JP2007116416A - 信号伝送回路 - Google Patents

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祐介 徳永
Shiro Sakiyama
史朗 崎山
Shiro Michimasa
志郎 道正
Yasuyuki Doi
康之 土居
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Abstract

【課題】従来の単一ソースフォロワにおける駆動能力低下の欠点を克服し、電圧モード伝送の低消費電力性を保持しつつ、高速伝送が可能な信号伝送回路を提供する。
【解決手段】ソースフォロワの出力電圧がLowからある一定の電圧に立ち上がる時間はバイアス電圧に依存するため、バイアス電圧を高くして出力電圧の収束電圧を高く設定することで、ある電圧まで立ち上がる時間を短縮できる。そこで、入力データ信号がLowからHiへ遷移した際に、出力電圧の収束値が所定のHi電圧となるようバイアスされた第1のソースフォロワ20と、1クロック周期の後に同Hi電圧となるようバイアスされた第2のソースフォロワ23とを用い、これら2つのソースフォロワ20,23を適切なタイミングで動作させる。
【選択図】図1

Description

本発明は、例えば半導体集積回路間の信号伝送技術に関するものである。
従来、低消費電力かつ低振幅の信号伝送回路として、単一のソースフォロワを用いる電圧モードの回路が知られている(特許文献1参照)。
他の従来技術によれば、低振幅かつ高速の出力信号が得られるように、プッシュプル構成の2個のNチャネルMOSトランジスタと、出力信号をプルアップトランジスタへフィードバックする1個のNOR回路とで、出力バッファ回路が構成される(特許文献2参照)。
更に、高速電圧モードの差動出力ドライバにエッジ強調回路を付加する技術も知られている(特許文献3参照)。
特開平6−45547号公報 特開平8−242161号公報 米国特許第6624670号明細書
単一のソースフォロワを用いた従来の回路では、論理高電圧(Hi電圧)を送信する際に、当該ソースフォロワを構成するNチャネルMOSトランジスタのゲート・ソース間電圧が当該NチャネルMOSトランジスタのしきい値電圧まで低下することによって駆動能力が低下し、伝送速度が落ちる欠点があった。
本発明の目的は、従来の駆動能力低下の欠点を克服し、電圧モード伝送の低消費電力性を保持しつつ、高速伝送が可能な信号伝送回路を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、伝送路を電圧モードで駆動する信号伝送回路において、各々MOSトランジスタで構成された第1及び第2のソースフォロワと、第1のソースフォロワに第1のバイアス電圧を印加する第1のバイアス回路と、第2のソースフォロワに第1のバイアス電圧とは異なる第2のバイアス電圧を印加する第2のバイアス回路と、入力データ信号が第1の論理値から第2の論理値へ遷移した時点から1クロック分の期間を表す強調データ信号を生成する回路とを備え、第1のソースフォロワは入力データ信号に応じて、第2のソースフォロワは強調データ信号に応じてそれぞれ伝送路を駆動することとしたものである。
一般にソースフォロワの出力電圧及びその遷移に要する時間は、バイアス電圧に依存する。したがって、本発明によれば、互いに異なるバイアス電圧が印加される第1及び第2のソースフォロワを用意し、低速動作する第1のソースフォロワを入力データ信号に応じて、高速動作する第2のソースフォロワを強調データ信号に応じてそれぞれ動作させることにより、電圧モードにて伝送路を高速駆動することができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
《第1の実施形態》
図1は、本発明の第1の実施形態に係る信号伝送回路の構成を示している。図1の信号伝送回路は、各々の伝送路Lへクロック信号を送信するためのクロック送信回路とデータ信号を送信するためのデータ送信回路とを有するシングルエンド出力形式の回路であって、各伝送路Lが電圧モードで駆動されるものである。
