JP2007103435A - 赤色半導体レーザ - Google Patents

Abstract

【課題】端面無秩序化の熱プロセス中に、ｐ型半導体層中の不純物が活性層の発光領域へ拡散することを防止し、端面窓構造を構成する活性層中の不純物濃度が適切になるようにした赤色半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｎ−ＧａＡｓ基板２上に、クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、第１クラッド層５、エッチングストップ層６、ブロック層７、第２クラッド層８、バッファ層９、ｐ電極１１が積層され、ｎ−ＧａＡｓ基板２の裏側にはｎ電極１が形成されている。Ｚｎを拡散することにより、端面窓構造である不純物拡散領域１２が形成される。第１クラッド層５、エッチングストップ層６、第２クラッド層８には、Ｚｎよりも化合物半導体の固体中で拡散しにくいＭｇが不純物としてドーピングされており、端面窓形成の熱プロセス中にＭＱＷ活性層４の発光領域への不純物拡散が防止される。
【選択図】 図１

Description

本発明は、ＤＶＤ等に用いられる赤色半導体レーザに関する。

記録型ＤＶＤ市場の成熟により、高倍速で書き込むため、波長６５０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系赤色半導体レーザでは、２５０mＷを超えるような高出力が求められている。

この赤色半導体レーザの一般的な構造を図９に示す。ｎ−ＧａＡｓ基板３２と、その上に成長させた半導体積層構造を備えている。この半導体積層構造は、基板側から順にｎ−ＧａＩｎＰバッファ層３３、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３４、ＭＱＷ活性層３５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３６、ｐ−ＧａＩｎＰバッファ層３７、ｎ−ＡｌＩｎＰブロック層３８、ｐ−ＧａＡｓキャップ層３９で構成される。また、ｎ−ＧａＡｓ基板３２の下面にはｎ電極３１が、ｐ−ＧａＡｓキャップ層３９の上面にはｐ電極４０が形成される。

図９の赤色半導体レーザは、クラッド層３６の上部とバッファ層３７とで、ストライプ状のリッジ部を形成し、このリッジ部の両側にｎ−ＡｌＩｎＰブロック層３８を配置し、ｐ−ＧａＩｎＰバッファ層３７とｎ−ＡｌＩｎＰブロック層３８の層をｐ−ＧａＡｓキャップ層３９で覆った埋め込みリッジ構造を有している。

リッジ部の屈折率とリッジ側面に配置されたｎ−ＡｌＩｎＰブロック層３８との屈折率の差によって水平方向に光を閉じ込めている。電流は、逆バイアスとなるｎ−ＡｌＩｎＰブロック層３８及びその下部には流れず、ストライプ状のリッジ部を流れる。

また、ｐ−ＧａＡｓキャップ層３９とｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３６とを直接接合すると、バンドギャップ差が大きいために、ｐ側領域のキャリアである正孔に対して大きな障壁が接合界面近傍にでき、正孔の流れを妨げて電流が流れにくくなる。これを防ぐために、ｐ−ＧａＡｓキャップ層３９とｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３６との間にバンドギャップが両者の中間になるｐ−ＧａＩｎＰバッファ層３７を挟み、接合界面に形成される障壁を低くして正孔を流れやすくしている。

ｐ電極４０とｎ電極３１との間に通電すると、電流は、電流阻止層であるｎ−ＧａＡｓブロック層３８により狭窄され、リッジ部の下部位置に相当するＭＱＷ活性層３５の中央部から発光が得られる。

ところで、赤色半導体レーザの材料であるＡｌＧａＩｎＰは、熱伝導がＡｌＧａＡｓの半分程度であるために、ＡｌＧａＩｎＰ系レーザのＣＯＤ（Catastrophic Optical Damage）レベルは、ＡｌＧａＡｓ系レーザよりも低く、端面の光吸収による光学損傷が発生しやすい。

