JP2007095322A - 同軸ケーブルおよびシールドワイヤハーネス - Google Patents

Abstract

【課題】電磁シールド層の電磁シールド効果を効果的に高める事ができる同軸ケーブルを提供する。
【解決手段】この同軸ケーブル１は、中心導体３と、中心導体３上に被覆形成された第１絶縁層５と、第１絶縁層５上に被覆形成された電磁シールド層７とを備え、電磁シールド層７は、第１絶縁層５上に被覆形成された導体層７ａ，７ｂと、導体層７ｂ上に第２絶縁層７ｄを介して被覆形成され、使用時に電気的に孤立される磁性体層７ｃとを備える。
【選択図】図６

Description

本発明は、車載用信号伝送用の同軸ケーブルに適した同軸ケーブルおよびシールドワイヤハーネスに関する。

従来の同軸ケーブル１００は、図９の様に、中心導体１０３と、中心導体１０３上に被覆形成された絶縁層１０５と、絶縁層１０５上に被覆形成された導体層（内側から順に第１導体層１０７ａ、第２導体層１０７ｂ）と、導体層１０７ｂ上に被覆形成された磁性体層１０７ｃと、磁性体層１０７ｃ上に被覆形成された外被１０９とを備えて構成される（特許文献１）。導体層１０７ａ，１０７ｂおよび磁性体層１０７ｃにより電磁シールド層１０７が構成されている。

一般に電磁シールド層１０７の電磁シールド効果ＳＥは、電磁シールド層１０７の抵抗値をＲs、自己インダクタンスをＬsとすると、式１の様に与えれる。

式１より、電磁シールド層１０７の電磁シールド効果ＳＥは、抵抗値Ｒsの増／減に応じて減／増し、また自己インダクタンスＬsの増／減に応じて増／減する事が分かる。この事を考慮して、上記の従来の同軸ケーブル１００では、電磁シールド効果ＳＥを増加させるべく、電磁シールド層１０７を多層化（例えば導体層１０７ａ，１０７ｂおよび磁性体層１０７ｃの３層化）して電磁シールド層１０７の抵抗値Ｒsを減少させると共に、多層化した電磁シールド層１０７のうちの１層（例えば最外層）１０７ｃを磁性体層にして電磁シールド層１０７の自己インダクタンスＬsを増加させている。

また、従来の同軸ケーブル１００では、使用時には、中心導体１０３には例えば信号電流等の電流が通電され、導体層１０７ａ，１０７ｂには信号の帰路電流と共にノイズ電流等の電流が通電される。

特開２００４−２１４１３７号公報

上記の従来の同軸ケーブル１００では、導体層１０７ｂ上に直接に（即ち電気的に接続して）磁性体層１０７ｃが被覆形成されるので、使用時に、導体層１０７ａ，１０７ｂ中の電流の一部が磁性体層１０７ｃに流出することになる。この点につき、本願発明者は、自身の研究により、導体層１０７ａ，１０７ｂ中の電流が磁性体層１０７ｃに流出すると、電磁シールド層１０７の自己インダクタンスＬsが低減することを発見している。

従来の同軸ケーブル１００では、自己インダクタンスＬsを増加させるために電磁シールド層１０７の最外層１０７ｃを磁性体層にしているが、導体層１０７ａ，１０７ｂ中の電流が磁性体層１０７ｃに流出するので、上記の理由から、電磁シールド層１０７の自己インダクタンスＬsの増加が妨げられているという欠点があった。

そこで、この発明の課題は、電磁シールド層の電磁シールド効果を効果的に高める事ができる同軸ケーブルおよびシールドワイヤハーネスを提供することにある。

上記課題を解決する為に、請求項１に記載の発明は、中心導体と、前記中心導体上に被覆形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に被覆形成された電磁シールド層とを備え、前記電磁シールド層は、前記第１絶縁層上に被覆形成された導体層と、前記導体層上に第２絶縁層を介して被覆形成され、使用時に電気的に孤立される磁性体層と、を備えるものである。

