JP2007103941A - 露光装置または基板の熱膨張を補償するためのシステム及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】重ね合わせ誤差を生成する基板の有意な膨張を防止すべく露光作業を2つに分けて行う。まず境界域11を露光し、2番目に大面積のバルク域12を露光する。一実施例では、基板の一部が固定され、その固定部から遠いほうから固定部に向かって漸進的に基板は露光される。他の実施例では、単一の低速スキャンの代わりに複数回の高速スキャンが実行され、高速スキャン間に基板が冷却されるようにする。他の実施例では、露光装置と周囲環境とで異なる温度に維持され、露光のための放射による変動が最小化されるように露光装置が加熱される。
【選択図】図5
Description
本発明の種々の実施例を上に記載したが、それらはあくまでも例示であって、それらに限定されるものではない。本発明の精神と範囲に反することなく種々に変更することができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。本発明の範囲と精神は上記で述べた例示に限定されるものではなく、請求項とその均等物によってのみ定義されるものである。
Claims (33)
- 境界を有する図形を基板に露光することを備え、この露光は、
変調された放射ビームを前記基板に投影することにより、前記図形において前記境界から所定距離内にある区域を露光する第1の露光を行うことと、
前記変調された放射ビームを前記基板に投影することにより、前記第1の露光では露光されていない前記図形の少なくとも一部を露光する第2の露光を行うこととを含むデバイス製造方法。 - 前記第1の露光では露光されていない前記図形の実質的にすべての区域が前記第2の露光において露光される請求項1に記載の方法。
- 前記基板に露光される図形は複数あり、
前記変調された放射ビームを前記基板に投影することにより、前記基板上の1つの領域内にある前記複数の図形のすべての境界から所定距離内の区域が前記第1の露光において露光される請求項1に記載の方法。 - 前記露光工程は、
前記変調された放射ビームを前記基板に投影することにより、前記第1の露光で露光されていない前記図形の少なくとも一部を露光する第3の露光を行うことを更に含む請求項1に記載の方法。 - 基準物に基板の一部を固定して前記基板の固定部を形成し、前記基板の残りは前記基準プレートに対して固定されていない状態のままとすることと、
基板上の点が露光される際に、当該点と前記固定部に最も近接する部位との間の点について今回の一連の露光処理では露光がなされていないようにして漸進的に前記基板を露光することと、を備えるデバイス製造方法。 - 前記基板を固定する工程は、前記基板の外側端部と、前記基板の外側端部に一致しない線または点との形状のうちの少なくとも一方を用いることを含む請求項5に記載の方法。
- 前記露光工程において前記基板の異なるターゲット部分が露光されるように前記基板が漸進的に移動され、前記ターゲット部分は、ターゲット部分の1つが露光されるときに当該ターゲット部分と前記固定部に最も近接する部位との間の基板の部位が露光されていないようにして露光される請求項5に記載の方法。
- 変調された放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影系と、
基板の一部を基準物に固定する固定装置と、
前記基板上の点が露光される際に、当該点と前記固定された部分に最も近い部位との間の点が今回の一連の露光処理では前もって露光されていないようにして漸進的に前記基板を露光するように露光装置を制御するよう構成されている制御部と、
を備える露光装置。 - 前記基準物は、前記基板を支持する基板テーブルである請求項8に記載の露光装置。
- 変調された放射ビームを基板に投影する投影系を使用することと、
前記投影系及び前記基板の少なくとも一方を、前記投影中に周囲環境温度よりも有意に高い所定温度にまで少なくとも加熱することと、を備えるデバイス製造方法。 - 前記投影系及び前記基板の少なくとも一方の加熱は、実質的に一定温度に維持するよう温度制御される請求項10に記載の方法。
- 少なくとも所定の温度まで前記投影系及び前記基板の両方が加熱される請求項10に記載の方法。
- 基板を支持する基板テーブルと、
パターンが付与されたビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影系と、