クロック送信回路は、各々NチャネルMOSトランジスタで構成された第1及び第2のソースフォロワ10,13と、各々NチャネルMOSトランジスタで構成された第1、第2及び第3のスイッチングトランジスタ11,12,14とを備えている。第1のソースフォロワ10のドレインは電源Vddに、第1のソースフォロワ10のソースは第1のスイッチングトランジスタ11を介して送信端にそれぞれ接続されている。また、第2のソースフォロワ13のドレインは電源Vddに、第2のソースフォロワ13のソースは第3のスイッチングトランジスタ14を介して送信端にそれぞれ接続されている。送信端は、第2のスイッチングトランジスタ12を介してグランドに接続されている。第1のソースフォロワ10のゲートには第1のバイアス電圧Vbias1が、第2のソースフォロワ13のゲートにはVbias1と異なる第2のバイアス電圧Vbias2がそれぞれ印加される。また、第1及び第3のスイッチングトランジスタ11,14のゲートにはクロック(CLK)信号が、第2のスイッチングトランジスタ12のゲートには反転されたクロック信号がそれぞれ与えられる。
データ送信回路は、各々NチャネルMOSトランジスタで構成された第1及び第2のソースフォロワ20,23と、各々NチャネルMOSトランジスタで構成された第1、第2及び第3のスイッチングトランジスタ21,22,24とを備えている。第1のソースフォロワ20のドレインは電源Vddに、第1のソースフォロワ20のソースは第1のスイッチングトランジスタ21を介して送信端にそれぞれ接続されている。また、第2のソースフォロワ23のドレインは電源Vddに、第2のソースフォロワ23のソースは第3のスイッチングトランジスタ24を介して送信端にそれぞれ接続されている。送信端は、第2のスイッチングトランジスタ22を介してグランドに接続されている。第1のソースフォロワ20のゲートにはVbias1が、第2のソースフォロワ23のゲートにはVbias2がそれぞれ印加される。また、第1のスイッチングトランジスタ21のゲートには入力データ(DIN)信号が、第2のスイッチングトランジスタ22のゲートには反転された入力データ信号が、第3のスイッチングトランジスタ24のゲートには強調データ(Demp)信号がそれぞれ与えられる。つまり、第1のソースフォロワ20はDIN信号に応じて、第2のソースフォロワ23はDemp信号に応じて、それぞれ伝送路Lを駆動する。なお、DIN信号は、CLK信号に同期したシリアルデータ信号である。
図1には、Vbias1を生成するための第1のバイアス回路5と、Vbias2を生成するための第2のバイアス回路18とが更に示されている。第1のバイアス回路5は、1個のPチャネルMOSトランジスタ1と、1個のNチャネルMOSトランジスタ2と、1本の抵抗3と、1個の差動増幅器4とで構成される。差動増幅器4の反転入力は、予め設定された送信端Hi電圧(Vhi)に固定されている。第2のバイアス回路18は、クロック送信回路の送信端電圧の平均値を検出するための抵抗15及び容量16と、1個の差動増幅器17とで構成される。差動増幅器17の反転入力は、Vhiの半分の電圧に固定されている。
第1のバイアス回路5は、DIN信号がLowからHiへ遷移したときの第1のソースフォロワ10,20の出力電圧の収束値がVhiとなるように、Vbias1を決定する。一方、第2のバイアス回路18は、DIN信号がLowからHiへ遷移したときの第1のソースフォロワ10,20の出力電圧の収束値であるVhiの半分と、クロック送信回路の出力電圧の平均値とがほぼ等しくなるように、Vbias2を決定する。このようにして、Vbias1及びVbias2は、DIN信号がLowからHiへ遷移したときの第1のソースフォロワ10,20の出力電圧の収束値と、DIN信号がLowからHiへ遷移した後に1クロック分の期間が経過した時点の第2のソースフォロワ13,23の出力電圧とがほぼ等しくなるようにそれぞれ決定される。
図1には、強調データ(Demp)信号を生成するためのDemp信号生成回路30が更に示されている。このDemp信号生成回路30は、
Demp(n) = not(DIN(n−1)) and DIN(n)
に従って、DIN信号がLow(論理値0)からHi(論理値1)へ遷移した時点から1クロック分の期間を表すDemp信号を生成する。つまり、入力データ信号系列DIN(n)の連続したHi期間のうち最初の1クロック分の期間だけ、Demp信号がHiとなる。
図2(a)〜(c)は、図1の信号伝送回路の効果を説明するための信号波形図である。図2(a)は第1のソースフォロワ20の立ち上がり波形を、図2(b)は第2のソースフォロワ23の立ち上がり波形をそれぞれ表している。ここでは、CLK信号の1周期、すなわち1クロック分の期間の長さをTとしている。
