JP2004014865A - レチクル、波面収差測定機、及び半導体露光装置の製造方法 - Google Patents
レチクル、波面収差測定機、及び半導体露光装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】照明光学系を大型化することなく、レチクルを照明する光のNAを大きくすることができるレチクルを提供する。
【解決手段】パターン(ピンホール)2が形成されたレチクル本体1の上部(光源側)にDOE素子3が配置されている。照射光はDOE素子2を通してレチクル本体1のピンホール2を照明することになる。DOE素子の回折減少により発生する高次回折光が0次回折光に重畳される結果、レチクル本体1のパターンを照明する照明光のNAを大きくすることができる。
【選択図】 図1
【解決手段】パターン(ピンホール)2が形成されたレチクル本体1の上部(光源側)にDOE素子3が配置されている。照射光はDOE素子2を通してレチクル本体1のピンホール2を照明することになる。DOE素子の回折減少により発生する高次回折光が0次回折光に重畳される結果、レチクル本体1のパターンを照明する照明光のNAを大きくすることができる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は波面収差測定機等に使用されるレチクル、このレチクルを用いた波面収差測定機、及びこの波面収差測定機を用いた半導体露光装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程中には、レチクルに形成されたパターンを半導体露光装置によりウエハ上に転写する工程が含まれる。このとき、露光転写可能な最小のパターン幅は、露光装置の開口数をNA、露光に使用する光の波長をλとすると、λ/NAで決定される。よって、微細なパターンを転写するために、投影系のNAは年々増大している。
【0003】
このような露光装置の投影光学系は、その製造時、波面収差測定機を使用してその収差を測定され、収差が所定の範囲に収まるように調整されている。このような目的に使用される波面収差測定機として代表的なものに、 Shack−Hartmann(シヤック−ハルトマン)方式の波面収差測定機がある。その概要を図6、及び図7に示す。図6に示すように、波面収差測定機31では、測定対象となる投影光学系32にテストレチクルRt上のピンホールPHからの球面波SWを入射させる。投影光学系32から出た球面波SWは、投影光学系32の結像位置に設けられた波面収差測定機31の第1面33中のピンホールを介して、リレーレンズ34により平行光PBに変換される。
【0004】
この平行光PBは、多数のマイクロレンズ35が2次元的に配置されたマイクロレンズアレイ36に入射する。そして、マイクロレンズアレイ36により、平行光PBは、各マイクロレンズ毎に、所定位置に配置された撮像素子(CCD)上に2次像として結像する。
【0005】
ここで、図7(a)に示すように、投影光学系32に収差が存在しない場合には、マイクロレンズアレイ36に入射する平行光PBは、平行な波面WFpnを有する。このため、マイクロレンズアレイ36の各マイクロレンズ35による2次像Fnは、各マイクロレンズ35の光軸AXn上に結像される。
【0006】
一方、図7(b)に示すように、投影光学系32に収差が存在する場合には、マイクロレンズアレイ35に入射する平行光PBは、波面収差に応じて歪んだ波面WFpaを有する。このため、平行光PBは、各マイクロレンズ35毎に、それぞれ異なる波面WFpaの傾きAXpを持つことになる。そして、各マイクロレンズ35による2次像Faは、各マイクロレンズ毎にその光軸AXnから前記波面WFpaの傾き量に応じて横ずれした位置に結像することになる。このように各マイクロレンズ35毎の光束の結像位置の横ずれ量から、波面WFpaの傾きAXpを求めることにより、投影光学系32の収差を波面収差として測定することができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
このように、シャック−ハルトマン方式の波面収差測定機では、測定対象となる投影光学系32にテストレチクルRt上のピンホールPHからの球面波SWを入射させる。ところが、測定対象となる投影光学系32のNAは前述のように増大する傾向にあり、大きなNAを有する投影光学系に球面波SWを入射させるためには、テストレチクルRtを照明する照明光学系のNAが大きくなければならない。しかしながら、大きなNAを有する照明光学系でテストレチクルRtを照明しようとすると照明光学系が大型化し、設計も困難になり、結果的に高価なものになってしまう。そのため照明光学系の大きさを大きくしないで照明光のNAを増大させる必要がある。
