JP2007150807A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】読み出される画素信号の振幅を十分大きくとることができ、かつ同相ノイズを除去することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】入射光を光電変換するフォトダイオードPD1と、該フォトダイオードの端子電圧である画素電位を増幅し該画素電位と同相の第1の画素信号を第1の列信号読み出し線に出力する第1の回路手段と、画素電位を増幅し該画素電位と逆相の第2の画素信号を第2の列信号読み出し線に出力する第2の回路手段とを含んで1画素が構成され、前記第1、第2の信号読み出し線に出力された前記第1、第2の画素信号と、該第1、第2の画素信号信号を取得後に前記フォトダイオードの画素電位をリセットした際のリセット電圧をそれぞれサンプリングし、これらの信号に基づいて固定パターンノイズを除去するように演算する演算手段32を有する。
【選択図】図1
【解決手段】入射光を光電変換するフォトダイオードPD1と、該フォトダイオードの端子電圧である画素電位を増幅し該画素電位と同相の第1の画素信号を第1の列信号読み出し線に出力する第1の回路手段と、画素電位を増幅し該画素電位と逆相の第2の画素信号を第2の列信号読み出し線に出力する第2の回路手段とを含んで1画素が構成され、前記第1、第2の信号読み出し線に出力された前記第1、第2の画素信号と、該第1、第2の画素信号信号を取得後に前記フォトダイオードの画素電位をリセットした際のリセット電圧をそれぞれサンプリングし、これらの信号に基づいて固定パターンノイズを除去するように演算する演算手段32を有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、CMOSイメージセンサ等の固体撮像装置に関する。
従来の固体撮像装置としてCMOSイメージセンサの構成を図9に示す(非特許文献1参照)。同図において、画素Pijが2次元マトリクス状に多数、配置されている。図では、便宜上、2×2の4画素(P11,P12,P21,P22)についてしか示していない。各画素は同一構成である。画素P11は、フォトダイオードPD11と、リセットトランジスタNM111と、増幅用トランジスタNM112と、選択トランジスタNM113とを有している。
また、画素P12は、フォトダイオードPD12と、リセットトランジスタNM121と、増幅用トランジスタNM122と、選択トランジスタNM123とを有している。画素P21は、フォトダイオードPD21と、リセットトランジスタNM211と、増幅用トランジスタNM212と、選択トランジスタNM213とを有している。
画素P22は、フォトダイオードPD22と、リセットトランジスタNM221と、増幅用トランジスタNM222と、選択トランジスタNM223とを有している。
画素P22は、フォトダイオードPD22と、リセットトランジスタNM221と、増幅用トランジスタNM222と、選択トランジスタNM223とを有している。
リセットトランジスタNM111,NM121,増幅用トランジスタNM112,NM122のドレインは電源電圧Vddの電源ライン101−1に、リセットトランジスタNM211,NM221,増幅用トランジスタNM212,NM222のドレインは電源電圧Vddの電源ライン101−2にそれぞれ、接続されている。
リセットトランジスタNM111,NM121,NM211,NM221のソースは、それぞれ、フォトダイオードPD11,PD12,PD21,PD22のカソードに接続され、フォトダイオードPD11,PD12のアノードは電源電圧Vssの電源ライン102−1に、フォトダイオードPD21,PD22のアノードは電源電圧Vssの電源ライン102−2にそれぞれ、接続されている。
リセットトランジスタNM111,NM121,NM211,NM221のソースは、それぞれ、フォトダイオードPD11,PD12,PD21,PD22のカソードに接続され、フォトダイオードPD11,PD12のアノードは電源電圧Vssの電源ライン102−1に、フォトダイオードPD21,PD22のアノードは電源電圧Vssの電源ライン102−2にそれぞれ、接続されている。
また、リセットトランジスタNM111,NM121,NM211,NM221のソースは、増幅用トランジスタNM112,NM122,NM212,NM222のゲートにそれぞれ接続されている。
さらに、増幅用トランジスタNM112,NM122,NM212,NM222のソースは、それぞれ選択トランジスタNM113,NM123,NM213,NM223のドレインに接続されている。
さらに、増幅用トランジスタNM112,NM122,NM212,NM222のソースは、それぞれ選択トランジスタNM113,NM123,NM213,NM223のドレインに接続されている。
