JP2000310608A - 花粉測定装置 - Google Patents
花粉測定装置Info
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- JP2000310608A JP2000310608A JP11118527A JP11852799A JP2000310608A JP 2000310608 A JP2000310608 A JP 2000310608A JP 11118527 A JP11118527 A JP 11118527A JP 11852799 A JP11852799 A JP 11852799A JP 2000310608 A JP2000310608 A JP 2000310608A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 花粉の種類と飛散数を自動的に測定すること
ができる花粉測定装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明の花粉装置は、複数の感応部を有
するマイクロセンサと、該マイクロセンサからの出力を
入力し上記感応部に花粉が付着したことを検出する検出
回路と、花粉の種類毎の検出曲線のデータを有するデー
タストレージ部と、該データストレージ部より供給され
たデータと上記検出回路の出力を入力して花粉の種類を
識別する識別回路と、該識別回路の出力より花粉の種類
毎の花粉の数を計数するカウンタとを有する。
ができる花粉測定装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明の花粉装置は、複数の感応部を有
するマイクロセンサと、該マイクロセンサからの出力を
入力し上記感応部に花粉が付着したことを検出する検出
回路と、花粉の種類毎の検出曲線のデータを有するデー
タストレージ部と、該データストレージ部より供給され
たデータと上記検出回路の出力を入力して花粉の種類を
識別する識別回路と、該識別回路の出力より花粉の種類
毎の花粉の数を計数するカウンタとを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は花粉の飛散数を測定
するための花粉測定装置に関し、特に、薄膜半導体マイ
クロセンサを使用する花粉測定装置に関する。
するための花粉測定装置に関し、特に、薄膜半導体マイ
クロセンサを使用する花粉測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】環境測定のための薄膜半導体マイクロセ
ンサが知られている。例えば、文献、「環境計測用マイ
クロセンサの研究」垣沼克好及び原和裕、電気学会化学
センサシステム研究会資料ＣＳ−９８−２４、５３〜５
８頁（１９９８年）、には、ＣＯ2 、ＮＯX 、ＳＯX 等
の環境汚染ガス、及び、花粉、カビ、ダスト等の微粉塵
を測定するための薄膜半導体マイクロセンサが記載され
ている。
ンサが知られている。例えば、文献、「環境計測用マイ
クロセンサの研究」垣沼克好及び原和裕、電気学会化学
センサシステム研究会資料ＣＳ−９８−２４、５３〜５
８頁（１９９８年）、には、ＣＯ2 、ＮＯX 、ＳＯX 等
の環境汚染ガス、及び、花粉、カビ、ダスト等の微粉塵
を測定するための薄膜半導体マイクロセンサが記載され
ている。
【０００３】図４を参照して従来の薄膜半導体マイクロ
センサの例を説明する。このマイクロセンサは、基板２
０とその下面及び上面に形成された絶縁膜２１、２２と
上側の絶縁膜２２上に形成された電極２３及び感応膜３
０とを有し、電極２３の上には更に絶縁膜２４が形成さ
れている。絶縁膜２４には窓２４Ａが形成され、この窓
２４Ａの部分では、電極２３は露出されている。この露
出された電極２３より電源が供給されることができる。
センサの例を説明する。このマイクロセンサは、基板２
０とその下面及び上面に形成された絶縁膜２１、２２と
上側の絶縁膜２２上に形成された電極２３及び感応膜３
０とを有し、電極２３の上には更に絶縁膜２４が形成さ
れている。絶縁膜２４には窓２４Ａが形成され、この窓
２４Ａの部分では、電極２３は露出されている。この露
出された電極２３より電源が供給されることができる。
【０００４】感応膜３０は上側のガス検知層３０Ａと下
側の電気伝導層３０Ｂからなる。ガス検知層３０Ａは酸
化バナジウムＶ2 Ｏ5 が添加されたＳｎＯ2 系であり、
電気伝導層３０Ｂは酸化チタンＴｉＯ2 及び酸化マグネ
シウムＭｇＯが添加された酸化鉄Ｆｅ2 Ｏ3 系である。
感応膜３０は数１００℃の温度に上昇する。感応膜３０
を一定の高温度に保持するための機構が設けられてい
る。図示のように、基板２０の下面には、凹部２０Ａが
形成され、この凹部２０Ａの底面はダイヤフラム２２Ａ
を構成している。感応膜３０は、このダイヤフラム２２
Ａ上に配置されている。
側の電気伝導層３０Ｂからなる。ガス検知層３０Ａは酸
化バナジウムＶ2 Ｏ5 が添加されたＳｎＯ2 系であり、
電気伝導層３０Ｂは酸化チタンＴｉＯ2 及び酸化マグネ
シウムＭｇＯが添加された酸化鉄Ｆｅ2 Ｏ3 系である。
感応膜３０は数１００℃の温度に上昇する。感応膜３０
を一定の高温度に保持するための機構が設けられてい
る。図示のように、基板２０の下面には、凹部２０Ａが
形成され、この凹部２０Ａの底面はダイヤフラム２２Ａ
を構成している。感応膜３０は、このダイヤフラム２２
Ａ上に配置されている。
【０００５】こうして、感応膜３０を、ダイヤフラム２
２Ａ上に配置することによって、加熱した感応膜３０よ
り熱が基板３０を経由して放熱されることが防止され、
感応膜３０の温度が所定の高温度に保持される。
２Ａ上に配置することによって、加熱した感応膜３０よ
り熱が基板３０を経由して放熱されることが防止され、
感応膜３０の温度が所定の高温度に保持される。
【０００６】感応膜３０のガス検知層３０Ａに環境物
質、例えば、還元性ガス等が触れると、感応膜３０のコ
ンダクタンスが変化する。コンダクタンス曲線のカーブ
及びピーク値を読み取ることによって還元性ガスの種類
及び濃度が判る。花粉等の有機物が感応膜３０に付着す
ると、加熱された感応膜３０によって燃焼し、還元性ガ
スが発生する。こうして発生した還元性ガスはガス検知
層３０Ａによって検知され、コンダクタンスが変化す
る。コンダクタンス曲線のカーブ及びピークの個数を読
み取ることによって花粉の種類及び個数が判る。
質、例えば、還元性ガス等が触れると、感応膜３０のコ
ンダクタンスが変化する。コンダクタンス曲線のカーブ
及びピーク値を読み取ることによって還元性ガスの種類
及び濃度が判る。花粉等の有機物が感応膜３０に付着す
ると、加熱された感応膜３０によって燃焼し、還元性ガ
スが発生する。こうして発生した還元性ガスはガス検知
層３０Ａによって検知され、コンダクタンスが変化す
る。コンダクタンス曲線のカーブ及びピークの個数を読
み取ることによって花粉の種類及び個数が判る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】花粉の飛散数は、最盛
期に、一日約１００個／ｃｍ2 程度であり、最大でも一
日数１００個／ｃｍ2 である。ダーラム型捕集器によっ
てスライド１ｃｍ2 当たり一日に１００個以上の花粉数
が観測されたときは大飛散日と称され、その年の最初の
大飛散日は大飛散開始日と称される。
期に、一日約１００個／ｃｍ2 程度であり、最大でも一
日数１００個／ｃｍ2 である。ダーラム型捕集器によっ
てスライド１ｃｍ2 当たり一日に１００個以上の花粉数
が観測されたときは大飛散日と称され、その年の最初の
大飛散日は大飛散開始日と称される。
【０００８】一方、従来の薄膜半導体マイクロセンサの
感応膜の寸法は、例えば、５００μｍ×５００μｍであ
る。従って、従来の薄膜半導体マイクロセンサを使用す
ると、大飛散日でも、一日１個程度の花粉しか測定する
ことができない。これでは、花粉の飛散数の正確な測定
値を得ることはできない。
感応膜の寸法は、例えば、５００μｍ×５００μｍであ
る。従って、従来の薄膜半導体マイクロセンサを使用す
ると、大飛散日でも、一日１個程度の花粉しか測定する
ことができない。これでは、花粉の飛散数の正確な測定
値を得ることはできない。
【０００９】また、従来のマイクロセンサでは、花粉の
種類と飛散個数を自動的に測定することはできなかっ
た。
種類と飛散個数を自動的に測定することはできなかっ
た。
【００１０】従って、本発明は、以上の点に鑑み、花粉
の飛散数を正確に測定することができる花粉測定装置を
提供することを目的とする。
の飛散数を正確に測定することができる花粉測定装置を
提供することを目的とする。
【００１１】更に、本発明は、花粉の飛散数を正確に測
定することができる構造が簡単な且つコンパクトな花粉
測定装置を提供することを目的とする。
定することができる構造が簡単な且つコンパクトな花粉
測定装置を提供することを目的とする。
【００１２】更に、本発明は、花粉の種類と飛散数を自
動的に測定することができる花粉測定装置を提供するこ
とを目的とする。
動的に測定することができる花粉測定装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明によると、花粉測
定装置は、複数の感応部を有するマイクロセンサと、該
マイクロセンサからの出力を入力し上記感応部に花粉が
付着したことを検出する検出回路と、花粉の種類毎の検
出曲線のデータを有するデータストレージ部と、該デー
タストレージ部より供給されたデータと上記検出回路の
出力を入力して花粉の種類を識別する識別回路と、該識
別回路の出力より花粉の種類毎の花粉の数を計数するカ
ウンタとを有する。
定装置は、複数の感応部を有するマイクロセンサと、該
マイクロセンサからの出力を入力し上記感応部に花粉が
付着したことを検出する検出回路と、花粉の種類毎の検
出曲線のデータを有するデータストレージ部と、該デー
タストレージ部より供給されたデータと上記検出回路の
出力を入力して花粉の種類を識別する識別回路と、該識
別回路の出力より花粉の種類毎の花粉の数を計数するカ
ウンタとを有する。
【００１４】従って、花粉の種類と個数を自動的に観測
することができる。
することができる。
【００１５】本発明によると、花粉測定装置において、
上記マイクロセンサは上記感応部の周囲に形成されたヒ
ータを有する。上記マイクロセンサは基板と該基板の上
に形成された帯状の電極とを有し、上記感応部は上記帯
状の電極に沿って配置されている。上記感応部は碁盤目
状に整列して配置されている。
上記マイクロセンサは上記感応部の周囲に形成されたヒ
ータを有する。上記マイクロセンサは基板と該基板の上
に形成された帯状の電極とを有し、上記感応部は上記帯
状の電極に沿って配置されている。上記感応部は碁盤目
状に整列して配置されている。
【００１６】本発明によると、花粉測定装置において、
上記マイクロセンサは、基板と該基板に形成された第１
の絶縁膜と該第１の絶縁膜の上に形成された電極及び感
応膜と該電極の上に形成された第２の絶縁膜と該第２の
絶縁膜の上に上記感応膜を囲むように形成されたヒータ
とを有する。上記基板は、厚さが薄いダイヤフラムを含
み、上記感応膜は上記ダイヤフラムの上に配置されてい
る。
上記マイクロセンサは、基板と該基板に形成された第１
の絶縁膜と該第１の絶縁膜の上に形成された電極及び感
応膜と該電極の上に形成された第２の絶縁膜と該第２の
絶縁膜の上に上記感応膜を囲むように形成されたヒータ
とを有する。上記基板は、厚さが薄いダイヤフラムを含
み、上記感応膜は上記ダイヤフラムの上に配置されてい
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１を参照して本発明による花粉
測定装置の例について説明する。本例の花粉測定装置
は、薄膜半導体マイクロセンサ１００と、コンダクタン
スの変化を検出するための検出回路１１と、コンダクタ
ンスの変化より花粉の種類を識別するための識別回路１
３と、多数の種類の花粉のコンダクタンスの変化曲線の
データを記憶しているデータストレージ部１５と、コン
ダクタンスの変化曲線のピーク数を計数するカウンタ１
７と、を有する。
測定装置の例について説明する。本例の花粉測定装置
は、薄膜半導体マイクロセンサ１００と、コンダクタン
スの変化を検出するための検出回路１１と、コンダクタ
ンスの変化より花粉の種類を識別するための識別回路１
３と、多数の種類の花粉のコンダクタンスの変化曲線の
データを記憶しているデータストレージ部１５と、コン
ダクタンスの変化曲線のピーク数を計数するカウンタ１
７と、を有する。
【００１８】薄膜半導体マイクロセンサ１００は略正方
形の基板１０１とこの基板上に形成された集積回路パタ
ーン１０２とそれに接続された検出端子１０５、１０５
及びヒータ用端子１０６、１０６とを有する。検出端子
１０５、１０５は電源及び検出回路１１に接続され、ヒ
ータ用端子１０６、１０６は図示しないヒータ用電源に
接続されている。
形の基板１０１とこの基板上に形成された集積回路パタ
ーン１０２とそれに接続された検出端子１０５、１０５
及びヒータ用端子１０６、１０６とを有する。検出端子
１０５、１０５は電源及び検出回路１１に接続され、ヒ
ータ用端子１０６、１０６は図示しないヒータ用電源に
接続されている。
【００１９】集積回路パターン１０２は、所定のピッチ
にて碁盤目状に配列された多数の感応部を有し、これら
の感応部の面積の総和は、約１ｃｍ2 となるように構成
されている。例えば、１つの基板に、寸法が５００μｍ
×５００μｍの感応膜が４００個形成される。この場
合、４００個の感応膜は、２０行×２０列の正方形に配
列されてよい。
にて碁盤目状に配列された多数の感応部を有し、これら
の感応部の面積の総和は、約１ｃｍ2 となるように構成
されている。例えば、１つの基板に、寸法が５００μｍ
×５００μｍの感応膜が４００個形成される。この場
合、４００個の感応膜は、２０行×２０列の正方形に配
列されてよい。
【００２０】図２を参照して本例の薄膜半導体マイクロ
センサ１００の詳細を説明する。本例の薄膜半導体マイ
クロセンサ１００は、略正方形の基板２０とその上面に
形成された絶縁膜２２とこの絶縁膜２２上に形成された
電極２３及び感応膜３０とを有する。電極２３の上には
更に絶縁膜２４が形成され、絶縁膜２４の上には、感応
膜３０を囲むようにヒータ３２が形成されている。
センサ１００の詳細を説明する。本例の薄膜半導体マイ
クロセンサ１００は、略正方形の基板２０とその上面に
形成された絶縁膜２２とこの絶縁膜２２上に形成された
電極２３及び感応膜３０とを有する。電極２３の上には
更に絶縁膜２４が形成され、絶縁膜２４の上には、感応
膜３０を囲むようにヒータ３２が形成されている。
【００２１】基板２０の下面には絶縁膜２１が形成さ
れ、更に、凹部２０Ａが形成されている。この凹部２０
Ａの底面はダイヤフラム２２Ａを構成している。感応膜
３０は、このダイヤフラム２２Ａ上に配置されている。
感応膜３０は上側のガス検知層３０Ａと下側の電気伝導
層３０Ｂからなる。
れ、更に、凹部２０Ａが形成されている。この凹部２０
Ａの底面はダイヤフラム２２Ａを構成している。感応膜
３０は、このダイヤフラム２２Ａ上に配置されている。
感応膜３０は上側のガス検知層３０Ａと下側の電気伝導
層３０Ｂからなる。
【００２２】ガス検知層３０Ａは適当な量の酸化バナジ
ウムＶ2 Ｏ5 が添加されたＳｎＯ2系の層であってよ
く、電気伝導層３０Ｂは適当な量の酸化チタンＴｉＯ2
及び酸化マグネシウムＭｇＯが添加された酸化鉄Ｆｅ2
Ｏ3 系の層であってよい。
ウムＶ2 Ｏ5 が添加されたＳｎＯ2系の層であってよ
く、電気伝導層３０Ｂは適当な量の酸化チタンＴｉＯ2
及び酸化マグネシウムＭｇＯが添加された酸化鉄Ｆｅ2
Ｏ3 系の層であってよい。
【００２３】図１を参照して説明したように、感応膜３
０は略正方形の基板２０の上面に碁盤目状に配列されて
いる。従って、電極２３は碁盤目の横の線に沿って帯状
に形成されている。感応膜３０、絶縁膜２４及びヒータ
３２は、この帯状の電極２３に沿って、所定のピッチに
て配列されている。
０は略正方形の基板２０の上面に碁盤目状に配列されて
いる。従って、電極２３は碁盤目の横の線に沿って帯状
に形成されている。感応膜３０、絶縁膜２４及びヒータ
３２は、この帯状の電極２３に沿って、所定のピッチに
て配列されている。
【００２４】尚、基板２０の下面に形成された凹部２０
Ａ及びダイヤフラム２２Ａは、帯状の電極２３に沿っ
て、感応膜３０のピッチと同一のピッチにて、形成され
ている。従って、感応膜３０は、ダイヤフラム２２Ａの
上に配置される。
Ａ及びダイヤフラム２２Ａは、帯状の電極２３に沿っ
て、感応膜３０のピッチと同一のピッチにて、形成され
ている。従って、感応膜３０は、ダイヤフラム２２Ａの
上に配置される。
【００２５】感応膜３０は帯状の電極２３に接続され、
この帯状の電極２３の両端は検出端子１０５、１０５に
接続されている。検出端子１０５の一方は電源に接続さ
れ、他方は検出回路１１に接続されている。尚、図示し
ないが、ヒータ３２も別個の帯状電極に接続され、その
両端はヒータ用端子１０６、１０６に接続されている。
このヒータ用端子は図示しないヒータ電源に接続され
る。
この帯状の電極２３の両端は検出端子１０５、１０５に
接続されている。検出端子１０５の一方は電源に接続さ
れ、他方は検出回路１１に接続されている。尚、図示し
ないが、ヒータ３２も別個の帯状電極に接続され、その
両端はヒータ用端子１０６、１０６に接続されている。
このヒータ用端子は図示しないヒータ電源に接続され
る。
【００２６】本例の薄膜半導体マイクロセンサ１００の
製造方法を説明する。先ず、単結晶又は多結晶のケイ素
からなる略正方形の基板２０を用意し、その両面に二酸
化ケイ素の被膜を形成する。それによって二酸化ケイ素
の絶縁膜２１、２２が形成される。次に凹部２０Ａを形
成し、それによってダイヤフラム２２Ａを形成する。凹
部２０Ａは、二酸化ケイ素の絶縁膜２２が露出されるよ
うに形成されてよい。それによって二酸化ケイ素の絶縁
膜２２よりなるダイヤフラム２２Ａが形成される。
製造方法を説明する。先ず、単結晶又は多結晶のケイ素
からなる略正方形の基板２０を用意し、その両面に二酸
化ケイ素の被膜を形成する。それによって二酸化ケイ素
の絶縁膜２１、２２が形成される。次に凹部２０Ａを形
成し、それによってダイヤフラム２２Ａを形成する。凹
部２０Ａは、二酸化ケイ素の絶縁膜２２が露出されるよ
うに形成されてよい。それによって二酸化ケイ素の絶縁
膜２２よりなるダイヤフラム２２Ａが形成される。
【００２７】二酸化ケイ素の絶縁膜２２上に帯状の金属
薄膜を形成し、その上に二酸化ケイ素の被膜を形成す
る。それによって、電極２３及び絶縁膜２４が形成され
る。次に、この電極２３及び絶縁膜２４に窓を形成し、
そこに感応膜３０を形成する。最後にヒータ３２及びヒ
ータ用電極を形成する。
薄膜を形成し、その上に二酸化ケイ素の被膜を形成す
る。それによって、電極２３及び絶縁膜２４が形成され
る。次に、この電極２３及び絶縁膜２４に窓を形成し、
そこに感応膜３０を形成する。最後にヒータ３２及びヒ
ータ用電極を形成する。
【００２８】薄膜半導体マイクロセンサ１００は、スパ
ッタリング、蒸着、エッチング等の既知の薄膜形成技
術、集積回路製造技術及びマイクロマシニング技術を使
用して製造される。
ッタリング、蒸着、エッチング等の既知の薄膜形成技
術、集積回路製造技術及びマイクロマシニング技術を使
用して製造される。
【００２９】花粉が本例の薄膜半導体マイクロセンサ１
００の感応膜３０に付着すると、花粉は燃焼する。感応
膜３０は自身の発熱及びヒータ３２の発熱によって加熱
されているため、花粉は容易に燃焼する。
００の感応膜３０に付着すると、花粉は燃焼する。感応
膜３０は自身の発熱及びヒータ３２の発熱によって加熱
されているため、花粉は容易に燃焼する。
【００３０】花粉が燃焼すると、還元性ガスが発生す
る。感応膜３０のガス検知層３０Ａは、この還元性ガス
に反応し、検出端子１０５、１０５の間のコンダクタン
スが変化する。コンダクタンスの変化は検出回路１１に
よって検出される。
る。感応膜３０のガス検知層３０Ａは、この還元性ガス
に反応し、検出端子１０５、１０５の間のコンダクタン
スが変化する。コンダクタンスの変化は検出回路１１に
よって検出される。
【００３１】図３はコンダクタンスΩの変化を示す曲線
である。図示のように、花粉が感応膜３０に付着する
と、花粉の燃焼及び還元性ガスの発生によって、コンダ
クタンスΩは急激に増加し急速に減少する。コンダクタ
ンスの変化の曲線は還元性ガスの種類によって異なる。
即ち、コンダクタンスの変化の曲線は花粉によって異な
る。
である。図示のように、花粉が感応膜３０に付着する
と、花粉の燃焼及び還元性ガスの発生によって、コンダ
クタンスΩは急激に増加し急速に減少する。コンダクタ
ンスの変化の曲線は還元性ガスの種類によって異なる。
即ち、コンダクタンスの変化の曲線は花粉によって異な
る。
【００３２】再び図１を参照する。データストレージ部
１５は多数の種類の花粉のコンダクタンス曲線を記憶し
ている。識別回路１３は、検出回路１１より供給された
コンダクタンス曲線とデータストレージ部１５より供給
されたコンダクタンス曲線を比較し、花粉の種類を識別
する。
１５は多数の種類の花粉のコンダクタンス曲線を記憶し
ている。識別回路１３は、検出回路１１より供給された
コンダクタンス曲線とデータストレージ部１５より供給
されたコンダクタンス曲線を比較し、花粉の種類を識別
する。
【００３３】カウンタ１７は花粉の種類毎にコンダクタ
ンス曲線のピーク数を計数する。それによって花粉の種
類と個数が検出される。
ンス曲線のピーク数を計数する。それによって花粉の種
類と個数が検出される。
【００３４】以上本発明の実施例について詳細に説明し
てきたが、本発明は上述の実施例に限ることなく本発明
の要旨を逸脱することなく他の種々の構成が採り得るこ
とは当業者にとって容易に理解されよう。
てきたが、本発明は上述の実施例に限ることなく本発明
の要旨を逸脱することなく他の種々の構成が採り得るこ
とは当業者にとって容易に理解されよう。
【００３５】
【発明の効果】本発明によると、簡単な方法によって花
粉の飛散個数を自動的に測定することができる利点が得
られる。
粉の飛散個数を自動的に測定することができる利点が得
られる。
【００３６】本発明によると、花粉の種類毎に飛散数を
自動的に測定することができる利点が得られる。
自動的に測定することができる利点が得られる。
【図１】本発明による花粉測定装置の例を示す説明図で
ある。
ある。
【図２】本発明による花粉測定装置の薄膜半導体マイク
ロセンサの構造の例を示す説明図である。
ロセンサの構造の例を示す説明図である。
【図３】本発明による花粉測定装置の薄膜半導体マイク
ロセンサのコンダクタンス曲線の例を説明するための説
明図である。
ロセンサのコンダクタンス曲線の例を説明するための説
明図である。
【図４】従来の薄膜半導体マイクロセンサの構造の例を
示す図である。
示す図である。
１１…検出回路、 １３…識別回路、 １５…データス
トレージ部、 １７…カウンタ、 ２０…基板、 ２
１，２２…絶縁膜、 ２３…電極、 ２４…絶縁膜、
３０…感応膜、 ３０Ａ…ガス検出層、 ３０Ｂ…電気
伝導層、 １００…薄膜半導体マイクロセンサ、 １０
１…基板、 １０２…集積回路パターン、１０５，１０
６…端子、
トレージ部、 １７…カウンタ、 ２０…基板、 ２
１，２２…絶縁膜、 ２３…電極、 ２４…絶縁膜、
３０…感応膜、 ３０Ａ…ガス検出層、 ３０Ｂ…電気
伝導層、 １００…薄膜半導体マイクロセンサ、 １０
１…基板、 １０２…集積回路パターン、１０５，１０
６…端子、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G046 AA00 AA02 BA01 BB02 BC03 BC04 BE03 DC13 DC16 DC17 DC18 FB02 2G060 AA02 AA15 AA20 AB26 AE19 AF07 AG06 AG08 BA01 BB09 HA02 HC10 HC13
Claims (6)
- 【請求項１】 複数の感応部を有するマイクロセンサ
と、該マイクロセンサからの出力を入力し上記感応部に
花粉が付着したことを検出する検出回路と、花粉の種類
毎の検出曲線のデータを有するデータストレージ部と、
該データストレージ部より供給されたデータと上記検出
回路の出力を入力して花粉の種類を識別する識別回路
と、該識別回路の出力より花粉の種類毎の花粉の数を計
数するカウンタとを有する花粉測定装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の花粉測定装置において、
上記マイクロセンサは上記感応部の周囲に形成されたヒ
ータを有することを特徴とする花粉測定装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の花粉測定装置において、
上記マイクロセンサは基板と該基板の上に形成された帯
状の電極とを有し、上記感応部は上記帯状の電極に沿っ
て配置されていることを特徴とする花粉測定装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の花粉測定装置において、
上記感応部は碁盤目状に整列して配置されていることを
特徴とする花粉測定装置。 - 【請求項５】 請求項１記載の花粉測定装置において、
上記マイクロセンサは、基板と該基板に形成された第１
の絶縁膜と該第１の絶縁膜の上に形成された電極及び感
応膜と該電極の上に形成された第２の絶縁膜と該第２の
絶縁膜の上に上記感応膜を囲むように形成されたヒータ
とを有することを特徴とする花粉測定装置。 - 【請求項６】 請求項５記載の花粉測定装置において、
上記基板は、厚さが薄いダイヤフラムを含み、上記感応
膜は上記ダイヤフラムの上に配置されていることを特徴
とする花粉測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11118527A JP2000310608A (ja) | 1999-04-26 | 1999-04-26 | 花粉測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11118527A JP2000310608A (ja) | 1999-04-26 | 1999-04-26 | 花粉測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000310608A true JP2000310608A (ja) | 2000-11-07 |
Family
ID=14738818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11118527A Pending JP2000310608A (ja) | 1999-04-26 | 1999-04-26 | 花粉測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000310608A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006292664A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 空気汚染度検知装置 |
| JP2007086061A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-04-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 粒子検出センサ、粒子検出センサの作製方法、及び粒子検出センサの検出方法 |
| US8492172B2 (en) | 2005-08-26 | 2013-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Particle detection sensor, method for manufacturing particle detection sensor, and method for detecting particle using particle detection sensor |
-
1999
- 1999-04-26 JP JP11118527A patent/JP2000310608A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006292664A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 空気汚染度検知装置 |
| JP4700995B2 (ja) * | 2005-04-14 | 2011-06-15 | パナソニック株式会社 | 空気汚染度検知装置 |
| JP2007086061A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-04-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 粒子検出センサ、粒子検出センサの作製方法、及び粒子検出センサの検出方法 |
| US8492172B2 (en) | 2005-08-26 | 2013-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Particle detection sensor, method for manufacturing particle detection sensor, and method for detecting particle using particle detection sensor |
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