JP2007173337A - 真空処理槽、真空処理装置及び真空処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】真空処理槽1と、ラジカル状態の第1の処理ガスを真空処理槽1の内部に導入する第1の処理ガス導入部6と、第1の処理ガスと反応する第2の処理ガスを真空処理槽1の内部に導入する第2の処理ガス導入部7とを備えた真空処理装置10において、真空処理槽1の内壁面に第1の処理ガスの失活を防止する失活防止処理を施す。この失活防止処理として、真空処理槽1の内壁面に酸化アルミニウム水和物からなる被膜11を形成する。この被膜11は、真空処理槽1の内壁面を不動態化しラジカル状態の処理ガスの失活を抑制して、当該処理ガスを真空処理槽1内において安定して分布させる。これにより処理後のウェーハの安定した面内均一性を得ることができる。
【選択図】図1
Description
H*+NF3→NHxFy(NH4FH、NH4FHF等)
NHxFy+SiO2→(NH4)2SiF6+H2O↑
(NH4)2SiF6→NH3↑+HF↑+SiF4↑
2 反応室
3 ウェーハ支持台
4 プラズマ源
5 導入配管
6 第1の処理ガス導入部
7 第2の処理ガス導入部
10 真空処理装置
11 被膜(ベーマイト膜)
12 下地膜(アルミナ膜)
W ウェーハ
Wa 自然酸化膜
Wb アンモニア錯体
Claims (10)
- 真空処理槽の内壁面に、導入されたラジカル状態の処理ガスの失活を防止するための失活防止処理が施されていることを特徴とする真空処理槽。
- 前記失活防止処理として、真空処理槽の内壁面には、酸化アルミニウム水和物からなる被膜が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の真空処理槽。
- 前記被膜はベーマイト膜であることを特徴とする請求項2に記載の真空処理槽。
- 前記ベーマイト膜の下地層がアルミナ膜であることを特徴とする請求項3に記載の真空処理槽。
- 真空処理槽と、ラジカル状態の第1の処理ガスを前記真空処理槽の内部に導入する第1の処理ガス導入部と、前記第1の処理ガスと反応する第2の処理ガスを前記真空処理槽の内部に導入する第2の処理ガス導入部とを備えた真空処理装置において、
当該真空処理槽の内壁面には、前記第1の処理ガスの失活を防止する失活防止処理が施されていることを特徴とする真空処理装置。 - 前記真空処理槽の内部には、複数枚の被処理基板を支持する基板支持台が設置されていることを特徴とする請求項5に記載の真空処理装置。
- 真空処理槽の内部にラジカル状態の処理ガスを導入して被処理基板を処理する真空処理方法であって、
前記真空処理槽の内壁面に前記処理ガスの失活を防止するための失活防止処理を施した後、前記真空処理槽の内部に前記処理ガスを導入して被処理基板をエッチング処理することを特徴とする真空処理方法。 - 前記真空処理槽の内壁面に前記失活防止処理を施す工程が、当該真空処理槽の洗浄処理の後に行われることを特徴とする請求項7に記載の真空処理方法。
- 前記失活防止処理を施す工程は、前記真空処理槽の内壁面に酸化アルミニウム水和物からなる被膜を形成する工程であり、この被膜は、前記真空処理槽の内壁面に対する封孔処理によって形成されることを特徴とする請求項7に記載の真空処理方法。
- 前記被処理基板のエッチング処理後、前記被処理基板を加熱処理する工程を有することを特徴とする請求項7に記載の真空処理方法。
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