100は、垂直シフトレジスタであり、垂直シフトレジスタ100から行方向(水平方向)配線されているリセット線103−1、103−2は、各行のリセットトランジスタNM111,NM121,NM211,NM221のゲートに接続されている。
また、垂直シフトレジスタ100から行方向(水平方向)配線されている水平選択線104−1、104−2は、各行の選択トランジスタNM113,NM123,NM213,NM223のゲートに接続されている。
また、垂直シフトレジスタ100から行方向(水平方向)配線されている水平選択線104−1、104−2は、各行の選択トランジスタNM113,NM123,NM213,NM223のゲートに接続されている。
さらに列方向(垂直方向)に電源電圧Vssの電源ライン106と相関二重サンプリング回路(Correlated Double Sampling circuit,CDS)110−1の入力端との間に定電流源101−1を介して接続されるように配線された列信号読み出し線SP1は、選択トランジスタNM113,NM213のソースと接続されている。
また、列方向に電源電圧Vssの電源ライン107と相関二重サンプリング回路(CDS)110−2の入力端との間に定電流源101−2を介して接続されるように配線された列信号読み出し線SP2は、NM123,NM223のソースと接続されている。
また、列方向に電源電圧Vssの電源ライン107と相関二重サンプリング回路(CDS)110−2の入力端との間に定電流源101−2を介して接続されるように配線された列信号読み出し線SP2は、NM123,NM223のソースと接続されている。
相関二重サンプリング回路(CDS)110−1、110−2は、各画素において、列読み出し線に読み出された画素信号と、フォトダイオードのカソード電位である画素電位をリセットした際のリセット電圧との差を演算する回路である。
相関二重サンプリング回路(CDS)110−1、110−2は、それぞれ図示してない水平シフトレジスタにより制御されるスイッチ素子111−1、111−2を介して行信号読み出し線120に接続されている。また行信号読み出し線120は出力回路130を介して出力端子140に接続されている。
相関二重サンプリング回路(CDS)110−1、110−2は、それぞれ図示してない水平シフトレジスタにより制御されるスイッチ素子111−1、111−2を介して行信号読み出し線120に接続されている。また行信号読み出し線120は出力回路130を介して出力端子140に接続されている。
上記構成からなる固体撮像装置の動作を説明する。垂直方向に順次、リセット信号Resi(i=1,2,…)がアクティブ状態になることにより、各画素Pij(i,j=1,2,…)内の画素電位、すなわちフォトダイオードPDijのカソード電位がリセット電位にリセットされる。その後、各画素に入射した光量(入射照度)に応じて、各画素内電位が低下する。露光時間が終了し、順次、垂直シフトレジスタ100より順次、水平選択信号Seliがアクティブ状態になり、画素Pij内の画素電位が列信号読み出し線SPiに読み出される。各画素での入射照度(入射光量)に対する列信号読み出し線に読み出される電圧との関係を図7に示す。この特性図から明らかなように、入射照度が高くなるにつれて読み出し電圧が低くなることが判る。
水平選択信号Seliによる読み出し動作では、露光量に依存する画素信号と、リセット信号の両方の電位が読み出される。例えば、水平選択信号Sel1が電源電圧Vddになると、画素P11と画素P12内の露光量に依存する画素電位が列信号読み出し線SP1とSP2にそれぞれ、読み出される。これらの電位が各相関二重サンプリング回路110−1、110−2によりそれぞれ、サンプルホールドされ、一旦保持される。
次に、リセット信号Res1が電源電圧Vddのレベルになることにより、水平選択されている画素P11と画素P12内のリセット電位が列信号読み出し線SP1と列信号読み出し線SP2にそれぞれ、読み出される。各相関二重サンプリング回路110−1、110−2でこの読み出されたリセット信号電位と既に各相関二重サンプリング回路110−1、110−2に保持された画素信号の差分が取られ、この差分電圧を列信号読み出し線SP1、SP2、…と順次、スイッチ素子111−1、111−2、…を介して行信号読み出し線120により水平方向に読み出すことで、選択された水平方向の画素の信号が全て読み出される。図10は、このときにおける画素P11についての読み出し動作を示している。同図において列信号読み出し線SP1に読み出されたVs1は、画素信号電位であり、Vr1はリセット信号電位である。
トランジスタ技術 2003年2月号、特集 CMOS/CCD画像センサ入門P129〜134
トランジスタ技術 2003年2月号、特集 CMOS/CCD画像センサ入門P129〜134
しかしながら、非特許文献1に示す従来の固体撮像装置にあっては、各画素について最終的に行信号読み出し線に読み出される画素信号の電圧振幅は、リセット電圧との差電圧で、振幅が十分でない場合があるという問題が有った。