【0008】
この目的のために、従来はテストレチクルRtの上部に拡散板状のものを配置してNAを増大させていたが、光を広げる方向を制御するのが容易でなく、出来なりのものを用いなければならないと言う欠点があった。更にシャック−ハルトマン方式の波面収差測定機用のレチクルを照明するために拡散板を用いた場合では、スペックルが問題になり、且つ制御が困難なことも、投影レンズの高精度調整実現のために問題になっていた。
【0009】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、照明光学系を大型化することなく、レチクルを照明する光のNAを大きくすることができるレチクル、及びこのレチクルを使用した波面収差測定機、この波面収差測定機を使用した半導体露光装置の製造方法を提供することを課題とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するための第1の手段は、パターンが形成された基板の一方に、DOE素子を備えたレチクル(請求項1)である。
【0011】
DOE(Diffraction Optical Effect)素子(回折光学素子)をレチクルのパターンが形成された基板の一方に配置し、DOE素子を通った光でレチクルパターンを照明することで、従来の光学系をほとんどそのまま使用したままで、NAの大きな、平坦な光量分布の光でレチクルパターンを照明することができる。すなわち、照明光学系からの光はDOE素子により回折を起こし、その0次回折光のみならず1次回折光がレチクルを照明することになって、その結果、照明光のNAを大きくできる。DOE素子はフラットな形状をしているので、その設置には大きなスペースを必要としない。
【0012】
前記課題を解決するための第2の手段は、前記第1の手段であって、前記DOE素子が同心円状の構造を持ち、当該同心円の中心がレチクルの中心(光軸位置に設けられる部分)と一致することを特徴とするレチクル(請求項2)である。
【0013】
DOE素子が同心円状の構造を有する場合、0次回折光はその同心円の中心を中心とする円となり、円状の1次回折光が、その周りに前記同心円の中心を取り囲むようにして発生する。よって、同心円の中心をレチクルの中心(光軸位置に設けられる部分)に一致させておくことにより、光軸周りにNAの大きな部分を形成することができる。
【0014】
前記課題を解決するための第3の手段は、前記第1の手段又は第2の手段であって、前記DOE素子がブレーズ構造になっていることを特徴とするもの(請求項3)である。
【0015】
ブレーズ構造によりDOE素子を形成した場合、光の出射する方向を制御しやすい。特に、回折光のうち−1次回折光、−2次回折光等が発生しないような構造にすることができ、光軸から遠ざかる方向に発散する光を少なくできるので、その分、光軸周りの光の量を多くすることができ、使用できる光量を多くできる。
【0016】
前記課題を解決するための第4の手段は、前記第1の手段から第3の手段のいずれかのレチクルを有することを特徴とする波面収差測定機(請求項4)である。
【0017】
本手段においては、検査用レチクルが開口の大きな照明光で照明されるので、照明光学系を大きくしなくても、大きな開口の被検査体を検査することが容易である。
【0018】
前記課題を解決するための第5の手段は、前記第1の手段から第3の手段のいずれかのレチクルを有することを特徴とするShack−Hartmann(シヤック−ハルトマン)方式の波面収差測定機(請求項5)である。
【0019】
本手段においては、検査用レチクルが開口の大きな照明光で照明されるので、照明光学系を大きくしなくても、大きな開口の被検査体を検査することが容易である。
【0020】
前記課題を解決するための第6の手段は、前記第4の手段又は第5の手段である波面収差測定機を用いて、投影光学系の波面収差をRMSで0.02λ以下に調整する工程を有することを特徴とする半導体露光装置の製造方法(請求項6)である。
【0021】
