JP2007129143A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本件発明の半導体素子の製造方法は、基板2の表面側に半導体積層体9を形成する工程と、基板2の裏面60側からレーザビームを照射してレーザスクライブすることにより、分割しようとする個々の半導体素子の外周に沿って分割溝50を形成する工程と、基板2を分割溝50に沿ってブレーキングして個々の半導体素子1に分割する工程と、を含み、レーザビームを照射した際に分割溝50の内面に付着し、分割された個々の半導体素子1において基板2の裏面60側の周縁部に残った付着物52があり、付着物52のうち半導体素子1の基板裏面から突出した突起部52を除去し、半導体素子1の基板裏面を略全面に渡って平坦化する工程をさらに含むことを特徴とする。
【選択図】図1D
Description
特許文献1、2に開示されたウエハに研磨処理を施して、レーザスクライブの付着物を除去しようとする場合、図7Aに示すように、溝部、特に溝部の底部における付着物52の除去が困難であり、一方で、基板分割には深い分割溝が必要となるため、十分な付着物除去と基板分割とを同時に達成することが困難となる。
まず付着物の突出部は、半導体素子のハンドリング中に外部と接触を起こしやすい。再凝固した付着物は、付着力が弱く且つ脆いので、突出部分が接触すると容易に基板から剥がれ落ちて、半導体素子の不良品発生の原因であるパーティクルになる。本件発明によれば、突出部が予め除去されているため、付着物は基板の傾斜した側面にしか残っていない。この傾斜した側面は半導体素子のハンドリング時に外部と接触しにくいため、付着物に起因するパーティクル発生が顕著に減少する。
本件発明の半導体素子の製造方法は、基板の表面側に半導体積層体積層を形成して素子を作成する素子形成工程と、レーザスクライブにより基板に分割溝を形成するスクライブ工程と、分割溝に沿って基板をブレーキングして個々の半導体素子に分割する工程と、レーザスクライブで付着した付着物の突起部を除去する突起除去工程とを含んでいる。そして、分割した半導体素子は、ピックアップされて所定の実装基板にフェイスアップ又はフェイスダウンで実装する実装工程に使用される。以下に、レーザスクライブを用いた基板の分割方法(スクライブ工程及びブレーキング工程)について説明する。
まず、図1Aに示すように、素子の形成が終了した基板2を、半導体層9を下側にして粘着シート40に固定する。そして、基板2を研磨して薄膜化した後、基板2の裏面から素子の分割レーンに沿ってレーザビーム42を照射する。
本発明に係る基板、特にエピタキシャル成長用の基板としては、具体的な材料としては、窒化物半導体と異なる材料の異種基板として、例えば、C面、R面、及びA面のいずれかを主面とするサファイア、スピネル(MgA12O4)のような絶縁性基板、SiC(6H、4H、3Cを含む)、ZnS、ZnO、GaAs、Si、及び窒化物半導体と格子整合する酸化物基板等、窒化物半導体を成長させることが可能で従来から知られており、窒化物半導体と異なる基板材料を用いることができる。本発明における好ましい異種基板としては、硬度の高いサファイア、SiC、スピネルが挙げられる。このような異種基板はオフアングルしていてもよく、この場合ステップ状にオフアングルしたものを用いると窒化物半導体からなる下地層の成長が結晶性よく成長させることができ、また面内の組成分布を好適なものとでき好ましい。
実施形態2にかかる半導体素子の製造方法は、図1Dに示した研磨による突出部分の除去工程を除いては実施形態1と同様である。
本実施形態では、粘着シートを使用して付着物の突起部を除去するものである。以下にその方法を説明する。
基板の素子面に粘着シートを貼り付けた状態で、基板裏面に波長355nmのNd:YAGパルスレーザを掃引して分割溝を形成し、その後に分割溝に合わせてブレーキングした。ポリエステルシートにアルミナ研磨材を付着した研磨シートを用いて、サファイア基板の裏面を研磨した。
Claims (9)
- 基板の第1の主面上に半導体を形成する工程と、
前記基板の第1の主面と対向する第2の主面側からレーザを照射することにより、分割溝を形成する工程と、
前記基板を前記分割溝に沿って分割する工程と、を含む半導体素子の製造方法であって、
前記分割溝形成工程で、前記分割溝の側面に付着した付着物を有し、前記基板分割工程において、分割された基板の少なくとも一方の該側面に付着物が残ると共に、
前記分割された複数の基板の隣接する分割面がほぼ近接した状態に保持されて、前記付着物の少なくとも一部を除去する工程をさらに具備してなることを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記分割された複数の基板は、第1の主面側が粘着シートに付着されて、近接保持されていることを特徴とする請求項1記載の半導体素子の製造方法。
- 前記付着物が前記半導体素子の基板の第2の主面から突出した突起部を有し、前記付着物除去工程において、少なくとも該突起部を除去することを特徴とする請求項1又は2記載の半導体素子の製造方法。
- 前記付着物除去工程において、前記分割された基板の第2の主面の集合面を研磨することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記研磨する手段が、研磨材を付着または埋設させた研磨シート、又は研磨材を含有するブラシ、いずれかによる研磨であることを特徴とする請求項4に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記突起部の除去工程において、前記半導体素子の基板裏面に粘着シートを接着した後に引き剥がして前記付着物の突起部を除去することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- 基板と、前記基板の第1の主面上の半導体積層体と、を備えた半導体発光素子であって、
前記基板の側面は、前記半導体積層体側にあって基板主面に直交した第1の側面と、基板の第2の主面側にあって基板の第2の主面と該第1の側面に対して傾斜した第2の側面とを有し、
前記第2の側面に付着物が付着して、前記基板の第2の主面及び第1の側面が前記付着物より突出していると共に、
前記付着物を介して、前記第2の側面に金属膜が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記基板がサファイア基板であり、
前記半導体積層体が、n側窒化物半導体層、活性層及びp側窒化物半導体層を含んで成ることを特徴とする請求項7に記載の半導体素子。 - 前記請求項7又は8のいずれか1項に記載の半導体発光素子を載置部に有する発光装置であって、
前記載置部において、前記基板第2の主面側が接着部材を介して接着されていることを特徴とする発光装置。
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