また、各画素から信号を読み出すための信号線が1本であるため、同相ノイズを除去することができないという問題も有った。
また、各画素から信号を読み出すための信号線が1本であるため、同相ノイズを除去することができないという問題も有った。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、読み出される画素信号の振幅を十分大きくとることができ、かつ同相ノイズを除去することができる固体撮像装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために請求項1に記載の発明は、入射光を光電変換するフォトダイオードと、該フォトダイオードの端子電圧である画素電位を増幅し該画素電位と同相の第1の画素信号を第1の列信号読み出し線に出力する第1の回路手段と、前記フォトダイオードの端子電圧である画素電位を増幅し該画素電位と逆相の第2の画素信号を第2の列信号読み出し線に出力する第2の回路手段とを含んで1画素が構成され、前記第1、第2の信号読み出し線に出力された前記第1、第2の画素信号と、該第1、第2の画素信号を取得後に前記フォトダイオードの画素電位をリセットした際のリセット電圧をそれぞれサンプリングし、これらの信号に基づいて固定パターンノイズを除去するように演算する演算手段を有することを特徴とする。
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の固体撮像装置において、前記演算手段は、前記第1の画素信号と、前記第2の画素信号と、前記第1、第2の画素信号を取得後に、前記フォトダイオードの画素電位をリセットした際の各リセット電圧を取り込み、前記第1の画素信号とリセット電圧との差分である第1の信号成分と、第2の画素信号とリセット電圧との差分である第2の信号成分とを求めると共に、前記第1の信号成分から第2の信号成分を減算し、該減算して得られた信号成分を1画素の信号電圧として行信号読み出し線に出力することを特徴とする。
また、請求項3に記載の発明は、入射光を光電変換するフォトダイオードと、該フォトダイオードの端子電圧である画素電位を増幅し単一の列信号読み出し線に出力する第3の回路手段を含んで1画素が構成され、前記第3の回路手段は、前記画素電位を読み出す際に該画素電位に対して同相の第3の画素信号と逆相の第4の画素信号の両方を、タイミングをずらして前記単一の列信号読み出し線に出力し、前記単一の列信号読み出し線に異なるタイミングで出力された前記第3、第4の画素信号と、該第3、第4の画素信号を取得後に前記フォトダイオードの画素電位をリセットした際のリセット電圧をそれぞれサンプリングし、これらの信号に基づいて固定パターンノイズを除去するように演算する演算手段を有することを特徴とする。
また、請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の固体撮像装置において、前記演算手段は、前記第3の画素信号と、前記第4の画素信号と、前記第3、第4の画素信号を取得後に、前記フォトダイオードの画素電位をリセットした際の各リセット電圧を取り込み、前記第3の画素信号とリセット電圧との差分である第3の信号成分と、第4の画素信号とリセット電圧との差分である第4の信号成分とを求めると共に、前記第3の信号成分から第4の信号成分を減算し、該減算して得られた信号成分を1画素の信号電圧として行信号読み出し線に出力することを特徴とする。
以上説明したように、本発明によれば、各画素から読み出す画素信号を、画素電位と同相の信号と、画素電位と逆相の信号の2信号とし、これらを減算するようにしたので、画素信号(読み出し信号)の振幅が2倍になり、その分S/Nが改善される。また、画素信号の読み出し線を2本とし、これらの対の信号線を使用することにより同相ノイズを除去することができる。
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。本発明の第1実施形態に係る固体撮像装置の要部の構成を図1に示す。各実施形態において、固体撮像装置の構成は、説明の便宜上、1画素についてのみ示し、他の画素については図示を省略することとする。
本発明の第1実施形態に係る固体撮像装置は、入射光を光電変換するフォトダイオードPD1と、フォトダイオードPD1の端子電圧である画素電位を増幅し該画素電位と同相の第1の画素信号を第1の列信号読み出し線SPに出力する第1の回路手段と、前記フォトダイオードPD1の端子電圧である画素電位を増幅し該画素電位と逆相の第2の画素信号を第2の列信号読み出し線SMに出力する第2の回路手段とを含んで1画素Pijが構成されている。実際には、この画素がマトリクス状に形成されている。