本手段においては開口の大きな半導体露光装置を調整して製造することが可能である。半導体露光装置においては、その性能上、投影光学系の波面収差をRMSで0.02λ(λは使用波長)以下とすることを要求されることが多いので、前記第4の手段又は第5の手段である波面収差測定機を用いて波面収差をこの値以下に調整すれば、満足すべき投影光学系を製造することができる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態の例を、図を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態の1例であるレチクルの構成を示すもので、パターン(ピンホール)2が形成されたレチクル本体1の上部(光源側)にDOE素子3が配置されている。照射光はDOE素子3を通してレチクル本体1のピンホール2を照明することになる。
【0023】
ピンホール2の口径は数μm〜数十μmがよく用いられている。上部に配置されたDOE素子の径は、検査される投影光学系のNAを開口側から見込む角が超えているようにされていることが好ましい。投影光学系が1/4縮小系であり投影レンズのNAが0.6の場合は、入射NAは0.15となり、例えばレチクル厚を5mmとした場合は、DOEの直径は1.52mm以上とすることが望ましい。シャック−ハルトマン方式の波面収差測定機用レチクルの場合は、計測NAいっぱいに広がっていることが要求されるので、より大きな範囲に広がるように設計し、その中の光量分布が平坦になるところを用いるとなお良い。この場合、光量が充分なことが必要であることは言うまでもない。
【0024】
図2は、DOE素子を通った光の様子(瞳上での光の角度分布)を示すものである。太い線で示される円4の中が0次回折光である。0次回折光の周りの細い線で示される円5の中が1次回折光である。0次回折光を囲むように1次回折光が輪状に形成されている。図2では説明のために1次回折光を6つ示しているが、実際には無限個生じてつながっている。このようにして、光の広がりが大きくなり、NAが大きくなっている。ブレーズにより、0次回折光の強度と1次回折光の強度の比を調整して、一様照明が行われるようにすることが好ましい。
【0025】
図3は上記DOEの断面模式図である。本実施例では円形視野(瞳)の中を均一に照明することを目的に、回転対称なパターンを持つDOEを用いている。DOEの製法は良く知られているのでここでは説明を省略する。
【0026】
図4は、瞳上での実際の光の強度分布(角度分布)の計算値の例を模式的に示すものである。(a)は、レチクルの光源側に拡散板やDOE素子を設けない場合の強度分布である。必要なNAに対して照明角度が1/3程度である場合、すなわち、σ1(照明光学系のNA/投影レンズのFullNA)が1/3程度の場合を示している。(b)は、レチクルの光源側に拡散板を設けた場合の強度分布を示すものであり、ほぼ必要NAをカバーする程度の角度に亘って光量が得られているが、端部で光量が低下しており、かつ、拡散板での吸収や外部への散乱が起こるために、全体光量(図で示される光量の積分値で図形の面積に相当)が、(a)の場合に比して低下している。
【0027】
(c)はレチクルの光源側にDOE素子を設けた場合の強度分布を示すものであり、必要なNAの範囲より広い範囲に亘って光量分布が得られており、必要なNAの範囲では光量がほぼフラットになっている。しかも、全体光量の損失が、小さいので、(b)の場合に比して、光量も大きくなっている。よって、CCD等の撮像素子を用いて測定を行うとき、蓄積時間を短くして、測定時間を短縮することができる。
【0028】
図5に、本発明の実施の形態の1例であるシャック−ハルトマン方式の波面収差測定装置の概要を示す。シャック−ハルトマン方式の波面収差測定装置本体は、図6、図7に示して説明したものと変わるところはないので、図5の説明においてはその詳しい説明を省略する。
【0029】
照明装置11からの光はDOE素子12を介して、DOE素子12と一体となった検査用レチクル13を照明する。そして、検査用レチクルに設けられたピンホール14を通って球面波とされた光は、被検レンズである投影レンズ15に入り、投影レンズ15の像面16にピンホール14の像を結像する。像面16にもピンホールが設けられており、そこを通った球面波は、対物レンズ17により平面波とされ、マイクロレンズアレイ18に入射する。そして、マイクロレンズアレイ18により、ピンホール14の像が各マイクロレンズ毎に、所定位置に配置された撮像素子(CCD)19上に2次像として結像する。
【0030】
