JP2007086061A - 粒子検出センサ、粒子検出センサの作製方法、及び粒子検出センサの検出方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】検出対象物を接触により検出する微小構造体を有するセンサである。微小構造体は、検出対象物の大きさに合った検出孔を有し、その上方又は下方にブリッジ構造となる一対の電極が、互いにその一部が接触するように設置されている。微小構造体は、絶縁基板上の薄膜材料で形成される。
【選択図】図4
Description
本実施の形態では、粒子検出センサの検出ユニットの構成について説明する。
本実施の形態では、無線通信を行う場合、粒子検出センサ、例えば吸引ユニット側に無線通信機能を搭載した形態について説明する。
本実施の形態では、検出ユニットが有する検出部及びその動作について説明する。
本実施の形態では、検出ユニットに設けられたMEMSスイッチの概念について説明する。
本実施の形態では、本発明の粒子検出センサを花粉の検出に用いる使用形態について説明する。
本発明の粒子検出センサは、シリコンウエハーを用いた半導体素子作製のプロセスにより作製することができるが、このような作製プロセスは量産に向けて、コスト削減の課題がある。そこで本実施の形態では、シリコンウエハーと比較して低コストで作製することができる絶縁基板上の薄膜材料を用いて本発明の微小構造体を作製し、さらに半導体素子と一体形成する工程を説明する。なお本実施の形態では、半導体素子として薄膜トランジスタを適用する場合で説明する。
本発明においてシリコン層には、結晶状態を有するもの、非晶質状態を有するもの等を用いることができる。そこで本実施の形態では、半導体層104に結晶性シリコン層を用いる場合を説明する。
11 検出部
12 容器
13 フィルター
15 蓋
16 接続部
20 吸引ユニット
21 孔(接続孔)
22 接続領域
26 表示部
27 演算部
101 絶縁基板
102 下地層
104 半導体層
105 ゲート絶縁層
107 ゲート電極
108 犠牲層
109 サイドウォール
110 サイドウォール
111 P型不純物領域
112 N型不純物領域
115 高濃度N型不純物領域
116 高濃度P型不純物領域
118 N型半導体素子
119 P型半導体素子
125 絶縁層
128 コンタクトホール
129 導電層
130 絶縁層
132 第1の電極
133 犠牲層
134 第2の電極
136 検出孔
137 微小構造体
140 絶縁層
141 第2の検出孔
143 検出孔
151 微小構造体領域
152 半導体素子領域
161 非晶質シリコン層
162 ニッケルを有する溶液
163 シリコン層(多結晶シリコン層)
300 基体
301 電極
302 電極
303 検出孔
305 検出対象物
306 検出孔
350 粒子検出センサ
351 検出部
352 表示部
353 入力部
354 位置情報管理装置
355 記録装置
356 演算装置
357 通信装置
360 基地局
361 第1通信装置
362 第2通信装置
370 中央管理センター
371 演算処理装置
372 記録装置
373 第1通信装置
374 第2通信装置
380 表示装置
381 駆動回路部
382 表示部
702 共振回路
703 電源回路
704 クロック発生回路
705 復調回路
706 制御回路
707 センサ回路
708 吸引手段
709 変調回路
710 アンテナ
711 通信回線
712 情報処理装置
713 吸引用電源
750 検出部
751 カラムドライバ
752 ロードライバ
753 セレクタ
754 読み出し回路
756 セルアレイ
757 検出素子
781 トランジスタ
783 MEMSスイッチ
790 抵抗素子
791 センスアンプ
Claims (21)
- 開口部が設けられた基体と、
前記開口部に流入する気流の経路に設けられ、接触可能に設けられた一対の電極と、を含み、
前記一対の電極の接触及び非接触を判断して検出対象物を検出する検出部を有することを特徴とする粒子検出センサ。 - 開口部が設けられた基体と、
前記開口部に流入する気流の経路に設けられ、接触可能に設けられた一対の電極とを含む検出素子と、
前記一対の電極の接触及び非接触を判断する回路と、
を有することを特徴とする粒子検出センサ。 - 絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた接触可能に設けられた一対の電極と、
前記一対の電極上に設けられた開口部を有する基体と、を含み、
前記一対の電極の接触及び非接触を判断して検出対象物を検出する検出部を有する特徴とする粒子検出センサ。 - 絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた接触可能に設けられた一対の電極と、
前記一対の電極上に設けられた開口部を有する基体と、を含む検出素子と、
前記一対の電極の接触及び非接触を判断する回路と、
を有することを特徴とする粒子検出センサ。 - 請求項1乃至4のいずれか一において、
前記開口部に接続され、前記開口部を減圧するための吸引ユニットを有することを特徴とする粒子検出センサ。 - 請求項1乃至5のいずれか一において、
通信装置を有することを特徴とする粒子検出センサ。 - 請求項3乃至6のいずれか一において、
前記絶縁層上に設けられた接触可能に設けられた一対の電極と、
前記開口部がマトリックス状に配置されたことを特徴とする粒子検出センサ。 - 請求項1乃至7のいずれか一において、
前記接触可能に設けられた一対の電極はブリッジ構造を有することを特徴とする粒子検出センサ。 - 絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に第1の電極を形成し、
前記第1の電極の一部に重なるように第2の電極を形成し、