本発明の第1実施形態に係る固体撮像装置は、入射光を光電変換するフォトダイオードPD1と、フォトダイオードPD1の端子電圧である画素電位を増幅し該画素電位と同相の第1の画素信号を第1の列信号読み出し線SPに出力する第1の回路手段と、前記フォトダイオードPD1の端子電圧である画素電位を増幅し該画素電位と逆相の第2の画素信号を第2の列信号読み出し線SMに出力する第2の回路手段とを含んで1画素Pijが構成されている。実際には、この画素がマトリクス状に形成されている。
すなわち、本発明の第1実施形態に係る固体撮像装置は、入射光を光電変換するフォトダイオードPD1と、フォトダイオードPD1のカソードにゲートが接続され、該ゲートにおける電位である画素電位を増幅するNMOSトランジスタNM1と、前記カソードと電源電圧Vddを供給する電源ライン10との間に接続され、フォトダイオードPD1のカソード電位を電源電圧(Vdd)レベルにリセットするためのNMOSトランジスタNM0と、NMOSトランジスタNM1と列信号読み出し線SPとの間に接続されNMOSトランジスタNM1の出力を列信号読み出し線SPに出力するNMOSトランジスタNM2とを有している。
フォトダイオードPD1のアノードは、電源電圧Vssを供給する電源ライン11に接続され、NMOSトランジスタNM1のドレインは電源ライン10に接続されている。NMOSトランジスタNM1のソースにNMOSトランジスタNM2のドレインが接続され、NMOSトランジスタNM2のソースは列信号読み出し線SPに接続されている。列信号読み出し線SPは本発明の第1の列信号読み出し線に相当する。
また、NMOSトランジスタNM2のゲートは、水平選択線20に接続されている。NMOSトランジスタNM0のドレインは電源ライン10に接続され、そのソースはフォトダイオードPD1のカソードに接続され、ゲートはリセット線21に接続されている。NMOSトランジスタNM1、NMOSトランジスタNM2はソースフォロアを構成している。NMOSトランジスタNM0、NMOSトランジスタNM1、NMOSトランジスタNM2は本発明の第1の回路手段に相当する。
また、NMOSトランジスタNM2のゲートは、水平選択線20に接続されている。NMOSトランジスタNM0のドレインは電源ライン10に接続され、そのソースはフォトダイオードPD1のカソードに接続され、ゲートはリセット線21に接続されている。NMOSトランジスタNM1、NMOSトランジスタNM2はソースフォロアを構成している。NMOSトランジスタNM0、NMOSトランジスタNM1、NMOSトランジスタNM2は本発明の第1の回路手段に相当する。
また、本発明の第1実施形態に係る固体撮像装置は、さらにフォトダイオードPD1のカソードにゲートが接続され、ソースが電源ライン11に接続され、ドレインがNMOSトランジスタNM4のソースに接続されているNMOSトランジスタNM3と、ゲートが水平選択線20に接続され、ドレインが列信号読み出し線SMに接続されているNM4で構成される。NMOSトランジスタNM0、NMOSトランジスタNM3、NMOSトランジスタNM4は本発明の第2の回路手段に相当する。
また、列信号読み出し線SMは、本発明の第2の列信号読み出し線に相当する。
また、列信号読み出し線SMは、本発明の第2の列信号読み出し線に相当する。
さらに列信号読み出し線SPは、列方向(垂直方向)に電源電圧Vssの電源ライン13と相関二重サンプリング回路(CDS)32の一方の入力端との間に定電流源30を介して接続されている。
また、列信号読み出し線SMは、列方向に電源電圧Vddの電源ライン12と相関二重サンプリング回路(CDS)32の他方の入力端との間に抵抗R1を介して接続されている。
相関二重サンプリング回路(CDS)32は、それぞれ図示してない水平シフトレジスタにより制御されるスイッチ素子34を介して行信号読み出し線36に接続されている。
相関二重サンプリング回路(CDS)32は、列信号読み出し線SP,SMにそれぞれ出力された第1、第2の画素信号と、該第1、第2の画素信号を取得後に前記フォトダイオードの画素電位をリセットした際のリセット電圧をそれぞれサンプリングし保持して、これらの信号に基づいて固定パターンノイズを除去するように演算するよう構成されている。相関二重サンプリング回路32は本発明の演算手段に相当する。
また、列信号読み出し線SMは、列方向に電源電圧Vddの電源ライン12と相関二重サンプリング回路(CDS)32の他方の入力端との間に抵抗R1を介して接続されている。
相関二重サンプリング回路(CDS)32は、それぞれ図示してない水平シフトレジスタにより制御されるスイッチ素子34を介して行信号読み出し線36に接続されている。
相関二重サンプリング回路(CDS)32は、列信号読み出し線SP,SMにそれぞれ出力された第1、第2の画素信号と、該第1、第2の画素信号を取得後に前記フォトダイオードの画素電位をリセットした際のリセット電圧をそれぞれサンプリングし保持して、これらの信号に基づいて固定パターンノイズを除去するように演算するよう構成されている。相関二重サンプリング回路32は本発明の演算手段に相当する。