請求項２に記載の発明は、前記磁性体層は、前記電磁シールド層の最外層であるものである。

請求項３に記載の発明は、前記第２絶縁層は、絶縁性テープであるものである。

請求項４に記載の発明は、前記磁性体層は、鉄または鉄合金により形成されるものである。

請求項５に記載の発明は、前記導体層は、銅または銅合金により形成されるものである。

請求項６に記載の発明は、請求項１〜請求項５の何れかに記載の同軸ケーブルと、前記同軸ケーブルの端部に接続される回路基板と、を備え、前記同軸ケーブルの前記中心導体および前記導体層は、前記回路基板上の配線パターンに電気接続され、前記同軸ケーブルの前記磁性体層は、前記回路基板上の配線パターンに電気接続されないものである。

請求項７に記載の発明は、請求項１〜請求項５の何れかに記載の同軸ケーブルと、前記同軸ケーブルの端部に接続されるコネクタと、を備え、前記同軸ケーブルの前記中心導体および前記導体層は、前記コネクタの接続端子に電気接続され、前記同軸ケーブルの前記磁性体層は、前記コネクタの接続端子に電気接続されないものである。

請求項１に記載の発明によれば、磁性体層は、導体層上に第２絶縁層を介して被覆形成され、使用時に電気的に孤立されるので、使用時に、前記導体層を流れる電流が前記磁性体層に流れ込む事を防止でき、電磁シールド層の電磁シールド効果を効果的に高める事ができる。

請求項２に記載の発明によれば、磁性体層は電磁シールド層の最外層であるので（即ち電磁シールド層の各層のうち磁界が最大となる層である最外層が磁性体層にされるので）、電磁シールド層中の各層のうちで最大の透磁率を有する磁性体層に大きな磁界を掛ける事ができ、電磁シールド層の電磁シールド性能を効果的に高める事ができる。

請求項３に記載の発明によれば、第２絶縁層は絶縁性テープであるので、入手容易な材料を用いて簡単な工程で導体層と磁性体層との間に絶縁層を介装できる。

請求項４に記載の発明によれば、磁性体層は鉄または鉄合金により形成されるので、安価且つ入手容易な材料を用いて高い電磁シールド性能を確保できる。

請求項５に記載の発明によれば、導体層は銅または銅合金により形成されるので、安価且つ入手容易な材料を用いて高い電磁シールド性能を確保できる。

請求項６に記載の発明によれば、同軸ケーブルの磁性体層は回路基板上の配線パターンに電気接続されないので、使用時に磁性体層を電気的に孤立させる事ができ、電磁シールド層の電磁シールド効果を効果的に高めたシールドワイヤハーネスを提供できる。

請求項７に記載の発明によれば、同軸ケーブルの磁性体層はコネクタの接続端子に電気接続されないので、使用時に磁性体層を電気的に孤立させる事ができ、電磁シールド層の電磁シールド効果を効果的に高めたシールドワイヤハーネスを提供できる。

＜原理＞
本願発明に係る同軸ケーブルの電磁シールド効果の原理を説明する。

図１を参照して、一般に同軸ケーブルの電磁シールド層の自己インダクタンスＬsは式２の様に与えられる。

式２中のＩは、電磁シールド層に流れる電流であり、φは、電流Ｉにより生じる総磁束である。式２から、自己インダクタンスＬsを増加させるにはφを増加させればよい事が分かる。

また、φは、電磁シールド層が多層（例えば内側から順に第１導体層、第２導体層、第３導体層の３層）の場合は式３−１および式３−２の様に与えられる。

式３−１および式３−２中のφn（ｎ＝１，２，３）は、第ｎ導体層に交差する磁束であり、φoutは第３導体層の外側の磁束である。またＨは電流Ｉにより生じる磁界であり、μは透磁率である。式３−２および式３−１から、φは、電磁シールド層の各部分での磁界Ｈと透磁率μとの積の和からの寄与を受ける事が分かる。

