JP2007147639A

JP2007147639A - コンタクタ

Info

Publication number: JP2007147639A
Application number: JP2007006250A
Authority: JP
Inventors: Junichi Hagiwara; 順一萩原
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1998-08-12
Filing date: 2007-01-15
Publication date: 2007-06-14
Anticipated expiration: 2019-05-06
Also published as: JP4490978B2

Abstract

【課題】プローブ端子の配列に自由度が高く、被検査体の種々の電極配列に即してプローブ端子の配列を変えることができ、しかも検査時の熱的影響を受け難く高低差を吸収することができコンタクト性に優れ正確且つ確実に被検査体と接触して高精度で信頼性の高い検査を行うことができるコンタクタを提供する。
【解決手段】本発明のコンタクタ１は、シリコン基板１の一方の面全面に配列された複数の第１電極３と、これらの第１電極３に設けられたプローブ端子４と、シリコン基板２の他方の面全面に第１の電極３に対応して配列された複数の第２電極５と、これらの第２電極５とテスタ側のプリント配線基板１１とを互いに導通する弾性接続部材１０と、を備え、プローブ端子４は、第１電極３上に立設された導電性支持柱７と、導電性支持柱７上端で片持ち支持されたカンチレバーバネ８と、このカンチレバーバネ８の自由端部で支持されたバンプ９と、を有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、被検査体の電気的特性検査を行う際に用いられるコンタクタに関し、更に詳しくは、被検査体と一括接触して検査を行うことができるコンタクタに関
する。

被検査体、例えば半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」と称す。）に多数形成されたメモリ回路やロジック回路等のＩＣチップの電気的特性検査を行う場合にはコンタクタとしてプローブカードが用いられる。このプローブカードは検査時にウエハの電極用パッドと接触した時にテスタとＩＣチップ間で検査用信号の授受を中継する役割を果たしている。このプローブカードは、例えばＩＣチップ上に形成された複数の電極パッドに対応した複数のプローブ針を有し、各プローブ針と各電極パッドとをそれぞれ電気的に接触させてＩＣチップの検査を行うようにしている。

ところで最近、ＩＣチップの集積度が高まって電極パッドの数が急激に増加すると共に電極パッドの配列が益々狭ピッチ化している。これに伴ってプローブカードのプローブ針の本数が急激に増加し、狭ピッチ化している。しかも、ウエハの大口径化に伴ってウエハ内のＩＣチップ数が急激に増加し、検査に長時間を要し、検査時間の短縮が重要課題になっている。そこで、プローブカードによって検査を行う場合にも、ＩＣチップを１個ずつ検査するのではなく、同時に検査するＩＣチップの数（同測数）を増やし、検査時間を短縮するようにしている。

しかしながら、従来のプローブカードは、複数のプローブ針がそれぞれ個別に片持ち支持されているため、電極パッドの配列が複数列になると、プローブ針の支持構造が極めて複雑になり、電極パッドの種々の配列に即してプローブ針の配列を変えることが難しく、プローブ針の配列の自由度が低く、しかも、検査時の熱的影響によりプローブ針の針先位置が狂い易いという課題があった。

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、プローブ端子の配列に自由度が高く、被検査体の種々の電極配列に即してプローブ端子の配列を変えることができ、しかも検査時の熱的影響を受け難く高低差を吸収することができコンタクト性に優れ正確且つ確実に被検査体と接触して高精度で信頼性の高い検査を行うことができるコンタクタを提供することを目的としている。

本発明の請求項１に記載のコンタクタは、基板の一方の面全面に配列された複数の第１電極と、これらの電極にそれぞれ設けられたプローブ端子と、これらのプローブ端子及び第１電極に対応して上記基板の他方の面全面に配列された複数の第２電極と、これらの第２電極とテスタ側の配線基板とを互いに導通する弾性接続部材とを備え、上記複数のプローブ端子が被検査体と一括接触してその電気的特性検査を行うコンタクタであって、上記プローブ端子は、第１電極上に立設された導電性支持部材と、この導電性支持部材上端で導通自在に片持ち支持された弾性支持プレートと、この弾性支持プレートの自由端部で支持されたバンプと、を有することを特徴とするものである。