上記構成からなる本発明の第1実施形態に係る固体撮像装置の動作を図2のタイミングチャートを参照して説明する。図2において、時刻t1以前のタイミングでリセットトランジスタとして機能するNMOSトランジスタNM0のゲートにリセット信号(電圧レベルはVdd)がリセット線21を介して入力され、フォトダイオードPD1のカソード電位(画素電位)は、(Vdd−Vth)(但し、VthはNMOSトランジスタのスレッシュホールド電圧)となる。
この後、フォトダイオードPD1に光が入射すると、フォトダイオードPD1は逆バイアスされているためにその入射光量に応じて電流が流れ、画素電位は低下しその入射量に応じた電位となる。この状態で、時刻t1で水平選択信号Sel(図2(B))が水平選択線20に出力されると、NMOSトランジスタNM2,NM4がオン状態となる。ここで、NMOSトランジスタNM1とNMOSトランジスタNM2、定電流源30とでソースフォロアを構成しているため、フォトダイオードPD1のカソード電位と略、同等の画素信号電圧Vspが列信号読み出し線SPに出力される(図2(C))。
一方、本発明の第2の回路手段を構成するNMOSトランジスタNM3,NM4は、NMOSトランジスタNM1,NM2で構成されるソースフォロアとは、逆の入出力特性となる。すなわち、NMOSトランジスタNM3のゲートへの入力電圧である高い状態では、NMOSトランジスタNM3のオン抵抗が低いため電源ライン13より抵抗R1、NMOSトランジスタNM4を介してNMOSトランジスタNM3に電流が多く流れ込むので、SMに出力される電圧Vsmは低くなり(図2(D))、逆にフォトダイオードPD1のカソード電位が低くなると、NMOSトランジスタNM3のオン抵抗が高くなるためにNMOSトランジスタNM3に流れ込む電流量は少なくなるので列電極読み出し線SMに出力される電圧Vsmは高くなる。したがって、各画素での入射照度(入射光量)に対する列読み出し線SP,SMに読み出される画素信号の電圧との関係は図8における曲線A,Bに示すようになる。
このようにして、列電極読み出し線SP,SMに読み出された画素信号の電圧Vsp,Vsmが時刻t2で相関二重サンプリング回路(CDS)32に入力され、相関二重サンプリング回路(CDS)32でサンプルホールドされる(サンプリングタイミング信号…図では省略)。その後、時刻t3でリセット信号Resがリセット線21に出力されると、画素電位、すなわちフォトダイオードPD1のLかソード電位がリセットされる。リセット電圧が整定した後の時刻t4でリセット時に列電極読み出し線SP,SMに読み出されたリセット信号電圧Vrp,Vrmが相関二重サンプリング回路(CDS)32によりサンプルホールドされる。
相関二重サンプリング回路32では、時刻t2でサンプリングし保持した画素信号電圧Vsp,Vsmと時刻t4でサンプリングしたリセット信号電圧Vrp,Vrmとが各列信号読み出し線SP,SM毎に減算され、さらに、その各列信号読み出し線SPについての減算結果から列信号読み出し線SMについての減算結果が減算される。すなわち、(Vsp−Vrp)−(Vsm−Vrm)が演算され出力される。この演算出力が相関二重サンプリング回路32からスイッチ素子34を介して水平信号読み出し線36に出力される。
本発明の第1実施形態に係る固体撮像装置によれば、各画素から読み出す画素信号を、画素電位と同相の信号と、画素電位と逆相の信号の2信号とし、これらを減算するようにしたので、画素信号(読み出し信号)の振幅が2倍になり、その分S/Nが改善される。また、画素信号の読み出し線を2本とし、これらの対の信号線を使用することにより同相ノイズを除去することができる。
さらに、画素電位を増幅し、該画素電位と同相の画素信号を読み出す回路と、画素電位を増幅し、該画素電位と逆相の画素信号を読み出す回路とをNMOSトランジスタで構成するようにしたので、各MOSトランジスタ素子のアイソレーションが不要なので、画素サイズを小さくすることができる。
さらに、画素電位を増幅し、該画素電位と同相の画素信号を読み出す回路と、画素電位を増幅し、該画素電位と逆相の画素信号を読み出す回路とをNMOSトランジスタで構成するようにしたので、各MOSトランジスタ素子のアイソレーションが不要なので、画素サイズを小さくすることができる。
次に、本発明の第2実施形態に係る固体撮像装置の構成を図3に示す。本発明の第2実施形態に係る固体撮像装置が第1実施形態に係る固体撮像装置と構成上、異なるのは、画素電位を増幅し、該画素電位と逆相の画素信号を読み出す回路を、図1におけるNMOSトランジスタNM3,NM4の代わりにPMOSトランジスタPM1,PM2とし、PMOSトランジスタのソースフォロアとした点であり、他の構成は全く同様である。なお、NMOSトランジスタNM3,NM4の代わりにPMOSトランジスタPM1,PM2を設けたため、PMOSトランジスタ用の水平選択線SelPを設け、PMOSトランジスタPM1,PM2を電源電圧Vddに接続された定電流源40により定電流駆動している。
