JP2007158289A - 半導体記憶装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体記憶装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007158289A JP2007158289A JP2006117910A JP2006117910A JP2007158289A JP 2007158289 A JP2007158289 A JP 2007158289A JP 2006117910 A JP2006117910 A JP 2006117910A JP 2006117910 A JP2006117910 A JP 2006117910A JP 2007158289 A JP2007158289 A JP 2007158289A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- interlayer insulating
- film
- shielding film
- light shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/30—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the memory core region
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体基板101に形成された拡散層からなるビット線102、ビット線102間に形成されたトラップ性のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成されたワード線104とで構成されたメモリセル100上に、層間絶縁膜106が形成され、この層間絶縁膜106中に、ビット線102に接続するビット線コンタクトプラグ109が形成されている。そして、層間絶縁膜106上の少なくともメモリセル100を覆う領域に、遮光膜105が形成され、当該遮光膜105の一部は、ビット線コンタクトプラグ109の近傍において、層間絶縁膜106の表面から膜中にさらに延出して形成されている。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1における半導体記憶装置の構成を模式的に示した断面図で、ビット線コンタクトプラグ109の近傍の構成を示している。
図1に示した実施の形態1に係わる半導体記憶装置は、層間絶縁膜106中に延出して形成された遮光膜105を、ワード線104に平行して形成することによって、図2に示すように、ビット線コンタクトプラグ109近傍の側方から、メモリセル100内に侵入するUV光を効率的に阻止するものである。
図6(a)、(b)に示した実施の形態2に係わる半導体記憶装置は、層間絶縁膜106中に延出して形成された遮光膜105を、ワード線104及びビット線102に平行に形成することによって、ビット線コンタクトプラグ109近傍、及びワード線コンタクトプラグ116近傍から、メモリセル100内に侵入するUV光を効率的に阻止するようにしたものである。
図10(a)、(b)に示した実施の形態3に係わる半導体記憶装置においては、遮光膜を、絶縁性遮光膜108及び導電性遮光膜105の積層膜で構成したが、これは、導電性遮光膜105をワード線104に接近させて形成することが主目的であった。
実施の形態1〜実施の形態4で示した半導体記憶装置においては、メモリセル100上に形成された遮光膜105は、層間絶縁膜106を介して形成されるが、当該層間絶縁膜106は、ワード線104と遮光膜105との寄生容量、及びワード線104と遮光膜105との絶縁性を考慮して、所定の膜厚に設定される。かかる事情から、層間絶縁膜106の膜厚は、ある程度の厚みを有することが要求される。
実施の形態1〜4で示した半導体記憶装置において、半導体記憶装置の微細化が進むと、図19(a)に示すように、ビット線コンタクトプラグ(不図示)の形成領域の幅に対するメモリセル100の高さの比、すなわちアスペクト比が大きくなり、層間絶縁膜106を堆積した直後では、ビット線コンタクトプラグに隣接するワード線104近傍において、すなわち、メモリセル100上に形成された層間絶縁膜106の表面106aと、ビット線コンタクトプラグの形成領域の上に形成された層間絶縁膜106の表面106bとに段差部が生じる。
実施の形態6で示した半導体記憶装置において、さらに微細化が進むと、図20に示す段差d1の低減はCMP法により平坦化を行っても、その影響が顕在化する場合が考えられる。そこで、本実施の形態7において、図20に示す段差d1に影響されることなく遮光構造を形成できる半導体記憶装置を提案する。以下、図23を参照しながら具体的に説明する。
101、201 半導体基板
102、202 ビット線
103、203 ゲート絶縁膜
104、204 ワード線
105、205 (導電性)遮光膜
105a サイドウォール膜
106、206 層間絶縁膜
107、207 絶縁膜
108 絶縁性遮光膜
109、209 ビット線コンタクトプラグ
110、210 ビット線酸化膜
112、113、213、214 フォトマスク
115 開口部
116、212 ワード線コンタクトプラグ
215 ビット線コンタクトホール
Claims (27)
- 半導体基板に形成された拡散層よりなる複数のビット線と、隣接する前記ビット線間に形成されたトラップ性のゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたワード線とで構成されたメモリセルを備えた半導体記憶装置において、
前記メモリセル上に層間絶縁膜が形成され、
前記層間絶縁膜中に、前記ビット線に接続するビット線コンタクトプラグが形成され、
前記層間絶縁膜上の少なくとも前記メモリセルを覆う領域に、遮光膜が形成されており、
前記層間絶縁膜上に形成された遮光膜の一部は、前記ビット線コンタクトプラグの近傍において、前記層間絶縁膜の表面から該膜中にさらに延出して形成されていることを特徴とする、半導体記憶装置。 - 前記層間絶縁膜中に延出して形成された前記遮光膜の一部は、前記ワード線に平行して形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記層間絶縁膜中に延出して形成された前記遮光膜の一部は、前記ビット線コンタクトプラグに隣接するワード線に接していることを特徴とする、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記層間絶縁膜中に延出して形成された前記遮光膜の一部は、絶縁膜を介して前記ワード線に接していることを特徴とする、請求項3に記載の半導体記憶装置。