また、本発明の請求項２に記載のコンタクタは、基板の一方の面全面に配列された複数の第１電極と、これらの電極にそれぞれ設けられたプローブ端子と、これらのプローブ端子及び第１電極に対応して上記基板の他方の面全面に配列された複数の第２電極と、これらの第２電極とテスタ側の配線基板とを互いに導通する弾性接続部材とを備え、上記複数のプローブ端子が被検査体と一括接触してその電気的特性検査を行うコンタクタであって、上記プローブ端子は、第１電極上に立設された導電性支持部材と、この導電性支持部材上端で互いに先端を接近させて導通自在に片持ち支持された複数の弾性支持プレートと、各弾性支持プレートの自由端部でそれぞれ支持されたバンプと、を有することを特徴とするものである。

また、本発明の請求項３に記載のコンタクタは、基板の一方の面全面に配列された複数の第１電極と、これらの電極にそれぞれ設けられたプローブ端子と、これらのプローブ端子及び第１電極に対応して上記基板の他方の面全面に配列された複数の第２電極と、これらの第２電極とテスタ側の配線基板とを互いに導通する弾性接続部材とを備え、上記複数のプローブ端子が被検査体と一括接触してその電気的特性検査を行うコンタクタであって、上記プローブ端子は、第１電極上に立設された導電性支持部材と、この導電性支持部材上端で支持された導電性環状プレートと、この導電性環状プレートと一体に形成された弾性架設部中央で支持されたバンプと、を有することを特徴とするものである。

また、本発明の請求項４に記載のコンタクタは、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発明において、上記バンプは、先端が平坦面で先端部から基端部に向けて徐々に太くなる接触部と、この接触部を支持する支持部とからなることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項５に記載のコンタクタは、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発明において、上記バンプは、円柱状に形成されていることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項６に記載のコンタクタは、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発明において、上記プローブ端子は、骨格をなすコア金属と、このコア金属のバネ性を補足し且つコア金属を被覆する合金層と、この合金層とコア金属との間に介在してこれら両者を接合する接合用金属層とからなることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項７に記載のコンタクタは、請求項６に記載の発明において、上記コア金属がニッケルであり、上記接合用金属が金であり、上記合金がニッケル−コバルト系合金であることを特徴とするものである。

本発明によれば、プローブ端子の配列に自由度が高く、被検査体の種々の電極配列に即してプローブ端子の配列を変えることができ、しかも検査時の熱的影響を受け難く高低差を吸収することができコンタクト性に優れ正確且つ確実に被検査体と接触して高精度で信頼性の高い検査を行うことができるコンタクタを提供することができる。

以下、図１〜図６に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。尚、各図中、図１は本発明のコンタクタの要部を拡大して示す平面図、図２は図１に示すコンタクタを示す側面図、図３の（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ図１に示すプローブ端子のバンプ部分を製造する工程を示す図、図４の（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ図１に示すプローブ端子のバンプ部分以外の部分を製造する工程を示す図、図５の（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明のコンタクタの他の実施形態の要部を示す図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）の側面図、図６の（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明のコンタクタの更に他の実施形態の要部を示す図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）の側面図である。

本実施形態のコンタクタ１は、例えば図１、図２に示すように、被検査体であるウエハ（図示せず）と略同一大きさに形成されたシリコン基板２と、このシリコン基板２の表面全面にマトリックス状に配列され且つニッケル、ニッケル合金等の導電性金属からなる複数の矩形状の第１電極３と、これらの電極３上にそれぞれ配設された複数のプローブ端子４とを備え、各プローブ端子４がウエハ全面に形成されたアルミニウム、銅等の導電性金属からなる検査用電極パッド（図示せず）と一括して接触し、例えば複数（例えば１６個または３２個）のＩＣチップを同時に検査できるようにしてある。また、シリコン基板２の裏面には表面の第１電極３に対応する第２電極５が第１電極３と同種の導電性金属により形成され、表裏の第１、第２電極３、５はビアホールの接続導体６を介して電気的に接続されている。

上記プローブ端子４は、図１、図２に示すように、第１電極３表面の対向する隅角部にそれぞれ立設された同一高さの一対の導電性支持柱７と、これらの導電性支持柱７上端で水平に導通自在に片持ち支持された平面形状がコ字状の弾性支持プレート（以下、「カンチレバーバネ」と称す。）８と、このカンチレバーバネ８の自由端部で導通自在に支持されたバンプ９とを有している。尚、カンチレバーバネ８の平面形状はコ字状に限らずく字状を呈するものであっても良い。

