JP2007087578A - 同期メモリ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】クロック・データ・スキューを最小限に抑えるバス・システムには、送信クロック用のクロック線セグメントと、受信クロック用のクロック線セグメントとが含まれ、それらのセグメントは、一端にある折返し部によって相互に結合されており、そのようなバス・システムに、上記の同期メモリ装置は、1または複数を結合できる。同期メモリ装置は、書込みデータが受信クロックと同じ方向に同時的に進行し、読取りデータが送信クロックと同じ方向に同時的に送信するように構成され、且つ、書込みデータおよび読取りデータのデータビットが、受信クロックおよび送信クロックの2倍の周波数で転送されるデュアル・エッジ転送に従って受信および送信される。
【選択図】図5
Description
(1)クロック周期>データ・ツー・クロック信号のセットアップ時間+データ・ツー・クロック信号の保持時間+クロック・データ・スキュー
クロック・データ・スキューを低減する従来技術の方式の1つを図1に示す。単一のクロック源を使用するのでなく複数のクロック源が使用されている。すなわち、調和された多数のクロック線が単一のクロック・ジェネレータに結合されている。クロック線は、クロック線長が長いにもかかわらず、クロック信号がほとんど同じ時点に各装置に到着するように調和されている。したがって、図のバス・システムはバスの伝搬遅延とクロック・ツー・データ・スキューとクロック・ツー・データ保持時間とを加算した値以上であるクロック周期によって動作しなければならない。
本発明の他の目的は、クロック及びデータのタイミング・エラーを低減しながらデータの高速クロッキングを可能にすることである。
本発明の他の目的は、クロック・データ・スキューを最小限に抑えて比較的長い双方向データ・バスをもつバス・システムでのエラーを回避することである。本発明の他の目的は、クロック・データ・スキューを最小限に抑えて比較的長いクロック線をもつバス・システムでのエラーを回避することである。
本発明の他の目的は、クロック・データ・スキューを最小限に抑えて比較的高い速度のバスを有するコンピュータ・システムでのエラーを回避することである。
本発明の他の目的は、バスの速度がクロック線長やバス長によって制限されるのを回避することである。
本発明の他の目的は、クロック・データ・スキューが低減され、あるいはまったくない同期バス・システムを提供することである。
本発明の他の目的は、比較的長いバスをもつ高速バス・システムでの複雑なクロックの必要性をなくすことである。
本発明の他の目的は、高速同期データ・バスを提供することである。
本発明の他の目的は、バス上の装置間に一定待ち時間プロトコルを適応させる同期データ・バスを提供することである。
本発明の他の目的は、複数のマスタ装置に適応するデータ・バスを提供することである。
本発明の他の目的は、クロック同期がバス長から独立したデータ・バスを提供することである。
本発明の他の目的、特徴、及び利点は、以下の添付の図面及び詳細な説明から明らかになろう。
ラッチ200および202は全体的にラッチ158に対応する。2つのラッチは、タイミングの危険を回避しながらRCLKドメインとTCLKドメインの間でデータを転送するために使用される。
(2)待ち時間=2*(マスタ・スレーブ間信号伝搬遅延)+スレーブ・アクセス遅延
第2式の2つの項の内、バス・システム100内では信号伝搬遅延だけが可変である。すべての装置が同じであると仮定すると、アクセス遅延はすべてのスレーブ装置に対して同じである。これに対して、バス・システム100での伝搬遅延は折返しに対する装置の位置とクロック線の長さに応じて変動する可能性がある。したがって、待ち時間は、同期回路150が存在する場合、マスタ・ツー・スレーブ伝搬遅延の2倍だけ変動する恐れがある。
104,106,108,110 スレーブ装置; 120 データ・バス;
134 クロック線; 136,138 クロック線セグメント;
137 クロック線折り返し部; 152 位相比較器; 154 遅延要素;156 マルチプレクサ
Claims (20)
- データを記憶するダイナミック・メモリ・セルのアレイを含む集積回路の同期メモリ装置であって、
書込みデータおよび受信クロックを受ける入力回路を備え、書込みデータは前記受信クロックと同じ方向に同時的に進行し、書込みデータは、そのデータビットが前記受信クロックの2倍の周波数で転送されるデュアル・エッジ転送に従って受信されるものであり、
読取りデータを送信クロックと同じ方向に同時的に送信する送信回路を備え、読取りデータは、そのデータビットが前記送信クロックの2倍の周波数で転送されるデュアル・エッジ転送に従って送信されるものである
ことを特徴とする、同期メモリ装置。 - 請求項1に記載の同期メモリ装置において、前記送信クロックと前記受信クロックとを比較して同期メモリ装置の集積回路制御装置に対する位置を特定する同期回路を、さらに備えることを特徴とする、同期メモリ装置。
- 請求項2に記載の同期メモリ装置において、読取りデータを送信するタイミングは、前記同期装置によって、前記同期メモリ装置と前記集積回路制御装置との間での伝播遅延が補償されるよう、前記送信クロックに対して調整されることを特徴とする、同期メモリ装置。
- 請求項2または3に記載の同期メモリ装置において、前記同期回路は、
前記送信クロックを前記受信クロックと比較して、それら間における相対的位相差を現すSKIP信号を生じる位相比較器を備え、
前記読取りデータを受けてそれを遅らせた遅延読取りデータを生じる遅延要素を備え、
