JP2007166609A - 広いダイナミック・レンジのイメージセンサを用いてイメージを得る方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 CMOS技術で製造される広いダイナミック・レンジのイメージセンサを用いてイメージを得る方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の方法は、キャパシタとフォトダイオードを電源の高電圧(VDD)に近い第1初期化電圧に、第2と第3のトランジスタの導通により初期化し、第2トランジスタを非導通状態にして、フォトダイオードの第1の長い露光期間を開始させる。第1露光期間の終了時に、第1トランジスタを瞬間的に導通状態にして、フォトダイオードを第1初期化電圧よりも低い第2初期化電圧に初期化して、第2の短い露光期間を開始させる。第2の露光期間の終了時に向かって、フォトダイオードの電圧レベルをキャパシタ内に蓄積して第4と第5のトランジスタを介して読み出す。
【選択図】 図3
Description
即ち、CMOS技術で製造される広いダイナミック・レンジのイメージセンサを用いてイメージを得る方法において、
前記イメージセンサは、
(A) ピクセル(1)の組から形成される感光性セルと、
前記各ピクセルは、照射レベルに応じてチャージ・キャリアを蓄積するフォトダイオード素子(PD)を有し、
(B) 電源の2つの供給端末(VDD、VSS)の間で、前記フォトダイオード素子に直列に接続された初期化用の第1トランジスタ(M1)と、
(C) 前記フォトダイオード素子(PD)にサンプリング用の第2トランジスタ(M2)を介して結合され、前記フォトダイオード素子(PD)により蓄積されたチャージ・キャリアを表す電圧レベルを蓄積する蓄積手段(C1)と、
(D) 前記供給端末の間で、前記蓄積手段に直列に接続された初期化用の第3トランジスタ(M3)と、
(E) 直列接続された第4と第5のトランジスタ(M4、M5)と、
を有し、
前記第4トランジスタの制御端末は、蓄積手段に接続され、前記蓄積手段に蓄積された電圧レベルを読み出し、
前記イメージセンサを用いてイメージを得る方法は、
(a) フォトダイオード素子(PD)と蓄積手段(C1)の端子に第1初期化電圧を印加するために、前記第1トランジスタ(M1)は、非導通状態で、第2と第3のトランジスタ(M2、M3)の導通を制御するステップと、
(b) 前記フォトダイオード素子が、チャージ・キャリアを、ピックアップされた照射レベルに応じて蓄積する第1露光時間を開始するために、第2トランジスタの導通を遮断するステップと、
(c) 前記フォトダイオード素子の端子の電圧レベルが、第1露光時間の終了時、第2初期化電圧よりも小さい場合は、前記フォトダイオード素子の端子に、第1初期化電圧よりも小さい第2初期化電圧(V2)を印加するために、第1トランジスタ(M1)の導通を制御するステップと、
(d) 前記フォトダイオード素子がチャージ・キャリアを蓄積する第2の露光時間を開始するために、第2トランジスタの導通を遮断するステップと、
(e) 前記蓄積手段内にフォトダイオード素子の電圧レベルを蓄積する第2露光時間の間、第3トランジスタの導通を遮断した後、第2トランジスタの導通を制御するステップと、
(f) 前記第2トランジスタが非導通状態にあるときに、第4と第5のトランジスタの導通を制御することにより、前記蓄積手段内に蓄積された電圧レベルを読み出すステップと
を有することを特徴とする広いダイナミック・レンジのイメージセンサを用いてイメージを得る方法。
請求項2において、前記各ピクセルは、
(A) フォトダイオード素子として逆方向接続されたピクセル(PD)と、
(B) 蓄積手段としてのキャパシタ(C1)と、