前記投影系と前記基板テーブルとの少なくとも一方を加熱する加熱システムと、
を備える露光装置。 - 前記投影系と前記基板テーブルとの少なくとも一方の温度を測定する温度計をさらに備える請求項13に記載の露光装置。
- 放射感応材料層で少なくとも部分的に覆われている基板を用意することと、
第1の波長を含む第1の変調放射ビームを基板に投影することと、
第2の波長を含む第2の放射ビームを基板に投影することと、を備え、
前記第1の波長は前記放射感応材料に感応する波長であり、前記第2の波長は前記放射感応材料に感応しない波長であるデバイス製造方法。 - 前記第2の放射ビームは前記第1の変調放射ビームのネガ像に変調されている請求項15に記載の方法。
- 放射ビームを調整する照明系と、
前記放射ビームを変調するパターニング系と、
放射感応材料層で少なくとも部分的に覆われている基板を支持する基板テーブルと、
前記変調された放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影系と、を備え、
前記照明系は、前記放射感応材料に感応する波長である第1の波長と、前記放射感応材料に感応しない波長である第2の波長とに関して放射ビームを調整する露光装置。 - 基板を支持する基板テーブルを設けることと、
投影系を用いて基板に放射ビームを投影することと、を備え、
前記投影系の一部または前記基板テーブルの少なくとも一方は、電磁場が与えられたときに大量の熱を生成する状態と当該電磁場が与えられたときに少量の熱を生成する状態との間で転移をする材料で被覆されているデバイス製造方法。 - 前記材料は、正温度係数を有し、転移温度より低温において相対的に低抵抗率である状態と当該転移温度より高温において相対的に高抵抗率である状態との間で相転移をする抵抗性材料である請求項18に記載の方法。
- 前記相転移は、磁気相転移及び構造相転移の少なくとも一方により生じる請求項19に記載の方法。
- 前記相転移が生じる温度よりもわずかに低い温度に加熱して維持するよう前記抵抗性材料の層に電流を流すことをさらに備え、
前記投影ビームからの更なる加熱があった場合に前記抵抗性材料の温度が前記転移温度よりも高温に増大され、前記電流によりもたらされる前記加熱の減少を生じさせる請求項19に記載の方法。 - 前記材料は、転移温度より低温での磁気秩序状態と当該転移温度より高温での磁気秩序が低い状態との間で相転移をする請求項18に記載の方法。
- 前記材料が前記転移温度より低温であるときに前記材料にヒステリシス加熱を生じさせるよう、変化する磁界を前記材料に与えることをさらに備える請求項22に記載の方法。
- 前記磁気秩序状態は強磁性およびフェリ磁性の一方である請求項22に記載の方法。
- 前記相転移が生じる温度よりもわずかに低い温度に加熱して維持するヒステリシス加熱を生じさせるように前記材料の被覆層に変化する磁界を与え、前記投影ビームからの更なる加熱があった場合に前記被覆層の温度が前記転移温度よりも高温に増大されて前記ヒステリシス加熱によりもたらされる前記加熱の減少を生じさせることをさらに備える請求項22に記載の方法。
- 請求項1に記載された方法により製造されたフラットパネルディスプレイ。
- 請求項1に記載された方法により製造された集積回路。
- 基板を支持するよう構成されている基板テーブルと、
パターンが付与されている投影ビームを前記基板のターゲット部分に投影するよう構成されている投影系と、を備え、
前記投影系の一部または前記基板テーブルの少なくとも一方は、電磁場が与えられたときに大量の熱を生成する状態と当該電磁場が与えられたときに少量の熱を生成する状態との間で転移をする材料で被覆されている露光装置。 - 前記材料は、正温度係数を有し、転移温度より低温において相対的に低抵抗率である状態と当該転移温度より高温において相対的に高抵抗率である状態との間で相転移をする抵抗性材料である請求項28に記載の装置。
- 前記投影系は、フレームに支持されるレンズアレイを含み、前記フレームは前記抵抗性材料で被覆されている請求項28に記載の装置。
- 前記材料は、転移温度より低温での磁気秩序状態と当該転移温度より高温での磁気秩序が低い状態との間で相転移をする請求項28に記載の装置。
- 前記材料に磁界を与える磁気源をさらに備える請求項31に記載の装置。
- 前記投影系は、フレームに支持されるレンズアレイを含み、前記フレームは前記抵抗性材料でコーティングされている請求項31に記載の装置。
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