DOE素子12を使用することによって、検査用レチクル13が大きなNAを持つ照明光で照明されるので、検査用レチクル13のピンホール14(瞳)から出射する光のNAを大きくとることができ、かつ図4に示したように、光量の角度分布がフラットな光が得られる。
【0031】
ピンホール14(瞳)での光量の角度分布は、すなわちマイクロレンズアレイ18上では、光量の平面的な分布(光量ムラ)となる。マイクロレンズアレイ18上での光量ムラが大きいと、受光CCDのダイナミックレンジを十分に利用できないのみならず、スペックルが大きい場合などは、マイクロレンズ個々のレンズ上でのムラがCCD位置でのムラになり(個々のレンズの形状精度が低いときは特にこの効果は大きい)、波面収差の測定精度に影響を及ぼすが、本実施の形態では、マイクロレンズアレイ18上での光量ムラを小さくすることができるので、このような問題が発生しにくい。
【0032】
また従来の拡散板を用いた波面収差測定機では、レチクル開口上にもムラを生じていたため、結像スポットそのものに非対称が生じていたが、この実施の形態ではこのような問題の発生を避けることができる。
【0033】
投影レンズは、組み立て調整の過程で、本発明の実施の形態にかかる波面収差測定機を用いて波面測定が行われ、波面収差が0.02λRMS以下になるまで調整される。調整された投影レンズは半導体露光装置に搭載される。
【0034】
図8は、半導体露光装置の概略構成図である。露光装置は、少なくともウエハステージ108と、光を供給するための光源部101と、投影レンズ15とを含む。ここで、ウエハステージ108は感光剤を塗布したウエハwを表面108a上に置くことができる。また、ステージ制御系107はウエハステージ108の位置を制御する。
【0035】
投影レンズ15は上述のように本発明の実施の形態である波面収差測定機を用いて調整された高精度投影レンズである。また投影レンズ15の物体面P1及び像面P2に、それぞれレチクルr、ウエハwが配置される。さらに投影レンズ15はスキャンタイプの露光装置に応用されるアライメント光学系を有する。さらに照明光学系102は、レチクルrとウエハwとの間の相対位置を調節するためのアライメント光学系103を含む。
【0036】
レチクルrは、当該レチクルに形成されたパターンのイメージをウエハw上に投影するためのものであり、ウエハステージ108の表面108aに対して平行移動が可能であるレチクルステージ105上に配置される。そしてレチクル交換系104は、レチクルステージ105上にセットされたレチクルrを交換し運搬する。またレチクル交換系104はウエハステージ108の表面108aに対し、レチクルステージ105を平行移動させるためのステージドライバー(不図示)を含む。また、主制御部109は位置合わせから露光までの一連の処理に関する制御を行う。
【0037】
本実施の形態にかかる波面収差測定機は、露光装置に搭載された投影レンズ15の波面収差を測定することにも適用することができる。その場合、波面収差測定機をウエハステージ108の端部に取り付け、測定時はちょうど投影レンズ15の下方に配置されるように、ウエハステージ108を移動させる。
【0038】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、照明光学系を大型化することなく、レチクルを照明する光のNAを大きくすることができるレチクル、及びこのレチクルを使用した波面収差測定機、この波面収差測定機を使用した半導体露光装置の製造装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の1例であるレチクルの構成を示す図である。
【図2】DOE素子を通った光の様子(瞳上での光の角度分布)を示す図である。
【図3】DOEの断面模式図である。
【図4】瞳上での実際の光の強度分布(角度分布)の計算値の例を模式的に示す図である。
【図5】本発明の実施の形態の1例であるシャック−ハルトマン方式の波面収差測定装置の概要を示す図である。
【図6】従来の シヤック−ハルトマン方式の波面収差測定機の概要を示す図である。
【図7】図6の結像部を示す詳細図である。
【図8】半導体露光装置の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
1:レチクル本体
2:パターン(ピンホール)
3:DOE素子
4:0次回折光
5:1次回折光
11:照明装置
12:DOE素子
13:検査用レチクル