図2(a)によれば、DIN信号がLowからHiへ遷移したときの第1のソースフォロワ20の出力電圧の収束値がVhiとなることが判る。この収束値Vhiは、Vbias1と、第1のソースフォロワ20を構成するNチャネルMOSトランジスタのしきい値電圧との差にほぼ等しい。一方、図2(b)によれば、DIN信号がLowからHiへ遷移した後に1Tの期間が経過した時点の第2のソースフォロワ23の出力電圧がVhiとなるようにVbias2が調整されていることが判る。一般にソースフォロワの出力電圧及びその遷移に要する時間は、バイアス電圧に依存する。したがって、Vbias1よりもVbias2を高い電圧値に設定することにより、第2のソースフォロワ23の出力電圧の立ち上がりを第1のソースフォロワ20よりも速くしているのである。ただし、第2のソースフォロワ23によるデータ送信端の駆動は、Demp信号によって、DIN信号がLowからHiへ遷移した時点から1Tの期間に限られる。その結果、図2(c)のような合成出力波形となり、従来の単一ソースフォロワ駆動の信号伝送回路では実現できない高速な出力信号系列を得ることができる。
なお、DIN信号がLowからHiへ遷移した時点から1Tの期間における第1のソースフォロワ20によるデータ送信端の駆動を停止して、第2のソースフォロワ23だけでデータ送信端を駆動することとしてもよい。
《第2の実施形態》
図3は、本発明の第2の実施形態に係る信号伝送回路の構成を示している。これは、上記第1の実施形態を差動出力形式へ変更したものである。図3において、100は差動出力構成のクロック送信回路であり、200は差動出力構成のデータ送信回路である。図3には、正相回路用の強調データ(Demp1)信号を生成するためのDemp信号生成回路31と、逆相回路用の強調データ(Demp2)信号を生成するためのDemp信号生成回路32とが更に示されている。Demp1信号は入力データ信号系列DIN(n)の連続したHi期間のうち最初の1クロック分の期間だけHiとなり、Demp2信号は入力データ信号系列DIN(n)を反転した信号系列の連続したHi期間のうち最初の1クロック分の期間だけHiとなる。Vbias1を生成するための第1のバイアス回路5の構成は、図1と同じである。
図4は、図3中のクロック送信回路100の詳細構成を示している。CLK信号に応答する正相回路は第1及び第2のソースフォロワ110,113と、3個のスイッチングトランジスタ111,112,114とにより、反転されたCLK信号に応答する逆相回路は第1及び第2のソースフォロワ120,123と、3個のスイッチングトランジスタ121,122,124とによりそれぞれ構成される。Vbias2を生成するための第2のバイアス回路118は、正相回路の送信端電圧と逆相回路の送信端電圧とを用いて平均電圧を検出するための抵抗115,125及び容量116と、1個の差動増幅器117とで構成される。差動増幅器117の反転入力は、Vhiの半分の電圧に固定されている。
図5は、図3中のデータ送信回路200の詳細構成を示している。DIN信号に応答する正相回路は第1及び第2のソースフォロワ210,213と、3個のスイッチングトランジスタ211,212,214とにより、反転されたDIN信号に応答する逆相回路は第1及び第2のソースフォロワ220,223と、3個のスイッチングトランジスタ221,222,224とによりそれぞれ構成される。
第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果が差動出力形式にて得られる。
《第3の実施形態》
伝送路カットオフ周波数以上の伝送周波数で差動信号を送信する場合、伝送路のフィルタ特性による信号波形振幅の減少が重要な課題となる。HiとLowが交互に1T毎に切り替わる波形は受信端では振幅の小さな波形となり、その中間値はHiとLowの電圧の中心値となる。一方、Lowがしばらく続いてHiに立ち上がりその1T後にまたLowに立ち下がる送信波形では、受信端電圧はLowからHiに立ち上がろうとする途中でまたLowに引き戻される。すなわち、HiとLowが交互に1T毎に切り替わる信号波形と、Lowに張り付いた状態からHiに立ち上がる信号波形とでは、立ち上がりの初期値は前者が高く後者が低い。当然、後者は受信回路のしきい値電圧まで波形が立ち上がる時間が前者よりも長くなり、このことは受信回路においてタイミング誤差(=ジッタ)として現れる。第3の実施形態は、この問題への対策を講じたものである。
図6は、本発明の第3の実施形態に係る信号伝送回路の構成を示している。図6において、300は差動出力構成のクロック送信回路であり、400は差動出力構成のデータ送信回路である。図6中の伝送路Lは、送信端からクロックパルス列を第1の電圧Vpp1で送信した信号波形が受信端で第2の電圧Vpp2に減衰する特性を持つものとする。また、受信端には比較的大きな抵抗値(数百Ω〜数kΩ)を持つ終端抵抗Rが設けられている。更に、本実施形態における第1のバイアス回路6では、差動増幅器4の反転入力電圧がVpp2に設定され、かつ抵抗3の抵抗値を終端抵抗Rと等しくしている。