上記構成からなる本発明の第2実施形態に係る固体撮像装置の動作を図4のタイミングチャートを参照して説明する。図4において、時刻t11以前のタイミングでNMOSトランジスタNM0のゲートにリセット信号(電圧レベルはVdd)がリセット線21を介して入力され、フォトダイオードPD1のカソード電位は、(Vdd−Vth)となる。この後、フォトダイオードPD1に光が入射すると、その入射光量に応じて電流が流れ、画素電位は低下しその入射量に応じた電位となる。この状態で、時刻t11で水平選択信号SelN(図4(B))が水平選択線20−1に出力されると、NMOSトランジスタNM2がオン状態となる。ここで、NMOSトランジスタNM1とNMOSトランジスタNM2、定電流源30とでソースフォロアを構成しているため、フォトダイオードPD1のカソード電位と略、同等の画素信号電圧Vspが列信号読み出し線SPに出力される(図4(D))。
また、本発明の第2の回路手段を構成するPMOSトランジスタPM1,PMOSトランジスタPM2は、PMOSトランジスタで構成されたソースフォロアであるので、NMOSトランジスタNM1,NM2で構成されるソースフォロアとは、全く逆の入出力特性となる。PMOSトランジスタPM2のゲートに対しても時刻t11でローレベルとなる水平選択信号SelPが出力される(図4(C))。この結果、フォトダイオードPD1のカソード電位と逆相の画素信号電圧Vsm が列信号読み出し線SMに出力される(図4(E))。
このようにして、列電極読み出し線SP,SMに読み出された画素信号の電圧Vsp,Vsmが時刻t12で相関二重サンプリング回路(CDS)32に入力され、相関二重サンプリング回路32でサンプルホールドされる。その後、時刻t13でリセット信号Resがリセット線21に出力されると、画素電位、すなわちフォトダイオードPD1のカソード電位がリセットされる。リセット電圧が整定した後の時刻t14でリセット時に列電極読み出し線SP,SMに読み出されたリセット信号電圧Vrp,Vrmが相関二重サンプリング回路32によりサンプルホールドされる。
相関二重サンプリング回路32では、時刻t12でサンプリングし保持した画素信号電圧Vsp,Vsmと時刻t14でサンプリングしたリセット信号電圧Vrp,Vrmとが各列信号読み出し線SP,SM毎に減算され、さらに、その各列信号読み出し線SPについての減算結果から列信号読み出し線SMについての減算結果が減算される。すなわち、(Vsp−Vrp)−(Vsm−Vrm)が演算され出力される。この演算出力が相関二重サンプリング回路32からスイッチ素子34を介して水平信号読み出し線36に出力される。
本発明の第2実施形態に係る固体撮像装置においても、第1実施形態と同様Jの効果が得られる。なお、画素を構成する回路にNMOSトランジスタとPMOSトランジスタとで構成したので、画素サイズは大きくなるが、画素電位と同相の画素信号を列信号読み出し線に出力する回路と、画素電位と逆相の画素信号を列信号読み出し線に出力する回路の両方を、特性が対称のソースフォロアで構成したので、固定パターンノイズを第1実施形態よりも低減できる。
次に本発明の第3実施形態に係る固体撮像装置の構成を図5に示す。本発明の第3実施形態に係る固体撮像装置が第1実施形態に係る固体撮像装置と構成上、異なるのは、単一の列信号読み出し線に、画素電位と同相の画素信号と、画素電位と逆相の画素信号とをタイミングをずらして読み出すように構成したものである。
すなわち、図5において、第3実施形態に係る固体撮像装置は、入射光を光電変換するフォトダイオードPD1と、フォトダイオードPD1のカソードにゲートが接続され、該ゲートにおける電位である画素電位を増幅するNMOSトランジスタNM1と、前記カソードと電源電圧Vddを供給する電源ライン10との間に接続され、フォトダイオードPD1のカソード電位を電源電圧(Vdd)レベルにリセットするためのNMOSトランジスタNM0と、NMOSトランジスタNM1と列信号読み出し線SPとの間に接続されNMOSトランジスタNM1の出力を列信号読み出し線SPに出力するNMOSトランジスタNM2とを有している。
また、フォトダイオードPD1のアノードは、電源電圧Vssを供給する電源ライン11に接続され、NMOSトランジスタNM1のドレインは電源ライン40に接続されている。NMOSトランジスタNM1のソースにNMOSトランジスタNM2のドレインが接続され、NMOSトランジスタNM2のソースは単一の列信号読み出し線SPに接続されている。
単一の列信号読み出し線SPの一端は、スイッチSW1により抵抗R1を介して電源電圧Vddが供給される電源ライン13に、または定電流源30を介して電源電圧Vssが供給される電源ライン14に接続できるようになっている。
