JP2007164787A - メモリシステム - Google Patents

Abstract

【課題】メモリ装置間に点対点接続構造を有するメモリシステムを提供する
【解決手段】メモリシステムは、第１と第２主メモリ、及び、前記第１と第２主メモリそれぞれに接続され、少なくとも１つの点対点接続を有する第１と第２補助メモリを有する。メモリモジュールは、少なくとも２つの第１と第２主メモリ及び第１と第２補助メモリを含む。コネクタまたは半田付けのような第１接続素子はメモリモジュールをマザーボードに接続する。コネクタまたは半田付けのような第２接続素子は、少なくとも１つの他の第１と第２主メモリ及び第１と第２補助メモリをマザーボードに接続する。第１メモリモジュール上の少なくとも１つのメモリが少なくとも１つの他のメモリに接続される。メモリシステムは、また点対２点接続により主メモリに接続されるメモリ制御部を含む。
【選択図】 図２Ａ

Description

本発明はメモリシステムに関し、特に、メモリ装置間に点対点接続構造を有するメモリシステムに関するものである。

図１は、例えば、ｍが自然数７の場合、複数のメモリモジュールＭＭ０〜ＭＭｎ（１４、１２）上に複数のメモリ装置Ｍ０〜Ｍｍを具備し、これらが制御部１６に接続された従来のメモリシステム１０のブロック図である。それぞれのメモリモジュールＭＭ０〜ＭＭｎ上におけるメモリ装置Ｍ０〜Ｍｍの個数を示すｍの値はシステムバス幅によって決定される。例えば、システムバス幅が６４ビットであり、メモリ装置が８ビットの大きさのデータバスＤＱｂｕｓを有する場合、それぞれのメモリモジュールＭＭ０〜ＭＭｎは８個のメモリ装置Ｍ０〜Ｍ７を具備する。データ信号ラインＤＱ０−７、ＤＱ８−１５、・・・、ＤＱ５６−６３は、メモリ装置がデータ信号ラインを共有するマルチドロップ接続（ｍｕｌｔｉ−ｄｒｏｐ ｌｉｎｋｓ）を有する。データラインの容量性負荷（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｌｏａｄ）はメモリシステムの動作速度に影響を及ぼす。例えば、８ＳＤＲＡＭ、４ＤＤＲ（２倍のデータ信号速度、ｄｏｕｂｌｅ ｄａｔａ ｒａｔｅ）、２ＤＤＲ２及び２ＤＤＲ３に対する動作構成は、典型的にそれぞれのデータ信号ラインとともに接続されることができる。このようなシステムの動作速度が増加することによって容量性負荷（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｌｏａｄｉｎｇ）による動作速度の低下を防止するためにデータ信号ラインの容量性負荷を減少させることが重要である。

命令及びアドレス（Ｃ／Ａ）信号ラインＣ／Ａ０、Ｃ／Ａ１は、マルチドロップ接続（ｍｕｌｔｉ−ｄｒｏｐ ｌｉｎｋｓ）を有し、同一モジュールＭＭ０〜ＭＭｎ上のメモリ装置Ｍ０〜Ｍｍは同一の命令及びアドレス（Ｃ／Ａ）信号ラインを共有する。一般的に、システムバス速度によって８個または４個のメモリ装置が単一命令及びアドレスラインを共有する。より速いバス速度のために一般的に８個のメモリ装置が共通命令及びアドレス（Ｃ／Ａ）ラインを共有する。

現在、命令及びアドレス（Ｃ／Ａ）ラインの速度は、負荷影響（ｌｏａｄｉｎｇ ｅｆｆｅｃｔｓ）のために、データ（ＤＱ）ラインの速度よりも遅い。ＤＤＲ ＲＡＭでは、命令及びアドレス（Ｃ／Ａ）バスは単一データ信号レートＳＤＲ（ｓｉｎｇｌｅ ｄａｔａ ｒａｔｅ）で動作し、データバス（ＤＱ）速度の半分である。より速い速度の動作のために、命令及びアドレス（Ｃ／Ａ）ラインの容量性負荷とスタブ（ｓｔｕｂ）を減少させることも重要である。

高速のメモリシステム、例えば、２Ｇｂｐｓ以上で動作するシステムにおいて、メモリ装置間及びメモリ装置と制御部との間にマルチドロップ接続（ｍｕｌｔｉ−ｄｒｏｐ ｌｉｎｋ）と異なる点対点接続は、高速動作要求に応じられるようにそれぞれの信号ラインの容量性負荷及びスタブを減少することが研究されてきた。点対点接続を支援する高集積メモリシステムにおいて、複数のメモリモジュールは、サーバまたはネットワーキングのようなメモリアプリケーション（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ）を支援する必要性がある。しかしながら、点対点（ＰＴＰ）接続を具備するそれぞれのメモリモジュールは、それぞれの信号ラインに対して入／出力（Ｉ／Ｏ）モジュールタップ（ｔａｂ）を具備しなければならない。これは、タップ（ｔａｂ）の数を増加させる原因となり、適切なメモリモジュールを設計して生産することを難しくする。高集積メモリ装置において、モジュールタップ数の増加なしに点対点接続を支援する方法は、単一メモリモジュール上にスタックされたメモリを用いることである。

ここで、メモリモジュール上にスタックされたメモリ（ｓｔａｃｋｅｄ ｍｅｍｏｒｉｅｓ）の採において、いくつかの問題点が存在することになる。例えば、上位メモリと下位メモリとの間の熱管理は、解決しなければならない難しい課題となる。また、上位メモリと下位メモリとの間の信号経路（ｒｏｕｔｉｎｇ）をどのように構成するかについては非常に難しく、メモリパッケージの大きさを増加させる一因となる。また、点対点接続を維持しながらメモリシステムの集積度を増加させることは難しい。
特開２００２−２７８９１４号明細書 特開２００２−００７３０８号明細書

本発明は、メモリシステムにおいて併合されたライトデータ及び命令／アドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号ラインに対して点対２点（ここでは、「１Ｐ２Ｐ」と記載する）接続を、読み出しデータ（ＤＱ）信号ラインに対して点対点（ここでは、「１Ｐ１Ｐ」と記載する）接続を有するメモリシステムを提供する。

本発明は、メモリパッケージ大きさの増加を抑えながら点対点接続の支援が可能なメモリパッケージを提供する。また、本発明は、メモリ装置間に点対点接続を有するメモリシステムを提供する。このような特徴によってメモリモジュールでのコネクタピン数の増加を抑える。