図7は、図6中のクロック送信回路300の詳細構成を示している。CLK信号に応答する正相回路は第1及び第2のソースフォロワ310,313と、3個のスイッチングトランジスタ311,312,314とにより、反転されたCLK信号に応答する逆相回路は第1及び第2のソースフォロワ320,323と、3個のスイッチングトランジスタ321,322,324とによりそれぞれ構成される。Vbias2を生成するための第2のバイアス回路318は、正相回路の送信端電圧と逆相回路の送信端電圧とを用いて平均電圧を検出するための抵抗315,325及び容量316と、1個の差動増幅器317とで構成される。差動増幅器317の反転入力は、Vpp1の半分の電圧に固定されている。
図8は、図6中のデータ送信回路400の詳細構成を示している。DIN信号に応答する正相回路は第1及び第2のソースフォロワ410,413と、3個のスイッチングトランジスタ411,412,414とにより、反転されたDIN信号に応答する逆相回路は第1及び第2のソースフォロワ420,423と、3個のスイッチングトランジスタ421,422,424とによりそれぞれ構成される。
図9は、図6の信号伝送回路の効果を示す信号波形図である。図6〜図8を用いて説明した構成により、入力データ信号系列DIN(n)がHiのときの第1のソースフォロワ410,420の出力電圧の収束値がVpp2となり、かつ入力データ信号系列DIN(n)がLowからHiに切り替わるとき第2のソースフォロワ413,423の出力電圧が入力データ信号系列DIN(n)の1Tの期間でVpp1まで立ち上がるように、Vbias1及びVbias2が決定される。つまり、連続したHi期間の1T経過以後の送信端電圧を積極的にVpp2まで下げることにより、受信端での電圧振幅をVpp2に維持する。
本実施形態によれば、HiとLowが1T毎に交互に切り替わる信号波形でも、また直流的にHiが連続する信号波形でも受信端の電圧をVpp2に抑え、ジッタの発生を抑えることができる。
なお、受信端の終端抵抗Rが比較的大きな抵抗値を持つものとしているので、この終端抵抗Rに流れる電流による消費電力が問題となることはない。
《第4の実施形態》
第3の実施形態よりも更に高速伝送を狙う場合には、Vpp1とVpp2との差が大きくなることと、寄生容量の放電時間と比較して1Tの時間が短くなってくることとにより、受信端電圧の盛り上がりが課題となる。受信端電圧の盛り上がりは、送信端寄生容量に溜まった電荷が受信端寄生容量に流れ込むことによって生じる。この盛り上がりにより受信端電圧の変動が大きくなると、ジッタを生じる大きな原因となる。第4の実施形態は、この問題への対策を講じたものである。
図10は、本発明の第4の実施形態に係る信号伝送回路の構成を示している。これは、データ伝送回路400の送信端に放電回路540a,540bを付加したものである。図示はしていないが、クロック伝送回路300の送信端にも同様の放電回路を設ければよい。図10には、放電タイミングを決定するための回路構成として、ダミー送信回路500と、制御回路520と、ダミー放電回路540とが設けられている。制御信号生成回路560は、これらの回路を制御するための信号を生成するものである。
図11は、図10中のダミー送信回路500、制御回路520及びダミー放電回路540の各々の詳細構成を示している。ダミー送信回路500は、各々NチャネルMOSトランジスタで構成された第1及び第2のソースフォロワ510,513と、各々NチャネルMOSトランジスタで構成された第1、第2及び第3のスイッチングトランジスタ511,512,514とを備えている。第1のソースフォロワ510のドレインは電源Vddに、第1のソースフォロワ510のソースは第1のスイッチングトランジスタ511を介してダミー送信端にそれぞれ接続されている。また、第2のソースフォロワ513のドレインは電源Vddに、第2のソースフォロワ513のソースは第3のスイッチングトランジスタ514を介してダミー送信端にそれぞれ接続されている。ダミー送信端は、第2のスイッチングトランジスタ512を介してグランドに接続されている。第1のソースフォロワ510のゲートにはVbias1が、第2のソースフォロワ513のゲートにはVbias2がそれぞれ印加される。また、第1及び第3のスイッチングトランジスタ511,514のゲートにはCLK2信号が、第2のスイッチングトランジスタ512のゲートにはRST信号がそれぞれ与えられる。
制御回路520は、Φ信号により開閉が制御される2個のスイッチ521,524と、ダミー送信端の電圧とVpp2とを比較するコンパレータ522と、チャージポンプ523と、制御容量525とで構成されて、制御電圧Vbias3を出力する。ダミー放電回路540は、CLK3信号に応答してダミー送信端の電荷を引き抜くように、Vbias3の供給を受ける可変遅延インバータ541と、2個のスイッチングトランジスタ542,543とで構成される。図10中の放電回路540a,540bは、図11中に示したダミー放電回路540と同様の内部構成を持つ。