単一の列信号読み出し線SPの他端は、相関二重サンプリング回路37の入力端に接続され、相関二重サンプリング回路37の出力端は、スイッチ素子32を介して水平信号読み出し線36に接続されている。
単一の列信号読み出し線SPの一端は、スイッチSW1により抵抗R1を介して電源電圧Vddが供給される電源ライン13に、または定電流源30を介して電源電圧Vssが供給される電源ライン14に接続できるようになっている。
単一の列信号読み出し線SPの他端は、相関二重サンプリング回路37の入力端に接続され、相関二重サンプリング回路37の出力端は、スイッチ素子32を介して水平信号読み出し線36に接続されている。
また、電源ライン40における電圧V1は、スイッチSW2により電源電圧Vssが供給される電源ライン15または、電源電圧Vddが供給される電源ライン16に接続できるようになっている。
また、NMOSトランジスタNM2のゲートは、水平選択線20に接続されている。NMOSトランジスタNM0のドレインは電源ライン10に接続され、そのソースはフォトダイオードPD1のカソードに接続され、ゲートはリセット線21に接続されている。NMOSトランジスタNM1、NMOSトランジスタNM2はソースフォロアを構成している。NMOSトランジスタNM0、NMOSトランジスタNM1、NMOSトランジスタNM2は本発明の第3の回路手段に相当する。
また、NMOSトランジスタNM2のゲートは、水平選択線20に接続されている。NMOSトランジスタNM0のドレインは電源ライン10に接続され、そのソースはフォトダイオードPD1のカソードに接続され、ゲートはリセット線21に接続されている。NMOSトランジスタNM1、NMOSトランジスタNM2はソースフォロアを構成している。NMOSトランジスタNM0、NMOSトランジスタNM1、NMOSトランジスタNM2は本発明の第3の回路手段に相当する。
上記構成からなる第3実施形態に係る固体撮像装置の動作を図6のタイミングチャートを参照して説明する。
上記構成において、露光後、スイッチSW1、SW2を接点“0”側に切り替えた状態で(図6(C))時刻t50で水平選択信号Selを電源電圧Vddにして(図6(B))画素Pij内の画素電位(フォトダイオードPD1のカソード電位)を読み出す。このとき、画素電位と同相の画素信号、すなわち画素への入射光量(入射照度)が高い程、読み出し信号(画素信号)の電位が低くなる方の画素信号の電位Vs1が列信号読み出し線SPに読み出され、相関二重サンプリング回路37によりサンプルホールドされる(図6(D))(サンプリングタイミング信号…図では省略)。
上記構成において、露光後、スイッチSW1、SW2を接点“0”側に切り替えた状態で(図6(C))時刻t50で水平選択信号Selを電源電圧Vddにして(図6(B))画素Pij内の画素電位(フォトダイオードPD1のカソード電位)を読み出す。このとき、画素電位と同相の画素信号、すなわち画素への入射光量(入射照度)が高い程、読み出し信号(画素信号)の電位が低くなる方の画素信号の電位Vs1が列信号読み出し線SPに読み出され、相関二重サンプリング回路37によりサンプルホールドされる(図6(D))(サンプリングタイミング信号…図では省略)。
つぎに、時刻t51でスイッチSW1、SW2を接点“1”側に切り替えて画素電位と逆相の画素信号、すなわち画素への入射光量(入射照度)が高い程、読み出し信号(画素信号)の電位が高くなる方の画素信号の電位Vs2が列信号読み出し線SPに読み出され、相関二重サンプリング回路37によりサンプルホールドされる(図6(D))。その後の時刻t52でSW1、SW2を接点“0”側に切り替えておく。
次いで、時刻t53でリセット線21にリセット信号Resが出力され、画素電位がリセットされる。このときスイッチSW1、SW2が接点“0”側に切り替えられた状態でフォトダイオードPD1のカソード電位であるリセット電位が列信号読み出し線SPに読み出される。列信号読み出し線SPに読み出されたこのリセット電位をVr1とする。
その後の時刻t54でスイッチSW1、SW2を接点“1”側に切り替えた状態で列信号読み出し線SPに読み出したリセット電位をVr2とする。これらのリセット電位Vr1,Vr2もまた、相関二重サンプリング回路32によりサンプルホールドされる(図6(D))。
その後の時刻t54でスイッチSW1、SW2を接点“1”側に切り替えた状態で列信号読み出し線SPに読み出したリセット電位をVr2とする。これらのリセット電位Vr1,Vr2もまた、相関二重サンプリング回路32によりサンプルホールドされる(図6(D))。
相関二重サンプリング回路32では、サンプルホールドした画素信号の電位Vs1,Vs2,リセット電位Vr1,Vr2から(Vs2−Vr2)−(Vs1−Vr1)を算出し出力するように構成されている。この演算結果をスイッチ素子34を介して水平信号読み出し線36に出力する。