本発明の第１形態は、第１及び第２主メモリと、前記第１及び第２主メモリそれぞれに接続された第１及び第２補助メモリとを含み、少なくとも１つの点対点接続を具備するメモリシステムである。少なくとも１つのメモリモジュールは、少なくとも２つの第１及び第２主メモリと第１及び第２補助メモリとを具備する。第１接続要素（ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ ｅｌｅｍｅｎｔ）は、メモリモジュールをマザーボードに接続する。第２接続要素は、少なくとも１つの他の第１及び第２主メモリと第１及び第２補助メモリをマザーボードに接続する。第１メモリモジュール上の少なくとも１つのメモリは少なくとも１つの他のメモリに接続される。

実施形態において、第１接続要素はメモリモジュールをマザーボードに接続するコネクタである。

実施形態において、第２接続要素は少なくとも１つの他の第１及び第２主メモリと第１及び第２補助メモリは、マザーボードに固定されるように半田付けされる。

実施形態において、第１主メモリと第２主メモリは、第１メモリモジュールに取り付けられる。

実施形態において、第１主メモリと第１補助メモリは第１メモリモジュールに取り付けられる。

実施形態において、第１主メモリと第２主メモリは、マザーボードに半田付けされる。

実施形態において、第１主メモリと第１補助メモリは、マザーボードに半田付けされる。

メモリシステムは、少なくとも２つの他の第１及び第２主メモリと第１及び第２補助メモリが装着される第２メモリモジュールをさらに具備する。第２接続要素は第２メモリモジュールをマザーボードに接続するコネクタとすることができる。フレキシブルな伝導性要素（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｅｌｅｍｅｎｔ）が第１メモリモジュールと第２メモリモジュールを接続することができる。フレキシブルな伝導性要素は命令／アドレスＣＡ信号及び／またはデータ信号を伝送することができる。第１主メモリと第２主メモリは、第１メモリモジュールに取り付けられることができる。第１主メモリと第１補助メモリは、第１メモリモジュールに取り付けられることができる。第１補助メモリと第２補助メモリは、第２メモリモジュールに取り付けられることができる。第２主メモリと第２補助メモリは第２メモリモジュールに取り付けられることができる。

メモリシステムは、少なくとも１つの第１主メモリと第２主メモリに接続される制御部をさらに具備することができる。制御部は点対点接続を介して少なくとも１つの主メモリに接続されることができる。制御部は両方の主メモリに命令／アドレス（ＣＡ）信号を伝送することができる。実施形態において、補助メモリ中の１つにアクセスする間、主メモリ中の１つは命令及びアドレス信号をリピーティングして制御部からアクセスされる補助メモリ中の１つに出力する。実施形態において、アクセスされるデータ中の半分は主及び補助メモリ中の１つによって制御部に伝送され、アクセスされるデータ中の残り半分は他の主メモリ及び補助メモリによって制御部に伝送される。実施形態において、アクセスされるデータ中の半分は補助メモリ中の１つによって制御部に伝送され、アクセスされるデータの残り半分は他の補助メモリによって制御部に伝送される。

他の形態において、本発明は第１及び第２主メモリと第１及び第２主メモリに信号を伝送する制御部とを具備するメモリシステムのことを示す。この信号は点対２点接続によって第１及び第２メモリに伝送される。

実施形態において、信号は命令／アドレス（Ｃ／Ａ）信号を含む。第１及び第２補助メモリは第１及び第２主メモリそれぞれに接続される。主メモリと補助メモリとの対は少なくとも１つの点対点接続を含むことができる。メモリシステムは少なくとも２つの第１及び第２主メモリと第１及び第２補助メモリを具備する第１メモリモジュールと少なくとも他の２つの第１及び第２主メモリと第１及び第２補助メモリを具備する第２メモリモジュールとをさらに具備することができる。

フレキシブルな伝導性要素は第１メモリモジュールと第２メモリモジュールを接続する。フレキシブルな伝導性要素は命令／アドレスＣ／Ａ信号またはデータ信号を伝送することができる。

実施形態において、制御部は２つの主メモリに命令／アドレス（Ｃ／Ａ）信号を伝送する。実施形態において、補助メモリ中の１つをアクセスする間、主メモリ中の１つは命令／アドレス（Ｃ／Ａ）信号をリピーティングして制御部からアクセスされる補助メモリ中の１つに出力する。アクセスされるデータの半分は第１主メモリ及び第２補助メモリ中の１つによって制御部に伝送されることができ、アクセスされるデータの残り半分は主メモリ及び補助メモリ中の他の１つによって制御部に伝送される。アクセスされるデータの半分は補助メモリ中の１つによって制御部に伝送されることができ、アクセスされるデータの残り半分は補助メモリ中の他の１つによって制御部に伝送される。

本発明のメモリシステムは、信号伝送ラインのラインローディングを低減させるために信号伝送時に生じうる遅延を最小化し高速の信号伝送を可能とする。

本発明のメモリシステムは、メモリパッケージの大きさの増加を抑えながら、点対点接続の支援を可能とする。

図２Ａは本発明の実施形態によるメモリシステム１００の概略的なブロック図である。図２Ａのメモリシステム１００は、メモリ制御部１２０、及び２つのメモリモジュールＭＭ０（１１４）、ＭＭ１（１１２）を具備する。ここで、制御部１２０に対するメモリ接続は、１つのメモリモジュールではなく、２つの分離したメモリモジュールＭＭ０、ＭＭ１に分けられる。メモリモジュールＭＭ０、ＭＭ１のそれぞれは、同一の平面構造において、補助メモリＳ（１１８、１２４）のそれぞれのグループに接続される主メモリＰ（１１６、１２２）のグループを具備する。ライトデータ信号及び命令／アドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号ラインは、制御部１２０の伝送ポートＴＰから主メモリ１１６、１２２に接続される。この実施形態において、ライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号は、ライトデータ信号と命令／アドレス信号を併合したものである。すなわち、命令／アドレス信号とライトデータ信号は、ライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号ラインを共有する。読み出しデータ信号ＲＤ１、ＲＤ２は、補助メモリ１１８、１２４それぞれから制御部１２０の受信ポートＲＰ１、ＲＰ２それぞれに接続される。