図12は、図10中の制御信号生成回路560の動作を示すタイミング図である。制御信号生成回路560は、CLK信号をもとに、上述のCLK2信号、CLK3信号、RST信号及びΦ信号を生成する。
ダミー送信回路500は、単発パルスであるCLK2信号で駆動される。その結果、ダミー送信端の寄生容量は、その両端にかかる電圧がVpp1となるようチャージされる。CLK2信号の直後の単発パルスであるCLK3信号で、可変遅延インバータ541でオン時間が決まるダミー放電回路540によってダミー送信端の寄生容量の電荷が引き抜かれる。その後、CLK3信号の後にHiに立ち上がるΦ信号によって制御回路520の信号パスが形成される。コンパレータ522は、ダミー送信端の寄生容量の電圧とVpp2とを比較し、前者が高ければLowを、逆に後者が高ければHiを出力する。チャージポンプ523は、Lowが入力されればある一定の電流で制御容量525の電荷を引き抜き、Hiが入力されれば同じ電流値で制御容量525をチャージする。可変遅延インバータ541は、Vbias3が低いほど遅延を長くし、逆にVbias3が高いほど遅延を短くする。可変遅延インバータ541の遅延がダミー放電回路540のオン時間となる。なお、ダミー送信端の電圧を0にするため、Φ信号がLowになる時刻にRST信号を予めHiに立ち上げる。
以上のとおり、制御回路520は、ダミー送信回路500により駆動されるダミー送信端の寄生容量の電圧とVpp2とを比較し、その比較結果に応じてデータ送信端とダミー送信端との双方の電荷量調整時間を制御するよう、ダミー放電回路540とともに動作する。詳細に説明すると、制御回路520は、ダミー送信端の寄生容量の電圧とVpp2とをコンパレータ522によって比較し、その結果、受信端電圧が高ければ放電時間を長くするよう制御し、逆であれば放電時間を短くするよう制御する。毎回送信端電圧をVpp1にチャージしてこの制御を繰り返すことにより、次第に放電直後の送信端電圧はVpp2に収束する。そのときのVbias3をデータ送信回路400に付加した放電回路540a,540bに与えることにより、受信端電圧の盛り上がりを抑制することが可能となる。
図13は、図10中の放電回路540a,540bを設けない場合の信号波形図である。受信端電圧がVpp2よりも高い電圧まで盛り上がることが判る。
図14は、図10の信号伝送回路の効果を示す信号波形図である。図14に示すように、送信端寄生容量の電荷が受信端に流れ込まないよう、データ送信回路400内の第2のソースフォロワが伝送路Lを駆動した直後に送信端の電荷を引き抜くように、放電回路540a,540bにより送信端からグランドへ直接放電する電流パスを設けてやることで、受信端に流れ込む電流のほぼ全てを送信端のグランドに流し込むことができ、受信端電圧の盛り上がりを防ぐことができる。また、図14によれば、受信端電圧の盛り上がりが1T以内にVpp2に収束する。したがって、HiとLowが1T毎に交互に切り替わる信号波形でも、また直流的にHiが連続する信号波形でも受信端の電圧をVpp2に抑え、ジッタの発生を抑えることができる。
なお、上記各実施形態に示した構成に対する相補構成を採用してもよい。具体的には、第1及び第2のソースフォロワをPチャネルMOSトランジスタで構成し、DIN信号及びDemp信号の0と1とを入れ替えるのである。
以上説明してきたとおり、本発明に係る信号伝送回路は、従来の単一ソースフォロワにおける駆動能力低下の欠点を克服し、電圧モード伝送の低消費電力性を保持しつつ高速伝送が可能となるので、半導体集積回路間等の低消費電力の高速インターフェース技術として有用である。
例えば、液晶パネルのドライバは、ガラス基板上に形成された高抵抗の配線を駆動する関係上、100MHz程度の比較的低いカットオフ周波数を持つ伝送路を駆動しなければならない。本発明は、このような場合の高速信号伝送にも好適に適用できる。
本発明の第1の実施形態に係る信号伝送回路の構成を示す回路図である。 図1の信号伝送回路の効果を説明するための信号波形図である。 本発明の第2の実施形態に係る信号伝送回路の構成を示すブロック図である。 図3中のクロック送信回路の詳細構成を示す回路図である。 図3中のデータ送信回路の詳細構成を示す回路図である。 本発明の第3の実施形態に係る信号伝送回路の構成を示すブロック図である。 図6中のクロック送信回路の詳細構成を示す回路図である。 図6中のデータ送信回路の詳細構成を示す回路図である。 図6の信号伝送回路の効果を示す信号波形図である。 本発明の第4の実施形態に係る信号伝送回路の構成を示すブロック図である。 図10中のダミー送信回路、制御回路及びダミー放電回路の各々の詳細構成を示す回路図である。 図10中の制御信号生成回路の動作を示すタイミング図である。 図10中の放電回路を設けない場合の信号波形図である。 図10の信号伝送回路の効果を示す信号波形図である。