これにより、第3実施形態に係る固体撮像装置によれば、画素電位における固定パターンノイズを除去できる同時に、画素信号の振幅が2倍とれ、S/Nの向上が図れる。また、回路構成の簡単化が図れるという効果もある。
これにより、第3実施形態に係る固体撮像装置によれば、画素電位における固定パターンノイズを除去できる同時に、画素信号の振幅が2倍とれ、S/Nの向上が図れる。また、回路構成の簡単化が図れるという効果もある。
10、11、12、13…電源ライン、20…水平選択線、21…リセット線、30…定電流源、32…相関二重サンプリング回路(CDS)、34…スイッチ素子、36…水平信号読み出し線、Pij…画素、PD1…フォトダイオード、NM0、NM1,NM2,NM3,NM4…NMOSトランジスタ、Res…リセット信号、Sel…水平選択信号
Claims (4)
- 入射光を光電変換するフォトダイオードと、該フォトダイオードの端子電圧である画素電位を増幅し該画素電位と同相の第1の画素信号を第1の列信号読み出し線に出力する第1の回路手段と、前記フォトダイオードの端子電圧である画素電位を増幅し該画素電位と逆相の第2の画素信号を第2の列信号読み出し線に出力する第2の回路手段とを含んで1画素が構成され、
前記第1、第2の列信号読み出し線に出力された前記第1、第2の画素信号と、該第1、第2の画素信号を取得後に前記フォトダイオードの画素電位をリセットした際のリセット電圧をそれぞれサンプリングし、これらの信号に基づいて固定パターンノイズを除去するように演算する演算手段を有することを特徴とする固体撮像装置。 - 前記演算手段は、前記第1の画素信号と、前記第2の画素信号と、前記第1、第2の画素信号を取得後に、前記フォトダイオードの画素電位をリセットした際の各リセット電圧を取り込み、前記第1の画素信号とリセット電圧との差分である第1の信号成分と、第2の画素信号とリセット電圧との差分である第2の信号成分とを求めると共に、前記第1の信号成分から第2の信号成分を減算し、該減算して得られた信号成分を1画素の信号電圧として行信号読み出し線に出力することを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 入射光を光電変換するフォトダイオードと、該フォトダイオードの端子電圧である画素電位を増幅し単一の列信号読み出し線に出力する第3の回路手段を含んで1画素が構成され、
前記第3の回路手段は、前記画素電位を読み出す際に該画素電位に対して同相の第3の画素信号と逆相の第4の画素信号の両方を、タイミングをずらして前記単一の列信号読み出し線に出力し、前記単一の列信号読み出し線に異なるタイミングで出力された前記第3、第4の画素信号と、該第3、第4の画素信号を取得後に前記フォトダイオードの画素電位をリセットした際のリセット電圧をそれぞれサンプリングし、これらの信号に基づいて固定パターンノイズを除去するように演算する演算手段を有することを特徴とする固体撮像装置。 - 前記演算手段は、前記第3の画素信号と、前記第4の画素信号と、前記第3、第4の画素信号を取得後に、前記フォトダイオードの画素電位をリセットした際の各リセット電圧を取り込み、前記第3の画素信号とリセット電圧との差分である第3の信号成分と、第4の画素信号とリセット電圧との差分である第4の信号成分とを求めると共に、前記第3の信号成分から第4の信号成分を減算し、該減算して得られた信号成分を1画素の信号電圧として行信号読み出し線に出力することを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005343390A JP2007150807A (ja) | 2005-11-29 | 2005-11-29 | 固体撮像装置 |
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US8077227B2 (en) | 2008-05-02 | 2011-12-13 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus providing analog row noise correction and hot pixel filtering |
CN113409729A (zh) * | 2021-06-16 | 2021-09-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电路、显示面板、装置及感测驱动方法 |
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2005
- 2005-11-29 JP JP2005343390A patent/JP2007150807A/ja active Pending
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