JP2007173384A

JP2007173384A - 平面磁気素子

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Publication number: JP2007173384A
Application number: JP2005366773A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Yoshida; 裕史吉田; Yasutaka Fukuda; 泰隆福田
Original assignee: JFE Ferrite Corp
Current assignee: JFE Ferrite Corp
Priority date: 2005-12-20
Filing date: 2005-12-20
Publication date: 2007-07-05

Abstract

【課題】製造する際のコイル特性の劣化やコイル線の破断がなく、かつ、インダクタンスが大きく、高温でも使用が可能な平面磁気素子を提供する。
【解決手段】下部フェライト基板の上に平面コイルを形成し、その平面コイルの線間およびその上部にフェライト粉末を含む磁性樹脂層を設け、その磁性樹脂層の上に上部フェライト基板を配設してなる平面磁気素子において、前記フェライト基板の少なくとも一方が、主成分組成がＦｅ_２Ｏ_３：４５．０〜５０．０ｍｏｌ％未満、ＺｎＯ：３．０〜２３．５ｍｏｌ％、ＣｏＯ：０．５〜４．０ｍｏｌ％、残部ＭｎＯからなり、Ｐ，Ｂ，Ｓ，Ｃｌの含有量がそれぞれ５０，２０，３０，５０ｍａｓｓｐｐｍ未満であり、キュリー温度が１０５℃以上で、比抵抗が１００Ωｍ以上のＭｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライトで構成されていることを特徴とする平面磁気素子。
【選択図】図１

Description

本発明は、薄型で、インダクタンスが大きく、高温での使用が可能な平面磁気素子に関するものである。

近年、携帯機器やノートパソコンのように、二次電池で駆動し、持ち運びが可能な携帯電子機器の普及が拡大している。このような携帯電子機器に対しては、従来から、小型化、軽量化への要求が強いが、最近では、これに加えて、マルチメディア化への対応、すなわち通信機能や表示機能の充実、画像等大量データの高速処理能力の向上等の高機能化が求められている。

これに伴い、二次電池から得られる単一電圧を、ＣＰＵやＬＣＤモジュール、通信用パワーアンプ等の様々な搭載デバイスが必要とするそれぞれの電圧に的確に変換することができる小型電源への需要が増している。しかし、電子機器の小型化、軽量化と高機能化とを両立させるためには、小型電源の小型化、軽量化が、さらにそのためには、電源に用いられるトランスやインダクタ等の磁気素子の小型化、軽量が必要であり、その達成が重要な課題となっている。

従来、携帯電子機器等に搭載されているトランスやインダクタには、焼結フェライトからなるコアにコイル線を巻いたものが用いられていた。しかし、これらはいずれも薄型化が困難であったため、電源の小型化、軽量化を阻害する原因となっていた。

そこで、磁気素子の小型化、軽量化を図るために、平面コイルを上下部のフェライト磁性層で挟み込み、上記平面コイルの線間を、フェライトを含有する樹脂で埋めた構造の平面磁気素子が開発されている（例えば、特許文献１および２参照）。これらの技術は、基板上に下部フェライト層を印刷法などで形成し、その上に平面コイルをメッキ法などで形成し、その後、上記平面コイル線間およびその上部に、フェライト含有樹脂層を印刷法で形成して平面磁気素子を得るものである。このような構成の磁気素子とすることにより、薄型化だけでなく、高周波領域における損失を低減することにも成功している。

しかしながら、特許文献１に記載の技術では、上部フェライト磁性層の形成に際して、平面コイルも同時に加熱するため、平面コイルの原料としてＣｕを用いた場合には、コイルの酸化や変形によってコイル特性が劣化し、甚だしい場合には、コイル線の破断を生じることがあるという問題があった。

一方、特許文献２に記載の技術では、少なくとも上部フェライト磁性層に、フェライト磁性粉を樹脂バインダで固着した低温合成層を採用しているので、上記のような問題は生じない。しかし、低温合成層は、フェライト磁性層の体積密度が低いため、磁気素子のインダクタンスが小さく、磁気素子の小型化が十分に達成できないという問題があった。

