JP2007157264A - メモリ試験装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】複数のフェイルメモリを設け、試験時間の短縮を図るメモリ試験装置を実現することを目的にする。
【解決手段】本装置は、被試験メモリの出力のパス、フェイルを判定する判定部と、この判定部のフェイルデータを交互に格納する2つのフェイルメモリと、これらのフェイルメモリごとに設けられるバッファメモリと、これらのバッファメモリからの前回までのフェイルデータとフェイルメモリからの最新のフェイルデータとを、最新のフェイルデータを格納するフェイルメモリに対応するバッファメモリに転送する転送部と、バッファメモリのフェイルデータによりリダンダンシ演算を行うリダンダンシ演算部とを備えたことを特徴とする装置である。
【選択図】図1
【解決手段】本装置は、被試験メモリの出力のパス、フェイルを判定する判定部と、この判定部のフェイルデータを交互に格納する2つのフェイルメモリと、これらのフェイルメモリごとに設けられるバッファメモリと、これらのバッファメモリからの前回までのフェイルデータとフェイルメモリからの最新のフェイルデータとを、最新のフェイルデータを格納するフェイルメモリに対応するバッファメモリに転送する転送部と、バッファメモリのフェイルデータによりリダンダンシ演算を行うリダンダンシ演算部とを備えたことを特徴とする装置である。
【選択図】図1
Description
本発明は、被試験メモリを試験するメモリ試験装置に関し、複数のフェイルメモリを設け、試験時間の短縮を図るメモリ試験装置に関するものである。
メモリ試験装置は、被試験メモリに試験パターンを与え、被試験メモリからの出力と期待値パターンとを比較し、被試験メモリの良否の判定を行っている。このような装置は、例えば特許文献1等に記載されている。このような装置を、図3を用いて以下に説明する。
図3において、DUT1は被試験メモリである。判定部2は、DUT1からの出力を入力し、DUT1の出力と期待値パターンとを比較し、パス、フェイルを判定する。フェイルメモリ(以下FM)3は、判定部2の判定結果(フェイルデータ)を格納する。コピー部4は、FM3のフェイルデータを読み出す。バッファメモリ(以下BM)5は、コピー部4からのフェイルデータを格納する。リダンダンシ演算部6は、BM5のフェイルデータにより欠陥救済可能かどうかのリダンダンシ演算を行う。
このような装置の動作を、図4を用いて説明する。図4は図3に示す装置の動作を説明する図で、(a)はFM3の使用状態、(b)はBM5の使用状態を示す。
図示しないパターン発生部からDUT1に試験パターンが与えられる。そして、判定部2が、DUT1の出力とパターン発生部からの期待値パターンとを比較し、判定結果をFM3に格納する。そして、1つの試験が終了すると、コピー部4が、FM3のフェイルデータをBM5にコピー(転送)する。そして、再び、パターン発生部からDUT1に試験パターンが与えられる。そして、判定部2が、DUT1の出力とパターン発生部からの期待値パターンとを比較し、判定結果をFM3に格納する。このとき、リダンダンシ演算部6がBM5のフェイルデータを用いてリダンダンシ演算を行う。そして、次の試験が終了すると、コピー部4が、FM3のフェイルデータをBM5にコピーする。このような動作を繰り返す。
このような装置では、FM3のフェイルデータをBM5に転送して、リダンダンシ演算中もDUT1の試験が行われるようにしている。しかし、FM3からBM5への転送時間が必要なので、複数の試験を行うと、転送時間により、試験時間がかかってしまう。そこで、FM3を複数設け、転送時間をなくすことが考えられるが、フェイルデータはその場限りのデータだけでなく、蓄積されたフェイルデータが必要なため、複数のFMにフェイルデータを格納することができず、試験時間の短縮を図ることができなかった。
そこで、本発明の目的は、複数のフェイルメモリを設け、試験時間の短縮を図るメモリ試験装置を実現することにある。
このような課題を達成するために、本発明のうち請求項1記載の発明は、
被試験メモリを試験するメモリ試験装置において、
前記被試験メモリの出力と期待値パターンと比較し、パス、フェイルを判定する判定部と、
この判定部のフェイルデータを交互に格納する少なくとも2つのフェイルメモリと、
これらのフェイルメモリごとに設けられるバッファメモリと、
これらのバッファメモリからの前回までのフェイルデータと前記フェイルメモリからの最新のフェイルデータとを、最新のフェイルデータを格納するフェイルメモリに対応するバッファメモリに転送する転送部と、
前記バッファメモリのフェイルデータによりリダンダンシ演算を行うリダンダンシ演算部と