主メモリＰ及び補助メモリＳのそれぞれは複数のポートを具備する。図示した実施形態において、主メモリＰのそれぞれは、制御部１２０の出力を受信する制御部受信（ＲＦＣ）ポート、メモリに伝送するメモリ伝送（ＴＴＤ）ポート、及び制御部１２０に伝送する制御部伝送（ＴＴＣ）ポートを具備する。補助メモリＳのそれぞれは、制御部受信（ＲＦＣ）ポート、メモリ出力を受信するメモリ受信（ＲＦＤ）ポート及び制御部伝送（ＴＴＣ）ポートを具備する。主メモリＰにおいて、制御部受信（ＲＦＣ）ポートは、制御部１２０からライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号を受信し、メモリ伝送（ＴＴＤ）ポートは、ライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号を接続された補助メモリＳに伝送し、制御部伝送（ＴＴＣ）ポートは、主メモリＰの読み出しデータを補助メモリＳに伝送する。補助メモリＳにおいて、制御部受信（ＲＦＣ）ポートは、接続された主メモリＰからライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号を受信し、メモリ受信（ＲＦＤ）ポートは、接続された主メモリから主メモリの読み出しデータを受信し、制御部伝送（ＴＴＣ）ポートは、補助メモリＳの読み出しデータまたは接続された主メモリＰから出力された補助メモリＳの読み出しデータまたは主読み出しデータ（ｐｒｉｍａｒｙ ｒｅａｄ ｄａｔａ）を制御部１２０に伝送する。

この実施形態において、制御部１２０の伝送ポートＴＰからの接続は、ライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号を点対２点（ＰＴＴＰまたは１Ｐ２Ｐ）接続を介して主メモリ１１６、１２２に伝送する。これは、ライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号ラインとともに制御部１２０の伝送ポートＴＰが主メモリ１１６、１２２の２つの制御部受信（ＲＦＣ）ポートの両方に接続されていることを意味する。この実施形態において、補助メモリ１１８、１２４からの接続は点対点接続（ＰＴＰまたは１Ｐ１Ｐ）である。

主メモリアクセスのためのライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号は、本発明に係る点対２点接続１Ｐ２Ｐを介して主メモリ１１６、１２２に伝送される。主（ｐｒｉｍａｒｙ）読み出し動作の場合、読み出しデータは、主メモリ１１６、１２２によって制御部伝送（ＴＴＣポート）を介して接続された補助メモリ１１８、１２４に伝送される。このとき、補助メモリ１１８、１２４は、点対点接続によって補助メモリ１１８、１２４の制御部伝送（ＴＴＣ）ポートを介して制御部１２０に主（ｐｒｉｍａｒｙ）読み出しデータを伝送したり、リピーティングして出力したりする。補助メモリアクセスの場合、ライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号は、本発明に係る点対２点１Ｐ２Ｐ接続を介して主メモリ１１６、１２２に伝送される。ライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号は、主メモリ１１６、１２２のメモリ伝送（ＴＴＤ）ポートと補助メモリ１１８、１２４の制御部受信（ＲＦＣ）ポートを介して補助メモリ１１８、１２４に伝送されたり、リピーティングして出力されたりする。補助メモリ読み出し動作の場合、読み出しデータは、点対点１Ｐ１Ｐ接続によって補助メモリ１１８、１２４の制御部伝送ＴＴＣポートを介して制御部１２０に伝送される。

上述のように、本実施形態において、制御部１２０に対するメモリ接続は、単一メモリモジュールではなく２つの分離したメモリモジュールＭＭ０、ＭＭ１に分けられる。ライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号のための点対２点１Ｐ２Ｐ接続は、ライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号を同時に２つの主メモリ１１６、１２２に伝送するようにする。また、この実施形態によれば、読み出しデータがＭビットであるとすると、それぞれの補助メモリ１１８、１２４は、そのデータの半分、すなわち、Ｍ／２ビットを制御部１２０に提供する。このとき、補助メモリ１１８から制御部１２０の受信ポートＲＰ１に伝送された読み出しデータＲＤ１の大きさはＭ／２ビットである。読み出しデータＲＤ２が補助メモリ１２４から制御部１２０の受信ポートＲＰ２に伝送される大きさもＭ／２ビットである。

図２Ｂは、図２Ａのメモリシステム１００における接続関係を示す概略的なダイアグラムである。図２Ｂのダイアグラムに示すように、点対２点接続は、伝送ポートＴＰを２つの主メモリＰ（１１６、１２２）に接続し、点対点接続は、主メモリＰ（１１６、１２２）をそれぞれに対応する補助メモリＳ（１１８、１２４）に接続する。点対点接続は、主メモリＰ（１１６、１２２）をそれぞれに対応する補助メモリＳ（１１８、１２４）と対応する受信ポートＲＰ１、ＲＰ２に接続する。

図３Ａ及び図３Ｂは、図２に示された本発明の実施形態による読み出し動作のタイミングを示すタイミング図である。より具体的には、図３Ａは主メモリＰ（１１６、１２２）の読み出し動作のタイミング図であり、図３Ｂは補助メモリＳ（１１８、１２４）の読み出し動作のタイミング図である。

図３Ａを参照すると、メモリモジュールＭＭ０、ＭＭ１の主メモリＭＭ０ Ｐ（１１６）、ＭＭ１ Ｐ（１２２）は、主読み出し命令ＲＤＰ（ｐｒｉｍａｒｙ ｒｅａｄ ｃｏｍｍａｎｄ）に応答して同時に動作し、それぞれの主メモリは所定の読み出しレイテンシー（ｒｅａｄ ｌａｔｅｎｃｙ）の後に、要求されたデータＲＤ１、ＲＤ２の半分をそれぞれの補助メモリ１１８、１２４に出力する。要求されたデータＲＤ１、ＲＤ２は、それぞれの補助メモリ１１８、１２４によって制御部１２０に繰り返されて出力される。

図３Ｂを参照すると、メモリモジュールＭＭ０、ＭＭ１の補助メモリＭＭ０ Ｓ（１１８）、ＭＭ１ Ｓ１２４）は、繰り返し遅延（リピーティング遅延）の後に、それぞれの主メモリ１１６、１２２から受信した補助読み出し命令ＲＤＳ（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｒｅａｄ ｃｏｍｍａｎｄ）に応答して、同時に動作する。このとき、それぞれの補助メモリは所定の読み出しレイテンシー後に、要求されたデータＲＤ１、ＲＤ２の半分を制御部１２０に出力する。図３Ａ及び図３Ｂに記述したように、主読み出し（ｐｒｉｍａｒｙ ｒｅａｄ）及び補助読み出し（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｒｅａｄ）の両方は、本発明に従ってメモリを２つのメモリモジュールＭＭ０、ＭＭ１に分離した場合において、すべての読み出しデータは読み出しレイテンシーとリピーティング遅延をもって同時に制御部に伝送される。