即ち、カンチレバーバネ８は、互いに対向する二辺の基端部で一対の導電性支持柱７の上端に連結され、残りの一辺の自由端が隣のカンチレバーバネ８に接近している。そして、カンチレバーバネ８の自由端部の中央部にバンプ９が固定されている。バンプ９は、図１、図２に示すように、略円柱状に形成された支持部である円柱部９Ａと、この円柱部９Ａの上面に連接されて一体化した接触部である四角錐台部９Ｂとからなっている。そして、例えば、カンチレバーバネ８はニッケルやニッケル−コバルト系合金等のバネ力及び靭性のある導電性金属によって形成されている。従って、バンプ９がウエハの電極パッドと接触した時に、カンチレバーバネ８のバネ力でバンプ９を電極パッドに押し付けてバンプ９と電極パッド間の導通を図ると共に電極パッドの高低差を吸収するようにしてある。また、バンプ９は、例えば円柱部９Ａがカンチレバーバネ８と同一の導電性金属によって形成され、四角錐台部９Ｂがウエハの電極パッドより硬度の高い材料、例えばタングステンカーバイド等の導電性金属によって形成されている。そして、プローブ端子４の表面には例えば金、ロジウムあるいはこれらの合金等の良導性金属によってコーティングされている。

また、図２に示すように上記シリコン基板２の裏面には例えば金合金等からなるリボン状の弾性接続部材１０を介してパフォーマンスボード等のプリント配線基板１１が接続され、プリント配線基板１１を介してコンタクタ１をテスタ（図示せず）側へ接続するようにしてある。リボン状の弾性接続部材１０は同図に示すように折曲面１０Ａを有し、この折曲面１０Ａがシリコン基板２裏面の第２電極５に接続され、その他端がプリント配線基板１１の電極１１Ａに接続されている。この弾性接続部材１０表面は、例えば、ニッケルやニッケル−コバルト系合金等のバネ力及び靭性のある導電性金属膜によって形成され、リボン対応のボンディング装置によって第２電極５に対して自動接続できるようにしてある。

次に、例えば図４及び図４を参照しながらＬＩＧＡ（Lithographie,Galvanoformung,Abformung）プロセスを用いた本実施形態のコンタクタ１の製造方法について説明する。

まず、図３の（ａ）に示すようにシリコン基板２１表面にシリコン酸化膜２１Ａを形成した後、その表面にレジスト膜２２を形成する。次いで、バンプ９のパターンに即したフォトマスク２３を介して露光した後、レジスト膜２２を現像処理し、同図に示すようにレジスト膜２２に四角形の孔２２Ａを明ける。引き続き、孔２２Ａの部分のシリコン酸化膜２１Ａを除去した後、シリコン基板２１に異方性エッチングを施し、同図の（ｂ）に示すように逆四角錐台状の孔２１Ｂを明けた後、レジスト膜２２及びシリコン酸化膜２１Ａを除去する。

更に、図３の（ｃ）に示すようにシリコン基板２１の表面に酸化膜２４を形成し、その表面にチタン膜２５を形成する。次いで、レジスト塗布し、孔２１Ｂに相当する部分のレジスト膜を露光、現像処理により除去して孔２１Ｂを開口した後、タングステンカーバイド−コバルト合金をスパッタリングし、同図の（ｄ）に示すようにシリコン基板２１の孔２１Ｂをタングステンカーバイド−コバルト合金で埋め、プローブ端子４のバンプ９の四角錐台部（接触部）９Ｂに相当する部分を形成する。シリコン酸化膜２４がバンプ９の四角錐台部９Ｂをシリコン基板２１の孔２１Ｂから分離する時の分離層となり、チタン膜２５が四角錐台部９Ｂを形成するタングステンカーバイド−コバルト合金の金属拡散防止用のバリア層になる。

然る後、図４の（ａ）に示すようにポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）を含有し透明度の高いレジストを塗布して犠牲層２６を形成し、この犠牲層２６に対して露光、現像処理を施し、バンプ９の四角錐台部９Ｂの該当箇所に円形状または四角形状の孔２６Ａを形成する。透明度の高いＰＭＭＡを用いることによりＸ線等の光線が犠牲層２６を直進して透過し、アスペクト比の高い孔２６Ａを形成する。次いで、図４の（ｂ）に示すように電鋳処理により例えばニッケル合金で孔２６Ａを埋め、バンプ９の円柱部９Ａを形成する。