14:ピンホール
15:投影レンズ
16:像面
17:対物レンズ
18:マイクロレンズアレイ
19:撮像素子(CCD)
【発明の属する技術分野】
本発明は波面収差測定機等に使用されるレチクル、このレチクルを用いた波面収差測定機、及びこの波面収差測定機を用いた半導体露光装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程中には、レチクルに形成されたパターンを半導体露光装置によりウエハ上に転写する工程が含まれる。このとき、露光転写可能な最小のパターン幅は、露光装置の開口数をNA、露光に使用する光の波長をλとすると、λ/NAで決定される。よって、微細なパターンを転写するために、投影系のNAは年々増大している。
【0003】
このような露光装置の投影光学系は、その製造時、波面収差測定機を使用してその収差を測定され、収差が所定の範囲に収まるように調整されている。このような目的に使用される波面収差測定機として代表的なものに、 Shack−Hartmann(シヤック−ハルトマン)方式の波面収差測定機がある。その概要を図6、及び図7に示す。図6に示すように、波面収差測定機31では、測定対象となる投影光学系32にテストレチクルRt上のピンホールPHからの球面波SWを入射させる。投影光学系32から出た球面波SWは、投影光学系32の結像位置に設けられた波面収差測定機31の第1面33中のピンホールを介して、リレーレンズ34により平行光PBに変換される。
【0004】
この平行光PBは、多数のマイクロレンズ35が2次元的に配置されたマイクロレンズアレイ36に入射する。そして、マイクロレンズアレイ36により、平行光PBは、各マイクロレンズ毎に、所定位置に配置された撮像素子(CCD)上に2次像として結像する。
【0005】
ここで、図7(a)に示すように、投影光学系32に収差が存在しない場合には、マイクロレンズアレイ36に入射する平行光PBは、平行な波面WFpnを有する。このため、マイクロレンズアレイ36の各マイクロレンズ35による2次像Fnは、各マイクロレンズ35の光軸AXn上に結像される。
【0006】
一方、図7(b)に示すように、投影光学系32に収差が存在する場合には、マイクロレンズアレイ35に入射する平行光PBは、波面収差に応じて歪んだ波面WFpaを有する。このため、平行光PBは、各マイクロレンズ35毎に、それぞれ異なる波面WFpaの傾きAXpを持つことになる。そして、各マイクロレンズ35による2次像Faは、各マイクロレンズ毎にその光軸AXnから前記波面WFpaの傾き量に応じて横ずれした位置に結像することになる。このように各マイクロレンズ35毎の光束の結像位置の横ずれ量から、波面WFpaの傾きAXpを求めることにより、投影光学系32の収差を波面収差として測定することができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
このように、シャック−ハルトマン方式の波面収差測定機では、測定対象となる投影光学系32にテストレチクルRt上のピンホールPHからの球面波SWを入射させる。ところが、測定対象となる投影光学系32のNAは前述のように増大する傾向にあり、大きなNAを有する投影光学系に球面波SWを入射させるためには、テストレチクルRtを照明する照明光学系のNAが大きくなければならない。しかしながら、大きなNAを有する照明光学系でテストレチクルRtを照明しようとすると照明光学系が大型化し、設計も困難になり、結果的に高価なものになってしまう。そのため照明光学系の大きさを大きくしないで照明光のNAを増大させる必要がある。
【0008】
この目的のために、従来はテストレチクルRtの上部に拡散板状のものを配置してNAを増大させていたが、光を広げる方向を制御するのが容易でなく、出来なりのものを用いなければならないと言う欠点があった。更にシャック−ハルトマン方式の波面収差測定機用のレチクルを照明するために拡散板を用いた場合では、スペックルが問題になり、且つ制御が困難なことも、投影レンズの高精度調整実現のために問題になっていた。
【0009】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、照明光学系を大型化することなく、レチクルを照明する光のNAを大きくすることができるレチクル、及びこのレチクルを使用した波面収差測定機、この波面収差測定機を使用した半導体露光装置の製造方法を提供することを課題とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するための第1の手段は、パターンが形成された基板の一方に、DOE素子を備えたレチクル(請求項1)である。
