JP2007130871A - テンプレート、テンプレートの製造方法およびパターンの形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透明基板11にシリコン系の薄膜15を形成する。薄膜15の表面に感光性樹脂層17を形成する。透明基板11に光Aを照射し、透明基板11の表面にレジストパターン21を形成する。レジストパターン21をマスクとして、薄膜15にエッチングを行い、シリコンパターン23を形成する。シリコンパターン23を酸化処理し、透明基板11の表面に酸化シリコンパターン13を形成する。
【選択図】図2
Description
たとえば、『基板の表面に成形可能層を塗布する工程と、複数の突出フィーチャを有する成形表面を備えた型を提供する工程と、直接流体圧力によって成形表面および成形可能層を共に押し付け、突出フィーチャの下側の成形可能層の厚さを薄くし薄くなった領域を生成する工程と、成形可能層から型を取り去る工程とを含む、基板の表面を処理するための方法』もしくはこの方法に加えて、『選択的に基板の領域を露出させるために、薄くなった領域から成形可能層の材料を除去する工程と、基板の露出領域を選択的にさらに処理する工程とをさらに行なう方法』が提案されている(例えば、[特許文献1]参照。)。
シリコン系薄膜の酸化は、熱酸化による方法、酸素イオン打ち込みによる方法、加熱しながらオゾンガスを供給する方法等によって行われる。
そして、シリコン系の薄膜15上には正確に微細パターンを形成することが可能である。その理由は、インプリント用テンプレート10では、フォトリソグラフィにより微細なシリコンパターン23を形成することができる。シリコンパターン23の酸化処理によって酸化シリコンパターン13が形成されるので、酸化シリコンパターン13は、シリコンパターン23と同様微細なものとなる。従って、インプリント用テンプレート10では、透明基板11に直接エッチングを施すことなく、透明でかつ高精度な微細パターンを得ることができる。
図3は、インプリント用テンプレート10を用いて別の基板に凹凸パターンを形成する際の各工程を示す図である。
以上の過程を経て、インプリント用テンプレート10を用いて石英基板31上に凹凸パターンを形成する。
まず、図4(a)に示すように、石英基板31にクロム薄膜41を積層し、クロム薄膜41上にインプリントレジスト33を塗布する。次に図4(b)に示すように、インプリント用テンプレート10と、クロム薄膜41が積層された石英基板31とを重ねる。次に、図4(c)に示すように、インプリント用テンプレート10をインプリントレジスト33に密着させる。インプリントレジスト33は、インプリント用テンプレート10の酸化シリコンパターン13の凹凸によって賦型される。次に、インプリント用テンプレート10と石英基板31が密着した状態で、インプリントレジスト33を硬化させる。次に、図4(d)に示すように、インプリント用テンプレート10を取り離し、インプリントレジスト33上にパターン43を形成する。次に、図4(e)に示すように、パターン43をマスクとしてクロム薄膜41にエッチング等を施し、クロム薄膜41上にパターン45を形成する。次に図4(f)に示すように、パターン45をマスクとして石英基板31上にエッチングを施し、石英基板31上に凹凸のパターン47を形成する。
11………透明基板
13………酸化シリコンパターン
15………薄膜
17………感光性樹脂層
19………マスク
21………レジストパターン
23………シリコンパターン
Claims (12)
- ナノインプリントに用いられるテンプレートの製造方法であって、
透明の第1の基板の表面に不透明薄膜を形成する工程と、
前記不透明薄膜に、凹凸で構成された第1のパターンを形成する工程と、
第1のパターンが形成された前記不透明薄膜を透明化する工程と、
を具備することを特徴とするテンプレートの製造方法。 - 前記不透明薄膜を透明化する工程は、前記不透明薄膜の酸化によるものであることを特徴とする請求項1記載のテンプレートの製造方法。
- 前記不透明薄膜の酸化は、熱酸化によるものであることを特徴とする請求項2記載のテンプレートの製造方法。
- 前記不透明薄膜の酸化は、酸素イオン打ち込みによるものであることを特徴とする請求項2記載のテンプレートの製造方法。
- 前記不透明薄膜の酸化は、加熱しながらオゾンガスを供給することにより行われるものであることを特徴とする請求項2記載のテンプレートの製造方法。
- 前記不透明薄膜は、シリコン又はシリコン化合物であることを特徴とする請求項1記載のテンプレートの製造方法。
- 前記凹凸が、前記不透明薄膜の有無により形成されたものであることを特徴とする請求項1記載のテンプレートの製造方法。
- 前記第1のパターンは、リソグラフィにより形成されることを特徴とする請求項1記載のテンプレートの製造方法。
- 前記第1のパターンを形成するための前記リソグラフィにおいて、不透明薄膜の透明化の工程における寸法の変動を予め補正したパターンデータを用いることを特徴とする請求項8記載のテンプレートの製造方法。
- 透明基板と、
前記透明基板上に形成され、凹凸で構成された酸化シリコンパターン層、または酸化シリコン化合物パターン層と、
を具備することを特徴とするインプリント用テンプレート。 - ナノインプリントによる凹凸パターンの形成方法であって、
第2の基板の表面に重合性樹脂層を形成する工程と、
請求項1記載の製造方法によって得られたテンプレートと、前記第2の基板の前記重合性樹脂層とを重ね合わせ、前記テンプレートの第1のパターンにより前記重合性樹脂層を賦型する工程と、
前記重合性樹脂を硬化させ、前記重合性樹脂層に前記第1のパターンの逆型形状である凹凸で構成された第2のパターンを形成する工程と、
前記第2のパターンをマスクとして前記第2の基板の表面に凹凸で構成された第3のパターンを形成する工程と、
を具備することを特徴とするテンプレートを用いたパターンの形成方法。 - ナノインプリントによる凹凸パターンの形成方法であって、
石英基板上にクロム薄膜が積層された第3の基板の表面に重合性樹脂層を形成する工程と、
請求項1記載の製造方法によって得られたテンプレートと、前記第3の基板の前記重合性樹脂層とを重ね合わせ、前記テンプレートの第1のパターンにより
前記重合性樹脂層を賦型する工程と、
前記重合性樹脂を硬化させ、前記重合性樹脂層に前記第1のパターンの逆型形状である凹凸で構成された第4のパターンを形成する工程と、
前記第4のパターンをマスクとして前記クロム薄膜上に第5のパターンを形成する工程と、
前記第5のパターンをマスクとして、前記基板の表面に凹凸で構成された第6のパターンを形成する工程と、
を具備することを特徴とするテンプレートを用いたパターンの形成方法。
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