また、上下磁性層の透磁率を大きくするには、基本的に、上下磁性層を構成するフェライト磁性粉を焼結して体積密度を上げることが有効である。しかし、前述したように、平面コイル形成後に上部磁性層を焼成すると、コイル特性の劣化やコイル線の破断を招くおそれがある。この問題を避けるため、上下磁性層として、別途焼成済みのＮｉ−Ｚｎフェライト基板を用いた平面磁気素子が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
特開２００１−２４４１２３号公報特開２００１−２４４１２４号公報特開２００３−２３４２１６号公報

しかしながら、Ｎｉ−Ｚｎフェライトは、通常、２３℃，５ＭＨｚにおける初透磁率μ_ｉがせいぜい４００程度しかないことから、インダクタンスの値を高めるには依然として不十分である。また、Ｎｉ−Ｚｎフェライトの初透磁率を上昇させようとすると、キュリー温度Ｔ_ｃの低下を招く。キュリー温度よりも高温では磁性が失われるため、キュリー温度の低下は、磁気素子にとっては好ましいことではない。さらに、近年では、電子機器の小型化に対応して電子部品の実装密度が高められる傾向にあるため、電子部品が作動する温度は１００℃以上まで上昇することがある。したがって、磁気素子に用いられるフェライトのキュリー温度は、以前に増して、高いことが求められている。

そこで本発明の目的は、コイル特性の劣化やコイル線の破断がなく製造が可能で、かつ、インダクタンスが大きく、高温でも使用が可能な平面磁気素子を提供することにある。

発明者らは、従来技術が抱える上記問題点は、平面磁気素子の上下磁性層として用いているＮｉ−Ｚｎフェライト基板の特性に起因しており、平面磁気素子の特性を改善するためには、このフェライト基板の特性改善が有効であるとの考えの下、鋭意研究を重ねた。その結果、Ｎｉ−Ｚｎフェライトと比較して、高い初透磁率μ_ｉと高いキュリー温度Ｔ_ｃの両特性を併せもつＭｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライト基板を、上下磁性層のいずれか一方もしくは両方に用いればよいことを見出し、本発明を開発するに至った。

すなわち、本発明は、下部フェライト基板の上に平面コイルを形成し、その平面コイルの線間およびその上部にフェライト粉末を含む磁性樹脂層を設け、その磁性樹脂層の上に上部フェライト基板を配設してなる平面磁気素子において、前記フェライト基板の少なくとも一方が、主成分組成がＦｅ_２Ｏ_３：４５．０〜５０．０ｍｏｌ％未満、ＺｎＯ：３．０〜２３．５ｍｏｌ％、ＣｏＯ：０．５〜４．０ｍｏｌ％、残部ＭｎＯからなり、Ｐ，Ｂ，Ｓ，Ｃｌの含有量がそれぞれ５０，２０，３０，５０ｍａｓｓｐｐｍ未満であり、キュリー温度が１０５℃以上で、比抵抗が１００Ωｍ以上のＭｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライトで構成されていることを特徴とする平面磁気素子である。

本発明によれば、製造時におけるコイル特性の劣化やコイル線の破断がなく、しかも、従来のＮｉ−Ｚｎフェライトを用いた平面磁気素子と比較して、大きなインダクタンスと高い耐熱温度を有する平面磁気素子を得ることができるので、電源部分の小型化、軽量化、ひいては電子機器の小型化、軽量化に大いに寄与する。

本発明に係る平面磁気素子は、磁気素子の上下部の設けられる磁性層として、そのいずれか一方もしくは両方に、高い初透磁率μ_ｉと高いキュリー温度Ｔ_ｃの両特性を併せもつＭｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライト基板を用いたところに特徴がある。
図１は、一例として、上部、下部の磁性層の両方に、Ｍｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライト基板を用いた本発明に係る平面磁気素子の断面構造を模式的に示した図である。上記Ｍｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライト基板は、高い初透磁率μｉを有するため、少ない平面コイルのターン数で、大きなインダクタンスを得ることができる。また、平面コイルの線間およびその上部には、フェライト粉末と樹脂バインダとを混合した磁性樹脂層が設けられている。この部分のフェライト粉末は、上下部のフェライト基板間の渡り磁束をコイル間に集中させて、磁束がコイル部に漏洩し、コイル内の渦電流損失によって銅損が増加するのを効果的に抑える効果がある。その結果、インダクタンスがさらに向上すると共に、コイル直流抵抗の低減も期待でき、交流損失の小さいインダクタを実現することができる。なお、上記磁性樹脂層は、フェライト粉末と樹脂バインダとを混合した磁性樹脂を、例えば、スクリーン印刷などの方法で刷り込むことによって、容易に形成することができる。