そこで、ＣＯＤレベル向上のために、レーザチップの端面部分だけ不純物を拡散させてＭＱＷ活性層３５の多重量子井戸の秩序構造を無秩序化し、端面部分のバンドギャップを上げてレーザ光に対して透明な領域を作るＮＡＭ（Non Absorbing Mirror）構造（端面窓構造）が一般的に用いられている。この端面窓構造の領域を図９の４１（斜線部）で示す。また、発光領域４２は、ＭＱＷ活性層３５の不純物非拡散領域であり、無秩序化されない領域である。

端面窓構造４１の形成方法としては、図９の赤色半導体レーザの製造過程で、ウエハ上のチップ端面近傍に相当する領域にＺｎＯ膜を積層し、ｐ−ＧａＩｎＰバッファ層３７表面からＭＱＷ活性層３５まで不純物としてＺｎを熱拡散させ、ＭＱＷ活性層３５中を通過させて多重量子井戸の秩序構造を無秩序構造に変えている。
特開平９−２０５２４９号公報

上記従来の赤色半導体レーザでは、端面窓構造４１を形成する場合に、約６００℃近くにまで温度を上昇させ、３０〜６０分のアニ−ルを行ってＺｎＯ膜から結晶内拡散の大きいＺｎを拡散させている。しかし、一般にｐ型クラッド層等のｐ型半導体層にはｐ型不純物として拡散の大きいＺｎが用いられているので、既にエピタキシャル成長させたｐ型半導体層中の不純物Ｚｎも拡散して、ＭＱＷ活性層３５の不純物非拡散領域である発光領域４２の部分に侵入して活性層の発光能力を損ない、レーザ発振が行われなかったり、若しくは寿命が著しく短くなるということがあった。

また、Ｚｎはｐ型層で拡散が早く、ｎ型層で拡散が遅く、実験によれば、ｐ型層での拡散速度はｎ型層での拡散速度の約３倍にも達するために、ｐ型とｎ型の半導体層に挟まれている活性層にＺｎが蓄積してしまうが、Ｚｎの拡散量（蓄積量）が多すぎると逆に光吸収量が増加して端面窓構造としての機能を果せず、さらにはｎ−ＧａＡｓ基板３２近くまでＺｎが拡散し短絡してしまうので、レーザ発振後に短時間で破壊されるという問題があった。

本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、端面無秩序化の熱プロセス中に、ｐ型半導体層中の不純物が活性層の発光領域へ拡散することを防止し、端面窓構造を構成する活性層中の不純物濃度が適切になるようにした赤色半導体レーザを提供することを目的としている。

上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、ｎ型半導体基板上に、少なくとも、ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層を順に備え、活性層よりも上部に前記ｐ型クラッド層を含むストライプ状のリッジ部と、共振器端面に位置する活性層の一部がＭｇよりも結晶内拡散の大きい不純物の拡散により無秩序化された端面窓構造とを有するＡｌＧａＩｎＰ系の赤色半導体レーザにおいて、前記ｐ型クラッド層は、ｐ型不純物としてＭｇを含む（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐ（０＜Ｘ≦１）で構成したことを特徴とする赤色半導体レーザである。

また、請求項２記載の発明は、前記ｐ型クラッド層は、中間に形成されたエッチングストップ層により、リッジ部を有する第２ｐ型クラッド層とリッジ部を含まない第１ｐ型クラッド層に分離されており、前記エッチングストップ層は、ｐ型不純物としてＭｇを含むことを特徴とする請求項１記載の赤色半導体レーザである。

また、請求項３記載の発明は、前記ｐ型クラッド層上には、前記リッジ部を構成する１つの半導体層としてｐ型バッファ層が形成されており、前記ｐ型バッファ層はｐ型不純物としてＭｇを含むことを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか１項に記載の赤色半導体レーザである。

また、請求項４記載の発明は、前記ｐ型クラッド層上に形成され、かつ前記リッジ部を構成している半導体層のすべてが、ｐ型不純物としてＭｇを含むことを特徴とする請求項１記載の赤色半導体レーザである。