【0011】
DOE(Diffraction Optical Effect)素子(回折光学素子)をレチクルのパターンが形成された基板の一方に配置し、DOE素子を通った光でレチクルパターンを照明することで、従来の光学系をほとんどそのまま使用したままで、NAの大きな、平坦な光量分布の光でレチクルパターンを照明することができる。すなわち、照明光学系からの光はDOE素子により回折を起こし、その0次回折光のみならず1次回折光がレチクルを照明することになって、その結果、照明光のNAを大きくできる。DOE素子はフラットな形状をしているので、その設置には大きなスペースを必要としない。
【0012】
前記課題を解決するための第2の手段は、前記第1の手段であって、前記DOE素子が同心円状の構造を持ち、当該同心円の中心がレチクルの中心(光軸位置に設けられる部分)と一致することを特徴とするレチクル(請求項2)である。
【0013】
DOE素子が同心円状の構造を有する場合、0次回折光はその同心円の中心を中心とする円となり、円状の1次回折光が、その周りに前記同心円の中心を取り囲むようにして発生する。よって、同心円の中心をレチクルの中心(光軸位置に設けられる部分)に一致させておくことにより、光軸周りにNAの大きな部分を形成することができる。
【0014】
前記課題を解決するための第3の手段は、前記第1の手段又は第2の手段であって、前記DOE素子がブレーズ構造になっていることを特徴とするもの(請求項3)である。
【0015】
ブレーズ構造によりDOE素子を形成した場合、光の出射する方向を制御しやすい。特に、回折光のうち−1次回折光、−2次回折光等が発生しないような構造にすることができ、光軸から遠ざかる方向に発散する光を少なくできるので、その分、光軸周りの光の量を多くすることができ、使用できる光量を多くできる。
【0016】
前記課題を解決するための第4の手段は、前記第1の手段から第3の手段のいずれかのレチクルを有することを特徴とする波面収差測定機(請求項4)である。
【0017】
本手段においては、検査用レチクルが開口の大きな照明光で照明されるので、照明光学系を大きくしなくても、大きな開口の被検査体を検査することが容易である。
【0018】
前記課題を解決するための第5の手段は、前記第1の手段から第3の手段のいずれかのレチクルを有することを特徴とするShack−Hartmann(シヤック−ハルトマン)方式の波面収差測定機(請求項5)である。
【0019】
本手段においては、検査用レチクルが開口の大きな照明光で照明されるので、照明光学系を大きくしなくても、大きな開口の被検査体を検査することが容易である。
【0020】
前記課題を解決するための第6の手段は、前記第4の手段又は第5の手段である波面収差測定機を用いて、投影光学系の波面収差をRMSで0.02λ以下に調整する工程を有することを特徴とする半導体露光装置の製造方法(請求項6)である。
【0021】
本手段においては開口の大きな半導体露光装置を調整して製造することが可能である。半導体露光装置においては、その性能上、投影光学系の波面収差をRMSで0.02λ(λは使用波長)以下とすることを要求されることが多いので、前記第4の手段又は第5の手段である波面収差測定機を用いて波面収差をこの値以下に調整すれば、満足すべき投影光学系を製造することができる。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態の例を、図を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態の1例であるレチクルの構成を示すもので、パターン(ピンホール)2が形成されたレチクル本体1の上部(光源側)にDOE素子3が配置されている。照射光はDOE素子3を通してレチクル本体1のピンホール2を照明することになる。
【0023】
ピンホール2の口径は数μm〜数十μmがよく用いられている。上部に配置されたDOE素子の径は、検査される投影光学系のNAを開口側から見込む角が超えているようにされていることが好ましい。投影光学系が1/4縮小系であり投影レンズのNAが0.6の場合は、入射NAは0.15となり、例えばレチクル厚を5mmとした場合は、DOEの直径は1.52mm以上とすることが望ましい。シャック−ハルトマン方式の波面収差測定機用レチクルの場合は、計測NAいっぱいに広がっていることが要求されるので、より大きな範囲に広がるように設計し、その中の光量分布が平坦になるところを用いるとなお良い。この場合、光量が充分なことが必要であることは言うまでもない。