- 前記絶縁膜は、絶縁性遮光膜よりなることを特徴とする、請求項4に記載の半導体記憶装置。
- 前記層間絶縁膜中に、前記ワード線に接続するワード線コンタクトプラグが形成され、
前記層間絶縁膜中に延出して形成された前記遮光膜の一部は、前記ワード線コンタクトプラグの近傍において、前記層間絶縁膜中に延出して形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記層間絶縁膜中に延出して形成された前記遮光膜の一部は、前記ビット線に平行して形成されていることを特徴とする、請求項6に記載の半導体記憶装置。
- 前記層間絶縁膜中に延出した形成された前記遮光膜の一部は、前記層間絶縁膜中に形成された開口部内に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記遮光膜は、導電性遮光膜と絶縁性遮光膜との積層膜よりなることを特徴とする、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記導電性遮光膜と前記絶縁性遮光膜との界面が、凹凸形状に形成されていることを特徴とする、請求項9に記載の半導体記憶装置。
- 前記遮光膜の一部が接する前記ワード線は、データ保持には使用されないダミーワード線であることを特徴とする、請求項3に記載の半導体記憶装置。
- 前記遮光膜は、前記ビット線コンタクトプラグが形成されるよりも前に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記層間絶縁膜は、前記ビット線コンタクトプラグに隣接する前記ワード線近傍において段差部を有し、該段差部の段差が100nm以下に平坦化されていることを特徴とする、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記ビット線コンタクトプラグが形成された領域の前記層間絶縁膜の表面の高さは、前記ビット線コンタクトプラグに隣接する前記ワード線の表面の高さ以下であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体記憶装装置。
- 前記ビット線コンタクトプラグが形成された領域の前記層間絶縁膜の表面の高さと、前記ビット線コンタクトプラグに隣接する前記ワード線の表面の高さとの差は、60nm以下であることを特徴とする、請求項14に記載の半導体記憶装装置。
- 半導体基板に形成された拡散層よりなる複数のビット線と、隣接する前記ビット線間に形成されたトラップ性のゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたワード線とで構成されたメモリセルを備えた半導体記憶装置において、
前記メモリセルの上面及び側面を覆うように、絶縁性遮光膜が形成され、
前記絶縁性遮光膜上の少なくとも前記メモリセル上に導電性遮光膜が形成されていることを特徴とする、半導体記憶装置。 - 半導体基板に形成された拡散層よりなる複数のビット線と、隣接する前記ビット線間に形成されたトラップ性のゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたワード線とで構成されたメモリセルを備えた半導体記憶装置の製造方法であって、
前記メモリセル上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上の少なくとも前記メモリセルを覆う領域に遮光膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜中に、前記ビット線に接続するビット線コンタクトプラグを形成する工程とを備え、
前記遮光膜を形成する工程において、前記層間絶縁膜上に形成された前記遮光膜の一部が、前記ビット線コンタクトプラグの形成領域近傍において、前記層間絶縁膜の表面から該膜中にさらに延出して形成されることを特徴とする、半導体記憶装置の製造方法。 - 前記層間絶縁膜を形成した後、前記ビット線コンタクトプラグの形成領域近傍の前記層間絶縁膜に開口部を形成する工程をさらに備え、
前記遮光膜を形成する工程において、前記遮光膜が、前記層間絶縁膜上の少なくとも前記メモリセルを覆う領域、及び前記層間絶縁膜に形成された前記開口部内に形成されることを特徴とする、請求項17に記載の半導体記憶装置の製造方法。 - 前記開口部は、前記ビット線コンタクトプラグの形成領域に隣接するワード線が露出するように形成され、
前記開口部内に形成された前記遮光膜は、前記ワード線に接していることを特徴とする、請求項18に記載の半導体記憶装置の製造方法。 - 前記開口部を形成した後、少なくとも前記開口部の側面及び底面に絶縁性遮光膜を形成する工程をさらに備え、
前記遮光膜は、前記絶縁性遮光膜を介して前記ワード線に接していることを特徴とする、請求項19に記載の半導体記憶装置の製造方法。 - 前記メモリセル上に前記層間絶縁膜を形成する前に、前記メモリセルの上面及び側面を覆うように、絶縁性遮光膜を形成する工程をさらに備え、
前記開口部は、前記絶縁性遮光膜が露出するように形成され、
前記開口部内に形成された前記遮光膜は、前記絶縁性遮光膜に接していることを特徴とする、請求項18に記載の半導体記憶装置の製造方法。 - 前記ビット線コンタクトプラグの形成工程は、前記遮光膜の形成工程の後に実行されることを特徴とする、請求項17に記載の半導体記憶装置の製造方法。
- 前記層間絶縁膜を形成する工程は、前記層間絶縁膜の前記ビット線コンタクトプラグに隣接する前記ワード線近傍における段差が100nm以下になるように、前記層間絶縁膜を平坦化する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項17に記載の半導体記憶装置の製造方法。
- 前記層間絶縁膜を形成する工程は、前記ビット線コンタクトプラグが形成される領域の前記層間絶縁膜の表面を除去して、該除去された層間絶縁膜の表面の高さを、前記ビット線コンタクトプラグに隣接する前記ワード線の表面の高さ以下にする工程をさらに備え、
前記遮光膜を形成する工程において、前記遮光膜の一部は、前記除去された層間絶縁膜上の前記ビット線コンタクトプラグが形成される領域近傍まで延在するように形成されることを特徴とする、請求項17に記載の半導体記憶装置の製造方法。 - 前記除去された層間絶縁膜の表面の高さと、前記ビット線コンタクトプラグに隣接する前記ワード線の表面の高さとの差が60nm以下であることを特徴とする、請求項24に記載の半導体記憶装置の製造方法。
