JP2007158131A5 - - Google Patents
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Claims (7)
- レーザ照射によりエピタキシャル成長基板から分離され、支持基板に接合されたIII族窒化物系化合物半導体光素子において、
III族窒化物系化合物半導体層に接合された少なくとも一方の電極が、当該III族窒化物系化合物半導体層に直接接合された高反射性の第１の電極層と、それを覆うように形成された、窒素と反応性を有する金属から成る第２の電極層とから成り、
当該第２の電極層と前記III族窒化物系化合物半導体層とが接合している領域が存在することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体光素子。 - 前記第２の電極層は、前記III族窒化物系化合物半導層と、III族窒化物系化合物半導体光素子の外周部で接合していることを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体光素子。
- 前記第１の電極層は複数の孔部を有し、前記第２の電極層は、前記III族窒化物系化合物半導体層と、当該孔部で接合していることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のIII族窒化物系化合物半導体光素子。
- 前記第１の電極層は、個々に分離された複数の領域に形成されており、前記第２の電極層は、前記III族窒化物系化合物半導体層と、個々に分離された前記第１の電極層の外周部で接合していることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体光素子。
- 前記第１の電極層はイリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）のいずれか、又はそれらの合金、或いはそれらの多重層から成ることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体光素子。
- 前記第１の電極層は多重層であって、前記III族窒化物系化合物半導体層に直接接合された透光性電極層と、高反射性金属層とを少なくとも含むことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体光素子。
- 前記第２の電極層は、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）のいずれか、又はそれらの合金、或いはそれらの多重層から成ることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体光素子。
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