【0024】
図2は、DOE素子を通った光の様子(瞳上での光の角度分布)を示すものである。太い線で示される円4の中が0次回折光である。0次回折光の周りの細い線で示される円5の中が1次回折光である。0次回折光を囲むように1次回折光が輪状に形成されている。図2では説明のために1次回折光を6つ示しているが、実際には無限個生じてつながっている。このようにして、光の広がりが大きくなり、NAが大きくなっている。ブレーズにより、0次回折光の強度と1次回折光の強度の比を調整して、一様照明が行われるようにすることが好ましい。
【0025】
図3は上記DOEの断面模式図である。本実施例では円形視野(瞳)の中を均一に照明することを目的に、回転対称なパターンを持つDOEを用いている。DOEの製法は良く知られているのでここでは説明を省略する。
【0026】
図4は、瞳上での実際の光の強度分布(角度分布)の計算値の例を模式的に示すものである。(a)は、レチクルの光源側に拡散板やDOE素子を設けない場合の強度分布である。必要なNAに対して照明角度が1/3程度である場合、すなわち、σ1(照明光学系のNA/投影レンズのFullNA)が1/3程度の場合を示している。(b)は、レチクルの光源側に拡散板を設けた場合の強度分布を示すものであり、ほぼ必要NAをカバーする程度の角度に亘って光量が得られているが、端部で光量が低下しており、かつ、拡散板での吸収や外部への散乱が起こるために、全体光量(図で示される光量の積分値で図形の面積に相当)が、(a)の場合に比して低下している。
【0027】
(c)はレチクルの光源側にDOE素子を設けた場合の強度分布を示すものであり、必要なNAの範囲より広い範囲に亘って光量分布が得られており、必要なNAの範囲では光量がほぼフラットになっている。しかも、全体光量の損失が、小さいので、(b)の場合に比して、光量も大きくなっている。よって、CCD等の撮像素子を用いて測定を行うとき、蓄積時間を短くして、測定時間を短縮することができる。
【0028】
図5に、本発明の実施の形態の1例であるシャック−ハルトマン方式の波面収差測定装置の概要を示す。シャック−ハルトマン方式の波面収差測定装置本体は、図6、図7に示して説明したものと変わるところはないので、図5の説明においてはその詳しい説明を省略する。
【0029】
照明装置11からの光はDOE素子12を介して、DOE素子12と一体となった検査用レチクル13を照明する。そして、検査用レチクルに設けられたピンホール14を通って球面波とされた光は、被検レンズである投影レンズ15に入り、投影レンズ15の像面16にピンホール14の像を結像する。像面16にもピンホールが設けられており、そこを通った球面波は、対物レンズ17により平面波とされ、マイクロレンズアレイ18に入射する。そして、マイクロレンズアレイ18により、ピンホール14の像が各マイクロレンズ毎に、所定位置に配置された撮像素子(CCD)19上に2次像として結像する。
【0030】
DOE素子12を使用することによって、検査用レチクル13が大きなNAを持つ照明光で照明されるので、検査用レチクル13のピンホール14(瞳)から出射する光のNAを大きくとることができ、かつ図4に示したように、光量の角度分布がフラットな光が得られる。
【0031】
ピンホール14(瞳)での光量の角度分布は、すなわちマイクロレンズアレイ18上では、光量の平面的な分布(光量ムラ)となる。マイクロレンズアレイ18上での光量ムラが大きいと、受光CCDのダイナミックレンジを十分に利用できないのみならず、スペックルが大きい場合などは、マイクロレンズ個々のレンズ上でのムラがCCD位置でのムラになり(個々のレンズの形状精度が低いときは特にこの効果は大きい)、波面収差の測定精度に影響を及ぼすが、本実施の形態では、マイクロレンズアレイ18上での光量ムラを小さくすることができるので、このような問題が発生しにくい。
【0032】
また従来の拡散板を用いた波面収差測定機では、レチクル開口上にもムラを生じていたため、結像スポットそのものに非対称が生じていたが、この実施の形態ではこのような問題の発生を避けることができる。
【0033】
