JP2007110116A - リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法、およびデバイス製造方法で使用するマスク - Google Patents
リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法、およびデバイス製造方法で使用するマスク Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007110116A JP2007110116A JP2006276040A JP2006276040A JP2007110116A JP 2007110116 A JP2007110116 A JP 2007110116A JP 2006276040 A JP2006276040 A JP 2006276040A JP 2006276040 A JP2006276040 A JP 2006276040A JP 2007110116 A JP2007110116 A JP 2007110116A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- diffuser
- substrate
- illumination
- patterning device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 86
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 69
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 48
- 239000003550 marker Substances 0.000 claims description 20
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 11
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 101100425538 Pseudomonas aeruginosa (strain UCBPP-PA14) tis1 gene Proteins 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000276498 Pollachius virens Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7069—Alignment mark illumination, e.g. darkfield, dual focus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】基板レベルの投影像の特性をセンサによって検出するリソグラフィ装置のアライメントキャリブレーションプロセスにおいて、基板に入射する放射光の入射角範囲を広げるためのディフューザが照明ビームに挿入される。これによって、使用する照明モードとセンサの受け入れNAとがミスマッチである場合でも、十分な照明光がセンサに入るようになる。
【選択図】図5
Description
照明プロファイルが定められた放射照明ビームによってパターニングデバイスを照明するように構成されている照明システムと、
パターニングデバイスの像を基板に投影するように構成されている投影システムと、
投影システムによって投影された像の特性を測定するように構成されているセンサであって、基板の適所に選択的に位置決め可能なセンサと、
照明ビームの放射光がパターニングデバイスに入射する角度範囲を広げるように構成されているディフューザであって、照明ビームの経路に選択的に位置決め可能なディフューザとを備える。
照明プロファイルを有する照明ビームによってパターニングデバイスを照明するために照明システムを設定するステップと、
照明ビームの放射光がパターニングデバイス上のマーカに入射する角度範囲を広げるように、ディフューザを照明ビームの経路に挿入するステップと、
投影システムによって投影されたマーカの像の特性を検出するためにセンサを使用するステップとを含む。
マスク基板と、
少なくとも1つのデバイスパターンが定められた第1のエリアと、少なくとも1つのマーカパターンが定められており第1のエリアに重ならない第2のエリアとを有するパターン層と、
第2のエリアを少なくとも部分的に覆い、第2のエリアを照明する放射光の入射角範囲を広げるように構成されているディフューザとを備える。
放射ビームB(例えばUV放射線またはDUV放射線)を調整するように構成されている照明システム(イルミネータ)ILと、
(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに応じてパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成されている第1の位置決め装置PMに接続されている支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
基板(例えばレジスト被覆ウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに応じて基板を正確に位置決めするように構成されている第2の位置決め装置PWに接続されている基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つまたは複数のダイを含む部分)に投影するように構成されている投影システム(例えば屈折式投影レンズシステム)PSと、を備える。
所望とする照明モードを設定するステップS1と、
ディフューザを照明ビームの経路に挿入するステップS2と、
TISに対するマスクマーカのアライメント処理を実行するステップS3と、
ディフューザを投影ビームの経路から取り出すステップS4と、
基板の1つまたは複数のターゲット部分の製造露光を実行するステップS5とを含む。
Claims (18)
- 定められた照明プロファイルを有する放射照明ビームを用いてパターニングデバイスを照明するように構成されている照明システムと、
パターニングデバイスの像を基板に投影させるように構成されている投影システムと、
基板の適所に選択的に位置決め可能であり、投影システムによって投影された像の特性を測定するように構成されているセンサと、
照明ビームの経路に選択的に位置決め可能であり、照明ビームの放射がパターニングデバイスに入射する角度範囲を広げるように構成されているディフューザとを備えるリソグラフィ投影装置。 - 照明システムは、パターニングデバイスを有する物体面のフーリエ変換である瞳面を有し、ディフューザは、瞳面または物体面のどちらとも共役しない面に選択的に位置決め可能である請求項1に記載の装置。
- 照明システムは、照明ビームによって照明されるパターニングデバイスのエリアを定めるように構成されている移動可能なマスキングブレードを備え、ディフューザは、移動可能なマスキングブレードに近接している請求項2に記載の装置。
- ディフューザは、パターニングデバイスに近接している請求項1に記載の装置。
- ディフューザは、照明システムが照明ビームの照明プロファイルを変更するより速く、照明ビームへ向かってまたは照明ビームより離れて移動可能であるように構成されている請求項1に記載の装置。