ここで、電磁シールド層中の磁界Ｈを概略的に把握するため、以下、電磁シールド層を円柱状導体と見なして磁界を考える。円柱状導体内の磁界Ｈは、その円柱状導体内を電流Ｉが均一に流れる場合は式４の様に与えられる。

式４中のｒ0は電磁シールド層の半径であり、ｒは電磁シールド層中の着目部分までの半径であり、Ｉrは電流Ｉのうちの半径ｒの閉路（不図示）の内側を通過する電流である。式４より、磁界Ｈは、半径ｒが大きいほど（即ち電磁シールド層中では外側の層ほど）強くなる事が分かる。この事から、φを増加させるには、電磁シールド層の最外層（即ち電磁シールド層の各層中で磁界Ｈが最大となる層、即ち第３導体層）の透磁率を各層のうちで最大の透磁率に（即ち最外層を磁性体層に）すればよい事が分かる（尚、電磁シールド層の各層ともに磁性体層にすると、電磁シールド層の抵抗値Ｒsが増大し過ぎるので最外層（第３導体層）だけ磁性体層にする事が望ましい）。これが従来の同軸ケーブル１００において電磁シールド層１０７の最外層（第３導体層）１０７ｃだけを磁性体層にしている理由である。

また式４から、半径ｒでの磁界Ｈは、半径ｒの閉路の内側を流れる電流Ｉrに比例する事が分かる。即ち概略的に換言すると、第ｎ導体層中の磁界Ｈnは、第ｎ導体層の内側の層（即ち、第１導体層から第（ｎ−１）導体層の各層）を流れる電流Ｉ1，…，Ｉn-1の総和（Ｉ1＋…＋Ｉn-1）に比例する事が分かる。この事から、式３−２中のφn（即ち第ｎ導体層を交差する磁束）は、式５の様に、その層の透磁率μnとその層の内側の各層を流れる電流の総和（Ｉ1＋…＋Ｉn-1）との積の形に概算できる事が分かる。

式３−１および式５から、最大の透磁率（例えばμn）を有する層（例えば第ｎ導体層）の内側の層（即ち第１導体層から第（ｎ−１）導体層の各層）を流れる電流の総和（Ｉ1＋…＋Ｉn-1）を最大限に増加させれば、最大の透磁率μnと最大の電流（Ｉ1＋…＋Ｉn-1）との積の寄与により、φを効果的に増加できる事が分かる。究極的には、電磁シールド層中の電流Ｉを、第ｎ導体層から第３導体層（最外導体層）の各層に流れない様にして、最大の透磁率μnを有する第ｎ導体層の内側の各層（即ち、第１導体層から第（ｎ−１）導体層の各層）に全て流れる様にすれば、φを効率良く最大限に増加できる。

以上の考察から、自己インダクタンスＬsを効果的に増加させるには（即ちφを効果的に増加させるには）、図２の様に、電磁シールド層の最外層（第３導体層）だけを磁性体層にし、且つ電磁シールド層中の電流Ｉをその最外層（磁性体層）に流れない様にしてその最外層の内側の各層（第１導体層および第２導体層）に全て流れる様にすればよい事が分かる。実際的には、下記の＜構成＞で詳述する様に、第２導体層と磁性体層（第３導体層）との間に絶縁層（図２では不図示）を介装すると共に使用時に前記磁性体層を電気的に孤立させることにより、電磁シールド層中の電流Ｉが前記磁性体層には全く流れずに前記磁性体層（第３導体層）の内側の各層（第１導体層および第２導体層）に全て流れる様にしている。本願発明に係る同軸ケーブルでは、この様に自己インダクタンスＬsを増加させることにより、従来の同軸ケーブル１００よりも電磁シールド効果を増加させている。