図４Ａは、本発明のさらに他の実施形態によるメモリシステム２００の概略的なブロック図である。図５は、図４Ａのメモリシステム２００の概略的なダイアグラムであり、メモリシステム２００の物理的構造を示すものである。

図４Ａ及び図５において、メモリシステム２００は、マザーボード２４２上のそれぞれのコネクタ２４６、２４４でマザーボード２４２にそれぞれ接続される下位伝導性タップ（ｌｏｗｅｒ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｔａｐｓ）２３６、２３０を介して接続される一対のメモリモジュールＭＭ０（２１４）、ＭＭ１（２１２）を具備する。２つの主メモリＰ１（２１６）、Ｐ２（２２２）はモジュールＭＭ０（２１４）に搭載され、２つの補助メモリＳ１（２１８）、Ｓ２（２２４）はモジュールＭＭ１に搭載される。主メモリＰ１（２１６）、Ｐ２（２２２）の制御部受信（ＲＦＣ）ポートは、モジュールＭＭ０の回路ボード上の印刷回路配線（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｗｉｒｉｎｇ）を介して一緒に接続される。主メモリＰ１（２１６）、Ｐ２（２２２）は、モジュールＭＭ１の上位タップ２３２とモジュールＭＭ０の上位タップ２３４との間に接続される印刷伝導体を有するフレキシブルなケーブル２４０を介して補助メモリＳ１、Ｓ２と接続される。

図４Ａ及び図５の実施形態において、主メモリ、補助メモリ、及び制御部２２０の間の論理的接続は図２Ａの実施形態と等しい。ここで、図４Ａ及び図５の実施形態は、主メモリから補助メモリへのライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号のリピーティング、及び補助メモリから制御部への主メモリからの読み出しデータのリピーティングに限定されないように、図２Ａの実施形態と同様に、上述のメモリシステムの機能動作を具現する。ライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号は、制御部２２０によって点対２点（１Ｐ２Ｐ）接続で伝送ポートＴＰを介して２つの主メモリＰ１、Ｐ２に伝送される。主メモリＰ１、Ｐ２から補助メモリＳ１、Ｓ２に伝送される信号は、モジュールＭＭ０、ＭＭ１間のフレキシブルなケーブル２４０を介して伝送される。読み出しデータＲＤ１信号は、補助メモリＳ１（１２８）の制御部伝送（ＴＴＣ）ポートから点対点（１Ｐ１Ｐ）接続を介して伝送され、ライン２４１上のメモリモジュールＭＭ１を介して下位タップ２３０に伝送され、コネクタ２４４を介し、マザーボード２４２を介して制御部２２０の受信ポートＲＰ１に伝送される。読み出しデータ（ＲＤ２）信号は、補助メモリ２２４の制御部伝送（ＴＴＣ）ポートから点対点（１Ｐ１Ｐ）接続を介して伝送され、ライン２４３上のメモリモジュールＭＭ１を介して下位タップ２３０に伝送され、コネクタ２４４を介し、マザーボード２４２を介して制御部２２０の受信ポートＲＰ２に伝送される。

図４Ｂは、図４Ａのメモリシステム２００における接続関係を示す概略的なダイアグラムである。図４Ｂのダイアグラムに示したように、点対２点接続は、伝送ポートＴＰを２つの主メモリＰ１（２１６）、Ｐ２（２２２）に接続し、点対点接続は、主メモリＰ１（２１６）と主メモリＰ２（２２２）それぞれに対応する補助メモリＳ１（２１８）と補助メモリＳ２（２２４）に互いに接続される。点対点接続は、それぞれの主メモリＰ１（２１６）と主メモリＰ２（２２２）に対応する補助メモリＳ１（２１８）と補助メモリＳ２（２２４）、及び対応する受信ポートＲＰ１、ＲＰ２に接続される。

図６Ａは、本発明のさらに他の実施形態によるメモリシステム３００の概略的なブロック図である。図７は、図６Ａのメモリシステム３００の概略的なダイアグラムであり、メモリシステム３００の物理的構成を示すものである。

図６Ａ及び図７の実施形態において、メモリシステム３００は、下位伝導性タップ３３６、３３０からそれぞれマザーボード３４２に接続され、マザーボード３４２上のコネクタ３４６、３４４にそれぞれ接続される一対のメモリモジュールＭＭ０（３１４）、ＭＭ１（３１２）を具備する。主メモリ３１６と補助メモリ３２４はモジュールＭＭ０に搭載され、主メモリ３２２と補助メモリ３１８はモジュールＭＭ１に搭載される。主メモリ３１６と補助メモリ３２４は互いにモジュールＭＭ０の回路ボード上の印刷回路配線を介して一緒に接続され、主メモリ３２２と補助メモリ３１８はモジュールＭＭ１上の回路ボードの印刷回路配線を介して一緒に接続される。主メモリ３１６は、モジュールＭＭ１の上位タップ３３２とモジュールＭＭ０上の上位タップ３３４との間に接続された印刷伝導体を含むフレキシブルなケーブルを介して主メモリ３２２と接続される。

図６Ａ及び図７の実施形態において、主メモリ、補助メモリ及び制御部３２０間の論理的接続は図２Ａの実施形態と等しい。ここで、図６Ａ及び図７の実施形態は、主メモリから補助メモリへのライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号のリピーティング、及び補助メモリから制御部への主メモリからの読み出しデータのリピーティングに限定されないように、図２Ａの実施形態について述べたようにメモリシステム機能動作を具現する。ライトデータ、命令及びアドレス信号は、点対２点（１Ｐ２Ｐ）接続上の制御部３２０によって伝送ポートＴＰを介して主メモリ３１６、３２２両方に伝送される。主メモリ３１６から補助メモリ３２４に伝送される信号は、メモリモジュールＭＭ０上の印刷回路配線に伝送され、主メモリ３２２から補助メモリ３１８に伝送される信号は、メモリモジュールＭＭ１上に印刷回路配線に伝送される。点対２点接続において、ライトデータ、命令及びアドレス信号は、フレキシブルなケーブル３４０に沿って主メモリ３２２に伝送される。読み出しデータＲＤ１信号は、補助メモリ３２４の制御部伝送ＴＴＣポートを通過して点対点（１Ｐ１Ｐ）接続を介して伝送され、ライン３４３上のメモリモジュールＭＭ０に伝送され、コネクタ３４６を介しマザーボード３４２を介して制御部３２０の受信ポートＲＰ１に伝送される。読み出しデータ（ＲＤ２）信号は、補助メモリ３１８の制御部伝送（ＴＴＣ）ポートを通過して点対点（１Ｐ１Ｐ）を介して伝送され、ライン３４１上のメモリモジュールＭＭ１を介して下位タップ３３０に伝送され、コネクタ３４４を介し、マザーボード３４２を介して制御部３２０の受信ポートＲＰ２に伝送される。

