JP2007131943A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2007131943A5
JP2007131943A5 JP2006274848A JP2006274848A JP2007131943A5 JP 2007131943 A5 JP2007131943 A5 JP 2007131943A5 JP 2006274848 A JP2006274848 A JP 2006274848A JP 2006274848 A JP2006274848 A JP 2006274848A JP 2007131943 A5 JP2007131943 A5 JP 2007131943A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
yttrium oxide
composite
composite structure
fine particles
polycrystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006274848A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2007131943A (ja
JP5093745B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP2006274848A external-priority patent/JP5093745B2/ja
Priority to JP2006274848A priority Critical patent/JP5093745B2/ja
Priority to CN2006800375538A priority patent/CN101283118B/zh
Priority to US12/083,065 priority patent/US7897268B2/en
Priority to PCT/JP2006/320203 priority patent/WO2007043520A1/ja
Priority to KR1020087008410A priority patent/KR100983952B1/ko
Priority to TW095137582A priority patent/TWI315356B/zh
Publication of JP2007131943A publication Critical patent/JP2007131943A/ja
Publication of JP2007131943A5 publication Critical patent/JP2007131943A5/ja
Publication of JP5093745B2 publication Critical patent/JP5093745B2/ja
Application granted granted Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2006274848A 2005-10-12 2006-10-06 複合構造物 Expired - Fee Related JP5093745B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006274848A JP5093745B2 (ja) 2005-10-12 2006-10-06 複合構造物
KR1020087008410A KR100983952B1 (ko) 2005-10-12 2006-10-10 복합구조물
US12/083,065 US7897268B2 (en) 2005-10-12 2006-10-10 Composite structure
PCT/JP2006/320203 WO2007043520A1 (ja) 2005-10-12 2006-10-10 複合構造物
CN2006800375538A CN101283118B (zh) 2005-10-12 2006-10-10 复合结构物
TW095137582A TWI315356B (en) 2005-10-12 2006-10-12 Composite structure body

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005298223 2005-10-12
JP2005298223 2005-10-12
JP2006274848A JP5093745B2 (ja) 2005-10-12 2006-10-06 複合構造物

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007131943A JP2007131943A (ja) 2007-05-31
JP2007131943A5 true JP2007131943A5 (https=) 2011-02-17
JP5093745B2 JP5093745B2 (ja) 2012-12-12

Family

ID=37942756

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006274848A Expired - Fee Related JP5093745B2 (ja) 2005-10-12 2006-10-06 複合構造物

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7897268B2 (https=)
JP (1) JP5093745B2 (https=)
KR (1) KR100983952B1 (https=)
CN (1) CN101283118B (https=)
TW (1) TWI315356B (https=)
WO (1) WO2007043520A1 (https=)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103348454B (zh) * 2010-12-01 2016-04-06 株式会社东芝 等离子体蚀刻装置部件及其制造方法
TW201334035A (zh) * 2011-10-06 2013-08-16 葛林陀德德拉威公司 抗電漿蝕刻膜,承載抗電漿蝕刻膜之物品及相關的方法
KR101637801B1 (ko) * 2012-05-22 2016-07-07 가부시끼가이샤 도시바 플라즈마 처리 장치용 부품 및 플라즈마 처리 장치용 부품의 제조 방법
JP5656036B2 (ja) * 2013-03-28 2015-01-21 Toto株式会社 複合構造物
JP5888458B2 (ja) * 2014-06-26 2016-03-22 Toto株式会社 耐プラズマ性部材及びその製造方法
JP2016008352A (ja) * 2014-06-26 2016-01-18 Toto株式会社 耐プラズマ性部材
JP6808168B2 (ja) 2015-12-24 2021-01-06 Toto株式会社 耐プラズマ性部材
US11047035B2 (en) 2018-02-23 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Protective yttria coating for semiconductor equipment parts
JP7165748B2 (ja) * 2018-12-05 2022-11-04 京セラ株式会社 プラズマ処理装置用部材およびこれを備えるプラズマ処理装置
WO2020218265A1 (ja) * 2019-04-26 2020-10-29 京セラ株式会社 プラズマ処理装置用部材およびプラズマ処理装置
KR102490570B1 (ko) * 2022-05-23 2023-01-20 주식회사 코미코 희토류 금속 화합물 분말의 열처리 공정을 이용하여 저 명도의 내플라즈마성 코팅막의 제조방법 및 이에 의해 형성된 내플라즈마성 코팅막
TW202409316A (zh) * 2022-08-19 2024-03-01 日商Agc股份有限公司 釔質保護膜及其製造方法以及構件