次に、本願発明に係る同軸ケーブルの自己インダクタンスが従来の同軸ケーブル１００の自己インダクタンスよりも増加しているか（即ち、本願発明に係る同軸ケーブルの電磁シールド効果が従来の同軸ケーブル１００の電磁シールド効果よりも増加しているか）を理論計算で確認する。

ここでは、電磁シールド層に流れる電流Ｉの一部が磁性体層（最外層）に流れるか否かによって、自己インダクタンスＬsの大小関係がどの様になるかを示せれば十分なので、計算便宜上、電磁シールド層の第１導体層および第２導体層をまとめて直線状円柱導体として扱って計算する。即ちこの計算では、電磁シールド層は、図４または図５の様に、第１導体層および第２導体層に相当する直線状円柱導体Ｖ１の外周に磁性体層Ｖ２が被覆されて構成される。そしてこの構成の下、本願発明に係る同軸ケーブルでは、図４の様に、電磁シールド層を流れる電流Ｉが全て、磁性体層Ｖ２に流れずに直線状円柱導体Ｖ１に流れる場合（以後、本願構造と呼ぶ）を考え、他方、従来の同軸ケーブル１００では、図５の様に、電流ＩのうちαＩが直線状円柱導体Ｖ１に流れ、残り（１−α）Ｉが磁性体層Ｖ２に流れる場合（以後、従来構造と呼ぶ）を考える。

まず直線状円柱導体Ｖ１（以後、基本構造と呼ぶ）の自己インダクタンスＬsCを求める。基本構造の自己インダクタンスＬsCは、図３を参照して、電磁気学における影像電流を用いた周知の計算技法を用いると、式６の様に与えられる。

尚、図３および式６中のφaは、直線状円柱導体Ｖ１内の磁束であり、φbは、直線状円柱導体Ｖ１の表面から厚さｔまでの範囲の磁束であり、φｃは、直線状円柱導体Ｖ１の表面上の厚さｔから仮想直線状円柱導体Ｖ１’の表面上の厚さｔまでの範囲の磁束であり、φｄは、仮想直線状円柱導体Ｖ１’の表面から厚さｔまでの範囲の磁束であり、φeは、仮想直線状円柱導体Ｖ１’内の磁束である。

直線状円柱導体Ｖ１と仮想直線状円柱導体Ｖ１’との構造対称性を考慮するとφa＝φe、φb＝φdの関係が成立するので、この関係を考慮すると式６は式７の様になる。

次に本願構造（本願発明に係る同軸ケーブル）の自己インダクタンスＬsAを求める。本願構造の自己インダクタンスＬsAは、図４を参照して、上記の基本構造の場合と同様の計算技法を用いると、式８の様に与えられる。

尚、式８中のφa’は、直線状円柱導体Ｖ１内の磁束であり、φb’は、磁性体層Ｖ２（厚さｔ）内の磁束であり、φc’は、磁性体層Ｖ２の表面から仮想磁性体層Ｖ２’（厚さｔ）の表面までの範囲の磁束であり、φd’は、仮想磁性体層Ｖ２’内の磁束であり、φe’は、仮想直線状円柱導体Ｖ１’内の磁束である。尚、本願構造の場合は、仮想直線状円柱導体Ｖ１’に影像電流Ｉが流れ、仮想磁性体層Ｖ２’には電流は流れない。

直線状円柱導体Ｖ１および磁性体層Ｖ２と仮想直線状円柱導体Ｖ１’および仮想磁性体層Ｖ２’との構造対称性を考慮するとφa’＝φe’、φb’＝φd’の関係が成立し、また本願構造と上記の基本構造の違いを考慮するとφa’＝φa、φb’＝μr・φb、φc’＝φcの関係が成立するので、これらの関係を考慮すると、式８は式９の様になる。尚、μrは磁性体層Ｖ２，Ｖ２’の比透磁率である。

次に従来構造（従来の同軸ケーブル１００）の自己インダクタンスＬsBを求める。従来構造の自己インダクタンスＬsBは、図５を参照して、上記の基本構造の場合と同様の計算技法を用いると、式１０の様に与えられる。