図６Ｂは、図６Ａのメモリシステム３００での接続関係を示す概略的なダイアグラムである。図６Ｂのダイアグラムに示したように、点対２点接続は伝送ポートＴＰを２つの主メモリＰ（３１６、３２２）に接続し、点対点接続は、主メモリＰ（３１６、３２２）それぞれに対応する補助メモリＳ（３２４、３１８）に接続される。点対点（ＰＴＰ）接続は、それぞれの主メモリ３１６、３２２に対応する補助メモリ３２４、３１８及び対応する受信ポートＲＰ１、ＲＰ２に接続される。

図８Ａは、本発明のさらに他の実施形態によるメモリシステム４００の概略的なブロック図である。図９は、図８Ａのメモリシステム４００の概略的なダイアグラムであり、メモリシステム４００の物理的構成を示すものである。

図８Ａ及び図９の実施形態において、メモリシステム４００は、マザーボード４４２上のコネクタ４４６に接続され、下位伝導性タップ４３２からマザーボード４４２に接続される１つのメモリモジュール４１４を具備する。主メモリＰ１（４２２）と補助メモリＳ１（４１８）は、モジュールＭＭ０に搭載され、主メモリＰ（４１６）と補助メモリＳ（４２４）は、マザーボード４４２の半田付け領域４２５に半田付けによって堅固に接続される。主メモリ４１６と補助メモリ４２４は、互いにマザーボード４４２上に印刷回路配線を介して一緒に接続される。主メモリ４２２と補助メモリ４１８は、互いにモジュールＭＭ０上の回路ボードで印刷回路配線を介して一緒に接続される。主メモリ４１６は、マザーボード４４２上の印刷回路配線、コネクタ４４６を介し、メモリモジュール４１４上の印刷回路配線を介して主メモリ４２２と接続される。補助メモリ４２４は、マザーボード４４２上の印刷回路配線、コネクタ４４６を介し、メモリモジュール４１４上の印刷回路配線を介して補助メモリ４１８と接続される。

図８Ａ及び図９の実施形態において、主メモリ、補助メモリ、及び制御部４２０間の論理的接続は図２Ａの実施形態と等しい。すなわち、図８Ａ及び図９の実施形態は、主メモリから補助メモリへのライトデータ、命令及びアドレス信号のリピーティング、及び補助メモリによる主メモリから制御部への読み出しデータのリピーティングに限定されないように、図２Ａの実施形態と同様に上述のメモリシステムの機能動作を具現する。ライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号は、点対２点（１Ｐ２Ｐ）接続上において制御部４２０により伝送ポートＴＰから主メモリ４１６、４２２に伝送される。主メモリ４１６から補助メモリ４２４に伝送される信号は、マザーボード４２０上の印刷回路配線に伝送され、主メモリ４２２から補助メモリ４１８に伝送される信号は、メモリモジュールＭＭ０上の印刷回路配線に伝送される。ライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号は、点対２点接続によりコネクタ４４６を介してマザーボード４４２上の印刷回路配線とメモリモジュールＭＭ０の回路ボード上の印刷回路配線を介して伝送される。読み出しデータＲＤ１信号は、主メモリ４１６の制御部伝送（ＴＴＣ）ポートを介して点対点（１Ｐ１Ｐ）接続で伝送され、ライン４４３によりマザーボード４２０を介して制御部４２０の受信ポートＲＰ１に伝送される。読み出しデータ（ＲＤ２）信号は、補助メモリ４２４の制御部伝送（ＴＴＣ）ポートを介して伝送され、ライン４４１によりマザーボード４４２を介して制御部４２０の受信ポートＲＰ２に伝送される。

後述のように、図８Ａ及び図９の実施形態において、マザーボード４４２上のメモリは、メモリモジュールＭＭ０におけるメモリと比べて短い読み出し経路（ｒｅａｄ ｐａｔｈ）を有する。これによって、マザーボード４４２上での読み出しレイテンシー（ｒｅａｄ ｌａｔｅｎｃｙ）は、メモリモジュールＭＭ０上のメモリよりも長く決定され、読み出しデータは、略同時に制御部４２０で受信される。

図８Ｂは、図８Ａのメモリシステム４００での接続設定を示す大略的なダイアグラムである。図８Ｂで述べたように、点対２点接続は、伝送ポートＴＰを２つの主メモリＰ（４１６）と主メモリＰ１（４２２）に接続し、点対点接続は、主メモリＰ（４１６）と主メモリＰ１（４２２）それぞれに対応する補助メモリＳ（４２４）と補助メモリＳ１（４１８）に接続する。点対点接続は、主メモリ４２２を主メモリ４１６に接続し、主メモリ４１６に対応する受信ポートＲＰ１に接続する。点対点接続は、補助メモリＳ１（４１８）を補助メモリＳ（４２４）と補助メモリ４２４に対応する受信ポートＲＰ２に接続する。

図１０Ａ及び図１０Ｂは、図８Ａ及び図９に示された本発明の実施形態に対する読み出し動作のタイミング図である。特に、図１０Ａはマザーボード４４２上の主メモリＰ（４１６）と補助メモリＳ（４２４）で実行される読み出し動作ＲＤのタイミングを示すものであり、図１０ＢはメモリモジュールＭＭ０上の主メモリＰ１（４２２）と補助メモリＳ１（４１８）で実行される読み出し動作ＭＭ０ ＲＤを示すものである。

図１０Ａを参照すると、主メモリ４１６は読み出しデータＲＤを受信し、リピーティング遅延後に、読み出しデータＲＤ１は補助メモリ４２４にリピーティングされて出力される。主メモリ４１６は、所定の“読み出しレイテンシー１”後に読み出しデータＲＤ１を読み出し、補助メモリＳ（４２４）は所定の“読み出しレイテンシー２”後に読み出しデータＲＤ２を読み出しする。読み出しデータＲＤ１、ＲＤ２を制御部４２０において略同時に受信するために、主メモリは、補助メモリの“読み出しレイテンシー２”よりも長い“読み出しレイテンシー１”を有する。図１０Ｂを参照すると、主メモリＰ１は、読み出し命令ＭＭ０ ＲＤを受信し、リピーティング遅延後に補助メモリＳ１にリピーティングして出力する。主メモリＰ１は、“読み出しレイテンシー１”後に主メモリＰから読み出しデータＲＤ１を読み出す。補助メモリＳ１は、“読み出しレイテンシー２”後に補助メモリＳから読み出しデータＲＤ２を読み出す。主メモリＰと補助メモリＳは、それぞれ制御部４２０に読み出しデータＲＤ１と読み出しデータＲＤ２をリピーティングして出力する。制御部４２０は、リピーティング遅延後に読み出しデータＲＤ１、ＲＤ２を受信する。