- センサは、所定の入射角範囲で到達した放射を受け入れるように構成されており、ディフューザは、光を拡散させ、実質的に所定の入射角範囲全体にわたってセンサに光が到達するように構成されている請求項1に記載の装置。
- センサは、透過イメージセンサである請求項1に記載の装置。
- センサは、反射イメージセンサである請求項1に記載の装置。
- センサは、干渉計アライメントセンサである請求項1に記載の装置。
- パターニングデバイスを照明ビームによって照明するように構成されている照明システムと、パターニングデバイスの像を基板に投影するように構成されている投影システムと、投影システムによって投影された像の特性を検出するように構成されているセンサとを有するリソグラフィ投影装置を用いたデバイス製造方法であって、
照明プロファイルを有する照明ビームによってパターニングデバイスを照明するために照明システムを設定するステップと、
照明ビームの放射がパターニングデバイスのマーカに入射する角度範囲を広げるために、ディフューザを照明ビームの経路に挿入するステップと、
投影システムによって投影されたマーカの像の特性を検出するためにセンサを使用するステップとを含む方法。 - さらに、
センサを用いたステップの後、ディフューザを照明ビームの経路から取り出すステップと、
パターニングデバイスによって定められたパターンに基板を露光させるステップとを含む請求項10に記載の方法。 - パターニングデバイスはマスクであり、ディフューザはマスクに取り付けられる請求項10に記載の方法。
- パターニングデバイスはマスクであり、装置はさらにマスクを保持するように構成されているマスクテーブルを備え、
マスクをマスクテーブルに取り付けるステップと、ディフューザをマスクのマーカの上に位置決めするステップと、マスクとディフューザとを照明ビームの経路に挿入するためにマスクとディフューザとを保持しているマスクテーブルを移動させるステップとを含む請求項10に記載の方法。 - リソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法で使用するマスクであって、
マスク基板と、
少なくとも1つのデバイスパターンが定められた第1のエリアと、少なくとも1つのマーカパターンが定められ、第1のエリアに重ならない第2のエリアとを有するパターン層と、
第2のエリアを少なくとも部分的に覆い、第2のエリアを照明する放射の入射角範囲を広げるように構成されているディフューザとを備えるマスク。 - マスク基板が第1の側とそれとは反対の第2の側とを有し、パターン層が第1の側に設けられ、ディフューザが第2の側に設けられる請求項14に記載のマスク。
- ディフューザは、マスク基板に接着された付加材料片を含む請求項14に記載のマスク。
- ディフューザは、マスク基板上に表面レリーフを含む請求項14に記載のマスク。
- ディフューザは、注入された散乱中心を有するマスク基板の一部を含む請求項14に記載のマスク。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/246,551 US20070081138A1 (en) | 2005-10-11 | 2005-10-11 | Lithographic projection apparatus, device manufacturing methods and mask for use in a device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007110116A true JP2007110116A (ja) | 2007-04-26 |
JP4519822B2 JP4519822B2 (ja) | 2010-08-04 |
Family
ID=37910805
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006276040A Active JP4519822B2 (ja) | 2005-10-11 | 2006-10-10 | リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法、およびデバイス製造方法で使用するマスク |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20070081138A1 (ja) |
JP (1) | JP4519822B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009010130A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2009158959A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Asml Netherlands Bv | デバイス製造方法及びリソグラフィ装置 |
JP2009527112A (ja) * | 2006-02-17 | 2009-07-23 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置のための照明システム |
JP2012099810A (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7586108B2 (en) * | 2007-06-25 | 2009-09-08 | Asml Netherlands B.V. | Radiation detector, method of manufacturing a radiation detector and lithographic apparatus comprising a radiation detector |
US20090002656A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Asml Netherlands B.V. | Device and method for transmission image detection, lithographic apparatus and mask for use in a lithographic apparatus |
KR20110042051A (ko) * | 2008-06-11 | 2011-04-22 | 솔라 임플란트 테크놀로지스 아이엔씨. | 주입을 사용하여 솔라 셀의 제작 |
JP2012521642A (ja) * | 2009-03-20 | 2012-09-13 | インテバック・インコーポレイテッド | 太陽電池及びその製造方法 |
US8749053B2 (en) | 2009-06-23 | 2014-06-10 | Intevac, Inc. | Plasma grid implant system for use in solar cell fabrications |
JP6068491B2 (ja) | 2011-11-08 | 2017-01-25 | インテヴァック インコーポレイテッド | 基板処理システムおよび基板処理方法 |
WO2014100506A1 (en) | 2012-12-19 | 2014-06-26 | Intevac, Inc. | Grid for plasma ion implant |
CN103353710B (zh) * | 2013-06-26 | 2015-03-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曝光装置、曝光系统及曝光方法 |