投影レンズは、組み立て調整の過程で、本発明の実施の形態にかかる波面収差測定機を用いて波面測定が行われ、波面収差が0.02λRMS以下になるまで調整される。調整された投影レンズは半導体露光装置に搭載される。
【0034】
図8は、半導体露光装置の概略構成図である。露光装置は、少なくともウエハステージ108と、光を供給するための光源部101と、投影レンズ15とを含む。ここで、ウエハステージ108は感光剤を塗布したウエハwを表面108a上に置くことができる。また、ステージ制御系107はウエハステージ108の位置を制御する。
【0035】
投影レンズ15は上述のように本発明の実施の形態である波面収差測定機を用いて調整された高精度投影レンズである。また投影レンズ15の物体面P1及び像面P2に、それぞれレチクルr、ウエハwが配置される。さらに投影レンズ15はスキャンタイプの露光装置に応用されるアライメント光学系を有する。さらに照明光学系102は、レチクルrとウエハwとの間の相対位置を調節するためのアライメント光学系103を含む。
【0036】
レチクルrは、当該レチクルに形成されたパターンのイメージをウエハw上に投影するためのものであり、ウエハステージ108の表面108aに対して平行移動が可能であるレチクルステージ105上に配置される。そしてレチクル交換系104は、レチクルステージ105上にセットされたレチクルrを交換し運搬する。またレチクル交換系104はウエハステージ108の表面108aに対し、レチクルステージ105を平行移動させるためのステージドライバー(不図示)を含む。また、主制御部109は位置合わせから露光までの一連の処理に関する制御を行う。
【0037】
本実施の形態にかかる波面収差測定機は、露光装置に搭載された投影レンズ15の波面収差を測定することにも適用することができる。その場合、波面収差測定機をウエハステージ108の端部に取り付け、測定時はちょうど投影レンズ15の下方に配置されるように、ウエハステージ108を移動させる。
【0038】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、照明光学系を大型化することなく、レチクルを照明する光のNAを大きくすることができるレチクル、及びこのレチクルを使用した波面収差測定機、この波面収差測定機を使用した半導体露光装置の製造装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の1例であるレチクルの構成を示す図である。
【図2】DOE素子を通った光の様子(瞳上での光の角度分布)を示す図である。
【図3】DOEの断面模式図である。
【図4】瞳上での実際の光の強度分布(角度分布)の計算値の例を模式的に示す図である。
【図5】本発明の実施の形態の1例であるシャック−ハルトマン方式の波面収差測定装置の概要を示す図である。
【図6】従来の シヤック−ハルトマン方式の波面収差測定機の概要を示す図である。
【図7】図6の結像部を示す詳細図である。
【図8】半導体露光装置の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
1:レチクル本体
2:パターン(ピンホール)
3:DOE素子
4:0次回折光
5:1次回折光
11:照明装置
12:DOE素子
13:検査用レチクル
14:ピンホール
15:投影レンズ
16:像面
17:対物レンズ
18:マイクロレンズアレイ
19:撮像素子(CCD)
Claims (6)
- パターンが形成された基板の一方に、DOE素子を備えたレチクル。
- 請求項1に記載のレチクルであって、前記DOE素子が同心円状の構造を持ち、当該同心円の中心がレチクルの中心(光軸位置に設けられる部分)と一致することを特徴とするレチクル。
- 請求項1又は請求項2に記載のレチクルであって、前記DOE素子がブレーズ構造になっていることを特徴とするレチクル。
- 請求項1から請求項3のうちいずれか1項に記載のレチクルを有することを特徴とする波面収差測定機。
- 請求項1から請求項3のうちいずれか1項に記載のレチクルを有することを特徴とするShack−Hartmann(シヤック−ハルトマン)方式の波面収差測定機。
- 請求項4又は請求項5に記載の波面収差測定機を用いて、投影光学系の波面収差をRMSで0.02λ以下に調整する工程を有することを特徴とする半導体露光装置の製造方法。
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