信号の流れについて、図８Ａ、図８Ｂ、図９、図１０Ａ、及び図１０Ｂによれば、ライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号は、制御部４２０から主メモリＰ、Ｐ１に伝送される。主メモリＰは、ライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号を補助メモリＳに繰り返して出力し、主メモリＰ１は、ライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ信号）を補助メモリＳ１にリピーティングして出力する。主メモリＰからデータを読み出す場合、読み出しデータＲＤ１は主メモリＰから読み出され、制御部４２０に伝送される。主メモリＰ１からデータを読み出す場合、読み出しデータＲＤ１は主メモリＰに伝送され、読み出しデータＲＤ１は制御部４２０にリピーティングされて出力される。補助メモリＳを読み出しする場合に、主メモリＰによりライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号を補助メモリＳにリピーティングして出力した後、読み出しデータＲＤ２は補助メモリＳから読み出しされ、制御部４２０に伝送される。補助メモリＳ１を読み出しする場合、主メモリＰ１によってライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号が補助メモリＳ１にリピーティングされて出力された後に、読み出しデータＲＤ２は補助メモリＳ１から読み出しされ、補助メモリＳに伝送される。読み出しデータは、その時に制御部４２０にリピーティングされて出力される。

図１０Ａ及び図１０Ｂに記述したように、マザーボードメモリとモジュールメモリの両方から読み出しをする場合、すべての読み出しデータは、メモリが本発明に従ってマザーボードとメモリモジュールＭＭ０に分けられた場合であっても、同時に制御部４２０に読み出しされる。

図１１は、本発明によるさらに他の実施形態におけるメモリシステム５００の概略的なブロック図である。図１２は、図１１のメモリシステム５００の概略的なダイアグラムであり、メモリシステム５００の物理的構成を示すものである。

図１１及び図１２の実施形態において、メモリシステム５００はマザーボード５４２の下位伝導体タップ５３２から接続され、マザーボード５４２上のコネクタ５４６に接続される単一メモリモジュールＭＭ０（５１４）を具備する。補助メモリＳ１（５１８）と補助メモリＳ２（５２４）は、モジュールＭＭ０に搭載され、主メモリＰ１（５１６）と主メモリＰ２（５２２）は、マザーボード５４２上の半田付け領域５２５に半田付けされて堅固に接続される。主メモリ５１６は、マザーボード５４２上の印刷回路配線を介し、コネクタ５４６を介し、メモリモジュール５１４の印刷回路配線を介して補助メモリ５１８と接続される。

主メモリ５２２は、マザーボード５４２上の印刷回路配線を介し、コネクタ５４６を介し、メモリモジュール５１４の印刷回路配線を介して補助メモリ５２４に接続される。

図１１及び図１２の実施形態において、主メモリ間の論理的接続は、図２Ａの補助メモリと制御部５２０のものと等しい。このとき、図１１及び図１２の実施形態は、主メモリから補助メモリへのライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号のリピーティング、及び補助メモリにより主メモリから制御部への読み出しデータのリピーティングに限定されないように、図２Ａの実施形態と同様に上述のメモリ機能関数の動作を具現する。ライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）信号は点対２点（１Ｐ２Ｐ）接続において伝送ポートＴＰから制御部５２０によって主メモリ５１６、５２２両方に伝送される。主メモリ５１６から主メモリ５２２に伝送される信号は、マザーボード５４２上の印刷回路配線を介して伝送され、補助メモリ５１８から補助メモリ５２４に伝送される信号は、メモリモジュールＭＭ０上の印刷回路配線を介して伝送される。点対２点接続上のライトデータ、命令及びアドレス信号は、マザーボード５４２上の印刷回路配線を介して主メモリ５１６、５２２に伝送される。読み出しデータＲＤ１信号は、主メモリ５１６の制御部伝送（ＴＴＣ）ポートから点対点（１Ｐ１Ｐ）接続を介して伝送され、ライン５４３上でマザーボード５４２を介して制御部５２０の受信ポートＲＰ１に伝送される。読み出しデータＲＤ２信号は、主メモリ５２２の制御部伝送（ＴＴＣ）を介して伝送され、ライン５４１上でマザーボード５４２を介して制御部４２０の受信ポートＲＰ２に伝送される。

信号の流れとして、図１１及び図１２で述べたように、制御部５２０から出力されたライトデータ、命令及びアドレス信号は、主メモリＰ１、Ｐ２に伝送される。主メモリＰ１は、ライトデータ、命令及びアドレス信号を補助メモリＳ１にリピーティングして出力し、補助メモリＳ１は、ライトデータ、命令及びアドレス信号を補助メモリＳ２にリピーティングして出力する。主メモリからデータを読み出しする場合に、読み出しデータＲＤ１、ＲＤ２は、主メモリＰ１、Ｐ２から制御部５２０に出力される。補助メモリＳ１、Ｓ２からデータを読み出しする場合に、読み出しデータＲＤ１、ＲＤ２は、補助メモリＳ１、Ｓ２から主メモリＰ１、Ｐ２にそれぞれ出力され、このとき、読み出しデータＲＤ１、ＲＤ２は、主メモリＰ１、Ｐ２によりリピーティングされて制御部５２０に伝送される。

主メモリ５１６は、マザーボード５４２上に印刷されたライン５４７、５４９を介して補助メモリ５１８に接続され、メモリモジュールＭＭ０上の回路ボードとコネクタ５４６を通過する。主メモリ５２２はマザーボード５４２上の印刷したライン５４５を介して補助メモリ５２４に接続され、メモリモジュールＭＭ０上の回路ボードとコネクタ５４６を通過する。

図１１及び図１２において、マザーボード５４２上のメモリの読み出し経路（ｒｅａｄ ｐａｔｈｓ）がメモリモジュールＭＭ０上のメモリよりも短いという点を注目しなければならない。これによって、マザーボード５４２上のメモリの読み出しレイテンシーは、メモリモジュールＭＭ０間のメモリよりも長く設定され、読み出しデータは略同時に制御部５２０で受信される。