尚、式１０中のφa''は、直線状円柱導体Ｖ１内の磁束であり、φb''は、磁性体層Ｖ２（厚さｔ）内の磁束であり、φc''は、磁性体層Ｖ２の表面から仮想磁性体層Ｖ２’（厚さｔ）の表面までの範囲の磁束であり、φd''は、仮想磁性体層Ｖ２’内の磁束であり、φe''は、仮想直線状円柱導体Ｖ１’内の磁束である。尚、従来構造の場合は、仮想直線状円柱導体Ｖ１’には影像電流αＩが流れ、仮想磁性体層Ｖ２’には影像電流（１−α）・Ｉ（但し、αは０＜α＜１である）が流れる。

直線状円柱導体Ｖ１および磁性体層Ｖ２と仮想直線状円柱導体Ｖ１’および仮想磁性体層Ｖ２’との構造対称性を考慮するとφa''＝φe''、φb''＝φd''の関係が成立し、また従来構造と上記の基本構造の違いを考慮するとφa''＝α・φa、φb''＝μr・α・φb、φc''＝φcの関係が成立するので、これらの関係を考慮すると、式１０は式１１の様になる。尚、μrは磁性体の比透磁率である。

以上の計算結果から、本願構造の自己インダクタンスＬsAと従来構造の自己インダクタンスＬsCとの差ΔＬsを計算すると、式１２の様になる。

αは０＜α＜１なので、ΔＬs＞０となる事が分かる。即ち、本願構造の自己インダクタンスＬsAの方が従来構造の自己インダクタンスＬsCよりも大きい事が分かる。この事から、本願発明に係る同軸ケーブルの電磁シールド効果の方が従来の同軸ケーブル１００の電磁シールド効果よりも増加している事が分かる。

＜構成＞
次に、上記＜原理＞に基づき本発明の実施の形態に係る同軸ケーブルの構成の一例を説明する。

この実施の形態に係る同軸ケーブル１は、図６の様に、中心導体３と、中心導体３上に被覆形成された第１絶縁層５と、第１絶縁層５上に被覆形成された電磁シールド層７と、電磁シールド層７上に被覆形成された外被９とを備えて構成される。電磁シールド層７は、第１絶縁層５上に被覆形成された導体層（例えば内側から順に第１導体層７ａおよび第２導体層７ｂの２層）と、導体層７ｂ上に第２絶縁層７ｄを介して被覆形成され、使用時に電気的に孤立される磁性体層（電磁シールド層７の最外層）７ｃとを備えて構成される。

中心導体３は、銅または銅合金（例えば錫メッキ軟銅）等の導電性金属により構成される。中心導体３として、複数本の導電性金属素線を撚り合わせた撚り線を用いてもよい。

第１絶縁層５は、中心導体３の周囲に架橋ＰＥ等の樹脂が押出成形されて形成される。

第１導体層７ａおよび第２導体層７ｂはそれぞれ、複数本の導体素線（磁性体層７ｃよりも小さい透磁率を有し、導電性に優れた金属線）が網目状に編まれてなる導体編組として構成される。前記導体素線としては、例えば銅線や銅合金（軟銅線またはそれらを錫や亜鉛等でメッキしたもの）が用いられる。尚、第１導体層７ａを、導体編組として構成する代わりに、テープ状の導体部材を第１絶縁層５上に巻き付けて（例えば縦添え、螺旋巻きまたは２重巻きで巻き付けて）構成してもよい。同様に、第２導体層７ｂも、導体編組として構成する代わりに、テープ状の導体部材を第１導体層７ａ上に巻き付けて構成してもよい。

