。
加速電圧:10.0(keV)
電流:5.04×10-8(A)
試料の傾斜角度:30度
Arスパッタ:1kV、60sec
検出点数:256点
強度の定義:(ピーク位置の強度−バックグランド位置の強度)÷バックグランド位置の強度
(a)ニッケル下地めっきと随意に表面金めっきを端子の母材の少なくとも半田吸い上がりバリア部を設けようとする箇所に施す工程、
(b)成分にCを含む封孔処理液で該端子の少なくとも半田吸い上がりバリア部を設けようとする箇所を表面処理する工程、
(c)該端子の半田吸い上がりバリア部を設けようとする1又は2以上の箇所を局部的に熱処理する工程、
を順次行うことを含む方法により製造することができる。
母材が高ニッケル合金などニッケルを含有する場合にはニッケル下地めっきを省略する場合もある。従って、この場合は工程(a)のニッケル下地めっきというのは母材自体のことを意味することとする。
従って、本発明の一実施形態においては、表面金めっきは端子の形態に応じて端子のほぼ全面又は全面に施される。この際、金めっきの厚さを必要に応じて部位ごとに変えても良く、一律に0.1〜0.2μm程度とすることもできる。また、上記ニッケル下地めっきを端子のほぼ全面又は全面に施し、かつ表面金めっきも端子のほぼ全面又は全面に施す実施形態も採用することができる。
該バリア部に表面金めっきが施されたとしても後の熱処理でAu成分が端子の表面から内部に拡散してしまうので悪影響はない。ただし、該バリア部に表面金めっきが施される場合には該バリア部の表面金めっきが厚くなり過ぎると熱処理によって充分にAu成分が内部に拡散しなくなる恐れがあり、コストも高くなるため好ましくは0.2μm以下、より好ましくは0.1μm以下とするのが望ましい。
従って、本発明に係る封孔処理液による表面処理は一実施形態においては表面金めっきの封孔処理をするための公知の方法で行うことができるが、別の一実施形態においては表面金めっきの封孔処理が実質的になされないような態様であってもよい。すなわち、封孔処理液の成分や濃度条件は当業者が封孔処理のために通常採用するものとは異なっていてもよい。また、本発明の一実施形態においては、表面金めっき無しにニッケル下地めっき上に直接に封孔処理液による表面処理が行われる。
本発明に好適に用いることのできる封孔処理液は炭素含有化合物、好ましくは有機化合物、典型的には更に窒素(N)及び/又は硫黄(S)を含有する有機化合物を含む水溶液である。そのような有機化合物は封孔処理に有効な公知のものを使用することができるが、例えば特許第2558982号に記載の含窒素環式化合物、イミノ酸誘導体、エチレンジアミン、エチレンジアミン四酢酸、グルコン酸、ニトロトリ酢酸、ヒドロオキシエチル、エチレンジアミン三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、炭素数6〜30を有し、かつα位にOH基を有するモノカルボン酸、及びその誘導体、炭素数6〜30を有する高級脂肪酸の金属塩、アルキル置換ナフタレンスルフォン酸塩、炭素数6〜30を有するアミンの1種もしくは2種以上を使用することができる。この中でも特に含窒素環式化合物が好ましい。封孔処理の方法としては浸漬や電解の方法が挙げられるが、特に電解が好ましい。
潤滑剤として下記一般式(4)で示される脂肪酸を1種もしくは2種以上合計で0.05〜2wt%含有し、R7−COOH (4)
(式中、R7は炭素数10〜20個の飽和及び不飽和鎖式炭化水素を表わす)
乳化剤として下記一般式(5)で示されるモノアルキルりん酸エステル(例えばリン酸モノラウリル)、及び下記一般式(6)で示されるジアルキルりん酸エステル(例えばリン酸ジラウリル)からなる群から選ばれた1種もしくは2種以上を合計で0.05〜2wt%含有する水溶液中で金めっき材を陽極として電解する封孔処理方法を適用することができる(当該特許明細書の全開示を本明細書に援用する。)。
上記一般式(1)で表される化合物の具体例としては、例えば、ベンゾトリアゾール(R1、R2とも水素)、1−メチルベンゾトリアゾール(R1が水素、R2がメチル)、トリルトリアゾール(R1がメチル、R2が水素)、1−(N,N−ジオクチルアミノメチル)ベンゾトリアゾール(R1が水素、R2がN,N−ジオクチルアミノメチル)などが挙げられる。
上記一般式(2)で表される化合物の具体例としては、例えばメルカプトベンゾチアゾール、メルカプトベンゾチアゾールのナトリウム塩、メルカプトベンゾチアゾールのカリウム塩などが挙げられる。
上記一般式(3)で表される化合物の具体例としては、例えば以下の化学式で表されるものが挙げられる。これらのNa又はKなどのアルカリ金属塩でもよい。
(1)レーザー照射等により封孔処理成分が凝縮した。
(2)レーザー照射等により封孔処理成分のC以外の成分が揮発してCの純度が上がった。
(3)大気中の有機物が表面に吸着された。
などが考えられるが未解明である。なお、照射部と未照射部のビッカース硬さには大きな差異はない。
以下では、レーザー照射の条件のみについて詳述するが、当業者であれば該記述を参考にすることにより電子ビーム照射やその他の方法により熱処理する場合の条件についても容易に思いつくものと考えられる。
一方、酸化皮膜の除去を行わずに大気中でレーザー照射等した場合には典型的にはOが平均して10〜15at%検出されるが、この程度の範囲であれば実用上問題ない半田吸い上がり防止効果を得ることができる。また、製造コストの観点からはこの方が有利となる。この場合、例示的にはオージェ電子分光分析装置で測定した場合に該バリア部表面から平均してCが50〜70at%、Niが20〜40at%及びOが10〜15at%検出される。