図１３Ａは、本発明のさらに他の実施形態によるメモリシステム６００の概略的なブロック図である。メモリシステム６００は、補助メモリモジュール５１４ａに補助メモリ５１８ａ、５１８ｂが追加されていることを除けば、図１１及び図１２と等しい。図１３Ａにおいて、図１１及び図１２における要素と同一参照番号を有する。図１３Ｂのダイアグラムに示されたように、点対２点接続は、伝送ポートＴＰを主メモリＰ１、Ｐ２に接続し、点対点接続は、主メモリＰ１、Ｐ２を補助メモリＳ１（５１８、５１８ａ）と補助メモリＳ２（５２４、５２４ａ）に接続する。点対点接続は、補助メモリ５１８ａを補助メモリ５１８に接続し、補助メモリ５１８を主メモリＰ１に接続し、主メモリＰ１を受信ポートＲＰ１に接続する。本発明によれば、一般的に、補助メモリの数は、図１３に示された方法のように追加されることができる。これは、点対２点（１Ｐ２Ｐ）のライトデータ、命令及びアドレス（ＷＲ／ＣＡ）接続と点対２点（１Ｐ２Ｐ）の読み出しデータ接続を含む場合、メモリ集積度（ｄｅｎｓｉｔｙ）の拡張を可能とする。

図１４Ａ及び１４Ｂは、図１３Ａに示された本発明の実施形態に対する読み出し動作のタイミング図である。特に、図１４ＡはメモリモジュールＭＭ０上において実行される読み出し動作ＲＤのタイミング図を示すものであり、図１４ＢはメモリモジュールＭＭ１上において実行される読み出し動作ＭＭ１ ＲＤのタイミング図を示すものである。

図１４Ａを参照すると、主メモリＰ１と補助メモリＳ１は、読み出し命令ＭＭ０ ＲＤに応答して同時に動作し、主メモリＰ１は、“読み出しレイテンシー１”後、読み出しデータＲＤ１の半分を出力し、補助メモリＳ１は、“リピーティング遅延”と“読み出しレイテンシー２”後に読み出しデータＲＤ２の半分を出力する。また、メモリモジュールＭＭ１の読み出し動作において、読み出しデータＲＤ１の半分は、“３リピーティング遅延”と“読み出しレイテンシー４”後の出力であり、読み出しデータＲＤ２の半分は、“２リピーティング遅延”と“読み出しレイテンシー３”後の出力である。

すべての実施形態で説明したように、ライトデータ、命令及びアドレス、読み出しデータＲＤ１及び読み出しデータＲＤ２に対する点対２点接続及び点対点接続は、単一信号伝送（ｓｉｎｇｌｅ−ｅｎｄｅｄ ｓｉｇｎａｌｉｎｇ）及び差動信号伝送（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｓｉｇｎａｌｉｎｇ）の中の１つである。差動信号伝送は早いスピードの動作で用いられる。差動信号伝送を用いる場合、メモリ装置及びモジュールに用いられるピンの数は、増加分の接続数を収容できるように変更すべき数である。

上述では、本発明の好ましい実施形態を参照しながら説明したが、当該技術分野の熟練した当業者は、添付の特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で、本発明を多様に修正及び変更させることができる。

複数のメモリモジュール上に複数のメモリ装置を具備する従来のメモリシステムのブロック図である。 本発明の実施形態によるメモリ装置の概略的なブロック図である。 図２Ａのメモリシステムでの接続関係を示す概略的なダイアグラムである。 図２Ａに示された本発明の実施形態による読み出し動作のタイミング図を示すものである。 図２Ａに示された本発明の実施形態による読み出し動作のタイミング図を示すものである。 本発明のさらに他の実施形態によるメモリシステムの概略的なブロック図である。 図４Ａのメモリシステムの接続関係を示す概略的なダイアグラムである。 メモリシステムの物理的構成を示す図４Ａのメモリシステムの概略的なダイアグラムである。 本発明のさらに他の実施形態によるメモリシステムの概略的なブロック図である。 図６Ａのメモリシステムにおける接続関係を示す概略的なダイアグラムである。 メモリシステムの物理的構造を示す図６Ａのメモリシステムの概略的なダイアグラムである。 本発明のさらに他の実施形態によるメモリシステムの大略的なブロック図である。 図８Ａのメモリシステムで接続関係を示す概略的なダイアグラムである。 メモリシステムの物理的構成を示す図８Ａのメモリシステムの概略的なダイアグラムである。 図８Ａ及び図９に示された本発明の実施形態における読み出し動作のタイミング図を示すものである。 図８Ａ及び図９に示された本発明の実施形態における読み出し動作のタイミング図を示すものである。 本発明のさらに他の実施形態によるメモリシステムの概略的なブロック図である。 メモリシステムの物理的構造を示す図１１のメモリシステムの概略的なダイアグラムである。 本発明のさらに他の実施形態によるメモリシステムの概略的なブロック図である。 図１３Ａのメモリシステムの接続構造を示す概略的なダイアグラムである。 図１３Ａに示された本発明の実施形態における読み出し動作タイミング図を示すものである。 図１３Ａに示された本発明の実施形態における読み出し動作タイミング図を示すものである。

符号の説明

１００ メモリシステム
１１４、１１２ メモリモジュール
１１６、１２２ 主メモリ
１１８、１２４ 補助メモリ
１２０ メモリ制御部
１２４ 補助メモリ
ＲＤ１、ＲＤ２ 読み出しデータ信号
ＲＰ１、ＲＰ２ 受信ポート
ＴＰ 伝送ポート
ＷＲ／ＣＡ 命令／アドレス

Claims (37)