次に、本発明に係る平面磁気素子の磁性層として用いるＭｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライト基板が有すべき主成分組成および不純物含有量について説明する。
Ｆｅ_２Ｏ_３：４５．０〜５０ｍｏｌ％未満
主成分の１つを構成するＦｅ_２Ｏ_３は、５０ｍｏｌ％以上と過剰に含まれた場合には、比抵抗の低下を招く。その結果、電気絶縁性が劣化するだけでなく、渦電流損も増加するため、５ＭＨｚ領域では高いインダクタンスを保つことができなくなる。よって、Ｆｅ_２Ｏ_３の含有量は、５０ｍｏｌ％未満に抑える必要がある。しかし、Ｆｅ_２Ｏ_３の量を低減し過ぎると、キュリー温度の低下を招くだけでなく、インダクタンスも低下するようになるので、最低でも４５．０ｍｏｌ％は含有させることが必要である。好ましいＦｅ_２Ｏ_３の含有量は、４８．０〜４９．５ｍｏｌ％の範囲である。

ＺｎＯ：３．０〜２３．５ｍｏｌ％
ＺｎＯは、含有量の増加に伴い、インダクタンスを高める効果があるので、最低でも３．０ｍｏｌ％は含有させる必要がある。しかし、ＺｎＯの含有量が２３．５ｍｏｌ％を超えると、キュリー温度の低下を招く。よって、ＺｎＯの含有量は、３．０〜２３．５ｍｏｌ％の範囲とする。好ましくは１０．０〜２０．０ｍｏｌ％の範囲である。

ＣｏＯ：０．５〜４．０ｍｏｌ％
ＣｏＯは、適量の添加により、インダクタンスを上昇させる効果がある。その効果を得るためには、最低でも０．５ｍｏｌ％を含有させることが必要である。しかし、４．０ｍｏｌ％よりも多くなると、反対にインダクタンスが低下する。よって、ＣｏＯは、０．５〜４．０ｍｏｌ％の範囲で含有させる。好ましくは１．０〜３．０ｍｏｌ％の範囲である。

ＭｎＯ：残部
本発明の平面磁気素子の磁性層に用いるフェライト基板は、Ｍｎ−Ｃｏ−Ｚｎ系であり、上記以外の残部主成分は、ＭｎＯである。このＭｎＯは、高いインダクタンスと高いキュリー温度を同時に実現するために、必要不可欠な成分である。

Ｐ，Ｂ，ＳおよびＣｌ：それぞれ５０，２０，３０および５０ｍａｓｓｐｐｍ未満
Ｐ，Ｂ，ＳおよびＣｌは、本発明の平面磁気素子の磁性層に用いるＭｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライトに不可避的に混入する不純物であり、フェライトを焼結する際に、異常粒を出現させる有害な成分である。異常粒が出現したフェライトは、比抵抗が著しく低下するのみならず、初透磁率も低下することから、磁気素子のインダクタンスの低下を招く。よって、上記４種類の不純物元素は、それぞれ、Ｐ：５０ｍａｓｓｐｐｍ未満、Ｂ：２０ｍａｓｓｐｐｍ未満、Ｓ：３０ｍａｓｓｐｐｍ未満、Ｃｌ：５０ｍａｓｓｐｐｍ未満に抑える必要がある。好ましくは、Ｐ：２５ｍａｓｓｐｐｍ未満、Ｂ：１５ｍａｓｓｐｐｍ未満、Ｓ：１５ｍａｓｓｐｐｍ未満、Ｃｌ：４０ｍａｓｓｐｐｍ未満である。

なお、Ｐ，Ｂ，ＳおよびＣｌ各成分の含有量を上記規定量に抑えるためには、原料となるＦｅ_２Ｏ_３，ＭｎＯおよびＺｎＯ等の原料に、これら不純物の含有量が少ない高純度のものを用いることが好ましい。また、ボールミルやアトライター等で原料を混合、粉砕する際に使用する媒体についても、磨耗による混入を抑制するため、高純度のものを用いることが望ましい。

