JP2007158101A - 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 - Google Patents

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 Download PDF

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雅之 園部
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範和 伊藤
Ichiyo Tsutsumi
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Abstract

【課題】 Inを含む窒化物半導体層にキャリアを閉じ込め易い半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子1は、サファイア基板2上に形成された半導体積層構造を有する。半導体積層構造は、サファイア基板2側から順に、n−GaN層3、InGaN層(In1%)4、傾斜層5、InGaN層(In15%)6a〜6e、GaN層7a〜7e、p−AlGaN層8、p−GaN層9からなる。InGaN層4の近傍の傾斜層5では、Inの組成比がゆっくりと変化するのに対し、InGaN層6aの近傍の傾斜層5では、Inの組成比が急激に変化するように、傾斜層5が構成されている。これによって、Inを1%含むInGaN層4の近傍の傾斜層5では、エネルギーバンドがゆっくりと変化するのに対し、Inを15%含むInGaN層6aの近傍の傾斜層5では、エネルギーバンドが急激に変化する。
【選択図】図1

Description

本発明は、Inの組成比が異なる2つの窒化物半導体層を有する半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法に関する。
従来、Inの組成比が異なる2つの窒化物半導体層の格子定数の違いを緩和するために、Inの組成比を徐々に変化させた傾斜層を、2つの窒化物半導体層の間に設ける技術が開示されている。このように傾斜層を設けることによって、窒化物半導体層内部の欠陥を減少させて、発光効率を向上させることができる。
例えば、特許文献1には、GaN層とInを10%含むInGaN層との間に傾斜層を設けた半導体素子が開示されている。特許文献1の半導体素子の傾斜層は、GaN層と傾斜層との界面から傾斜層とInGaN層との界面に亘ってInの組成が0%から10%へと徐々に直線的に変化するInGaN層によって構成されている。
特開2003−59938号公報
しかしながら、上記特許文献1に記載の傾斜層では、Inの組成を直線的に変化させているので、Inの組成の変化量が一定になる。従って、図5に示すように、傾斜層のエネルギーバンドの変化も直線的に形成される。このため、通常、エネルギーが低くなるInの組成比の大きいInGaN層で活性層を構成すると、活性層の近傍の傾斜層のエネルギーバンドの傾きを大きくすることができないため、活性層中にキャリアを閉じ込めにくいといった問題があった。
本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、Inを含む窒化物半導体層にキャリアを閉じ込め易い半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、請求項1記載の発明は、閉じ込め層である第1窒化物半導体層と、前記第1窒化物半導体層よりもInの組成比が大きく、且つ、前記第1窒化物半導体層よりもバンドギャップが小さく、活性層の井戸層を構成する第2窒化物半導体層と、前記第1窒化物半導体層と前記第2窒化物半導体層との間にInの組成比が徐々に変化する傾斜層とを備えた半導体発光素子において、前記第2窒化物半導体層の近傍の前記傾斜層のInの組成比の変化量は、前記第1窒化物半導体層の近傍の前記傾斜層のInの組成比の変化量に比べて大きいことを特徴とする半導体発光素子である。
また、請求項2記載の発明は、前記第1窒化物半導体層と前記傾斜層は、前記活性層に含まれることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子である。
また、請求項3記載の発明は、前記第2窒化物半導体層は、InGaN層であることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体発光素子である。
また、請求項4記載の発明は、第1窒化物半導体層を成長させる第1窒化物半導体層成長工程と、Inの組成比を変化させて傾斜層を成長させる傾斜層成長工程と、前記第1窒化物半導体層よりもInの組成比が大きい第2窒化物半導体層を成長させる第2窒化物半導体層成長工程とを備えた半導体発光素子の製造方法において、前記傾斜層成長工程では、前記第2窒化物半導体層の近傍の前記傾斜層のInの組成比の変化量が、前記第1窒化物半導体層の近傍の前記傾斜層のInの組成比の変化量に比べて大きくなるように、成長温度を変化させて前記傾斜層を成長させることを特徴とする半導体発光素子の製造方法である。