(C) n−MOS型の5個のトランジスタ(M1−M5)と
を有し、
第1と第3と第4のトランジスタ(M1、M3、M4)のドレイン端子が電圧源の高電圧端末(VDD)に接続され、
前記第1トランジスタ(M1)のソース端子が、前記フォトダイオードの端末に接続され、
前記第3トランジスタ(M3)のソース端子が、前記キャパシタのメモリ・ノードに接続され、
前記第2トランジスタ(M2)のドレイン端子が、前記第1トランジスタ(M1)とフォトダイオード(PD)の間の接続ノードに接続され、
前記第2トランジスタ(M2)のソース端子が、前記キャパシタのメモリ・ノードに接続され、
前記ステップ(a)において、
前記第2トランジスタ(M2)の導通状態が、第2トランジスタのゲート端子にかかる、電圧源の高電圧に近い高電圧状態にあるサンプリング信号(SH)により制御され、
前記第3トランジスタの導通は、第3トランジスタのゲート端子にかかる、電源の高電圧に近い高電圧状態にある第1初期化信号(RST)により制御され、
前記ステップ(c)において、
前記第1トランジスタの導通は、前記第1トランジスタのゲート端子に印加される、電源の高電圧以下の電圧レベルに適合する高電圧状態にある第2初期化信号(TI)により制御されることを特徴とする請求項1記載の方法。
請求項3において、前記各ピクセルは、第2初期化信号(TI)を、高電圧状態の第1トランジスタ(M1)に供給する制御回路を有し、
前記制御回路は、
(A)電源の高電圧端子(VDD)と低電圧端子(VSS)の間で、少なくとも2個の直列接続された抵抗(R1−R5)を具備する抵抗製ディバイダと、
(B) 少なくとも1個のスイッチ・トランジスタ(N1−N4)と
を有し、
前記スイッチ・トランジスタのドレイン端子は、隣り合う抵抗の接続ノードに接続され、
前記スイッチ・トランジスタのソース端子は、第1トランジスタのゲート端子に接続され、
前記スイッチ・トランジスタは、そのゲート端子にかかる制御信号(Sel1−Sel4)により、導通状態あるいは非導通状態になるよう、制御され、
前記ステップ(c)において、
前記第1トランジスタ(M1)の導通は、そのゲート端子に2個の隣接する抵抗の接続ノードに表れる電圧を、前記スイッチ・トランジスタを介して、印加することにより制御し、
前記スイッチ・トランジスタは、電源の高電圧に近い高電圧の制御信号(Sel1−Sel4)により、導通状態にされることを特徴とする請求項2または3記載の方法。
請求項4において、前記制御回路は、
(A) 電源の高電圧端子と低電圧端子の間に直列に接続される5個の抵抗(R1−R5)から形成される抵抗製ディバイダと、
(B) 第1トランジスタ(M1)のゲート端子に、2個の隣接する抵抗の接続ノードを接続する4個のスイッチ・トランジスタ(N1−N4)と
を有し、
前記スイッチ・トランジスタの内の1個のトランジスタのみが、第2初期化信号(TI)を第1トランジスタに供給するために、制御信号により制御され、
前記ステップ(c)において、
前記第1トランジスタ(M1)の導通は、選択された2個の隣接する抵抗の接続ノードに表れる電圧をそのゲート端子に、対応するスイッチ・トランジスタを介して、以前に取り込んだイメージの平均照射レベルの測定値に基づいて、印加することにより、制御されることを特徴とする請求項3記載の方法。
請求項5において、前記ステップ(b)において、
前記第3トランジスタの導通は、フォトダイオード(PD)であるフォトディテクタ素子の第1露光期間を開始するために、中断される
ことを特徴とする請求項1記載の方法。
請求項6において、前記ステップ(e)とステップ(f)の間で、
前記第1トランジスタ(M1)の導通は、フォトダイオード(PD)であるフォトディテクタ素子を、第1初期化電圧よりも低い第2初期化電圧に初期化し、