前記遅延要素および前記位相比較器に結合されたマルチプレクサにして、前記読取りデータおよび遅延読取りデータの一方を、前記送信回路から送信すべきものとして、前記SKIP信号に応じて選択するマルチプレクサを備えている
ことを特徴とする、同期メモリ装置。 - 請求項1〜4の何れか1項に記載の同期メモリ装置において、前記入力回路は、
前記送信クロックを第1クロック線セグメントから受信する送信クロック入力を備え、
前記受信クロックを第2クロック線セグメントから受信する受信クロック入力を備えている
ことを特徴とする、同期メモリ装置。 - 請求項5に記載の同期メモリ装置において、
前記第2クロック線セグメントを進行する前記受信クロックが前記同期メモリ装置を通り過ぎる時点に、前記書込みデータは、外部データラインから前記入力回路へと転送され、
前記第1クロック線セグメントを進行する前記送信クロックが前記同期メモリ装置を通り過ぎる時点に、前記読取りデータは、前記送信回路から前記外部データラインへと転送される
ことを特徴とする、同期メモリ装置。 - 請求項6に記載の同期メモリ装置において、前記受信クロックは、前記第1クロック線セグメントおよび前記第2クロック線セグメントを繋ぐ折り返し部を通して前記送信クロックが前記第2クロック線セグメントに伝播したものであって、前記送信クロックの遅延したクロックである、ことを特徴とする、同期メモリ装置。
- 請求項1〜7の何れか1項に記載の同期メモリ装置において、前記送信クロックと前記受信クロックとは同じ周波数である、ことを特徴とする、同期メモリ装置。
- 請求項1〜8の何れか1項に記載の同期メモリ装置において、前記送信回路が読取りデータの送信に使用する内部送信クロックを発生するロックループ回路を、さらに備えていることを特徴とする、同期メモリ装置。
- 請求項9に記載の同期メモリ装置において、前記ロックループ回路は位相ロックループ回路であることを特徴とする、同期メモリ装置。
- 請求項9に記載の同期メモリ装置において、前記ロックループ回路は遅延ロックループ回であることを特徴とする、同期メモリ装置。
- 請求項1〜11の何れか1項に記載の同期メモリ装置において、前記受信クロックの周波数は少なくとも250MHzであることを特徴とする、同期メモリ装置。
- データを記憶するダイナミック・メモリ・セルのアレイを含む集積回路の同期メモリ装置であって、
書込みデータおよび受信クロックを受ける入力回路を備え、書込みデータは前記受信クロックに対して同じ方向に且つほぼ一定の位相関係で進行し、書込みデータは、それの2つのデータビットが前記受信クロックの1サイクル中に行われる、デュアル・エッジ転送に従って受信されるものであり、
読取りデータを外部信号ラインへと、送信クロックに対して同じ方向で且つほぼ一定の位相関係で進行するよう送信する出力ドライバが含まれている送信回路を備え、読取りデータは、それの2つのデータビットが前記送信クロックの1サイクル中に行われる、デュアル・エッジ転送に従って送信されるものであり、
前記送信回路に結合され、前記送信回路が読取りデータの送信に使用する内部送信クロックを発生するロックループ回路を備えている
ことを特徴とする、同期メモリ装置。 - 請求項13に記載の同期メモリ装置において、さらに、
前記送信クロックと前記受信クロックとを比較して同期メモリ装置の集積回路制御装置に対する位置を特定し、読取りデータを送信するタイミングを、前記同期メモリ装置と前記集積回路制御装置との間での伝播遅延が補償されるよう、前記送信クロックに対して調整する同期回路を備える
ことを特徴とする、同期メモリ装置。 - 請求項14に記載の同期メモリ装置において、前記同期回路は、
前記送信クロックを前記受信クロックと比較して、それら間における相対的位相差を現すSKIP信号を生じる位相比較器を備え、
前記読取りデータを受けてそれを遅らせた遅延読取りデータを生じる遅延要素を備え、
前記遅延要素および前記位相比較器に結合されたマルチプレクサにして、前記読取りデータおよび遅延読取りデータの一方を、前記送信回路から送信すべきものとして、前記SKIP信号に応じて選択するマルチプレクサを備えている
ことを特徴とする、同期メモリ装置。 - 請求項13,14または15に記載の同期メモリ装置において、
第1クロック線セグメントを進行する前記送信クロックが前記同期メモリ装置を通り過ぎる時点に、前記読取りデータは、前記送信回路から前記外部データラインへと転送され
第2クロック線セグメントを進行する前記受信クロックが前記同期メモリ装置を通り過ぎる時点に、前記書込みデータは、外部データラインから前記入力回路へと転送される、
ことを特徴とする、同期メモリ装置。 - 請求項16に記載の同期メモリ装置において、前記受信クロックは、前記第1クロック線セグメントおよび前記第2クロック線セグメントを繋ぐ折り返し部を通して前記送信クロックが前記第2クロック線セグメントに伝播したものであって、前記送信クロックの遅延したクロックである、ことを特徴とする、同期メモリ装置。
- 請求項13〜17の何れか1項に記載の同期メモリ装置において、前記ロックループ回路は遅延ロックループ回路である、ことを特徴とする、同期メモリ装置。
- 請求項13〜17の何れか1項に記載の同期メモリ装置において、前記ロックループ回路は位相ロックループ回路である、ことを特徴とする、同期メモリ装置。
- 請求項13〜19の何れか1項に記載の同期メモリ装置において、前記送信クロックの周波数は少なくとも250MHzであることを特徴とする、同期メモリ装置。
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