NL2014683A (en) | 2014-05-07 | 2016-03-31 | Asml Netherlands Bv | Diamond-based monitoring apparatus for lithographic apparatus, and a lithographic apparatus comprising diamond-based monitoring apparatus. |
US9749044B1 (en) * | 2016-04-05 | 2017-08-29 | Facebook, Inc. | Luminescent detector for free-space optical communication |
NL2018989A (en) | 2016-06-03 | 2017-12-05 | Asml Netherlands Bv | Patterning device |
TWI639886B (zh) * | 2017-10-23 | 2018-11-01 | Powerchip Technology Corporation | 光罩承載平台的維護方法 |
US11567401B2 (en) * | 2019-12-20 | 2023-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Nanofabrication method with correction of distortion within an imprint system |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0365623A (ja) * | 1989-08-03 | 1991-03-20 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及びその装置 |
JPH0837139A (ja) * | 1994-07-21 | 1996-02-06 | Sony Corp | 露光照明装置 |
JP2002071514A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-08 | Nikon Corp | 検査装置、該検査装置を備えた露光装置、およびマイクロデバイスの製造方法 |
JP2003075990A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-12 | Toshiba Corp | 検査用マスクおよび露光装置の検査方法 |
JP2003214984A (ja) * | 2002-01-23 | 2003-07-30 | Nikon Corp | 光学特性測定方法及び光学特性測定装置、光学系の調整方法、並びに露光装置 |
JP2003254725A (ja) * | 2002-03-04 | 2003-09-10 | Nikon Corp | 波面収差測定方法及び波面収差測定装置 |
WO2003088329A1 (en) * | 2002-04-17 | 2003-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Reticle and optical characteristic measuring method |
JP2004014865A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Nikon Corp | レチクル、波面収差測定機、及び半導体露光装置の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6002467A (en) * | 1995-03-16 | 1999-12-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method |
CN100559273C (zh) * | 2002-09-30 | 2009-11-11 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和测量系统 |
US6977717B1 (en) * | 2003-12-04 | 2005-12-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and device for determining projection lens pupil transmission distribution and illumination intensity distribution in photolithographic imaging system |
-
2005
- 2005-10-11 US US11/246,551 patent/US20070081138A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-10-10 JP JP2006276040A patent/JP4519822B2/ja active Active
- 2006-10-11 US US11/545,763 patent/US8896817B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0365623A (ja) * | 1989-08-03 | 1991-03-20 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及びその装置 |
JPH0837139A (ja) * | 1994-07-21 | 1996-02-06 | Sony Corp | 露光照明装置 |
JP2002071514A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-08 | Nikon Corp | 検査装置、該検査装置を備えた露光装置、およびマイクロデバイスの製造方法 |
JP2003075990A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-12 | Toshiba Corp | 検査用マスクおよび露光装置の検査方法 |
JP2003214984A (ja) * | 2002-01-23 | 2003-07-30 | Nikon Corp | 光学特性測定方法及び光学特性測定装置、光学系の調整方法、並びに露光装置 |
JP2003254725A (ja) * | 2002-03-04 | 2003-09-10 | Nikon Corp | 波面収差測定方法及び波面収差測定装置 |
WO2003088329A1 (en) * | 2002-04-17 | 2003-10-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Reticle and optical characteristic measuring method |
JP2004014865A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Nikon Corp | レチクル、波面収差測定機、及び半導体露光装置の製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009527112A (ja) * | 2006-02-17 | 2009-07-23 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置のための照明システム |