前記第1トランジスタは、読み出しフェーズの期間の一部の間、導通状態にあることを特徴とする請求項1−5のいずれかに記載の方法。
請求項7において、前記フォトダイオード(PD)であるフォトディテクタ素子の第1露光期間は、フォトダイオードの第2露光期間の4−100倍、好ましくは20倍であることを特徴とする請求項1−7のいずれかに記載の方法。
M2 第2トランジスタ
M3 第3トランジスタ
M4 第4トランジスタ
M5 第5トランジスタ
C1 キャパシタ
SH サンプリング信号
RST 制御信号
VDD 高電圧供給端子
VSS 低電圧供給端子
T1 第2初期化信号
R 抵抗
N スイッチ・トランジスタ
Claims (7)
- CMOS技術で製造される広いダイナミック・レンジのイメージセンサを用いてイメージを得る方法において、
前記イメージセンサは、
(A) ピクセル(1)の組から形成される感光性セルと、
前記各ピクセルは、照射レベルに応じてチャージ・キャリアを蓄積するフォトダイオード素子(PD)を有し、
(B) 電源の2つの供給端末(VDD、VSS)の間で、前記フォトダイオード素子に直列に接続された初期化用の第1トランジスタ(M1)と、
(C) 前記フォトダイオード素子(PD)にサンプリング用の第2トランジスタ(M2)を介して結合され、前記フォトダイオード素子(PD)により蓄積されたチャージ・キャリアを表す電圧レベルを蓄積する蓄積手段(C1)と、
(D) 前記供給端末の間で、前記蓄積手段に直列に接続された初期化用の第3トランジスタ(M3)と、
(E) 直列接続された第4と第5のトランジスタ(M4、M5)と、
を有し、
前記第4トランジスタの制御端末は、蓄積手段に接続され、前記蓄積手段に蓄積された電圧レベルを読み出し、
前記イメージセンサを用いてイメージを得る方法は、
(a) フォトダイオード素子(PD)と蓄積手段(C1)の端子に第1初期化電圧を印加するために、前記第1トランジスタ(M1)は、非導通状態で、第2と第3のトランジスタ(M2、M3)の導通を制御するステップと、
(b) 前記フォトダイオード素子が、チャージ・キャリアを、ピックアップされた照射レベルに応じて蓄積する第1露光時間を開始するために、第2トランジスタの導通を遮断するステップと、
(c) 前記フォトダイオード素子の端子の電圧レベルが、第1露光時間の終了時、第2初期化電圧よりも小さい場合は、前記フォトダイオード素子の端子に、第1初期化電圧よりも小さい第2初期化電圧(V2)を印加するために、第1トランジスタ(M1)の導通を制御するステップと、
(d) 前記フォトダイオード素子がチャージ・キャリアを蓄積する第2の露光時間を開始するために、第2トランジスタの導通を遮断するステップと、
(e) 前記蓄積手段内にフォトダイオード素子の電圧レベルを蓄積する第2露光時間の間、第3トランジスタの導通を遮断した後、第2トランジスタの導通を制御するステップと、
(f) 前記第2トランジスタが非導通状態にあるときに、第4と第5のトランジスタの導通を制御することにより、前記蓄積手段内に蓄積された電圧レベルを読み出すステップと
を有する
ことを特徴とする広いダイナミック・レンジのイメージセンサを用いてイメージを得る方法。 - 前記各ピクセルは、
(A) フォトダイオード素子として逆方向接続されたピクセル(PD)と、
(B) 蓄積手段としてのキャパシタ(C1)と、
(C) n−MOS型の5個のトランジスタ(M1−M5)と
を有し、
第1と第3と第4のトランジスタ(M1、M3、M4)のドレイン端子が電圧源の高電圧端末(VDD)に接続され、
前記第1トランジスタ(M1)のソース端子が、前記フォトダイオードの端末に接続され、
前記第3トランジスタ(M3)のソース端子が、前記キャパシタのメモリ・ノードに接続され、