発明例1
プレス加工後のりん青銅を母材とする端子に湿式めっきによってスルファミン酸ニッケルの組成のニッケル下地めっきを端子全面に2.5μmの厚さで均一になるように施し、その上に湿式めっきによってAu―0.5mass%Coの組成の表面金めっきをマスキングにより半田付け部と固定部には0.02μm、接点部には0.2μmの厚さで均一になるように施した(図2参照)。その後、1,3,5−トリアジン−2,4−ジチオールモノナトリウム0.01wt%及びラウリル酸性りん酸モノエステル1.0wt%に調整した封孔処理水溶液を用い、処理液温度60°、極間電圧2Vで5秒間、端子を陽極として直流電解処理を行った。しかし、封孔処理剤がレーザ照射で加熱・分解されると考えると、「C」が表面に残るのであれば、上述した他の封孔処理剤でも同様な作用があるとも考えられる。
こうして得られた端子に対して、レーザー出射ユニットを60°傾斜させ、端子を5m/minの速度で走査させながら半田吸い上がりバリアの箇所2面にレーザー照射を行って半田吸い上がりバリア部を形成した。次に端子を反転(プレス加工のパンチ側とダイ側を逆にする)させ、同様のレーザー照射を行うことにより、残りの2面にも半田吸い上がりバリア部を形成し、全周にわたって幅t=140μmとした半田吸い上がりバリア部を形成した。
レーザー照射の条件は以下とした。
モード:Qスイッチパルス発振
出力:20A−10kHz
波長:532nm
ビーム幅:140μm
照射角度:60°
雰囲気:大気中、常温、常湿
封孔処理液による表面処理をしなかった以外は実施例1と同一の条件で半田吸い上がりバリア部を形成した。
こうして出来上がった2種類の端子のバリア部を日本電子株式会社製型式JUNP−7800Fの走査型電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、封孔処理の有無に関わらず外観は変化していなかった(図3参照)。また、これにより発明例1の端子表面の波模様の平均波長は7μm程度であることがわかる(3500倍で観察した時、20μm長さを波模様の谷の数で割った値)。
発明例1及び比較例1の端子に対して、レスカ社製型式SAT−5000のソルダーチェッカを用いて浸漬速度0.1mm/sec、浸漬深さ0.5mm、浸漬時間20sec、鉛フリー半田(千住金属社製M705)、溶融温度250±3℃、ES−1061フラックス(千住金属社製)の条件により半田浸漬試験を行った。試験結果を図4に示す。これにより、発明例1の端子はレーザー照射部(バリア部)で表面、断面ともに半田の吸い上がりが止まっていることが分かる。一方、封孔処理のない比較例1の端子は表面がレーザー照射部の半分程度まで若干半田に濡れ、断面においてはレーザー照射部の全体が半田に濡れてしまっていることが分かる。
発明例1及び比較例1の端子をArスパッタにより洗浄した後に、日本電子株式会社製型式JUNP−7800Fのオージェ電子分光分析装置によってそれぞれレーザー照射部の表面分析を行った。分析条件は先述した通りである。結果を図5A、図5B、図6A及び図6Bに示す。発明例1の端子からは平均してC:約62at%、Ni:約27at%、O:約11at%が検出され、比較例1の端子からは平均してC:約45at%、Ni:約39at%、O:約16at%が検出された。Auは何れの端子からも検出されなかった。また、発明例1の端子からN及びSは検出されなかった。
これらの試験結果を表1に示す。
12:接点部
13:半田吸い上がりバリア部
14:固定部
Claims (10)
- 半田吸い上がりバリア部を有する端子であって、オージェ電子分光分析装置で測定した場合に該バリア部表面から平均して、Cが50〜70at%及びNiが20〜40at%検出されることを特徴とする端子。
- 半田吸い上がりバリア部を有する端子であって、オージェ電子分光分析装置で測定した場合に該バリア部表面から平均して、Cが50〜70at%、Niが20〜40at%、及びOが10〜15at%検出されることを特徴とする端子。
- 前記端子は半田付け部と接点部とを備え、前記半田吸い上がりバリア部が該半田付け部から該接点部までの間の1又は2以上の箇所に設けられている請求項1又は2に記載の端子。
- 前記半田吸い上がりバリア部の表面に平均波長が1〜15μmの波模様が形成されている請求項1〜3の何れか一項に記載の端子。
- 以下の(a)〜(c)の工程:
(a)ニッケル下地めっきと随意に表面金めっきを端子の母材の少なくとも半田吸い上がりバリア部を設けようとする箇所に施す工程、
(b)成分にCを含む封孔処理液で該端子の少なくとも半田吸い上がりバリア部を設けようとする箇所を表面処理する工程、
(c)該端子の半田吸い上がりバリア部を設けようとする1又は2以上の箇所を局部的に熱処理する工程、
を順次行うことを含む請求項1〜4の何れか一項に記載の端子の製造方法。 - 前記熱処理がレーザー又は電子ビーム照射である請求項5に記載の方法。
- 前記レーザー又は電子ビーム照射は前記半田吸い上がりバリア部の表面に平均波長が1〜15μmの波模様が形成されるようなパルスレーザー又はパルス電子ビーム照射である請求項6に記載の方法。
- 前記封孔処理液は更にN及びSを成分に含む請求項5〜7の何れか一項に記載の方法。
- 請求項1〜4の何れか一項に記載の端子を1個又は2個以上組み込んだ電子部品。
- コネクタである請求項9に記載の電子部品。
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