本発明によれば、ｐ型クラッド層のｐ型不純物として、端面窓構造形成のための不純物（例えばＺｎ）よりも結晶内拡散の小さいマグネシウム（Ｍｇ）を用いているので、端面窓構造形成のための熱プロセス中にｐ型クラッド層から活性層中へのＭｇの拡散は発生しなくなる。また、ｐ型クラッド層の上部に他のｐ型半導体層があったとしても、ｐ型不純物の拡散がｐ型クラッド層中のＭｇによって遅くなるので、活性層に到達するのを防ぐことができる。さらに、端面窓構造形成のための不純物は、ｐ型クラッド層のＭｇによって拡散が遅くなるので、活性層に不純物が過度に蓄積することがなくなる。

また、端面窓構造を形成する際に、不純物を拡散させるＺｎＯ膜がリッジ部を構成する半導体層の上面に設けられ、リッジ部を介して不純物が拡散されるので、リッジ部を構成する半導体層のすべてにｐ型不純物としてＭｇを用いれば、Ｍｇは端面窓構造形成のための不純物（Ｚｎ）よりも拡散速度が遅いので活性層への不純物Ｍｇの拡散を防止できる。以上のように、活性層の発光領域の破壊を防ぎ、端面窓構造部分においても過度な不純物濃度になることを防ぐことができる。

以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。図１は本発明による赤色半導体レーザの断面構造を示す。

傾斜ｎ−ＧａＡｓ基板２上に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層６、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰブロック層７、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層８、ｐ−ＧａＩｎＰバッファ層９、ｐ電極１１が積層され、ｎ−ＧａＡｓ基板２の裏側にはｎ電極１が形成されている。ｎ−ＧａＡｓ基板２には、その結晶方位が、（００１）から１０〜１５度傾斜しているものを用いる。また、ＭＱＷ活性層４は、多重量子井戸構造の両側に設けられたＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層を含む構造となっており、この光ガイド層により垂直方向に光を閉じ込めることができ、光ガイド層の組成や厚さによって垂直広がり角度を制御できる。この垂直方向の光閉じ込めを弱めると、発光スポットが垂直方向に拡大し、出射ビームの垂直広がり角度（ＦＦＰの積層方向の大きさ）が低減する。なお、傾斜ｎ−ＧａＡｓ基板２上に格子整合したＡｌＧａＩｎＰ層は、（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐ（０＜Ｘ≦１）という構成を得る。

ＭＱＷ活性層４は、３層のＧａＩｎＰ井戸層と２層のアンドープの（Ａｌ_０．５Ｇａ_０．５）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐバリア層で形成され、この多重量子井戸構造の上下に各々アンドープの（Ａｌ_０．５Ｇａ_０．５）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐ光ガイド層が形成されている。ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３はｎ型不純物Ｓｉドープの（Ａｌ_０．７Ｇａ_０．３）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐ、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５はｐ型不純物Ｍｇドープの（Ａｌ_０．７Ｇａ_０．３）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐ、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層６はｐ型不純物Ｍｇドープの無歪の（Ａｌ_０．１Ｇａ_０．９）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐを３層とｐ型不純物Ｍｇドープの（Ａｌ_０．４Ｇａ_０．６）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐを２層用いてこれらを交互に積層した層、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰブロック層７はｎ型不純物Ｓｉドープの（Ａｌ_０．８Ｇａ_０．２）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐ、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層８はｐ型不純物ＭｇドープのＡｌ_０．５ＧａＡｓ、ｐ−ＧａＩｎＰバッファ層９はｐ型不純物ＺｎドープのＧａＩｎＰ、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１０はｐ型不純物ＺｎドープのＧａＡｓにより構成されている。ｐ電極１１はＴｉとＡｕの多層金属膜が、ｎ電極１はＡｕ、Ｇｅ、Ｎｉの合金層とＴｉとＡｕの多層金属膜が用いられる。