第２絶縁層７ｄは、例えば絶縁性テープ（例えばＰＥＴテープ、ＡＬＰＥＴテープ（片面にアルミ等の金属をコーティングしたＰＥＴテープ）または通常の通信ケーブルで用いられる紙テープ）を第２導体層７ｂ上に巻き付けて形成される。巻き付け方としては、例えば縦添え、螺旋巻きまたは２重巻きして巻き付けられる。尚、第２絶縁層７ｄとして、絶縁性テープを用いずに、第１絶縁層５の場合と同様に第２導体層７ｂの周囲に架橋ＰＥ等の樹脂を押出成形して形成してもよい。

磁性体層７ｃは、鉄や例えば軟鉄等の鉄合金（導体層７ａ，７ｂよりも大きな透磁率を有する金属）からなる複数本の磁性体素線が網目状に編まれてなる磁性体編組として構成される。尚、磁性体層７ｃを、磁性体編組として構成する代わりに、テープ状の磁性体部材を第２導体層７ｂ上に巻き付けて（例えば縦添え、螺旋巻きまたは２重巻きで巻き付けて）構成してもよい。

この様な同軸ケーブル１の製造方法としては例えば、従来の同軸ケーブル１００の製造方法（周知の製造方法）において、第２導体層１０７ｂ（本発明の第２導体層７ｂに対応）を被覆形成する工程と磁性体層１０７ｃ（本発明の磁性体層７ｃに対応）を被覆形成する工程との間に、第２絶縁層７ｄを被覆形成する工程（例えば絶縁性テープを巻き付ける工程：この工程としては例えば既存の各種の通信ケーブルの製造工程で用いられているテープ巻き付け工程を用いればよい。）を追加すればよい。

即ち、周知の製造方法に基づき、中心導体３上に順に第１絶縁層５、第１導体層７ａおよび第２導体層７ｂまでを被覆形成した中間製品を製造する。そして、磁性体層形成工程において、まず例えば周知の絶縁性テープの巻き付け方法に基づきその中間製品の第２導体層７ｂ上に第２絶縁層７ｄとして絶縁性テープを巻き付け、次にその第２絶縁層７ｄ上に磁性体層７ｃを被覆形成する。そして、外被形成工程においてその磁性体層７ｃ上に外被９を形成する。この様にして同軸ケーブル１を製造すればよい。

この様に構成された同軸ケーブル１の端部は、例えば図７の様に、中心導体３が露出されると共に、電磁シールド層７のうち少なくとも第１導体層７ａまたは第２導体層７ｂが露出される様にして端末加工される（図７では、電磁シールド層７のうち、第２導体層７ｂおよび磁性体層７ｃが露出され、第１導体層７ａは第２導体層７ｂで覆われて露出されない場合が図示されている）。尚、磁性体層７ｃを外被９で被覆したままにして露出しない様にしてもよい。

そして、同軸ケーブル１の端部を回路基板１１に接続する場合は、図８の様に、同軸ケーブル１の中心導体３および第２導体層７ｂ（第１導体層７ａおよび第２導体層７ｂのうちの露出した方）を回路基板１１上の配線パターン１１ａ，１１ｂにハンダ付け等で電気的に接続し、同軸ケーブル１の磁性体層７ｃは、回路基板１１上の配線パターン１１ａ，１１ｂに電気的に接続せずに電気的に孤立させる（図８では、中心導体３は回路基板１１上の信号線１１ａに直接ハンダ付けで接続され、第２導体層７ｂは配線１３を介して回路基板１１上のグランド線１１ｂにハンダ付けで接続されている）。同軸ケーブル１の端部に回路基板１１を接続したシールドワイヤハーネスを構成する場合は、この様にして同軸ケーブル１の端部に回路基板１１が電気接続される。

また、同軸ケーブル１の端部にコネクタを接続する場合は、図示省略されるが、同軸ケーブル１の中心導体３および第２導体層７ｂ（第１導体層７ａおよび第２導体層７ｂのうちの露出した方）を、コネクタの接続端子に電気接続し、同軸ケーブル１の磁性体層７ｃは、コネクタの接続端子に電気的に接続せずに電気的に孤立させる。同軸ケーブル１の端部にコネクタを接続したシールドワイヤハーネスを構成する場合は、この様にして同軸ケーブル１の端部にコネクタが電気接続される。