次に、図４の（ｂ）で示す犠牲層２６表面及びニッケル合金からなる円柱部９Ａの表面にチタン膜の分離層を形成し、更にその表面にレジスト膜を形成した後、露光、現像処理によりニッケル合金からなる円柱部９Ａの該当箇所を開口し、その部分のチタン膜をエッチング処理により除去し円柱部９Ａのニッケル合金を無垢の状態にする。更にその表面にＰＭＭＡを含有するレジストを塗布し、犠牲層２７を形成した後、所定パターンを露光、現像処理により開口し犠牲層２７にカンチレバーバネに相当する凹部を形成し、図４の（ｃ）に示すようにこの凹部を電鋳処理によりニッケル合金で埋めてカンチレバーバネ８を形成すると共にカンチレバーバネ８と円柱部９Ａとを一体化する。

引き続き、図４の（ｃ）と同様の処理を行って犠牲層２６と同一の樹脂からなる犠牲層２８及びその円周状孔２８Ａを形成し、この円柱孔２８Ａにニッケル合金を埋めて図４の（ｄ）に示すように導電性支持柱７を形成し、結果としてシリコン基板２１の表面の犠牲層２６、２７、２８内にプローブ端子４を形成することができる。次いで、このシリコン基板２１をコンタクタ用のシリコン基板２に接合し、導電性支持柱７をシリコン基板２の第１電極３と接続し、両シリコン基板２、２１を一体化する。次いで、フッ酸等で処理してプローブ端子４を犠牲層２６、２７、２８から分離する。

更に、ボンディング装置を用いて弾性接続部材１０をシリコン基板２の第２電極５に接続すると共にこの面に例えばワックス等を犠牲層として塗布し、弾性接続部材１０を犠牲層内に埋める。次いで、犠牲層表面を研磨し、弾性接続部材１０の自由端を同一高さに揃えた後、プリント配線基板１１と接合し、弾性接続部材１０の自由端をプリント配線基板１１の電極１１Ａに接続してプリント配線基板１１をシリコン基板２と一体化し、結果的にシリコン基板２とプリント配線基板１１を一体化する。その後、ワックスを除去してプリント配線基板１１に接続されたコンタクタ１となる。

次に、例えばコンタクタ１をプローブ装置に装着した場合のコンタクタ１の動作について説明する。例えば、プローブ装置内でＸ、Ｙ、Ｚ及びθ方向に移動可能な載置台（図示せず）上にウエハを載置した後、載置台がコンタクタ１の真下まで移動し、位置合わせ機構を用いて各プローブ端子４とウエハの各電極パッドの位置合わせを行う。次いで、載置台が上昇するとウエハ全面に形成された電極パッドがコンタクタ１の全てのプローブ端子４と一括接触する。更に、載置台がオーバードライブするとプローブ端子４に針圧が作用する。この際、ウエハの各電極パッド間に高低差があってもそれぞれの電極パッドの高さに応じてカンチレバーバネ８が弾性変形してそれぞれの高低差を吸収すると共に、プローブ端子４のバンプ９がカンチレバーバネ８のバネ力で各電極パッド内に確実に食い込んで電極パッドと電気的に接触し、テスタと各ＩＣチップ間を導通し、例えばチャンネルを切り換えながらＩＣチップを３２個ずつ全てのＩＣチップについて検査する。

また、本実施形態では、コンタクタ１とパフォーマンスボード等のプリント配線基板１１とが弾性接続部材１０によって接続されているため、弾性接続部材１０によってもウエハの電極パッドの高低差を吸収することができ、しかもバンプ９の電極パッドへの押し込み力を付与することができる。また、本実施形態のコンタクタ１を装着したプローブ装置を半導体製造プロセスに組み込んでインライン化すれば、プロセスの早期段階で不良品をスクリーニングすることができる。