ここで、クラッド層３の不純物Ｓｉ濃度は例えば５×１０^１７〜２×１０^１８ｃｍ^−３、第１クラッド層５の不純物Ｍｇ濃度は例えば３×１０^１７〜１×１０^１８ｃｍ^−３、エッチングストップ層６の不純物Ｍｇ濃度は例えば３×１０^１７〜１×１０^１８ｃｍ^−３、ブロック層７の不純物Ｓｉ濃度は例えば５×１０^１７〜５×１０^１８ｃｍ^−３、第２クラッド層８の不純物Ｍｇ濃度は例えば５×１０^１７〜３×１０^１８ｃｍ^−３、バッファ層９の不純物Ｚｎ濃度は例えば１×１０^１８〜１×１０^１９ｃｍ^−３、キャップ層１０の不純物Ｚｎ濃度は例えば１×１０^１８〜１×１０^１９ｃｍ^−３としている。

図１に示す高出力赤色半導体レーザは、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層８とｐ−ＧａＩｎＰバッファ層９とで、ストライプ状のリッジ部分を形成し、このリッジ部分の両側をｎ−ＡｌＧａＩｎＰブロック層７で覆った埋め込みリッジ構造を有している。電流は、逆バイアスとなるｎ−ＡｌＧａＩｎＰブロック層７及びその下部には流れず、ストライプ状のリッジ部を流れる。

また、図１の斜線で示される不純物拡散領域１２が、ＭＱＷ活性層４の多重量子井戸の秩序構造を無秩序化し、端面部分のバンドギャップを上げて、レーザ光に対して透明な領域とした端面窓構造を構成している。図１の端面窓構造を有する赤色半導体レーザの形成方法を図２〜図６に示す。製造は、既知のＭＯＣＶＤ法やフォトリソグラフィ技術等により以下のように行われる。なお、各層の適切な膜厚は、半導体材料の組成比率等により、変化するものであるが、本実施例では、前述の各層の組成比率に基づき以下のように形成した。

まず、図２に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板２上に、ＭＯＣＶＤ法(有機金属化学気相成長法)を用いた第１回目の結晶成長によって、１〜３．５μｍ望ましくは１．５〜３μｍ厚のｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、ＭＱＷ活性層４、０．１〜０．３μｍ例えば０．２２μｍ厚のｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層６、０．６〜２μｍ例えば１．２μｍ厚のｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層８、０．０２〜０．２μｍ例えば０．０５μｍ厚のｐ−ＧａＩｎＰバッファ層９を順に形成し、ダブルヘテロ構造のウエハを得る。なお、ＭＱＷ活性層５は、６ｎｍ厚の井戸層を３層と、４ｎｍ厚のバリア層を２層の多重量子井戸構造として、これを下側５ｎｍ厚のＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層と上側１０ｎｍ厚のＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層とで挟み、エッチングストップ層６は、２ｎｍ厚の無歪の（Ａｌ_０．１Ｇａ_０．９）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐを３層と、５ｎｍ厚の（Ａｌ_０．４Ｇａ_０．６）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐを２層の多層構造とした。
次に、図３に示すように、積層されたウエハのｐ−ＧａＩｎＰバッファ層９上面にＳｉＯ₂膜２０を堆積させ、ウエットエッチングによりＳｉＯ₂膜２０のパターニングを行い、例えば１００μｍ以下の幅のストライプ開口部をレーザの共振器方向と垂直方向に形成する。次に、スパッタ法によりＺｎＯ膜２１を、ＳｉＯ₂膜２０およびストライプ開口部の全面に堆積させ、ストライプ開口部上に体積されたＺｎＯ膜以外のＺｎＯ膜２１をウエットエッチングにより除去する。