以上の様に構成された同軸ケーブル１によれば、磁性体層７ｃは、導体層７ｂ上に第２絶縁層７ｄを介して被覆形成され、使用時に電気的に孤立されるので、使用時に、導体層７ａ，７ｂを流れる電流Ｉが磁性体層７ｃに流れ込む事を防止でき、電磁シールド層７の電磁シールド効果を効果的に高める事ができる。

また、磁性体層７ｃは電磁シールド層７の最外層であるので（即ち電磁シールド層７の各層７ａ，７ｂ，７ｃのうち磁界Ｈが最大となる層である最外層７ｃが磁性体層にされるので）、電磁シールド層７中の各層７ａ，７ｂ，７ｃのうちで最大の透磁率を有する磁性体層７ｃに大きな磁界を掛ける事ができ、電磁シールド層７を効果的に高める事ができる。

また、同軸ケーブル１の端部に回路基板１１が接続される場合において、同軸ケーブル１の磁性体層７ｃは回路基板１１上の配線パターン１１ａ，１１ｂに電気接続されないので、使用時に磁性体層７ｃを電気的に孤立させる事ができ、電磁シールド層７の電磁シールド効果を効果的に高める事ができる。

また、同軸ケーブル１の端部にコネクタが接続される場合において、同軸ケーブル１の磁性体層７ｃはコネクタの接続端子に電気接続されないので、使用時に磁性体層７ｃを電気的に孤立させる事ができ、電磁シールド層７の電磁シールド効果を効果的に高める事ができる。

また、第２絶縁層７ｄは絶縁性テープであるので、入手容易な材料を用いて簡単な工程で第２導体層７ｂと磁性体層７ｃとの間に第２絶縁層７ｄを介装できる。

また、磁性体層７ｃは鉄または鉄合金により形成されるので、安価且つ入手容易な材料を用いて高い電磁シールド性能を確保できる。

また、導体層７ａ，７ｂは銅または銅合金により形成されるので、安価且つ入手容易な材料を用いて高い電磁シールド性能を確保できる。

また、従来の同軸ケーブル１００の製造工程において第２絶縁層７ｄを被覆形成する工程を追加することにより製造するので、従来の同軸ケーブル１００の製造工程を利用して容易且つ簡易に製造できる。特に第２絶縁層７ｄとして絶縁テープを用いる場合には、既存の各種の通信ケーブルの製造工程で用いられているテープ巻き付け工程を利用できて一層容易に且つ処理時間的にも殆ど増大させずに製造できる（従って、従来の同軸ケーブル１００の製造工程における磁性体層形成工程内で連続的に実施できる）他、絶縁テープは薄いので同軸ケーブル１の外径を増大させること無く電磁シールド効果を増加できる。また、絶縁テープとしてＰＥＴテープを用いた場合は、ＰＥＴテープは安価であるため、低コストで電磁シールド効果を増加できる。

尚、この実施の形態では、使用時に磁性体層７ｃを電気的に孤立して磁性体層７ｃに電流が流れない様にする。この様にすると電磁シールド層７の抵抗値Ｒｓが大きくなるが、元々磁性体層７ｃは、導体層７ａ，７ｂよりも導電率が低いので、磁性体層７ｃを電気的に孤立させて電流が流れない様にしても、それによる抵抗値Ｒｓの増加は問題にならない程度である。それよりも自己インダクタンスＬｓを最大限に増加させる効果の方が大きく、結局、電磁シールド効果を改善できる。