以上説明したように本実施形態によれば、プローブ端子４は、シリコン基板２の表面全面に配列して形成された第１電極３上に立設された導電性支持柱７と、この導電性支持柱７上端で導通自在に片持ち支持されたカンチレバーバネ８と、このカンチレバーバネ８で支持されたバンプ９とを有するため、ウエハの電極パッドが狭ピッチ化し、ＩＣチップ内の電極パッドの配列が複数列になっても、これらの電極パッドの配列に対応してプローブ端子４を自由に配置することができると共に検査中に発熱してもプローブ端子４の熱的影響を受けることなく全てのプローブ端子４と電極パッド間の位置ずれがなく正確且つ確実に接触し、しかもカンチレバーバネ８によってウエハの反り等の起因する電極パッドの高低差を吸収して良好なコンタクト特性を得ることができ、高精度の検査を行うことができる。また、本実施形態のコンタクタ１はパフォーマンスボード等のプリント配線基板１１と弾性接続部材１０を介して接続されているため、ウエハに反り等があっても弾性接続部材１０を介してその反りを吸収し、コンタクタ１のコンタクト性を更に高めることができる。

次に、本発明の他の実施形態について図５、図６を参照しながら説明する。図５及び図６に示すコンタクタは基本的にはプローブ端子を異にする以外は上記実施形態に準じて構成されているため、上記実施形態と同一または相当部分には同一符号を附して説明する。図５に示すプローブ端子４は、正方形状の第１電極３上の対角線上の隅角部にそれぞれ立設された一対の導電性支持柱７と、この導電性支持柱７上端で支持された正方形の枠状の支持プレート８と、この支持プレート８の対角線上に一体に形成された架設部８Ａの中央部で支持されたバンプ９とを有している。そして、同図に示すようにバンプ９は先端に平坦面を有する円柱状に形成されている。

このプローブ端子４の場合には上記実施形態の場合のように全端が尖っていないため、電極パッド上に半田バンプが形成されたウエハの検査を行う場合に好適に用いることができる。つまり、バンプ９の先端が平坦面であるため、プローブ端子４が半田バンプに接触し、オーバードライブが掛かってもプローブ端子４のバンプ９が半田バンプ内に食い込まず、半田バンプと平坦面全面で電気的に接触してＩＣチップの検査を行うことができ、しかも、半田バンプの高低差は架設部８Ａの弾性変形によって吸収することができ、上記実施形態と同様の作用効果を期することができる。従って、バンプ９が半田バンプに対して垂直に押し当てるため、検査後のリフロー時にゴミ等が半田バンプ内に入り込むことなく半田バンプを元の形態に戻すことができ、各ＩＣチップをフリップチップ実装用のＫＧＤとして提供することができる。

また、図６に示すプローブ端子４はアルミニウムパッド用として用いるもので、このプローブ端子４は、図５に示す支持プレート８の架設部８Ａが中心で切断された一対のカンチレバーバネ部８Ｂ、８Ｂとして形成され、しかもそれぞれの先端の間に僅かな隙間が形成された状態になっている。そして、一対のカンチレバーバネ部８Ｂ、８Ｂの自由端部に、四角柱状または円柱状のバンプ９を縦方向に二つ持つ分割バンプ９Ａ、９Ａが固定されている。このプローブ端子４の場合には、プローブ端子４がアルミニウムパッドに接触すると、分割バンプ９Ａ、９Ａがカンチレバーバネ部８Ｂ、８Ｂのバネ力に抗して第２電極３側に押し込まれると共に分割バンプ９Ａ、９Ａの分割面が接触して一つのバンプになってアルミニウムパッドと電気的に接触し、図５に示したコンタクタと同様の検査を行うことができ、同様の作用効果を期することができる。

上記各実施形態では、プローブ端子４を構成するカンチレバーバネ８、支持プレート８あるいはアンチレバーバネ部８Ｂである弾性支持プレートは、ニッケル合金、ニッケル−コバルト系合金等のバネ力及び靭性のある導電性金属によって形成されている場合について説明したが、本発明では弾性支持プレートは、バネ力及び靭性を備えた導電性金属で形成されたものであれば、単一種の金属ではなく複数の金属種の積層構造であっても良い。複数種の金属種からなる弾性支持プレートは、例えば、中核をなすコア金属と、このコア金属のバネ性を補足し且つコア金属を含む合金層と、この合金層とコア金属間に介在してこれら両者の接合を媒介する接合用金属層とからなる三層構造の金属から形成されたものがある。例えば、コア金属としてはニッケル、合金層としてはニッケル−コバルト系合金、接合用金属層としては金が用いられる。しかしニッケル−コバルト系合金はニッケルとの密着性に劣るため、これら両者との密着性に優れた金を電気メッキ処理により接合用金属層としてニッケル合金とニッケル−コバルト系合金層の間に介在させる。また、上記各実施形態では、導電性支持柱はニッケル合金によって形成されているが、導電性支持柱も弾性支持プレートと同様にコア金属、合金層及び接合用金属層とからなる三層構造の金属から形成することができる。三層構造を形成する金属は上記実施形態に何等制限されるものではなく、必要に応じてプローブ端子として用いられる金属を適宜選択することができる。