を備えたことを特徴とするものである。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明であって、
転送部は、バッファメモリの前回までのフェイルデータとフェイルメモリの最新のフェイルデータとの論理和を行い、最新のフェイルデータを格納するフェイルメモリに対応するバッファメモリに出力する論理和回路を有することを特徴とするものである。
被試験メモリを試験するメモリ試験装置において、
前記被試験メモリの出力と期待値パターンと比較し、パス、フェイルを判定する判定部と、
この判定部のフェイルデータを交互に格納する少なくとも2つのフェイルメモリと、
これらのフェイルメモリごとに設けられるバッファメモリと、
これらのバッファメモリからの前回までのフェイルデータと前記フェイルメモリからの最新のフェイルデータとを、最新のフェイルデータを格納するフェイルメモリに対応するバッファメモリに転送する転送部と、
前記バッファメモリのフェイルデータによりリダンダンシ演算を行うリダンダンシ演算部と
を備えたことを特徴とするものである。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明であって、
転送部は、バッファメモリの前回までのフェイルデータとフェイルメモリの最新のフェイルデータとの論理和を行い、最新のフェイルデータを格納するフェイルメモリに対応するバッファメモリに出力する論理和回路を有することを特徴とするものである。
本発明によれば、転送部が、フェイルメモリの最新のフェイルデータとバッファメモリから前回のフェイルデータとを、最新のフェイルデータを格納するフェイルメモリに対応するバッファメモリに格納するので、フェイルメモリのフェイルデータの蓄積を行うことができので、少なくとも2つのフェイルメモリを設け、試験時間の短縮を図ることができる。
以下本発明を、図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明の一実施例を示した構成図である。
図1において、判定部20は、判定部2の代わりに設けられ、DUT1の出力と期待値パターンとを比較し、パス、フェイルを判定する。FM31,32は、FM3の代わりに設けられ、判定部20のフェイルデータを交互に格納する。つまり、FM31に奇数回目の試験結果を格納し、FM32に偶数回目の試験結果を格納する。コピー部40、ORゲート41,42は転送部で、コピー部4の代わりに設けられる。コピー部40は、フェイルメモリ31,32のフェイルデータを転送する。ORゲート41,42は論理和回路で、それぞれ一方の入力端にコピー部40からFM31,32のフェイルデータが入力される。バッファメモリ51,52は、コピー部40の制御信号により読み書きを行い、それぞれORゲート42,41の他方の入力端にフェイルデータを出力し、それぞれORゲート41,42の出力端のフェイルデータを書き込む。リダンダンシ演算部60は、BM51,52のフェイルデータによりリダンダンシ演算を行う。
このような装置の動作を、図2を用いて説明する。図2は図1に示す装置の動作を説明する図で、(a)はFM31の使用状態、(b)はBM51の使用状態、(c)はFM32の使用状態、(d)はBM52の使用状態である。
図示しないパターン発生部からDUT1に試験パターンが与えられる。そして、判定部20が、DUT1の出力とパターン発生部からの期待値パターンとを比較し、判定結果(フェイルデータ)をFM31に格納する。
そして、1つの試験が終了すると、コピー部40は、BM51に書き込みの制御信号、BM52に読み出しの制御信号を出力する。また、コピー部40が、FM31のフェイルデータをORゲート41に出力する。ORゲート41は、FM31のフェイルデータとBM52からのフェイルデータとの論理和をBM51に出力し、BM51が格納する。このBM51を用いて、リダンダンシ演算部60がリダンダンシ演算を行う。
このとき、次の試験も開始され、パターン発生部からDUT1に試験パターンが与えられる。そして、判定部2が、DUT1の出力とパターン発生部からの期待値パターンとを比較し、判定結果をFM32に格納する。
そして、コピー部40は、BM51に読み出しの制御信号、BM52に書き込みの制御信号を出力する。また、コピー部40が、FM32のフェイルデータをORゲート42に出力する。ORゲート42は、FM32のフェイルデータとBM51からのフェイルデータとの論理和をBM52に出力し、BM52が格納する。このBM52を用いて、リダンダンシ演算部60がリダンダンシ演算を行う。
このとき、次の試験が開始され、パターン発生部からDUT1に試験パターンが与えられる。そして、判定部20が、DUT1の出力とパターン発生部からの期待値パターンとを比較し、判定結果をFM31に格納する。このような動作を繰り返す。
このように、コピー部40が、FM31,32の最新のフェイルデータをORゲート41,42に出力し、BM52,51から前回のフェイルデータを読み出し、ORゲート41,42に出力し、ORゲート41,42で論理和を行い、BM51,52に格納するので、奇数回、偶数回の試験を合わせて、フェイルデータの蓄積を行うことができので、フェイルメモリ31,32を設け、試験時間の短縮を図ることができる。
なお、本発明はこれに限定されるものではなく、リダンダンシ演算部60は、BM51,52の両方のリダンダンシ演算を行う構成を示したが、BM51,52ごとにリダンダンシ演算部を設ける構成でもよい。
また、コピー部40は、FM31,32のフェイルデータを取り込み、ORゲート41,42に出力する構成を示したが、FM31,32から直接ORゲート41,42に出力する構成にしてもよい。
また、ORゲート41,42の出力端をBM51,52に接続する構成を示したが、2つのマルチプレクサを設け、一方のマルチプレクサが、コピー部40からFM31のフェイルデータとORゲート41の出力とのどちらかを選択し、BM51に出力し、他方のマルチプレクサが、コピー部40からFM32のフェイルデータとORゲート42の出力とのどちらかを選択し、BM52に出力する。マルチプレクサが、コピー部40の出力を選択し、コピー部40からのフェイルデータを直接BM51,52に出力することにより、FM31,32を1つのFMとして扱うと共に、BM51,52を1つのBMとして扱うことにより、大きなフェイルデータ量を扱うことができる。
1 DUT
20 判定部
31,32 FM
40 コピー部
41,42 ORゲート
51,52 BM
60 リダンダンシ演算部
20 判定部
31,32 FM
40 コピー部
41,42 ORゲート
51,52 BM
60 リダンダンシ演算部
Claims (2)
- 被試験メモリを試験するメモリ試験装置において、
前記被試験メモリの出力と期待値パターンと比較し、パス、フェイルを判定する判定部と、
この判定部のフェイルデータを交互に格納する少なくとも2つのフェイルメモリと、
これらのフェイルメモリごとに設けられるバッファメモリと、
これらのバッファメモリからの前回までのフェイルデータと前記フェイルメモリからの最新のフェイルデータとを、最新のフェイルデータを格納するフェイルメモリに対応するバッファメモリに転送する転送部と、
前記バッファメモリのフェイルデータによりリダンダンシ演算を行うリダンダンシ演算部と
を備えたことを特徴とするメモリ試験装置。 - 転送部は、バッファメモリの前回までのフェイルデータとフェイルメモリの最新のフェイルデータとの論理和を行い、最新のフェイルデータを格納するフェイルメモリに対応するバッファメモリに出力する論理和回路を有することを特徴とする請求項1記載のメモリ試験装置。
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JP2009015917A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Yokogawa Electric Corp | 半導体試験装置 |
WO2010013306A1 (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-04 | 株式会社アドバンテスト | 試験装置および試験方法 |
WO2011132352A1 (ja) * | 2010-04-19 | 2011-10-27 | 株式会社アドバンテスト | 試験装置および試験方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008059688A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Yokogawa Electric Corp | 半導体メモリ試験装置 |
JP2008192227A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Yokogawa Electric Corp | Ic試験装置およびic試験方法 |
JP2009015917A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Yokogawa Electric Corp | 半導体試験装置 |
WO2010013306A1 (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-04 | 株式会社アドバンテスト | 試験装置および試験方法 |
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