次に、上記Ｍｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライト基板が有すべき特性について説明する。
比抵抗：１００Ωｍ以上
本発明の平面磁気素子では、下部フェライト基板は、Ｃｕ製の平面コイルと直接接触する。そのため、該基板には、電気絶縁性が高いことが求められ、最低でも、１００Ωｍ以上の比抵抗を有することが必要である。Ｍｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライトにおいて、この比抵抗を実現するためには、主成分組成および不純物の含有量を上述した本発明の範囲内に規制し、異常粒の出現を抑制することが必要である。

キュリー温度：１０５℃以上
平面磁気素子内のＣｕ製コイルは、電流が流れると発熱する。また、平面磁気素子の周辺には、発熱する電子部品が多数存在する。その結果、平面磁気素子の作動時の温度は高温となることがあるため、磁気素子に用いるフェライトは、高いキュリー温度を有していることが必要である。一般に、磁気素子は巻線を伴うことから、磁気素子に求められる耐熱性は、巻線に求められていものと同等以上であることが必要である。そこで、本発明では、フェライトが有すべきキュリー温度を、ＪＩＳＣ４００３「電気絶縁の耐熱クラス及び耐熱性評価」で定められたＡ種絶縁規格の許容最高温度（１０５℃）以上と規定した。なお、Ｍｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライトにおいて、このような高いキュリー温度を実現するためには、先に述べた主成分組成とすることが必須である。

なお、図１では、上部、下部の両磁性層として上記Ｍｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライトからなる基板を用いた例を説明したが、本発明は、上記例に限定されるものではなく、上部、下部いずれか一方の磁性層に、上記Ｍｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライト基板を用いた場合でも、同様の効果を得ることができる。
図２は、本発明の他の例として、上部磁性層のみに、上記Ｍｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライト基板を用いた平面磁気素子の断面構造を模式的に示した図である。この例では、下部磁性層として、従来公知のＮｉ−Ｚｎフェライトからなる基板を用いているが、下部磁性層は、電気絶縁性を保つ観点から、１００Ωｍ以上の比抵抗を有する磁性材料（例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト，Ｍｇ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト等）であればよく、Ｎｉ−Ｚｎフェライトには限定されない。また、図２とは反対に、下部磁性層として上記Ｍｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライト基板を用い、上部磁性層としてＮｉ−Ｚｎフェライト基板等を用いた構造としてもよい。

また、本発明の平面磁気素子において下部フェライト基板の上に形成する平面コイルの形状は、スパイラル型、ミアンダ型のいずれも適合するが、より大きなインダクタンスを実現するためには、スパイラル型の方が好ましい。さらに、電気的に絶縁されたコイルを２つ以上配置した場合には、トランスとしての機能を発揮するが、本発明は、このような構造の平面磁気素子に対して適用してもよい。

次に、本発明の平面磁気素子の製造方法について、その概略を説明する。
主成分組成および不純物含有量を上記基準を満たすよう調整したＭｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライトのブロック、もしくは比抵抗が１００Ωｍ以上であるＮｉ−Ｚｎフェライト等のブロックを焼成して得、これらのブロックを厚さ約２５０μｍ程度にスライスして、下部フェライト基板を作製する。このフェライト基板の上に、約０．５μｍの厚さのＣｕシード層を形成し、このＣｕシード層の上に、レジストを塗布し、平面コイルパターンを露光し、現像し、スパイラル形状あるいはミアンダ形状のレジストフレームを形成する。その後、電気銅めっきを行い、上記レジストフレーム内にＣｕを析出させてから、レジストを剥離し、さらに、エッチングして不要なＣｕシード層を除去する。次いで、スクリーン印刷法を用いて、平面コイルの線間およびその上層に、フェライト粉未をエポキシ樹脂に混ぜたペーストで磁性樹脂層を形成し、熱硬化させ、最後に、この上に、厚さ約１５０μｍにスライスした、本発明の基準を満たす成分組成を有するＭｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライト、もしくは比抵抗が１００Ωｍ以上のＮｉ−Ｚｎフェライト等からなる上部フェライト基板を配設し、平面磁気素子とする。
なお、本発明の製造条件は、これに限定されるものではない。