尚、上記各実施形態ではプローブ端子をニッケルベースで製造する場合について説明したが、パラジウム等の貴金属を用いることもできる。また、上記実施形態では分離層としてチタンを用いたがチタンに代えて銀等も用いることができる。また、図５、図６に示すバンプはその他の図面に示す四角錐台部を有するバンプとして形成しても良く、また、プローブ端子のバンプを除いた部分を絶縁膜で保護しても良く、また、プローブ端子の形状及び配列は上記実施形態に何等制限されるものではない。

本発明は、検査装置のコンタクタに好適に利用することができる。

本発明のコンタクタの要部を拡大して示す平面図である。図１に示すコンタクタを示す側面図である。（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ図１に示すプローブ端子のバンプ部分を製造する工程を示す図である。（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ図１に示すプローブ端子のバンプ部分以外の部分を製造する工程を示す図である。本発明のコンタクタの他の実施形態の要部を示す図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）の側面図である。本発明のコンタクタの更に他の実施形態の要部を示す図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）の側面図である。

符号の説明

１コンタクタ２シリコン基板３第１電極、電極４プローブ端子５第２電極７導電性支持柱（導電性支持部材）８カンチレバーバネ、支持プレート８Ａ架設部８Ｂカンチレバーバネ部９バンプ９Ａ円柱部（支持部）９Ｂ四角錐台部（接触部）１０弾性接続部材

Claims

基板の一方の面全面に配列された複数の第１電極と、これらの電極にそれぞれ設けられたプローブ端子と、これらのプローブ端子及び第１電極に対応して上記基板の他方の面全面に配列された複数の第２電極と、これらの第２電極とテスタ側の配線基板とを互いに導通する弾性接続部材とを備え、上記複数のプローブ端子が被検査体と一括接触してその電気的特性検査を行うコンタクタであって、上記プローブ端子は、第１電極上に立設された導電性支持部材と、この導電性支持部材上端で導通自在に片持ち支持された弾性支持プレートと、この弾性支持プレートの自由端部で支持されたバンプと、を有することを特徴とするコンタクタ。
基板の一方の面全面に配列された複数の第１電極と、これらの電極にそれぞれ設けられたプローブ端子と、これらのプローブ端子及び第１電極に対応して上記基板の他方の面全面に配列された複数の第２電極と、これらの第２電極とテスタ側の配線基板とを互いに導通する弾性接続部材とを備え、上記複数のプローブ端子が被検査体と一括接触してその電気的特性検査を行うコンタクタであって、上記プローブ端子は、第１電極上に立設された導電性支持部材と、この導電性支持部材上端で互いに先端を接近させて導通自在に片持ち支持された複数の弾性支持プレートと、各弾性支持プレートの自由端部でそれぞれ支持されたバンプと、を有することを特徴とするコンタクタ。
基板の一方の面全面に配列された複数の第１電極と、これらの電極にそれぞれ設けられたプローブ端子と、これらのプローブ端子及び第１電極に対応して上記基板の他方の面全面に配列された複数の第２電極と、これらの第２電極とテスタ側の配線基板とを互いに導通する弾性接続部材とを備え、上記複数のプローブ端子が被検査体と一括接触してその電気的特性検査を行うコンタクタであって、上記プローブ端子は、第１電極上に立設された導電性支持部材と、この導電性支持部材上端で支持された導電性環状プレートと、この導電性環状プレートと一体に形成された弾性架設部中央で支持されたバンプと、を有することを特徴とするコンタクタ。
上記バンプは、先端が平坦面で先端部から基端部に向けて徐々に太くなる接触部と、この接触部を支持する支持部とからなることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のコンタクタ。
上記バンプは、円柱状に形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のコンタクタ。
上記プローブ端子は、骨格をなすコア金属と、このコア金属のバネ性を補足し且つコア金属を被覆する合金層と、この合金層とコア金属との間に介在してこれら両者を接合する接合用金属層とからなることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のコンタクタ。
上記コア金属がニッケルであり、上記接合用金属が金であり、上記合金がニッケル−コバルト系合金であることを特徴とする請求項６に記載のコンタクタ。