1. 第１及び第２主メモリと、前記第１及び第２主メモリのそれぞれに接続され、少なくとも１つの点対点接続を含む第１及び第２補助メモリとを有するメモリシステムであって、
   少なくとも２つの、前記第１及び第２主メモリと前記第１及び第２補助メモリを含む少なくとも１つのメモリモジュールと、
   前記メモリモジュールをマザーボードに接続する第１接続素子と、
   少なくとも１つの他の、前記第１及び第２主メモリと前記第１及び第２補助メモリを前記マザーボードに接続し、前記第１メモリモジュール上の少なくとも１つのメモリを前記少なくとも１つの他のメモリに接続する第２接続素子と、
   を具備することを特徴とするメモリシステム。
2. 前記第１接続素子は、
   前記メモリモジュールを前記マザーボードに接続するコネクタであることを特徴とする請求項１記載のメモリシステム。
3. 前記第２接続素子は、
   前記少なくとも１つの他の前記第１及び第２主メモリと前記第１及び第２補助メモリを前記マザーボードに接続する半田付けを具備することを特徴とする請求項１記載のメモリシステム。
4. 前記第１主メモリと前記第２主メモリは、前記第１メモリモジュールに取り付けられていることを特徴とする請求項１記載のメモリシステム。
5. 前記第１主メモリと前記第１補助メモリは、前記第１メモリモジュールに取り付けられていることを特徴とする請求項１記載のメモリシステム。
6. 前記第１主メモリと前記第２主メモリは、前記マザーボードに半田付けされることを特徴とする請求項１記載のメモリシステム。
7. 前記第１主メモリと前記第１補助メモリは、前記マザーボードに半田付けされることを特徴とする請求項１記載のメモリシステム。
8. 少なくとも２つの他の前記第１と第２主メモリ及び第１と第２補助メモリが取り付けられた第１メモリモジュールをさらに具備すること特徴とする請求項１記載のメモリシステム。
9. 前記第２接続素子は、前記第２メモリモジュールを前記マザーボードに接続するコネクタであることを特徴とする請求項８記載のメモリシステム。
10. 前記第１と第２メモリモジュールを接続するフレキシブルな伝導性素子をさらに具備することを特徴とする請求項８記載のメモリシステム。
11. 前記フレキシブルな伝導性素子は、命令／アドレス（ＣＡ）信号を伝送することを特徴とする請求項１０記載のメモリシステム。
12. 前記フレキシブルな伝導性素子は、データ信号を伝送することを特徴とする請求項１０記載のメモリシステム。
13. 前記フレキシブルな伝導性素子は、命令／アドレス（ＣＡ）信号とデータ信号を伝送することを特徴とする請求項１０記載のメモリシステム。
14. 前記第１主メモリと前記第２主メモリは、前記第１メモリモジュールに取り付けられていることを特徴とする請求項８記載のメモリシステム。
15. 前記第１主メモリと前記第１補助メモリは、前記第１メモリモジュールに取り付けられていることを特徴とする請求項８記載のメモリシステム。
16. 前記第１補助メモリと前記第２補助メモリは、前記第２メモリモジュールに取り付けられていることを特徴とする請求項８記載のメモリシステム。
17. 前記第２主メモリと前記第２補助メモリは、前記第２メモリモジュールに取り付けられていることを特徴とする請求項８記載のメモリシステム。
18. 少なくとも１つの前記第１と第２主メモリに接続された制御部をさらに具備することを特徴とする請求項１記載のメモリシステム。
19. 前記制御部は、
    前記少なくとも１つの主メモリに点対点接続を介して接続されることを特徴とする請求項１８記載のメモリシステム。
20. 前記制御部は、
    前記第１と第２主メモリに点対２点接続を介して接続されることを特徴とする請求項１８記載のメモリシステム。
21. 前記制御部は、
    前記２つの主メモリに命令／アドレス（ＣＡ）信号を伝送することを特徴とする請求項１８記載のメモリシステム。
22. 前記第２補助メモリ中の１つにアクセスする間に、前記主メモリは前記制御部からアクセスされる前記第２補助メモリ中の１つへの命令／アドレス信号をリピートすることを特徴とする請求項２１記載のメモリシステム。
23. アクセスされるデータの半分は、前記主メモリ及び補助メモリの１つによって前記制御部に伝送され、前記アクセスされるデータの残り半分は、前記第１主メモリ及び補助メモリの他の１つによって前記制御部に伝送されることを特徴とする請求項１８記載のメモリシステム。
24. アクセスされるデータの半分は、前記補助メモリの１つによって前記制御部に伝送され、前記アクセスされるデータの残り半分は、前記補助メモリの他の１つによって前記制御部に伝送されることを特徴とする請求項１８記載のメモリシステム。
25. 第１及び第２主メモリと、
    前記第１及び第２主メモリに信号を伝送し、前記第１及び第２主メモリに伝送される前記信号は点対２点接続により伝送される制御部と、
    を具備することを特徴とするメモリシステム。
26. 前記信号は、命令／アドレス（ＣＡ）信号であることを特徴とする請求項２５記載のメモリシステム。
27. 前記メモリシステムは、
    前記第１及び第２主メモリそれぞれに接続される第１及び第２補助メモリをさらに具備することを特徴とする請求項２６記載のメモリシステム。
28. 前記主メモリ及び補助メモリ間の接続は、少なくとも１つの点対点接続を具備することを特徴とする請求項２７記載のメモリシステム。
29. 前記メモリシステムは、
    少なくとも２つの前記第１と第２主メモリ及び第１と第２補助メモリを具備する第１メモリモジュールと、
    少なくとも他の２つの前記第１と第２主メモリ及び第１と第２補助メモリを具備する第２メモリモジュールと、
    をさらに具備することを特徴とする請求項２７記載のメモリシステム。
30. 前記メモリシステムは、
    前記第１と第２メモリモジュールを接続するフレキシブルな伝導性素子をさらに具備することを特徴とする請求項２９記載のメモリシステム。
31. 前記フレキシブルな伝導性素子は、命令／アドレス（ＣＡ）信号を伝送することを特徴とする請求項３０記載のメモリシステム。
32. 前記フレキシブルな伝導性素子は、
    データ信号を伝送することを特徴とする請求項３０記載のメモリシステム。
33. 前記フレキシブルな伝導性素子は、命令／アドレス（ＣＡ）信号とデータ信号を伝送することを特徴とする請求項３０記載のメモリシステム。
34. 前記制御部は、
    命令／アドレス（ＣＡ）信号を前記２つの主メモリに伝送することを特徴とする請求項２７記載のメモリシステム。
35. 前記補助メモリの１つにアクセスする間に、前記主メモリの１つは前記制御部からアクセスされる前記補助メモリ中の１つへの命令／アドレス（ＣＡ）信号をリピートすることを特徴とする請求項３４記載のメモリシステム。
36. アクセスされるデータの半分は前記主メモリと補助メモリの１つによって前記制御部に伝送され、前記アクセスされるデータの残り半分は前記主メモリと補助メモリの他の１つによって前記制御部に伝送されることを特徴とする請求項２７記載のメモリシステム。
37. アクセスされるデータの半分は前記補助メモリの１つによって前記制御部に伝送され、前記アクセスされるデータの残り半分は前記補助メモリの他の１つによって前記制御部に伝送されることを特徴とする請求項２７記載のメモリシステム。

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