本発明によれば、活性層の井戸層を構成する第2窒化物半導体層の近傍の傾斜層のInの組成比の変化量を、第1窒化物半導体層の近傍の傾斜層のInの組成比の変化量に比べて大きくすることによって、第1窒化物半導体層の近傍の傾斜層のエネルギーバンドの変化量よりも、第2窒化物半導体層の近傍の傾斜層のエネルギーバンドの変化量を大きくすることができる。即ち、第2窒化物半導体層の近傍の傾斜層のエネルギーバンドの傾きを大きくすることができる。従って、Inの組成比が小さい第2窒化物半導体層によって活性層を構成した場合、第2窒化物半導体層にキャリアを閉じ込め易くなる。これによって、半導体発光素子の発光効率を向上させることができる。
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。図1は、本発明による半導体発光素子の断面構造を示す図である。図2は、半導体発光素子のエネルギーバンドを示す図である。図3は、傾斜層及びその近傍のInの組成比を示すグラフである。
図1に示すように、半導体発光素子1は、サファイア基板2上に形成された半導体積層構造を有する。半導体積層構造は、サファイア基板2側から順に、n−GaN層3、InGaN層(In1%:第1窒化物半導体層)4、傾斜層5、InGaN層(In15%)6a〜6e、GaN層7a〜7e、p−AlGaN層8、p−GaN層9からなる。尚、InGaN層6aが、本発明の第2窒化物半導体層に相当する。
n−GaN層3は、Siがドープされている。n−GaN層3は、図2に示すように、後述するMQW活性層12に比べて、バンドギャップが大きい。n−GaN層3の上面は、一部が露出するようにエッチングされ、その露出した上面の一部にn側電極10が形成されている。
InGaN層4は、MQW活性層12の閉じ込め層であり、Inを約1%含むように構成されている。また、InGaN層4は、n−GaN層3に比べて、バンドギャップが小さい。
5つのInGaN層6a〜6eはInを15%含むように構成されている。この5つのInGaN層6a〜6eは、n−GaN層3及びInを1%含むInGaN層4よりもバンドギャップが小さく、MQW活性層12の井戸層を構成している。
InGaN層4の格子定数とInGaN層6aの格子定数は異なるので、InGaN層4とInGaN層6aの間には、格子定数の変化を緩和するための傾斜層5が設けられている。この傾斜層5は、InGaN層からなり、InGaN層4からInGaN層6aに亘ってInの組成比が徐々に変化するように構成されているが、Inの組成比の変化量は一定ではない。
具体的には、InGaN層4の近傍の傾斜層5では、Inの組成比がゆっくりと変化するのに対し、InGaN層6aの近傍の傾斜層5では、Inの組成比が急激に変化するように、傾斜層5が構成されている。
例えば、図3に示すように、傾斜層5を7nmに構成する場合、Inを1%含むInGaN層4側の5nmの傾斜層5の領域でInの組成比を4%変化させ、Inを15%含むInGaN層6a側の2nmの傾斜層5の領域でInの組成比が10%変化するように、傾斜層5におけるInの組成比の変化量を変えている。
これによって、図2に示すように、Inを1%含むInGaN層4の近傍の傾斜層5では、エネルギーバンドがゆっくりと変化するのに対し、Inを15%含むInGaN層6aの近傍の傾斜層5では、エネルギーバンドが急激に変化するように構成される。
GaN層7a〜7eは、Siがドープされ、MQW活性層12の井戸層である各InGaN層6a〜6eを挟むように配置され、MQW活性層12のバリア層を構成している。尚、InGaN層4からGaN層7eによってMQW活性層12が構成されている。
MQW活性層12上には、Mgがドープされたp−AlGaN層8及びp−GaN層9が形成されている。図2に示すように、p−AlGaN層8のバンドギャップは、MQW活性層12に比べて大きい。これにより、n−GaN層3及びp−AlGaN層8によって、MQW活性層12にキャリアを閉じ込めることができる。p−GaN層9の上面の所定の領域には、p側電極11が形成されている。
上記半導体発光素子1では、n側電極10及びp側電極11との間に所定の電圧が印加されると、n側電極10からは電子が注入され、p側電極11からは正孔が注入される。これら注入された電子及び正孔が、バンドギャップの小さいInGaN層(井戸層)6a〜6eのいずれかに閉じ込められて再結合することにより、光を発光する。
このように、本発明による半導体発光素子1は、傾斜層5のInの組成比の変化量を、InGaN層4の近傍では小さくして、InGaN層6aの近傍では大きくしている。これにより、InGaN層4の近傍の傾斜層5のエネルギーバンドはゆっくりと変化するのに対し、InGaN層6aの近傍の傾斜層5のエネルギーバンドは急激に変化する。このように、MQW活性層12の井戸層を構成するInGaN層6aの近傍の傾斜層5のエネルギーバンドを急速に変化させることによって、InGaN層6a〜6eにキャリアを閉じ込めることが容易になる。この結果、半導体発光素子1の発光効率を向上させることができる。
次に、上記半導体発光素子の製造方法について、図4を参照して説明する。図4は、半導体発光素子の製造工程における時間と成長室の温度(以下、成長温度)の関係を示す図である。