符号の説明
5,6 第1のバイアス回路
10,20 第1のソースフォロワ
13,23 第2のソースフォロワ
18,118,318 第2のバイアス回路
30,31,32 Demp信号生成回路
100 クロック送信回路
110,120 第1のソースフォロワ
113,123 第2のソースフォロワ
200 データ送信回路
210,220 第1のソースフォロワ
213,223 第2のソースフォロワ
300 クロック送信回路
310,320 第1のソースフォロワ
313,323 第2のソースフォロワ
400 データ送信回路
410,420 第1のソースフォロワ
413,423 第2のソースフォロワ
500 ダミー送信回路
510 第1のソースフォロワ
513 第2のソースフォロワ
520 制御回路
521,524 スイッチ
522 コンパレータ
523 チャージポンプ
525 制御容量
540,540a,540b 放電回路
541 可変遅延インバータ
542,543 スイッチングトランジスタ
560 制御信号生成回路
CLK クロック信号
Demp 強調データ信号
DIN 入力データ信号
L 伝送路
R 終端抵抗
Vhi 送信端Hi電圧
Vpp1 送信端Hi電圧の最大値
Vpp2 受信端Hi電圧の収束値

Claims (8)

  1. 伝送路を電圧モードで駆動する信号伝送回路であって、
    各々MOSトランジスタで構成された第1及び第2のソースフォロワと、
    前記第1のソースフォロワに第1のバイアス電圧を印加する第1のバイアス回路と、
    前記第2のソースフォロワに前記第1のバイアス電圧とは異なる第2のバイアス電圧を印加する第2のバイアス回路と、
    入力データ信号が第1の論理値から第2の論理値へ遷移した時点から1クロック分の期間を表す強調データ信号を生成する回路とを備え、
    前記第1のソースフォロワは前記入力データ信号に応じて、前記第2のソースフォロワは前記強調データ信号に応じてそれぞれ前記伝送路を駆動することを特徴とする信号伝送回路。
  2. 請求項1記載の信号伝送回路において、
    前記入力データ信号が前記第1の論理値から前記第2の論理値へ遷移したときの前記第1のソースフォロワの出力電圧の収束値と、前記入力データ信号が前記第1の論理値から前記第2の論理値へ遷移した後に1クロック分の期間が経過した時点の前記第2のソースフォロワの出力電圧とが実質的に等しくなるように、前記第1及び第2のバイアス電圧が決定されたことを特徴とする信号伝送回路。
  3. 請求項2記載の信号伝送回路において、
    前記第2のバイアス回路は、前記入力データ信号が前記第1の論理値から前記第2の論理値へ遷移したときの前記第1のソースフォロワの出力電圧の収束値の半分と、クロック送信回路の出力電圧の平均値とが実質的に等しくなるように、前記第2のバイアス電圧を決定することを特徴とする信号伝送回路。
  4. 請求項1記載の信号伝送回路において、
    差動出力構成のデータ送信回路を有することを特徴とする信号伝送回路。
  5. 請求項4記載の信号伝送回路において、
    前記伝送路は、クロックパルス列を送信端から第1の電圧で送信した信号波形が受信端で第2の電圧に減衰する特性を持ち、かつ前記受信端に比較的大きな抵抗値を持つ終端抵抗を有し、
    前記入力データ信号が前記第1の論理値から前記第2の論理値へ遷移したときの前記第1のソースフォロワの出力電圧の収束値が前記第2の電圧と実質的に一致し、かつ前記入力データ信号が前記第1の論理値から前記第2の論理値へ遷移した後に1クロック分の期間が経過した時点の前記第2のソースフォロワの出力電圧が前記第1の電圧と実質的に一致するように、前記第1及び第2のバイアス電圧が決定されたことを特徴とする信号伝送回路。
  6. 請求項5記載の信号伝送回路において、
    前記データ送信回路は、前記第2のソースフォロワが前記伝送路を駆動した直後に前記送信端の電荷量を低減するための回路を有することを特徴とする信号伝送回路。
  7. 請求項6記載の信号伝送回路において、
    ダミー送信回路により駆動されるダミー送信端の電圧と前記第2の電圧とを比較し、その比較結果に応じて前記送信端と前記ダミー送信端との双方の電荷量調整時間を制御するための回路を更に備えたことを特徴とする信号伝送回路。
