JP2007102969A - 超解像光記録媒体及び超解像光記録媒体への情報記録方法 - Google Patents

超解像光記録媒体及び超解像光記録媒体への情報記録方法 Download PDF

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Abstract

【課題】更に記録密度を向上させた超解像光記録媒体、及び、その超解像記録媒体への情報記録方法を提供する。
【解決手段】超解像光記録媒体10は、基板12上に、少なくとも記録層16と超解像層20とを有してなり、記録層16には、最短記録マーク26が、記録時のレーザ光のビームスポット内でスペース28とともに形成されていて、この記録マーク26は、先頭側が凸となる凸円弧26A、尾端側が凹となる凹円弧26Bの形状とされている。又スペース28も同様の形状とされている。
【選択図】図3

Description

本発明は、記録層に形成されている記録マークに再生光を照射することによって情報を再生することができる光記録媒体、特に、再生光学系における解像限界以下の小さな記録マークを再生することができる超解像光記録媒体及び超解像光記録媒体への情報記録方法
に関する。
近年、例えば特許文献1に記載されるように、再生光学系における回折限界よりも小さい記録マーク列の再生が可能な超解像光記録媒体が提案されている。
一般的に、通常の光記録媒体の場合、光を用いた再生方法では、ある記録マーク列周期以下の周期の記録マーク列は読み取りが不可能になる。この記録マーク列周期の長さを回折限界という。波長λ、開口数NAの再生光学系では、回折限界はλ/NA/2で与えられ、1周期の中で記録マーク部とブランク部の長さが同一だとすると、記録マーク長はλ/NA/4で与えられる。この記録マーク長を解像限界という。
従って、波長λを小さくし、及び/又は開口数NAを大きくすれば、解像限界が小さくなるために記録密度が向上するが、これ以上の波長の短波長化や開口数の高開口数化は限界に達しつつある。上記のような超解像光記録媒体は、λ/NA/4よりも小さな記録マークを再生することが出来る技術であり、波長λを短く、且つNAを高くしなくても、更に、記録の高密度化を図るものである。
また、上記のような通常の光記録媒体では、例えば非特許文献1に示されるように、相変化記録膜を用いていて、記録によって、記録マーク及びその近傍に変形を生じることはない。
特開2003−6872号公報 Scanning Probe Microscope Observation of Recorded Marks in Phase Change Disks: Takashi Kikukawa and Hajime Utsunomiya, Microsc. Microanal., 7 (2001)363-367
この発明は、更に記録密度を高くすることができる超解像光記録媒体及び超解像光記録媒体への情報記録方法を提供することを課題とする。
本発明者は、鋭意研究の結果、超解像光記録媒体において、変調信号中少なくとも最短の記録マークの,光透過層を除去したときに現れる表面の平面視でのAFM(原子間力顕微鏡)像が、先頭側が凸円弧、尾端側が凹円弧となる形状とすることによって高CNR(Carrier to Noise Ratio)で情報を記録できることを見出した。
即ち、以下の各実施例により上記課題を解決することができる。
(1)基板と、この基板上に形成された記録層とを有してなり、前記記録層には、再生光学系における解像限界以下のサイズであって、且つ、該再生光学系により再生可能な記録マークが形成されていて、この記録マークのうち最短マークは、平面視でのAFM像が、先頭側が凸円弧、尾端側が凹円弧となる形状であることを特徴とする超解像光記録媒体。
(2)前記AFM画像における前記最短マークの前後に、先頭側が凸円弧で尾端側が凹円弧の形状のスペースが形成されていることを特徴とする(1)に記載の超解像光記録媒体。
(3)基板と、この基板上に形成された記録層と、超解像層と、光透過層と、を少なくとも有してなる超解像光記録媒体の前記記録層に、再生光学系における解像限界以下のサイズで、且つ、該再生光学系により再生可能な記録マークを形成する情報記録方法であって、変調信号中の記録マークのうち少なくとも最短マークを、光透過層を除去した状態での表面の平面視でのAFM像が、先頭側が凸円弧、尾端側が凹円弧となる形状に形成することを特徴とする超解像光記録媒体への情報記録方法。
(4)前記AFM画像における前記最短マークの前後に、先頭側が凸円弧で尾端側が凹円弧の形状のスペースを形成することを特徴とする(3)に記載の超解像光記録媒体への情報記録方法。
この発明においては、記録マークのうち、変調信号中少なくとも最短マークの、平面視でのAFM像が、先頭側が凸円弧、尾端側が凹円弧となる形状であるので、高CNRを保ったまま記録密度を更に向上させることができる。
