JP2006013462A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. プラスチックまたは有機樹脂部材からなる第１の基板に近接する薄膜トランジスタと、
   第２の基板に近接する光電変換素子と、
   前記薄膜トランジスタと前記光電変換素子が内側になるように相対した前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された接着剤と導電性粒子を有し、
   前記導電性粒子を介して、前記薄膜トランジスタと前記光電変換素子は電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、前記接着剤と前記導電性粒子は異方性導電接着剤であることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項２において、前記異方性導電接着剤は異方性導電性フィルムまたは異方性導電ペーストであることを特徴とする半導体装置。
4. プラスチックまたは有機樹脂部材からなる第１の基板に近接する薄膜トランジスタと、
   第２の基板に近接する光電変換素子と、
   前記薄膜トランジスタと前記光電変換素子が内側になるように相対した前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された、封止材及び金属層を有し、
   前記金属層を介して、前記薄膜トランジスタと前記光電変換素子は電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、前記第２の基板は、プラスチック基板または有機樹脂部材からなる基板であることを特徴とする半導体装置。
6. 第１の基板上にタングステン膜からなる剥離層を形成し、
   前記剥離層上に酸化シリコン膜を形成し、
   前記酸化シリコン膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、
   前記アモルファスシリコン膜を４１０℃以上の熱処理で結晶化してポリシリコン膜を形成し、
   前記ポリシリコン膜を活性層とする薄膜トランジスタを形成する工程と、
   第２の基板上に光電変換素子を形成する工程と、
   前記薄膜トランジスタと前記光電変換素子が内側になるように相対させた前記第１の基板と前記第２の基板との間に導電膜を挟持させることで、前記薄膜トランジスタと前記光電変換素子を電気的に接続させる工程と、
   前記薄膜トランジスタ及び前記光電変換素子が前記第２の基板に保持された状態で、前記第１の基板及び前記剥離層を剥離させる工程と、
   前記薄膜トランジスタにプラスチックまたは有機樹脂部材からなる第３の基板を貼り合わせる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 第１の基板上にタングステン膜からなる剥離層を形成し、
   前記剥離層上に酸化シリコン膜を形成し、
   前記酸化シリコン膜上にアモルファスシリコン膜を形成し、
   前記アモルファスシリコン膜を４１０℃以上の熱処理で結晶化してポリシリコン膜を形成し、
   前記ポリシリコン膜を活性層とする薄膜トランジスタを形成する工程と、
   第２の基板上に光電変換素子を形成する工程と、
   前記薄膜トランジスタと前記光電変換素子が内側になるように相対させた前記第１の基板と前記第２の基板との間に封止材及び金属層を挟持させることで、前記薄膜トランジスタと前記光電変換素子を電気的に接続させる工程と、
   前記薄膜トランジスタ及び前記光電変換素子が前記第２の基板に保持された状態で、前記第１の基板及び前記剥離層を剥離させる工程と、
   前記薄膜トランジスタにプラスチックまたは有機樹脂部材からなる第３の基板を貼り合わせる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項６または７において、
   前記薄膜トランジスタと前記光電変換素子を電気的に接続させる工程と前記第１の基板及び前記剥離層を剥離させる工程との間に、前記剥離層と前記酸化シリコン膜との密着性を低下させる工程を有し、
   前記密着性を低下させる工程は、剥離しようとする領域の周縁に沿ってレーザー光を照射する、または、剥離しようとする領域の周縁に沿って外部から局所的に圧力を加えることを特徴とする半導体装置の作製方法。