その後、図４に示すように、ＳｉＯ₂膜２０およびＺｎＯ膜２１の上面全体に誘電体膜としてＳｉＯ₂膜２２を堆積させる。そして、窒素雰囲気中で５５０℃の温度で熱処理によるアニールを３０分程行い、ストライプ開口部上のＺｎＯ膜２１を拡散源として、ｐ−ＧａＩｎＰバッファ層９の上面からｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３まで達するようにＺｎを固相拡散させる。これにより、図の斜線で示す不純物拡散領域１２（端面窓構造）が形成される。

不純物拡散領域１２内部において、ＭＱＷ活性層４の量子井戸構造は無秩序化される。ＭＱＷ活性層４の無秩序化された領域（斜線部分）のバンドギャップは、ＭＱＷ活性層４の無秩序化されていない領域のバンドギャップより大きくなり、ＭＱＷ活性層４の無秩序化された領域は、光を吸収しないようになる。ところで、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層６、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層８には、ｐ型不純物としてＭｇがドーピングされており、ＭｇはＺｎよりも化合物半導体の固体中で拡散しにくいので、不純物拡散領域１２を形成する（端面無秩序化）熱プロセス中に、ＭｇはＭＱＷ活性層４に到達しない。

また、ｐ−ＧａＩｎＰバッファ層９にドーピングされているＺｎは、Ｍｇに阻止されて、拡散しにくくなり、不純物拡散領域１２を形成する熱プロセス中にＭＱＷ活性層４の秩序構造が維持されている発光領域にまでＺｎが到達するのを防止することができる。さらに、量子井戸構造に端面窓構造を形成するためのＺｎが過剰に存在すると、光の吸収が発生し、窓構造として機能しなくなるが、不純物の過剰な拡散も防止することができる。

次に、図５に示すように、ＳｉＯ₂膜２２、ＺｎＯ膜２１およびＳｉＯ₂膜２１をウエットエッチングにより除去した後の積層体の上面に、ＳｉＯ₂膜２３を堆積させる。ＳｉＯ₂膜２３はウエットエッチングによりパターニングされ、レーザの共振器方向（リッジ部のストライプ方向）を長手方向としてストライプ状に形成される。このストライプ状のＳｉＯ₂膜２３をマスクとして、ウエットエッチングによりｐ−ＧａＩｎＰバッファ層９、 ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層８をリッジ形状に除去する。さらに、塩酸若しくは希硫酸と過酸化水素水でウエットエッチングしてエッチングストップ層６に達するまでエッチングを行い、ダメージ層を除去する。エッチングストップ層６によりリッジエッチングが自動的に停止し、制御良くリッジを形成できる。

次に、ウエハをＭＯＣＶＤ装置内に戻し、図６に示すように、ＳｉＯ₂膜２３を選択成長マスクとして用い、第２回目の結晶成長によってｎ−ＡｌＧａＩｎＰブロック層７を形成する。その後、ＳｉＯ_２膜２３マスクをＨＦ処理によって除去し、再びＭＯＣＶＤ法によりｐ−ＧａＡｓキャップ層１０を成長させる。最後に、ラッピング、ポリッシュによってウエハを１００μｍ程度まで薄くし、真空蒸着法によってｎ電極１及びｐ電極１１を形成して、図１に示す赤色半導体レーザを得る。

図７は、ｐ−ＧａＩｎＰバッファ層の不純物としてＺｎの替りにＭｇを用いた例を示す。図１と同じ数字を付しているものは、同じ構成を示す。ｐ−ＧａＩｎＰバッファ層９１のドーピング材料としてＭｇを用いているので、図４の工程において不純物拡散領域１２を形成する場合、ＭＱＷ活性層４よりも上部に積層されたすべての半導体層、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層８、ｐ−ＧａＩｎＰバッファ層９１のドーピング材料がいずれもＭｇとなり、無秩序化されない領域においては、不純物としてＺｎが拡散されることがなくなる。しかも、Ｍｇの拡散速度は不純物拡散領域１２の形成に用いるＺｎよりも遅く、端面無秩序化の熱処理中に、容易にＭＱＷ活性層４へ到達しないので、図１の構成よりもさらに効果が大きい。