- 半導体基板に形成された拡散層よりなる複数のビット線と、隣接する前記複数のビット線間に形成されたトラップ性のゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたワード線とで構成されたメモリセルを備えた半導体記憶装置の製造方法であって、
前記メモリセルの上面及び側面を覆うように、絶縁性遮光膜が形成する工程と、
前記絶縁性遮光膜上の少なくとも前記メモリセル上に導電性遮光膜を形成する工程とを備えていることを特徴とする、半導体記憶装置の製造方法。 - 前記絶縁性遮光膜を形成した後、該絶縁性遮光膜の表面を凹凸形状に加工する工程をさらに備えていることを特徴とする、請求項20、21、又は22に記載の半導体記憶装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006117910A JP2007158289A (ja) | 2005-11-11 | 2006-04-21 | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
CN2006101015527A CN1964052B (zh) | 2005-11-11 | 2006-07-12 | 半导体存储装置及其制造方法 |
US11/495,780 US7439577B2 (en) | 2005-11-11 | 2006-07-31 | Semiconductor memory and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005327197 | 2005-11-11 | ||
JP2006117910A JP2007158289A (ja) | 2005-11-11 | 2006-04-21 | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007158289A true JP2007158289A (ja) | 2007-06-21 |
Family
ID=38039853
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006117910A Pending JP2007158289A (ja) | 2005-11-11 | 2006-04-21 | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7439577B2 (ja) |
JP (1) | JP2007158289A (ja) |
CN (1) | CN1964052B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009021319A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Panasonic Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2009099813A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Spansion Llc | 半導体装置の製造方法 |
JP2009122456A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Sharp Corp | 半導体装置、表示装置、携帯機器 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI424503B (zh) * | 2008-04-09 | 2014-01-21 | Nanya Technology Corp | 一種半導體結構及其製作方法 |
TWI424502B (zh) * | 2008-04-09 | 2014-01-21 | Nanya Technology Corp | 一種半導體結構及其製作方法 |
JP2009295781A (ja) * | 2008-06-05 | 2009-12-17 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010212454A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Panasonic Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2011003600A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Panasonic Corp | 半導体記憶装置の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS596581A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体不揮発性記憶装置 |
JP2003243545A (ja) * | 2001-11-19 | 2003-08-29 | Saifun Semiconductors Ltd | メモリ・デバイスの保護層とそのための方法 |
WO2004079824A2 (en) * | 2003-03-05 | 2004-09-16 | Spansion Llc | Charge-trapping memory arrays |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6774432B1 (en) * | 2003-02-05 | 2004-08-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | UV-blocking layer for reducing UV-induced charging of SONOS dual-bit flash memory devices in BEOL |
US6833581B1 (en) | 2003-06-12 | 2004-12-21 | Spansion Llc | Structure and method for preventing process-induced UV radiation damage in a memory cell |
DE112004003004T5 (de) * | 2004-10-25 | 2007-10-25 | Spansion Llc, Sunnyvale | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
-
2006
- 2006-04-21 JP JP2006117910A patent/JP2007158289A/ja active Pending