この最良の形態に係る超解像光記録媒体は、基板と、この基板上に形成された少なくとも記録層と、超解像層とを有してなり、記録層には、少なくとも再生光学系における解像限界以下のサイズであって、且つ、超解像層の存在のため該再生光学系により再生可能となる記録マークが形成されている。本超解像光記録媒体には、そのふさわしい変調方式に応じて、単数あるいは複数の長さを持つマークとスペースが形成されるが、この記録マークのうち最短マークは、光透過層を除去したときに現れる表面の平面視でのAFM像が、先頭側が凸円弧、尾端側が凹円弧となる形状とされている。又、前記AFM画像における最短マークの前後に、先頭側が凸円弧で後端側が凹円弧の形状のスペースが形成されている。ここで、光透過層の除去は、物理的に剥いでもよく、光透過層を溶解する溶剤を用いても良い。
なお、記録マークの先端側・尾端側は、記録レーザーパワーの入射方向、記録時の媒体の回転方向、AFM観察時の媒体の固定方向、およびAFMの探針の走査方向により、あるいは先端・尾端を判断できるような、特定のマーク長・スペース長配列の信号を記録し観察することにより判断することが出来る。
以下本発明の実施例1について、図1乃至図3を参照して詳細に説明する。
図1に示されるように、本発明の実施例1に係る超解像光記録媒体10は、基板12上に第1の誘電体層14、記録層16、第2の誘電体層18、超解像層20、第3の誘電体層22及び光透過層24をこの順で積層した構成とされている。
前記基板12は、例えばポリカーボネートから形成されている。又、前記第1の誘電体層14、第2の誘電体層18、及び、第3の誘電体層22は、ZnS−SiO2、ZnS、ZnO等の、半導体や金属の酸化物、硫化物等から構成されている。
又、前記記録層16は、PtOx等の、白金と酸化に熱分解した結果、その部分の光学定数が変化する材料から構成されているが、PtOxに限定されるものでなく、記録用レーザ光の照射によって、光学定数が変化し、且つ、前記超解像層20への再生用レーザ光の照射において、記録層16に形成された記録マークが消失しない材料であればよい。
前記超解像層20は、1/4NA以下の長さの記録マークを再生可能とする,超解像能を有する材料からなり、Sb、Bi、Teのいずれかの単体、あるいは、Sb、Bi、Te、Zn、Sn、Ge、Siのいずれかの化合物、たとえば、前記いずれかの単体を一方に含むSb−Zn又はTe−Ge、Sb−Te、Sb−Bi、Bi−Te、Sb−Bi−Teのいずれかの化合物、のうち一つの材料から構成されている。
なお、他の材料であっても、再生用レーザ光の波長に対して不透明であって、且つ熱伝導率が低い材料であればよい。
更に、超解像層20の材料として、上記の材料に、Ag、Inの少なくとも一方が含まれているものであってもよい。
実際には、前記基板12上に形成した第1、第2、第3の誘電体層14、18、22の材料を、例えば、それぞれ(ZnS)85(SiO215とし、更に、記録層16をPtOxとし、超解像層20を、Sb75Te25として、超解像光記録媒体10を構成した。
上記のような構成の超解像光記録媒体10に対しては、図2に示されるような情報記録/再生装置30により、情報の記録及び再生を行なう。
前記情報記録/再生装置30は、超解像光記録媒体10を回転させるためのスピンドルモータ32、レーザビームを前記光記録媒体10に照射するためのヘッド34、このヘッド34及び前記スピンドルモータ32を制御するためのコントローラ36、前記ヘッド34からのレーザビームを、パルス列に変調制御するためのレーザ駆動信号を供給するレーザ駆動回路38と、前記ヘッド34にレンズ駆動信号を供給するレンズ駆動回路40と、を備えて構成されている。
前記コントローラ36は、フォーカスサーボ追従回路36A、トラッキングサーボ追従回路36B及びレーザコントロール回路36Cが含まれている。
前記レーザコントロール回路36Cは、レーザ駆動回路38により供給されるレーザ駆動信号を生成する回路であり、データの記録時においては、対象となる超解像光記録媒体に記録されている記録条件設定情報に基づいて適切なレーザ駆動信号の生成を行ない、データの再生時においては、対象となる光記録媒体の種類に応じ、レーザビームのパワーが予め定められたパワーとなるように、レーザ駆動信号の生成を行なうようにされている。
このような、情報記録/再生装置30により記録パワーを3段階に変化させて(図3(A)が最大パワー、図3(C)が最小パワー)、前記記録層14に、記録マークを連続的に形成し、光透過層22を除去した状態で、これを上からAFMで観測したところ、図3に示されるように、平面視での表面のAFM像が、先頭側が凸円弧26A、尾端側が凹円弧26Bとなる記録マーク26が観測されている。
AFM像は表面の凹凸を反映した像を表すことから、本実施例の超解像光記録媒体及び記録方法では、記録により変形が発生して記録マークが形成されることを示している。この記録マークは非特許文献1に示される従来の記録によって変形を生じない通常の相変化型媒体の場合とは明らかに異なることが分かる。
ここで、記録マーク26の先頭側が凸円弧、尾端側が凹円弧となる理由は必ずしも明らかではないが、記録レーザ光のビームスポットは、記録層16との相対的移動方向(図3において右方向)において、一部が順次重なり合うように照射されていて、先にビームスポットによって円形に記録されて変形した部分は、その後側の一部に次のビームスポットが重なった際に、この重なった部分が変形を埋め、その結果、図3に示されるような形状の記録マーク26が形成されるものと考えられる。