主成分であるＦｅ_２Ｏ_３，ＣｏＯ，ＺｎＯ，ＭｎＯの組成および不純物であるＰ，Ｂ，Ｓ，Ｃｌの含有量が表１に示した値となるようフェライト原料を調整し、焼結してフェライトブロックを作製し、このフェライトブロックを２５０μｍの厚さにスライスし、下部磁性層となるＭｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライト基板を作製した。

この基板上に、ポリイミド樹脂をスピンコート法で塗布して厚さ３μｍの膜を生成し、その膜の上層全面に、無電解めっき法にて、シード層としてのＣｕ膜を０．５μｍの厚さで成膜し、その上にレジストを塗布し、露光し、現像処理してスパイラル形状のレジストフレームを形成し、次いで、該スパイラルフレーム内に電気メッキ法によりＣｕを析出させた。その後、上記レジストを剥離し、不要なシード層部分をエッチングで除去し、ライン幅：８０μｍ、ライン間隔：２０μｍ、厚さ：９０μｍ、ターン数：１４の平面スパイラルコイルを形成した。

次に、スクリーン印刷法にて、エポキシ樹脂にフェライト粉末を体積率で６０％添加した磁性樹脂ペーストを、上記フェライト基板上に形成したスパイラルコイル間に充填し、さらにその上部を覆うように成膜して磁性樹脂層を形成し、熱硬化させ、最後に、その上に、下部フェライト基板と同じブロックから作製した厚さが１５０μｍの上部Ｍｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライト基板を接着し、平面磁気素子を作製した。

上記のようにして得た平面磁気素子について、２３℃、５ＭＨｚにおけるインダクタンスＬを測定し、この結果を、平面磁気素子の作製に用いたＭｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライト自体の初透磁率μ_ｉ、比抵抗ρおよびキュリー温度Ｔ_ｃの測定結果と併せて表１に示した。なお、参考例として、主成分組成がＦｅ_２Ｏ_３：ＺｎＯ：ＮｉＯ＝４９：２３：２８（ｍｏｌ％）からなるＮｉ−Ｚｎフェライト基板を上下磁性層に用いた平面磁気素子についても同様の測定を行い、結果を表１に示した。

表１の結果から、本発明の基準を満たすＮｏ．１〜４のフェライトは、いずれも初透磁率μ_ｉが５５０以上、比抵抗ρが１５０Ωｍ以上、キュリー温度Ｔ_ｃが１２０℃以上の特性を有しており、参考例のＮｉ−Ｚｎフェライトと比較して、いずれも優れた特性を示している。その結果、該フェライトからなる基板を上下の磁性層として用いた本発明の平面磁気素子は、いずれもインダクタンスＬが４．０μＨ以上と高く、参考例の両面にＮｉ−Ｚｎフェライト焼結基板を用いた磁気素子（Ｎｏ．１３）より優れた特性を有していることがわかる。
これに対して、Ｆｅ_２Ｏ_３が５０．０ｍｏｌ％以上のＮｏ．５のフェライトは、キュリー温度は高いものの、初透磁率、比抵抗が大幅に低下しており、その結果、該フェライトを用いた平面磁気素子のインダクタンスも大きく低下している。一方、Ｆｅ_２Ｏ_３が４５．０ｍｏｌ％未満のＮｏ．６のフェライトは、比抵抗は高いものの、キュリー温度、初透磁率が低下し、その結果、平面磁気素子のインダクタンスも低下している。
また、ＣｏＯが０．５ｍｏｌ％未満であるＮｏ．７のフェライトおよびＣｏＯが４．０ｍｏｌ％超えであるＮｏ．８のフェライトは、いずれも初透磁率が低下し、その結果、平面磁気素子のインダクタンスが低下している。
また、ＺｎＯを２３．５ｍｏｌ％超え含有するＮｏ．９のフェライトは、キュリー温度が低い。反対に、ＺｎＯが３．０ｍｏｌ％未満であるＮｏ．１０のフェライトは、初透磁率が低下しており、平面磁気素子のインダクタンスも同様に大きく低下している。
また、不純物を本発明の基準を超えて含有するＮｏ．１１および１２のフェライトは、焼結時に異常粒の出現が確認されており、その結果、フェライトの初透磁率、比抵抗がともに大幅に低下し、平面磁気素子のインダクタンスも低下している。

