JP2007084427A - 溶融シリカガラスおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】水素含有雰囲気内でガラス材料を処理し、それによって、その処理の終わりに、水素濃度勾配がガラス材料の深さに亘り存在する工程を含む。水素濃度勾配が屈折率勾配(δn)を引き起こし、δnが全て、意図する用途のために許容範囲内にあり、0≦δn≦5ppmである。水素含有雰囲気内でシリカガラス材料を処理する工程中に、水素の分圧が変えられることが好ましい。
【選択図】なし
Description
0.1≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.7、ある実施の形態において、0.1≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.6、ある他の実施の形態において、0.1≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.5、ある他の実施の形態において、0.1≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.4;
ある実施の形態において、0.2≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.7、ある実施の形態において、0.2≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.6、ある他の実施の形態において、0.2≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.5、ある他の実施の形態において、0.2≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.4。
0.2≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.7、ある実施の形態において、0.2≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.6、ある他の実施の形態において、0.2≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.5、ある他の実施の形態において、0.2≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.4。
0.4≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.95、ある実施の形態において、0.5≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.9、ある他の実施の形態において、0.6≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.9、ある他の実施の形態において、0.7≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.9。
(I) 複数のシリカスート粒子を含むシリカスートプリフォームを提供し、
(II) シリカスートプリフォームを酸素含有雰囲気中で処理し、
(III) シリカスートプリフォームを固結して、ガラスを緻密にし、
(IV) 様々な水素分圧で水素含有雰囲気中において固結したシリカガラスを処理する、
各工程を有してなり、ガラス中の−O−O−結合およびO2分子が約1×1015分子/cm3未満のレベルまで急速に消費されるように、工程(IV)の初期ローディング段階で、[H2](最大)に対応する平衡水素分圧よりも高い水素分圧が用いられる方法に関する。
0.2≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.7、ある実施の形態において、0.2≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.6、ある他の実施の形態において、0.2≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.5、ある他の実施の形態において、0.2≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.4。
0.4≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.95、ある実施の形態において、0.5≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.9、ある他の実施の形態において、0.6≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.9、ある他の実施の形態において、0.7≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.9。
(i) その材料を、リソグラフィーデバイスが、意図する機能のための通常の使用中、すなわち、例えば、半導体素子を製造するプロセスにおけるリソグラフィー機能の実施中に動作されている間、リソグラフィー照射の光路に使用できる、
(ii) その材料を、リソグラフィー照射を向け直すまたは操作する目的のために光路に使用できる、
ことを意味する。