まず、サファイア基板2を成長室に導入した状態で、成長温度を約1100℃まで上昇させる。次に、Hと少量のNとを成長室に流して、サファイア基板2をクリーニングする。次に、成長温度を約500℃まで下げた後、サファイア基板2上にバッファ層(図示せず)を形成する。
次に、成長温度を約1060℃まで上げた後、NH、H、N、TMGを成長室に供給してn−GaN層3を形成する。また、n−GaN層3を形成する際には、n型のドーパントであるSiをドープするためにSiHも同時に供給する。
次に、成長温度を約1010℃まで下げた後、NH、H、N、TEG、TMInを成長室に供給して、Inを1%含むInGaN層4を形成する(第1窒化物半導体層成長工程)。ここで、Inを1%含むInGaN層4を形成する際には、n型のドーパントであるSiをドープするためにSiHも同時に供給する。
次に、成長温度を約1010℃から約760℃まで徐々に下げながら、NH、H、N、TEG、TMInを成長室に供給して傾斜層5を形成する(傾斜層成長工程)。ここで、傾斜層5を形成する際には、n型のドーパントであるSiをドープするためにSiHも同時に供給する。ここで成長温度は、一定の割合で変化させるのではなく、最初はゆっくりと温度を下降させて、後の方になると急速に温度を下降させている。一般に、InGaN層を成長させる場合、成長温度が低い方がInGaN層のInの組成比が大きくなり、成長温度が高い方がInの組成比が小さくなる。これにより、最初に形成されるInを1%含むInGaN層4側の傾斜層5は、Inの組成比が大きくなる方にゆっくりと変化していくのに対し、後に形成される上層の方の傾斜層5は、Inの組成比が大きくなる方に急激に変化する。
次に、成長温度を約760℃に保った状態で、NH、H、N、TEG、TMInを成長室に供給して井戸層であるInを15%含むInGaN層6aを形成する(第2窒化物半導体層成長工程)。ここで、InGaN層6aを形成する際には、n型のドーパントであるSiをドープするためにSiHも同時に供給する。
次に、成長温度を約760℃に保った状態で、NH、H、N、TMGを供給して、バリア層であるGaN層7aを形成する。ここで、GaN層7aを形成する際には、n型のドーパントであるSiをドープするためにSiHも同時に供給する。
この後、井戸層であるInGaN層6b〜6e及びバリア層であるGaN層7b〜7eを上記製造方法によって、交互に4回ずつ形成して、合計5層ずつInGaN層6a〜6e及びGaN層7a〜7eを形成する。
次に、成長温度を約1010℃に上げた後、NH、H、N、TMG、TMAlを供給して、p−AlGaN層8を形成する。ここで、p−AlGaN層8を形成する際には、p型のドーパントであるMgをドープするためにCpMgも同時に供給する。
次に、成長温度を約1010℃に保った状態で、NH、H、N、TMGを供給して、p−GaN層9を形成する。ここで、p−GaN層9を形成する際には、p型のドーパントであるMgをドープするためにCpMgも同時に供給する。
この後、n−GaN層3から上層の一部をエッチングして、n側電極10及びp側電極11を形成して、半導体発光素子1が完成する。
以上、上記実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、当業者にとっては、本発明が本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではないということは明らかである。本発明は、特許請求の範囲の記載により定まる本発明の趣旨及び範囲を逸脱することなく修正及び変更形態として実施することができる。従って、本明細書の記載は、例示説明を目的とするものであり、本発明に対して何ら制限的な意味を有するものではない。以下、上記実施形態を一部変更した変更形態について説明する。
例えば、p型半導体層に最も近いMQW活性層のInGaN層とp型半導体層との間に傾斜層を設けてもよい。この場合には、InGaN層の近傍の傾斜層のInの組成比の変化量を大きくするとともに、p型半導体層の近傍の傾斜層のInの組成比の変化量を小さくして形成すればよい。
また、上記実施形態では、InGaN層(In1%)とInGaN層(In15%)との間の傾斜層に関して説明したが、InGaN層以外の窒化物半導体層と他の窒化物半導体層(例えば、InGaAlN層)との間の傾斜層に本発明を適用してもよい。
また、上記実施形態では、InGaN層4及び傾斜層5が、MQW活性層12に含まれるように定義したが、InGaN層4や傾斜層5がMQW活性層12に含まれないように定義してもよい。
本発明による半導体発光素子の断面構造を示す図である。 半導体発光素子のエネルギーバンドを示す図である。 傾斜層及びその近傍のInの組成比を示すグラフである。 半導体発光素子の製造工程における時間と成長室の温度の関係を示す図である。 従来の傾斜層及びその近傍のエネルギーバンドを示す図である。
符号の説明
1 半導体発光素子
2 サファイア基板
3 n−GaN層
4 InGaN層(In1%)
5 傾斜層
6a〜6e InGaN層(In15%)
7a〜7e GaN層
8 p−AlGaN層
9 p−GaN層
10 n側電極
11 p側電極
12 MQW活性層