又、各記録マーク26間には、記録マーク26と同様に、先頭側が凸円弧で後端側が凹円弧の三ヶ月形状のスペース28が形成される。
図3は、λ=405nm、NA=0.85の光学系を用いたときに、75nm(<λ/NA/4)の超解像マークを連続して形成した場合のものであるが、本発明はこれに限定されるものでなく、超解像光記録媒体10は、当然、75nm以上の記録マークを有していてもよい。例えば、(1、7)変調信号であれば、2T=75nmとしたときに、2T(=75nm)、 3T(=113nm)、 …、 8T(=300nm)の7種類の異なる長さの記録マークとスペースを同一媒体に有することになる。
なお、図3に示されるような形状の記録マーク26及びスペース28が形成されるのは、記録用レーザ光のパワーが一定範囲の場合のみであった。
[例1]
例1の超解像光記録媒体は、ポリカーボネート基板上に、厚さ40nmのAg合金膜、厚さ80nmのZnS:SiO2=85:15からなる第3の誘電体層、厚さ10nmのSb75Te25からなる超解像層、厚さ40nmのZnS:SiO2=85:15からなる第2の誘電体層、厚さ4nmのPtOxからなる記録層、厚さ90nmのZnS:SiO2=85:15からなる第1の誘電体層、厚さ0.1mmの光透過層を順に積層して構成したものである。
このような構成の媒体では記録によりPtOx(記録層)がPtとO2に分解することにより、変形を伴う記録マークを形成し、Sb75Te25(超解像層)の光学変化により解像限界以下の記録マークの再生、つまり超解像再生が可能となると考えられる。なお、変形を伴う記録マークを形成し、超解像再生が可能となる媒体構成・材料は上記の媒体構造に限られるわけではなく、先頭が凸円弧、尾端が凹円弧となるような、変形記録が可能な記録膜と超解像が可能な超解像層を適宜採用すれば良い。
上記のような条件で作成した超解像光記録媒体に、75nmの記録マーク(ビームスポット径は約480nm)を、記録レーザ光のパワーを8段階に変えて連続的に形成し、そのときの、マーク列におけるCNR(dB)は表1及び図4に示されるようになった。
Figure 2007102969
又、記録マークを形成した後に、超解像光記録媒体10から前記光透過層22を剥離した状態で残った部分をAFMによって観測したところ、そのAFM像から得られる、記録マーク中心部を通る直線により得られる凹凸プロファイルが図5に示されるようになった。
又、この形成された記録マークの、各記録パワー毎の平面視でのAFM像は、図6(A)〜(G)に示されるようになった。本実施例では、凸の部分がスペースであり凹の部分が記録マークとなるように超解像光記録媒体を設計し、記録マークを形成している。
なお、この凹凸は、図5に示されるように、記録用レーザ光の記録パワーが6mW付近から、パワー増加と共に変形量が増加しているが、10mW近傍では、断面の深さ(凹凸)が飽和状態となっている。これは、後方の記録マークを前方の記録マークが埋めていくためである。記録マーク26の部分は、一定以上のパワーのレーザ光照により掘下げられ、それとほぼ同様の体積が周囲に積上げられることにより、記録マーク26よりも高く、スペースが形成されている。
また、図6に見られるように、平面視でのAFM像で先端が凸円弧、尾端が凹円弧となるような記録をした場合に、特に高いCNR(7mW及び8mWで45dB以上)が得られていることが分かり、本発明の効果は明らかである。なお、図6のAFM像観察においては、記録レーザーパワーの入射方向、記録時の媒体の回転方向、AFM観察時の媒体の固定方向、およびAFMの探針の走査方向を調整することにより、記録レーザーの移動方向は図の左側から右側であること、すなわち図の左側が先端部で右側が尾端部であることが確かめられている。
[例2]
例2に係る超解像光記録媒体は、PC基板上に、厚さ40nmのAg合金膜からなる反射膜、厚さ80nmのZnS:SiO2=85:15からなる第3の誘電体層、厚さ15nmのSn58Sb42からなる超解像層、厚さ45nmのZnS:SiO2=85:15からなる第2の誘電体層、厚さ4nmのPtOxからなる記録層、厚さ45nmのZnS:SiO2=85:15からなる第1の誘電体層、厚さ0.1mmの光透過層をこの順で積層して構成し、前記例1と同様に記録パワーを段階的に切替えて記録マークを連続的に形成したところ、その再生時のCNRが最大になるときの記録マークの形状は殆ど例1の場合と同一であった。又、このCNR>35dBで、AFMにより変形が観測された。
本発明の実施の形態の例に係る超解像光記録媒体を模式的に示す断面図 同超解像光記録媒体に情報を記録し、且つ再生するための情報記録再生装置を示すブロック図 同超解像光記録媒体の記録層に形成された最短の記録マークを模式的に示す平面図 例1の超解像光記録媒体に記録したマーク列における記録パワーとCNRとの関係を示す線図 同マーク列の断面における凹凸を示す線図 同超解像光記録媒体に記録パワーを段階的に変えて記録したマーク列の、平面視でのAFM像を示す線図
符号の説明
10…超解像光記録媒体
12…基板
16…記録層
20…超解像層
24…光透過層
26…記録マーク
26A…凸円弧
26B…凹円弧
28…スペース