図８に、ｐ−ＧａＡｓキャップ層とｐ−ＧａＡｓコンタクト層を設けた例を示す。図１と図７と同じ数字を付しているものは、同じ構成を示す。ｐ−ＧａＡｓキャップ層１３は、例えば１０００Åの膜厚で積層されている。ｐ−ＧａＡｓキャップ層１３のドーピング材料をＭｇとしているので、上記図７の場合と同じ理由により、図４の工程の不純物拡散領域１２を形成する過程で、不純物が容易にＭＱＷ活性層４へ到達しない。なお、ＧａＡｓ中の不純物の拡散速度は非常に遅く、拡散制御層としての役割を果すので、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１３のドーピング材料をＭｇではなく、従来のようにＺｎとしても良い。

ところで、図４に示すように、不純物を拡散させるＺｎＯ膜がリッジ部を構成する半導体層の上面に設けられてリッジ部を介して不純物が拡散されるので、例えば、図７や図８のように、リッジ部を構成する半導体層のすべてにｐ型不純物としてＭｇを用いれば、ＭｇはＺｎよりも結晶内拡散が小さいため、端面無秩序化の熱プロセス中に、活性層の発光領域への不純物の拡散を防止して、発光領域の破壊を防ぐことができ、端面窓構造領域においても過度な不純物濃度になることを抑制することができる。

本発明の赤色半導体レーザの断面構造を示す図である。 端面窓構造を有する赤色半導体レーザ製造の一工程を示す図である。 端面窓構造を有する赤色半導体レーザ製造の一工程を示す図である。 端面窓構造を有する赤色半導体レーザ製造の一工程を示す図である。 端面窓構造を有する赤色半導体レーザ製造の一工程を示す図である。 端面窓構造を有する赤色半導体レーザ製造の一工程を示す図である。 本発明の他の赤色半導体レーザの断面構造を示す図である。 本発明の他の赤色半導体レーザの断面構造を示す図である。 従来の赤色半導体レーザの断面構造を示す図である。

符号の説明

１ ｎ電極
２ ｎ−ＧａＡｓ基板
３ ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
４ ＭＱＷ活性層
５ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層
６ ｐ−ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層
７ ｎ−ＡｌＧａＩｎＰブロック層
８ ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層
９ ｐ−ＧａＩｎＰバッファ層
１０ ｐ−ＧａＡｓキャップ層
１１ ｐ電極

Claims (4)

1. ｎ型半導体基板上に、少なくとも、ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層を順に備え、活性層よりも上部に前記ｐ型クラッド層を含むストライプ状のリッジ部と、共振器端面に位置する活性層の一部がＭｇよりも結晶内拡散の大きい不純物の拡散により無秩序化された端面窓構造とを有するＡｌＧａＩｎＰ系の赤色半導体レーザにおいて、前記ｐ型クラッド層は、ｐ型不純物としてＭｇを含む（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）_０．５Ｉｎ_０．５Ｐ（０＜Ｘ≦１）で構成したことを特徴とする赤色半導体レーザ。
2. 前記ｐ型クラッド層は、中間に形成されたエッチングストップ層により、リッジ部を有する第２ｐ型クラッド層とリッジ部を含まない第１ｐ型クラッド層に分離されており、前記エッチングストップ層は、ｐ型不純物としてＭｇを含むことを特徴とする請求項１記載の赤色半導体レーザ。
3. 前記ｐ型クラッド層上には、前記リッジ部を構成する１つの半導体層としてｐ型バッファ層が形成されており、前記ｐ型バッファ層はｐ型不純物としてＭｇを含むことを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか１項に記載の赤色半導体レーザ。
4. 前記ｐ型クラッド層上に形成され、かつ前記リッジ部を構成している半導体層のすべてが、ｐ型不純物としてＭｇを含むことを特徴とする請求項１記載の赤色半導体レーザ。
   
   

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