平面磁気素子の下部磁性層として、実施例１のＮｏ．１３で用いたのと同じＮｉ−Ｚｎフェライト基板（厚さ：２５０μｍ）を全てに用い、上部磁性層として、実施例１と同じＭｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライト基板（厚さ：１５０μｍ）を用いた以外は、実施例１と全く同様にして、平面磁気素子を作製し、その特性を評価した。その結果を、Ｍｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライトの特性と併せて、表２に示した。

表２の結果から、本発明の基準を満たすＮｏ．１４〜１７のフェライト基板を上部磁性層として用いた本発明の平面磁気素子は、いずれもインダクタンスＬが４．０μＨ以上の高い値を示し、上下部磁性層にＮｉ−Ｚｎフェライト基板を用いた参考例の平面磁気素子（Ｎｏ．１３）より優れた特性が得られていることがわかる。
これに対して、主成分であるＦｅ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、ＺｎＯのいずれかの組成が本発明の範囲外であるＮｏ．１８〜Ｎｏ．２３のフェライト基板を上部磁性層として用いた平面磁気素子は、Ｎｏ．２２を除いて、インダクタンスが低下している。なお、Ｎｏ．２２の平面磁気素子は、高いインダクタンスを示すが、フェライトのキュリー温度が９０℃しかなく、高温下での使用には向かない。また、不純物を本発明の基準を超えて多く含有するＮｏ．２３および２４のフェライト基板を用いた平面磁気素子は、異常粒の発生によりインダクタンスが大幅に低下している。

実施例２とは反対に、平面磁気素子の下部磁性層として、実施例１と同じＭｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライト基板（厚さ：２５０μｍ）を全てに用い、上部磁性層として、実施例１のＮｏ．１３で用いたのと同じＮｉ−Ｚｎフェライト基板（厚さ：１５０μｍ）を用いた以外は、実施例１と全く同様にして、平面磁気素子を作製し、その特性を評価した。その結果を、Ｍｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライトの特性と併せて、表３に示した。

表３の結果から、本発明の基準を満たすＮｏ．２６〜２９のフェライト基板を下部磁性層として用いた本発明の平面磁気素子は、いずれもインダクタンスＬが４．０μＨ以上の高い値を示し、上下部磁性層にＮｉ−Ｚｎフェライト基板を用いた参考例の平面磁気素子（Ｎｏ．１３）より優れた特性が得られていることがわかる。
これに対して、主成分であるＦｅ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、ＺｎＯのいずれかの組成が本発明の範囲外であるＮｏ．３０〜Ｎｏ．３５のフェライトから作製した基板を下部磁性層として用いた平面磁気素子のインダクタンスは、Ｎｏ．３４を除いて、いずれも低下している。なお、Ｎｏ．３４の平面磁気素子は、高いインダクタンスを示すが、フェライトのキュリー温度が９０℃しかなく、高温下での使用には向かない。また、不純物を本発明の基準を超えて多く含有するＮｏ．３６および３７のフェライトから作製した基板を用いた平面磁気素子は、異常粒の発生によりインダクタンスが大幅に低下している。

本発明に係る平面磁気素子の断面構造を模式的に説明する図である。他の本発明に係る平面磁気素子の断面構造を模式的に説明する図である。

Claims

下部フェライト基板の上に平面コイルを形成し、その平面コイルの線間およびその上部にフェライト粉末を含む磁性樹脂層を設け、その磁性樹脂層の上に上部フェライト基板を配設してなる平面磁気素子において、前記フェライト基板の少なくとも一方が、主成分組成がＦｅ_２Ｏ_３：４５．０〜５０．０ｍｏｌ％未満、ＺｎＯ：３．０〜２３．５ｍｏｌ％、ＣｏＯ：０．５〜４．０ｍｏｌ％、残部ＭｎＯからなり、Ｐ，Ｂ，Ｓ，Ｃｌの含有量がそれぞれ５０，２０，３０，５０ｍａｓｓｐｐｍ未満であり、キュリー温度が１０５℃以上で、比抵抗が１００Ωｍ以上のＭｎ−Ｃｏ−Ｚｎフェライトで構成されていることを特徴とする平面磁気素子。