- 2006-07-12 CN CN2006101015527A patent/CN1964052B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-07-31 US US11/495,780 patent/US7439577B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS596581A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体不揮発性記憶装置 |
JP2003243545A (ja) * | 2001-11-19 | 2003-08-29 | Saifun Semiconductors Ltd | メモリ・デバイスの保護層とそのための方法 |
WO2004079824A2 (en) * | 2003-03-05 | 2004-09-16 | Spansion Llc | Charge-trapping memory arrays |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009021319A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Panasonic Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2009099813A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Spansion Llc | 半導体装置の製造方法 |
JP2009122456A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Sharp Corp | 半導体装置、表示装置、携帯機器 |
JP4592739B2 (ja) * | 2007-11-15 | 2010-12-08 | シャープ株式会社 | 表示装置、携帯機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1964052B (zh) | 2011-02-02 |
CN1964052A (zh) | 2007-05-16 |
US7439577B2 (en) | 2008-10-21 |
US20070108509A1 (en) | 2007-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100632634B1 (ko) | 플래시 메모리 소자 및 그 제조 방법 | |
KR100572330B1 (ko) | 저항 패턴을 갖는 비휘발성 기억 소자 및 그 형성 방법 | |
JP4418150B2 (ja) | スプリットゲート型フラッシュメモリ形成方法 | |
JP2007158289A (ja) | 半導体記憶装置およびその製造方法 | |
KR100753154B1 (ko) | 비휘발성 메모리 소자 및 그 형성 방법 | |
JP2009010326A (ja) | フラッシュメモリ素子の製造方法 | |
KR100568445B1 (ko) | 부분 소노스 형 게이트 구조체를 제조하는 방법 및 그것을갖는 비휘발성 메모리 셀 제조 방법 | |
US7320934B2 (en) | Method of forming a contact in a flash memory device | |
KR20130023993A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
US7479427B2 (en) | Semiconductor device and method of fabrication | |
JP4822792B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR100655433B1 (ko) | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 | |
US7541243B2 (en) | Methods of forming integrated circuit devices having gate electrodes formed on non-uniformly thick gate insulating layers | |
JP2010021493A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2006253643A (ja) | 半導体素子のゲート電極パターン形成方法 | |
US20080203458A1 (en) | Semiconductor Memory Device and Method of Fabricating the Same | |
KR19990007264A (ko) | 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법 | |
KR100660712B1 (ko) | 스플리트 게이트형 비휘발성 기억 장치의 제조 방법 | |
KR20100076695A (ko) | 전하 트랩층을 갖는 불휘발성 메모리소자의 형성방법 | |
KR100832028B1 (ko) | 반도체 메모리 소자의 제조방법 | |
JP2009070871A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | |
KR20100079382A (ko) | 플래시 메모리 소자 및 그 제조방법 | |
KR100832004B1 (ko) | 낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법 | |
KR20090044399A (ko) | 전하 트랩층을 갖는 불휘발성 메모리소자 및 그 제조방법 | |
KR20040036311A (ko) | 낸드형 플래쉬 메모리장치의 게이트 전극 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090325 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110628 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20120119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120508 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121106 |