前記第2トランジスタ(M2)のドレイン端子が、前記第1トランジスタ(M1)とフォトダイオード(PD)の間の接続ノードに接続され、
前記第2トランジスタ(M2)のソース端子が、前記キャパシタのメモリ・ノードに接続され、
前記ステップ(a)において、
前記第2トランジスタ(M2)の導通状態が、第2トランジスタのゲート端子にかかる、電圧源の高電圧に近い高電圧状態にあるサンプリング信号(SH)により制御され、
前記第3トランジスタの導通は、第3トランジスタのゲート端子にかかる、電源の高電圧に近い高電圧状態にある第1初期化信号(RST)により制御され、
前記ステップ(c)において、
前記第1トランジスタの導通は、前記第1トランジスタのゲート端子に印加される、電源の高電圧以下の電圧レベルに適合する高電圧状態にある第2初期化信号(TI)により制御される
ことを特徴とする請求項1記載の方法。 - 前記各ピクセルは、第2初期化信号(TI)を、高電圧状態の第1トランジスタ(M1)に供給する制御回路を有し、
前記制御回路は、
(A)電源の高電圧端子(VDD)と低電圧端子(VSS)の間で、少なくとも2個の直列接続された抵抗(R1−R5)を具備する抵抗製ディバイダと、
(B) 少なくとも1個のスイッチ・トランジスタ(N1−N4)と
を有し、
前記スイッチ・トランジスタのドレイン端子は、隣り合う抵抗の接続ノードに接続され、
前記スイッチ・トランジスタのソース端子は、第1トランジスタのゲート端子に接続され、
前記スイッチ・トランジスタは、そのゲート端子にかかる制御信号(Sel1−Sel4)により、導通状態あるいは非導通状態になるよう、制御され、
前記ステップ(c)において、
前記第1トランジスタ(M1)の導通は、そのゲート端子に2個の隣接する抵抗の接続ノードに表れる電圧を、前記スイッチ・トランジスタを介して、印加することにより制御し、
前記スイッチ・トランジスタは、電源の高電圧に近い高電圧の制御信号(Sel1−Sel4)により、導通状態にされる
ことを特徴とする請求項2または3記載の方法。 - 前記制御回路は、
(A) 電源の高電圧端子と低電圧端子の間に直列に接続される5個の抵抗(R1−R5)から形成される抵抗製ディバイダと、
(B) 第1トランジスタ(M1)のゲート端子に、2個の隣接する抵抗の接続ノードを接続する4個のスイッチ・トランジスタ(N1−N4)と
を有し、
前記スイッチ・トランジスタの内の1個のトランジスタのみが、第2初期化信号(TI)を第1トランジスタに供給するために、制御信号により制御され、
前記ステップ(c)において、
前記第1トランジスタ(M1)の導通は、選択された2個の隣接する抵抗の接続ノードに表れる電圧をそのゲート端子に、対応するスイッチ・トランジスタを介して、以前に取り込んだイメージの平均照射レベルの測定値に基づいて、印加することにより、制御される
ことを特徴とする請求項3記載の方法。 - 前記ステップ(b)において、
前記第3トランジスタの導通は、フォトダイオード(PD)であるフォトディテクタ素子の第1露光期間を開始するために、中断される
ことを特徴とする請求項1記載の方法。 - 前記ステップ(e)とステップ(f)の間で、
前記第1トランジスタ(M1)の導通は、フォトダイオード(PD)であるフォトディテクタ素子を、第1初期化電圧よりも低い第2初期化電圧に初期化し、
前記第1トランジスタは、読み出しフェーズの期間の一部の間、導通状態にある
ことを特徴とする請求項1−5のいずれかに記載の方法。 - 前記フォトダイオード(PD)であるフォトディテクタ素子の第1露光期間は、フォトダイオードの第2露光期間の4−100倍、好ましくは20倍である
ことを特徴とする請求項1−7のいずれかに記載の方法。
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