Claims (4)

  1. 基板と、この基板上に形成された記録層とを有してなり、前記記録層には、再生光学系における解像限界以下のサイズであって、且つ、該再生光学系により再生可能な記録マークが形成されていて、変調信号中の記録マークのうち少なくとも最短マークの、光透過層を除去したときに現れる表面の平面視でのAFM像が、先頭側が凸円弧、尾端側が凹円弧となる形状であることを特徴とする超解像光記録媒体。
  2. 請求項1において、
    前記AFM画像における前記最短マークの前後に、先頭側が凸円弧で尾端側が凹円弧の形状のスペースが形成されていることを特徴とする超解像光記録媒体。
  3. 基板と、この基板上に形成された記録層と、超解像層と、光透過層と、を少なくとも有してなる超解像光記録媒体の前記記録層に、再生光学系における解像限界以下のサイズで、且つ、該再生光学系により再生可能な記録マークを形成する情報記録方法であって、
    変調信号中の記録マークのうち少なくとも最短マークを、光透過層を除去した状態での表面の平面視でのAFM像が、先頭側が凸円弧、尾端側が凹円弧となる形状に形成することを特徴とする超解像光記録媒体への情報記録方法。
  4. 請求項3において、
    前記AFM画像における前記最短マークの前後に、先頭側が凸円弧で尾端側が凹円弧の形状のスペースを形成することを特徴とする超解像光記録媒体への情報記録方法。
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