尚、この実施の形態では、電磁シールド層７中の導体層を２層（第１導体層７ａおよび第２導体層７ｂの２層）の場合で説明したが、電磁シールド層７中の導体層を１層、３層またはＮ層（Ｎ：３以上の自然数）としても良い。尚、第２絶縁層７ｄとしてＡＬＰＥＴテープを用いた場合において、そのＡＬＰＥＴテープをそのアルミコーティング面を第２導体層７ｂ側に向けて巻き付けることにより、そのアルミアルミコーティング層を第３導体層として機能させてもよい。この様にすれば、電磁シールド層７の抵抗値Ｒsを低減できて電磁シールド効果を増大できる。

尚、電磁シールド層中に導体層だけを含み磁性体層を含まない既存の同軸ケーブルに対し、その同軸ケーブルの外被を本願の第２絶縁層７ｄと見なし、その外被上に磁性体層７ｃを被覆形成し、その磁性体層７ｃ上に実質的な外被（本願の外被９に対応する外被）を被覆形成することにより、本願発明に係る同軸ケーブル１を製造してもよい。この様にすれば、電磁シールド層中に磁性体層を含まない既存の同軸ケーブルを利用して本願発明に係る同軸ケーブル１を製造できる。

一般的な同軸ケーブルの電磁シールド層の構造、その電磁シールド層中の電流Ｉおよびその電流Ｉにより生じる磁界Ｈについての説明をする図である。 本願発明に係る同軸ケーブルの電磁シールド層の構造、その電磁シールド層中の電流Ｉおよびその電流Ｉにより生じる磁界Ｈについての説明をする図である。 基本構造の自己インダクタンスの求め方を説明する図である。 本願発明に係る同軸ケーブルの電磁シールド層の自己インダクタンスの求め方を説明する図である。 従来の同軸ケーブルの電磁シールド層の自己インダクタンスの求め方を説明する図である。 本願発明に係る同軸ケーブルの断面図の一例図である。 本願発明に係る同軸ケーブルの端部を端末加工した状態を示した斜視図である。 本願発明に係る同軸ケーブルの端部を回路基板に電気的に接続した状態を示した斜視図である。 従来の同軸ケーブルの断面図である。

符号の説明

１ 同軸ケーブル
３ 中心導体
５ 第１絶縁層
７ 電磁シールド層
７ａ 第１導体層
７ｂ 第２導体層
７ｃ 磁性体層
７ｄ 第２絶縁層
９ 外皮

Claims (7)

1. 中心導体と、前記中心導体上に被覆形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に被覆形成された電磁シールド層とを備え、
   前記電磁シールド層は、
   前記第１絶縁層上に被覆形成された導体層と、
   前記導体層上に第２絶縁層を介して被覆形成され、使用時に電気的に孤立される磁性体層と、
   を備えることを特徴とする同軸ケーブル。
2. 前記磁性体層は、前記電磁シールド層の最外層であることを特徴とする請求項１に記載の同軸ケーブル。
3. 前記第２絶縁層は、絶縁性テープであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の同軸ケーブル。
4. 前記磁性体層は、鉄または鉄合金により形成されることを特徴とする請求項１〜請求項３の何れかに記載の同軸ケーブル。
5. 前記導体層は、銅または銅合金により形成されることを特徴とする請求項１〜請求項４の何れかに記載の同軸ケーブル。
6. 請求項１〜請求項５の何れかに記載の同軸ケーブルと、
   前記同軸ケーブルの端部に接続される回路基板と、
   を備え、
   前記同軸ケーブルの前記中心導体および前記導体層は、前記回路基板上の配線パターンに電気接続され、前記同軸ケーブルの前記磁性体層は、前記回路基板上の配線パターンに電気接続されないことを特徴とするシールドワイヤハーネス。
7. 請求項１〜請求項５の何れかに記載の同軸ケーブルと、
   前記同軸ケーブルの端部に接続されるコネクタと、
   を備え、
   前記同軸ケーブルの前記中心導体および前記導体層は、前記コネクタの接続端子に電気接続され、前記同軸ケーブルの前記磁性体層は、前記コネクタの接続端子に電気接続されないことを特徴とするシールドワイヤハーネス。
   

Images