  8. 各々MOSトランジスタで構成され、かつ互いに異なるバイアス電圧が印加される第1及び第2のソースフォロワにより伝送路を電圧モードで駆動する信号伝送方法であって、
    入力データ信号が第1の論理値から第2の論理値へ遷移した時点から1クロック分の期間に前記第2のソースフォロワにより前記伝送路を所定の電圧まで駆動する第1のステップと、
    前記第1のステップの後に前記第1のソースフォロワにより前記伝送路を前記所定の電圧で駆動する第2のステップとを備えたことを特徴とする信号伝送方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018019398A (ja) * 2016-07-25 2018-02-01 リニアー テクノロジー コーポレイションLinear Technology Corporation ハイブリッドコモンモードチョークと電圧のKelvin感知とを使用する通信システム

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8125245B2 (en) * 2010-06-21 2012-02-28 Synopsys, Inc. Circuitry for matching the up and down impedances of a voltage-mode transmitter
US8736306B2 (en) 2011-08-04 2014-05-27 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods of communicating differential serial signals including charge injection
US10333580B2 (en) * 2015-04-21 2019-06-25 Sony Corporation Communication apparatus and method for controlling communication apparatus

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0645547A (ja) 1992-07-23 1994-02-18 Nec Corp 入出力インターフェース回路
JP2665184B2 (ja) * 1995-03-06 1997-10-22 日本電気エンジニアリング株式会社 出力バッファ回路及びこの出力バッファ回路を用いた伝送装置
US6005413A (en) * 1997-09-09 1999-12-21 Lsi Logic Corporation 5V tolerant PCI I/O buffer on 2.5V technology
US6118303A (en) * 1998-04-17 2000-09-12 Lsi Logic Corporation Integrated circuit I/O buffer having pass gate protection with RC delay
KR100346836B1 (ko) * 2000-06-07 2002-08-03 삼성전자 주식회사 듀티 사이클 보정 기능을 갖는 지연 동기 루프 회로 및지연 동기 방법
US6624670B2 (en) * 2001-03-21 2003-09-23 Texas Instruments Incorporated High speed voltage mode differential digital output driver with edge-emphasis and pre-equalization
JP3666423B2 (ja) * 2001-07-06 2005-06-29 日本電気株式会社 駆動回路
US7292073B2 (en) * 2005-05-30 2007-11-06 Freescale Semiconductor, Inc. Transmission line driver circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018019398A (ja) * 2016-07-25 2018-02-01 リニアー テクノロジー コーポレイションLinear Technology Corporation ハイブリッドコモンモードチョークと電圧のKelvin感知とを使用する通信システム

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