Claims (4)

  1. 閉じ込め層である第1窒化物半導体層と、
    前記第1窒化物半導体層よりもInの組成比が大きく、且つ、前記第1窒化物半導体層よりもバンドギャップが小さく、活性層の井戸層を構成する第2窒化物半導体層と、
    前記第1窒化物半導体層と前記第2窒化物半導体層との間にInの組成比が徐々に変化する傾斜層とを備えた半導体発光素子において、
    前記第2窒化物半導体層の近傍の前記傾斜層のInの組成比の変化量は、前記第1窒化物半導体層の近傍の前記傾斜層のInの組成比の変化量に比べて大きいことを特徴とする半導体発光素子。
  2. 前記第1窒化物半導体層と前記傾斜層は、前記活性層に含まれることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
  3. 前記第2窒化物半導体層は、InGaN層であることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体発光素子。
  4. 第1窒化物半導体層を成長させる第1窒化物半導体層成長工程と、
    Inの組成比を変化させて傾斜層を成長させる傾斜層成長工程と、
    前記第1窒化物半導体層よりもInの組成比が大きい第2窒化物半導体層を成長させる第2窒化物半導体層成長工程とを備えた半導体発光素子の製造方法において、
    前記傾斜層成長工程では、
    前記第2窒化物半導体層の近傍の前記傾斜層のInの組成比の変化量が、前記第1窒化物半導体層の近傍の前記傾斜層のInの組成比の変化量に比べて大きくなるように、成長温度を変化させて前記傾斜層を成長させることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。




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