従来の水素ローディング条件では、ガラス部品全体に亘り均一な水素濃度が必要とされることが前提とされている。これには、ガラスを水素含有雰囲気中に配置し、部品全体に亘り水素がほぼ均一に分布できるのに十分に長い時間に亘って部品を加熱する各工程が含まれる。しかしながら、本発明の発明者等は、ガラス中の水素濃度勾配は許容でき、それによって、ローディング時間を著しく減少できるであろうことを発見した。本発明の方法のある特別な実施の形態は、部品が配置される水素雰囲気を一定の分圧で使用する工程を含む。図2は、従来の水素ローディング条件に関する温度と部品の厚さの関数としての水素ローディング時間のプロットである。この場合、「従来の」は、部品全体に亘り水素濃度の差が10%以下であると定義される。この図において、201は、6cm厚の部品に関して、800℃のH2ローディング温度で部品の中心において90%の濃度を達成するために、約24日必要であることを意味する特定の実例である。図3は、10%より大きい水素勾配が許容できる場合、水素ローディング時間を著しく減少させられることを示している。横軸には、飽和(すなわち、表面濃度)と比較した部品の中心における水素濃度が示され、縦軸には、中心濃度が飽和濃度の90%(従来のローディング要件)に到達するのに要する時間のパーセントで表された所要のローディング時間が示されている。それゆえ、図3の曲線に示された実例として、部品の中心で、飽和濃度の30%までローディングするのに要する時間は、飽和濃度の90%までローディングするのに要する時間のたった25%である。それゆえ、この勾配(部品の表面で100%、中心で約30%)が許容されれば、表面濃度の約90%の中心濃度を必要とする従来のローディング計画と比較して、ローディング時間を約75%省くことができる。
H2は、シリカガラスにおけるレーザ誘起波面湾曲(LIWFD)圧密の量を最小にするために必要とされるが、図4に示されたデータは、ほんのわずかなレベルしか必要としないことを示している。横軸には、約193nmおよび所定のフルエンスとパルス長で動作するエキシマレーザのパルス数が示され、縦軸には、約633nmで測定されたLIWFDが示されている。この図は、水素を含むガラスと含まないガラスに関するLIWFDが劇的に異なることを示している。しかしながら、0.6〜2.0×1017分子/cm3の間のH2値は、公称100質量ppmの[OH]値に関して、350℃と500℃の間でのH2ローディングについてはLIWFD挙動に差がないことを示している。
H2+SiO2 → SiOH+SiH
◎
1モルのH2が反応して、1モルのβ−OHを形成する。
水素により、溶融シリカガラスにおける屈折率がどのように変化するかを測定する実験を行った。図6は、公称1000ppmのOHを含む高純度合成シリカガラスの試料において、水素濃度が増加すると、屈折率が減少したことを示している。実際の機構にかかわらず、このプロットは、屈折率と水素濃度の変動との間にほぼ線形の関係があることを示している。任意の特定の理論により拘束することを意図することも要することもなく、本出願では以下に、このデータを許容される水素勾配を規定するための基礎としてどのように用いるかを論じる。
SiO2+H2 → SiOH+SiH (1)
などのH2と反応するシリカである場合、公称[OH]レベルが減少するのより大きい程度で、増加する[OH]が屈折率に影響を与えるので、傾斜は低い[OH]レベルで大きくなることが予測される。他方で、機構が単に追加のH2分子によるものである場合、その影響は、[OH]には関係しないであろう。
本発明の方法は、ローディング時間を減少させ、水素をローディングし、必要に応じて、部品内の水素変動を少なくするために、水素の外部分圧の変動を使用する工程を有してなる。例として、水素サイクルは、できるだけ早く中心のH2レベルを上昇させるための過圧から始まる。所望のレベルに近づくにつれ、外圧は、最終濃度に向かって次第に減少させられる。次いで、このスケジュールは、最終濃度の下か上で一回以上、外部境界条件を促進するように進行してもよい。外部境界条件が最終濃度値と交差する度に、濃度プロファイルに追加の波紋が形成される。
(I) 複数のシリカスート粒子を含むシリカスートプリフォームを提供し、
(II) シリカスートプリフォームを酸素含有雰囲気中で処理し、
(III) シリカスートプリフォームを固結して、ガラスを緻密にし、
(IV) 様々な水素分圧で水素含有雰囲気中において固結したシリカガラスを処理する、
各工程を有してなり、ガラス中の−O−O−結合および/またはO2が約1×1015分子/cm3未満のレベルまで急速に消費されるように、工程(IV)の初期ローディング段階で、[H2](最大)に対応する平衡水素分圧よりも高い水素分圧が用いられる方法である。ある実施の形態において、水素処理工程の始めなどの初期ローディング段階中に、最大圧のH2を使用することが有益である。
均一な水素の分圧を用いた本発明の第1の方法と、変動する水素の分圧を用いた本発明の第2の方法をここで比較する。先のセクションAにおいて論じた第1の方法を用いた水素ローディングにより、レンズブランクの中心で単独の最小値が得られる。計算した水素勾配の他の実施例が以下の表IIIに示されており、600℃で水素がローディングされた直径270mm、厚さ60mmのディスクの特定の円柱形ガラスについての水素勾配の1つの実施例が、図8に示されている。
この実施例では、本発明の第2の方法を用いている(変動するH2分圧)。同様に、600℃での270mm×60mmmのシリカディスクのローディングを前提とする。パラメータと結果が表IVに示されている。表IVは、本発明の第2の方法が、この特定の実施例において、第1の方法に必要とされる時間のほぼ半分の時間で、約0.15×1017分子/cm3の同じΔ[H2]を達成できることを示している。
この実施例における実験は、ローディング中の水素の表面濃度を変更することによって、ローディング時間を著しく減少できるという概念を確認するために行った。2つのケースを検証した。ケースIは、「従来のローディング」によりローディングされたガラスに言及する。ここで、従来のローディングは、ローディング中のH2の表面濃度が一定であるものと定義する。図13は、一定のH2のローディング分圧で89.2日間に亘る350℃での20×25×100mm3のバーをローディングするための予測モデルを示す。その結果は、89.2日後、ガラスの表面では0.7×1017分子/cm3のH2の表面濃度が予測され、一方で、試料の中心では、0.59×1017分子/cm3のH2の濃度が予測されることを示している。この予測モデルは、以下の式に基づいている:
DH2=(5.65×10-4)・exp(−5220/T)(cm2/秒)
ここで、DH2は温度T(ケルビン)でのH2の拡散率である。
A. さらなる改変
レンズブランクはかなり厚いことがあり得るので、それらブランクは、拡散が側面だけでなく頂面と底面からも進行するために、本発明の第2の方法を用いたときに、外側の縁の近くに濃度の隆起を生じ得る。すなわち、ディスクが厚すぎて試料1D様式で挙動できない。この濃度の隆起は、濃度における最大勾配を形成し得るので、ローディング時間を決定するかもしれない。外側の半径でブランクに対して配された保護バリアが、拡散をブランクの頂面と底面に制限することによって、ローディング時間を改善し得る。H2拡散がシリカよりも著しく遅い材料が、グラファイトを含めいくつかある。外側半径を通るH2拡散を減少させるためにそのような材料を使用することが、本発明の方法の実施の形態を表す。
本発明の第2の方法は、水素処理雰囲気において水素分圧を変動させることを含まない第1の方法により生じるよりも、高次の不均一性(高次のゼルニケ)をより受けやすい。本発明の第1の方法により生じるものなどの低次のゼルニケは通常、高次の項または残差よりもゆるい規格を有する。本発明の教示により生じた不均一性の大部分は、部品の軸3に方向付けられることにも留意されたい。これは、一般に、最もゆるい規格を持つ軸である。
2403 ガラス
2405 圧縮バンド
2407 拡散抵抗性材料
Claims (17)
- 約300nm未満の波長で動作するリソグラフィーデバイスのリソグラフィー照射の光路に使用できるシリカガラス材料であって、水素分子がドープされ、約5×1015分子/cm3以上かつ約1×1018分子/cm3以下の平均水素分子濃度[H2](平均)、最大水素分子濃度[H2](最大)および最小水素分子濃度[H2](最小)を有する、0.10≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.95であるシリカガラス材料。
- 約4×1017分子/cm3以下の[H2](平均)を有することを特徴とする請求項1記載のシリカガラス材料。
- 約1×1016分子/cm3以上の[H2](平均)を有することを特徴とする請求項1または2記載のシリカガラス材料。
- 低レベルの酸素分子および/または−O−O−結合を有することを特徴とする請求項1または2記載のシリカガラス材料。
- 約100ppm未満の平均[OH]を有することを特徴とする請求項1または2記載のシリカガラス材料。
- 約300nm未満の波長で動作するリソグラフィーデバイスのリソグラフィー照射の光路に使用できるシリカガラス材料を製造する方法であって、水素含有雰囲気内で前記ガラス材料を処理し、それによって、該処理の終わりに、水素濃度勾配が前記材料の深さに亘り存在する工程を含み、前記水素濃度勾配が屈折率勾配(δn)を引き起こし、δnが全て、意図する用途のために許容範囲内にあり、0≦δn≦5ppmである方法。
- 前記水素処理中に、前記水素含有雰囲気内の水素の分圧が実質的に一定のままであることを特徴とする請求項6記載の方法。
- 前記水素処理中に、前記水素含有雰囲気内の水素の分圧が約50気圧未満であることを特徴とする請求項7記載の方法。
- 前記水素処理の終わりに、前記材料中の最小水素濃度([H2](最小))および該材料中の最大水素分子濃度([H2](最大))が以下の関係:0.1≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.7を満たすことを特徴とする請求項6から8いずれか1項記載の方法。
- 前記水素含有雰囲気内で前記シリカガラス材料を処理する工程中に、水素の分圧が変えられることを特徴とする請求項6記載の方法。
- 前記水素含有雰囲気内で前記シリカガラス材料を処理する工程中に、水素の最大分圧が約5気圧未満に設定されることを特徴とする請求項10記載の方法。
- 前記水素含有雰囲気内で前記シリカガラス材料を処理する工程中に、水素の最大分圧が約5倍未満に設定されることを特徴とする請求項10または11記載の方法。
- 前記水素処理の終わりに、前記材料中の最小水素濃度([H2](最小))および該材料中の最大水素分子濃度([H2](最大))が以下の関係:0.4≦[H2](最小)/[H2](最大)≦0.95を満たすことを特徴とする請求項10または11記載の方法。
- 前記水素含有雰囲気内で前記シリカガラス材料を処理する工程の終わりに、前記材料中の最大水素濃度が約2×1018分子/cm3未満であることを特徴とする請求項6から8、10および11いずれか1項記載の方法。
- 前記水素含有雰囲気内で前記シリカガラス材料を処理する工程の終わりに、前記材料中の最小水素濃度が約1×1016分子/cm3より大きいことを特徴とする請求項6から8、10および11いずれか1項記載の方法。
- 前記水素含有雰囲気内で前記シリカガラス材料を処理する工程の最中に、前記材料の表面の少なくとも一部が、水素分子が選択された表面区域のみを通って前記ガラス材料中の本体に進入できるように、水素拡散バリアにより遮蔽されていることを特徴とする請求項6から8、10および11いずれか1項記載の方法。
- 平均水素分子濃度[H2](平均)、最大水素分子濃度[H2](最大)および最小水素分子濃度[H2](最小)を有するシリカガラス材料が製造され、
(I) 複数のシリカスート粒子を含むシリカスートプリフォームを提供し、
(II) 前記シリカスートプリフォームを酸素含有雰囲気中で処理し、
(III) 前記シリカスートプリフォームをガラスに固結し、
(IV) 様々な水素分圧で水素含有雰囲気中において、前記固結したシリカガラスを処理する、
各工程を有してなり、前記ガラス中の−O−O−結合およびO2分子が急速に消費されるように、工程(IV)の初期段階で、[H2](最大)に対応する平衡水素分圧よりも高い水素分圧が用いられることを特徴とする請求項6から8、10および11いずれか1項記載の方法。
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