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3655402B2 (ja) 1996-09-03 2005-06-02 日本放送協会 光メモリ材料およびその製造方法
JP3265481B2 (ja) * 1999-04-23 2002-03-11 独立行政法人産業技術総合研究所 脆性材料超微粒子成形体の低温成形法
JP3348154B2 (ja) * 1999-10-12 2002-11-20 独立行政法人産業技術総合研究所 複合構造物及びその作製方法並びに作製装置
JP4205912B2 (ja) 2002-08-13 2009-01-07 時田シーブイディーシステムズ株式会社 透明な酸化イットリウム膜とその製造方法
JP4006535B2 (ja) 2003-11-25 2007-11-14 独立行政法人産業技術総合研究所 半導体または液晶製造装置部材およびその製造方法
JP3864958B2 (ja) * 2004-02-02 2007-01-10 東陶機器株式会社 耐プラズマ性を有する半導体製造装置用部材およびその作製方法
JP2005217349A (ja) * 2004-02-02 2005-08-11 Toto Ltd 耐プラズマ性を有する半導体製造装置用部材およびその作製方法
JP2005217350A (ja) 2004-02-02 2005-08-11 Toto Ltd 耐プラズマ性を有する半導体製造装置用部材およびその作製方法
TW200724506A (en) * 2005-10-07 2007-07-01 Ohara Kk Inorganic composition
JP2007109828A (ja) * 2005-10-12 2007-04-26 Toto Ltd 耐プラズマ性部材
JP2007109827A (ja) * 2005-10-12 2007-04-26 Toto Ltd 静電チャック

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007131943A5 (https=)
CN102428586B (zh) 钨青铜型压电材料及其制备方法
CN104884409B (zh) 耐等离子性构件
JP4006535B2 (ja) 半導体または液晶製造装置部材およびその製造方法
TWI335854B (https=)
TWI643978B (zh) 半導體製造裝置用構件
EP2930751B1 (en) Handle substrate for compound substrate for use with semiconductor
TW202311202A (zh) 用於電漿環境中的腔室部件的氧化釔 二氧化鋯耐蝕材料
EP1674663A3 (en) Thermal barrier coating material, thermal barrier member, and member coated with thermal barrier and method for manufacturing the same
JP2013512786A5 (https=)
CN105981132A (zh) 半导体用复合基板的操作基板及半导体用复合基板
TWI812459B (zh) 具有低熱導率的軸的高溫用基座及其方法
EP2871668B1 (en) Handle substrate for compound substrate for use with semiconductor
WO2015119302A1 (ja) 多孔質板状フィラー集合体及びその製造方法、並びに多孔質板状フィラー集合体を含む断熱膜
JP5545803B2 (ja) セラミックス多孔質焼結体の製造方法
CN109686659A (zh) 一种在不同衬底材料上制备薄膜的方法
KR101161172B1 (ko) 치아교정용 세라믹 브라켓의 제조방법
CN104073797B (zh) 复合结构物
JP2008508719A5 (https=)
US20160276141A1 (en) Semiconductor processing apparatus with protective coating including amorphous phase
JP2007126712A (ja) 溶射用粉末及び溶射皮膜の形成方法
Phan et al. Comparison of ZnO thin films grown on a polycrystalline 3C–SiC buffer layer by RF magnetron sputtering and a sol–gel method
TWI394619B (zh) 熔射用粉末及熔射薄膜之形成方法
JP2011217493A5 (https=)
Kim et al. Effect of atmosphere on stability of Pb (Mg13Nb23) O3 (PMN) ceramics