JP4852617B2 (ja) * | 2006-02-17 | 2012-01-11 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置のための照明システム |
JP2012028767A (ja) * | 2006-02-17 | 2012-02-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | マイクロリソグラフィ投影露光装置のための照明システム |
JP2009010130A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US8411250B2 (en) | 2007-06-27 | 2013-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
JP2009158959A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Asml Netherlands Bv | デバイス製造方法及びリソグラフィ装置 |
US8049864B2 (en) | 2007-12-27 | 2011-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and lithographic apparatus |
JP2012099810A (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
US9116446B2 (en) | 2010-11-01 | 2015-08-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070081138A1 (en) | 2007-04-12 |
US20070091290A1 (en) | 2007-04-26 |
US8896817B2 (en) | 2014-11-25 |
JP4519822B2 (ja) | 2010-08-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4519822B2 (ja) | リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法、およびデバイス製造方法で使用するマスク | |
US7486408B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method with reduced scribe lane usage for substrate measurement | |
JP4897006B2 (ja) | アラインメントマークを設ける方法、デバイス製造方法及びリソグラフィ装置 | |
JP4578494B2 (ja) | オーバーレイ測定を使用するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
KR100874737B1 (ko) | 그레이 필터를 갖는 파면 센서 및 이 파면 센서를 포함한 리소그래피 장치 | |
JP5312501B2 (ja) | アライメントマーク、基板、パターニングデバイスの組、およびデバイス製造方法 | |
KR20110036084A (ko) | 오버레이 측정 장치, 리소그래피 장치, 및 이러한 오버레이 측정 장치를 이용하는 디바이스 제조 방법 | |
JP2008083032A (ja) | 検査方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セルおよびデバイス製造方法 | |
JP2009152563A (ja) | リソグラフィ投影装置の焦点を測定する方法 | |
JP2010272863A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2007258707A (ja) | リソグラフィ装置および二重露光オーバレイ制御を用いたデバイス製造方法 | |
JP4940219B2 (ja) | オーバレイを測定する方法 | |
JP4559461B2 (ja) | 接合基板の接合性測定 | |
CN113196177B (zh) | 量测传感器、照射系统、和产生具有能够配置的照射斑直径的测量照射的方法 | |
KR20100134113A (ko) | 정렬 타겟들을 위한 회절 요소들 | |
JP4477609B2 (ja) | 照明プロファイルを決定する方法及びデバイス製造方法 | |
JP2004343124A (ja) | リソグラフィック装置較正方法、整列方法、コンピュータ・プログラム、リソグラフィック装置及びデバイス製造方法 | |
US7821650B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method with reduced scribe lane usage for substrate measurement | |
JP2007281463A (ja) | 偏光性能の監視方法、偏光測定アッセンブリ、リソグラフィ装置およびこれらを使用するコンピュータプログラム製品 | |
US20060035159A1 (en) | Method of providing alignment marks, method of aligning a substrate, device manufacturing method, computer program, and device | |
CN108292111B (zh) | 用于在光刻设备中处理衬底的方法和设备 | |
JP2007065665A (ja) | デバイス製造方法、マスクおよびデバイス | |
JP2006179907A (ja) | 自動焦点システムを備えたリソグラフィ機器 | |
US20100178612A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091013 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091015 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100115 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100511 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100519 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4519822 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S802 | Written request for registration of partial abandonment of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311802 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |