JP2007152939A5 - - Google Patents
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- 基板上にシランカップリング剤を用いて剥離層を形成し、
前記剥離層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、200〜400℃で焼成することにより、導電層を形成し、
前記導電層を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層に粘着部材を貼りつけ、
前記剥離層において、前記導電層及び前記絶縁層から前記基板を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上にシランカップリング剤を用いて剥離層を形成し、
前記剥離層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、200〜400℃で焼成することにより、導電層を形成し、
前記導電層を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層に粘着部材を貼りつけ、
前記剥離層において、前記導電層及び前記絶縁層から前記基板を剥離し、
前記導電層及び絶縁層に集積回路とその接続端子とを電気的に接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に酸素及び珪素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する剥離層を形成し、
前記剥離層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、200〜400℃で焼成することにより、導電層を形成し、
前記導電層を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層に粘着部材を貼りつけ、
前記剥離層において、前記導電層及び前記絶縁層から前記基板を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に酸素及び珪素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する剥離層を形成し、
前記剥離層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、200〜400℃で焼成することにより、導電層を形成し、
前記導電層を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層に粘着部材を貼りつけ、
前記剥離層において、前記導電層及び前記絶縁層から前記基板を剥離し、
前記導電層及び絶縁層に集積回路とその接続端子とを電気的に接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上にシランカップリング剤を用いて剥離層を形成し、
前記剥離層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、200〜400℃で焼成することにより、導電層を形成し、
前記導電層を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層に粘着部材を貼りつけ、
前記剥離層において、前記導電層及び前記絶縁層から前記基板を剥離し、
前記導電層及び前記絶縁層に開口部を有する可撓性基板を接着し、
前記可撓性基板の開口部において、前記導電層及び絶縁層に集積回路とその接続端子とを電気的に接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 基板上に酸素及び珪素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する剥離層を形成し、
前記剥離層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、200〜400℃で焼成することにより、導電層を形成し、
前記導電層を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層に粘着部材を貼りつけ、
前記剥離層において、前記導電層及び前記絶縁層から前記基板を剥離し、
前記導電層及び前記絶縁層に開口部を有する可撓性基板を接着し、
前記可撓性基板の開口部において、前記導電層及び絶縁層に集積回路とその接続端子とを電気的に接続すると共に、前記可撓性基板と前記集積回路を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至6のいずれか1項において、前記導電層は、アンテナとして機能することを特徴とする半導体装置の作成方法。
- 請求項1乃至6のいずれか1項において、前記導電層は、画素電極として機能することを特徴とする機能性を有する層を有する基板の形成方法。
- 第1の基板上にシランカップリング剤を用いて剥離層を形成し、
前記剥離層上に着色層を形成し、
前記着色層を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、200〜400℃で焼成することにより、導電層を形成し、
前記導電層上に配向膜を形成し、
前記配向膜に粘着部材を貼りつけ、
前記剥離層において、前記着色層、前記絶縁層、前記導電層、及び前記配向膜から前記第1の基板を剥離し、
前記着色層、前記絶縁層、及び前記導電層に可撓性基板を貼り付けて第2の基板を形成し、
前記第2の基板上にシール材を形成し、
前記シール材及び前記絶縁層で囲まれる領域に液晶材料を塗布し、
前記第2の基板及びアクティブマトリクス基板を前記シール材により貼りあわせることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の基板上に酸素及び珪素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する剥離層を形成し、
前記剥離層上に着色層を形成し、
前記着色層を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、200〜400℃で焼成することにより、導電層を形成し、
前記導電層上に配向膜を形成し、
前記配向膜に粘着部材を貼りつけ、
前記剥離層において、前記着色層、前記絶縁層、前記導電層、及び前記配向膜から前記第1の基板を剥離し、
前記着色層、前記絶縁層、及び前記導電層に可撓性基板を貼り付けて第2の基板を形成し、
前記第2の基板上にシール材を形成し、
前記シール材及び前記絶縁層で囲まれる領域に液晶材料を塗布し、
前記第2の基板及びアクティブマトリクス基板を前記シール材により貼りあわせることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の基板上にシランカップリング剤を用いて第1の剥離層を形成し、
前記第1の剥離層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、200〜400℃で焼成することにより、第1の導電層を形成し、
前記第1の導電層を覆う第1の絶縁層を形成し、
前記第1の絶縁層に第1の粘着部材を貼りつけ、
前記第1の剥離層において、前記第1の導電層及び前記第1の絶縁層から前記第1の基板を剥離し、
前記第1の導電層及び前記第1の絶縁層に可撓性基板を貼り付けることにより、前記第1 の導電層及び第1の絶縁層を有する第1の可撓性基板を形成し、
第2の基板上にシランカップリング剤を用いて第2の剥離層を形成し、
前記第2の剥離層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、200〜400℃で焼成することにより、第2の導電層を形成し、
前記第2の導電層を覆う第2の絶縁層を形成し、
前記第2の絶縁層に第2の粘着部材を貼り付け、
前記第2の剥離層において、前記第2の導電層及び前記第2の絶縁層から前記第2の基板を剥離し、
前記第2の導電層及び前記第2の絶縁層に可撓性基板を貼り付けることにより、第2の可撓性基板を形成し、
前記第1の可撓性基板または前記第2の可撓性基板上にシール材を形成し、
前記シール材及び前記第1の絶縁層または前記第2の絶縁層で囲まれる領域に液晶材料を塗布し、
前記第1の可撓性基板と前記第2の可撓性基板を前記シール材により貼りあわせることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の基板上に酸素及び珪素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する第1の剥離層を形成し、
前記第1の剥離層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、200〜400℃で焼成することにより、第1の導電層を形成し、
前記第1の導電層を覆う第1の絶縁層を形成し、
前記第1の絶縁層に第1の粘着部材を貼りつけ、
前記第1の剥離層において、前記第1の導電層及び前記第1の絶縁層から前記第1の基板を剥離し、
前記第1の導電層及び前記第1の絶縁層に可撓性基板を貼り付けることにより、前記第1 の導電層及び第1の絶縁層を有する第1の可撓性基板を形成し、
第2の基板上に酸素及び珪素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する第2の剥離層を形成し、
前記第2の剥離層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、200〜400℃で焼成することにより、第2の導電層を形成し、
前記第2の導電層を覆う第2の絶縁層を形成し、
前記第2の絶縁層に第2の粘着部材を貼り付け、
前記第2の剥離層において、前記第2の導電層及び前記第2の絶縁層から前記第2の基板を剥離し、
前記第2の導電層及び前記第2の絶縁層に可撓性基板を貼り付けることにより、第2の可撓性基板を形成し、
前記第1の可撓性基板または前記第2の可撓性基板上にシール材を形成し、
前記シール材及び前記第1の絶縁層または前記第2の絶縁層で囲まれる領域に液晶材料を塗布し、
前記第1の可撓性基板と前記第2の可撓性基板を前記シール材により貼りあわせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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