前記第1の電極と前記第2の電極が重なる領域における前記絶縁層に、開口部を形成する
ことを特徴とする粒子検出センサの作製方法。 - 第1の領域に半導体層を形成し、
前記第1の領域及び第2の領域に絶縁層を形成し、
前記第2の領域において、前記絶縁層上に第1の電極を形成し、
前記第1の電極の一部に重なるように第2の電極を形成し、
前記第1の電極と前記第2の電極が重なる領域における前記絶縁層に、開口部を形成する
ことを特徴とする粒子検出センサの作製方法。 - 絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に第1の電極を形成し、
前記第1の電極上に犠牲層を形成し、
前記犠牲層上に、前記第1の電極の一部に重なるように第2の電極を形成し、
前記第1の電極と前記第2の電極が重なる領域における前記絶縁層に開口部を形成し、
前記犠牲層を除去する
ことを特徴とする粒子検出センサの作製方法。 - 絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に第1の電極を形成し、
前記第1の電極上に犠牲層を形成し、
前記犠牲層上に、前記第1の電極の一部に重なるように第2の電極を形成し、
前記第1の電極と前記第2の電極とが重なる領域における前記絶縁層に開口部を形成し、
前記犠牲層を除去して、前記第1の電極と前記第2の電極を接触させる
ことを特徴とする粒子検出センサの作製方法。 - 第1の領域に半導体層を形成し、
前記第1の領域及び第2の領域に導電層を形成し、
前記導電層を加工することにより、前記第1の領域にゲート電極を形成し、且つ前記第2の領域に第1の犠牲層を形成し、
前記ゲート電極及び前記第1の犠牲層を覆うように絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に第1の電極を形成し、
前記第1の電極上に第2の犠牲層を形成し、
前記第2の犠牲層上に、前記第1の電極の一部に重なるように第2の電極を形成し、
前記第1の電極と前記第2の電極が重なる領域における前記絶縁層に開口部を形成し、
前記第2の犠牲層を除去して、前記第1の電極と前記第2の電極を接触させ、
前記第1の犠牲層を除去する
ことを特徴とする粒子検出センサの作製方法。 - 第1の領域に半導体層を形成し、
前記第1の領域及び第2の領域に導電層を形成し、
前記導電層を加工することにより、前記第1の領域にゲート電極を形成し、且つ前記第2の領域に第1の犠牲層を形成し、
前記ゲート電極及び前記第1の犠牲層を覆うように絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に第1の電極を形成し、
前記第1の電極上に第2の犠牲層を形成し、
前記第2の犠牲層上に、前記第1の電極の一部に重なるように第2の電極を形成し、
前記第1の電極と前記第2の電極が重なる領域における前記絶縁層に開口部を形成し、
前記第2の犠牲層を除去して、前記第1の電極と前記第2の電極を接触させ、
前記第1の犠牲層を除去して接続孔を形成する
ことを特徴とする粒子検出センサの作製方法。 - 請求項11乃至14のいずれか一において、
前記犠牲層、前記第1の犠牲層、又は前記第2の犠牲層はドライエッチング法又はウエットエッチング法により除去することを特徴とする粒子検出センサの作製方法。 - 請求項9乃至15のいずれか一において、
前記開口部は、ドライエッチング法又はウエットエッチング法により作製することを特徴とする粒子検出センサの作製方法。 - 開口部が設けられた基体と、前記開口部に流入する気流の経路に設けられ、接触可能に設けられた一対の電極とを含み、前記一対の電極の接触及び非接触を判断する検出部を有する粒子検出センサの検出方法であって、
前記一対の電極が接触した状態と、
前記開口部に検出対象物が吸着され、前記一対の電極が離れる状態とによって前記検出対象物を数えることを特徴とする粒子検出センサの検出方法。 - 開口部が設けられた基体と、前記開口部に流入する気流の経路に設けられ、接触可能に設けられた一対の電極とを含み、前記一対の電極の接触及び非接触を判断する検出部と、前記開口部に接続された吸引ユニットとを有する粒子検出センサの検出方法であって、
前記一対の電極が接触した状態と、
前記吸引ユニットによって減圧され、前記開口部に検出対象物が吸着され、前記一対の電極が離れる状態とによって前記検出対象物を数えることを特徴とする粒子検出センサの検出方法。 - 開口部が設けられた基体と、前記開口部に流入する気流の経路に設けられ、接触可能に設けられた一対の電極とを含み、前記一対の電極の接触及び非接触を判断する検出部とを有する粒子検出センサの検出方法であって、
前記一対の電極が離れた状態と、
前記開口部に検出対象物が吸着され、前記一対の電極が接触した状態とによって前記検出対象物を数えることを特徴とする粒子検出センサの検出方法。 - 開口部が設けられた基体と、前記開口部に流入する気流の経路に設けられ、接触可能に設けられた一対の電極とを含み、前記一対の電極の接触及び非接触を判断する検出部と、前記開口部に接続された吸引ユニットとを有する粒子検出センサの検出方法であって、
前記一対の電極が離れた状態と、
前記吸引ユニットによって減圧され、前記開口部に検出対象物が吸着され、前記一対の電極が接触した状態とによって前記検出対象物を数えることを特徴とする粒子検出センサの検出方法。 - 請求項17乃至20のいずれか一において、
前記検出部は、前記基体と前記一対の電極とを含む検出素子を有し、
前記一対の電極が接触した状態の前記検出素子の抵抗値は、前記一対の電極が離れた状態の前記検出素子の抵抗値より低く、前記検出素子の抵抗値の相対的な変化により前記検出対象物を数えることを特徴とする粒子検出センサの検出方法。
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