JP2007077261A5 - - Google Patents
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Description
〔１〕少なくとも、酸の作用で分解して極性基が生成する酸不安定構造を有する繰り返し単位（Ａ）と、極性基を有する繰り返し単位（Ｂ）とを含む共重合体であって、繰り返し単位（Ａ）が、式（１）
｛式（１）中、Ｒ１０は水素原子、若しくは、フッ素原子が置換しても良い炭素数１〜４の炭化水素基を、Ａ１は炭素数７〜１２の有橋脂環式炭化水素基を、ｎは０又は１の整数を、Ｒ１１は水素原子若しくは炭素数１〜４の炭化水素基を表す。Ｒ１２、Ｒ１３は、Ｒ１１が水素原子を表すとき、Ｒ１２は水素原子又は炭素数１〜４の炭化水素基を、Ｒ１３は炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環状の飽和炭化水素基が置換したオキシ基を表し、Ｒ１２とＲ１３が互いに結合して環を形成しても良く、又、Ｒ１１が炭素数１〜４の炭化水素基を表すとき、Ｒ１２は炭素数１〜４の炭化水素基を、Ｒ１３は炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環状の飽和炭化水素基を表し、Ｒ１２とＲ１３が互いに結合して環を形成しても良い。｝
で表される繰り返し単位（Ａ１）と、式（２）
｛式（２）中、Ｒ２０は水素原子、若しくは、フッ素原子が置換しても良い炭素数１〜４の炭化水素基を表し、Ｒ２１〜Ｒ２３はそれぞれ独立して水素原子、水酸基、若しくは式（２ａ）
｛式（２ａ）中、ｙは式（２）におけるアダマンタン環との結合部位を、Ｒ２４は水素原子若しくは炭素数１〜４の炭化水素基を、Ｒ２５は酸素原子を含んでも良い炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状又は環状の飽和炭化水素基を表し、Ｒ２４とＲ２５が互いに結合して環を形成しても良い。｝
で表される置換オキシ基を表し、Ｒ２１〜Ｒ２３の少なくとも一つが式（２ａ）で表される置換オキシ基である。]
で表される繰り返し単位（Ａ２）とを含み、繰り返し単位（Ｂ）が、水酸基を有する繰り返し単位（ＢＨ）を含むことを特徴とする半導体リソグラフィー用共重合体。
で表される繰り返し単位（Ａ１）と、式（２）
で表される置換オキシ基を表し、Ｒ２１〜Ｒ２３の少なくとも一つが式（２ａ）で表される置換オキシ基である。]
で表される繰り返し単位（Ａ２）とを含み、繰り返し単位（Ｂ）が、水酸基を有する繰り返し単位（ＢＨ）を含むことを特徴とする半導体リソグラフィー用共重合体。
〔２〕繰り返し単位（Ｂ）が、更にラクトン構造を有する繰り返し単位（ＢＬ）を含む繰り返し単位である〔１〕に記載の半導体リソグラフィー用共重合体。
〔４〕繰り返し単位（ＢＨ）が、式（５）
｛式（５）中、Ｒ５０は水素原子、若しくは、フッ素原子が置換しても良い炭素数１〜４の炭化水素基を表し、Ｒ５１〜Ｒ５３はそれぞれ独立して水素原子若しくは水酸基であり、Ｒ５１〜Ｒ５３の少なくとも一つが水酸基である。｝
で表される繰り返し単位（ＢＨ１）を含む繰り返し単位である〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の半導体リソグラフィー用共重合体。
で表される繰り返し単位（ＢＨ１）を含む繰り返し単位である〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の半導体リソグラフィー用共重合体。
２．繰り返し単位（Ｂ）
繰り返し単位（Ｂ）は、半導体基板等に対する密着性を高めたり、リソグラフィー溶剤やアルカリ現像液への溶解性を調整したりするための極性基を有する繰り返し単位であり、ラクトン構造を有する繰り返し単位（ＢＬ）、水酸基を有する繰り返し単位（ＢＨ）、ニトリル基を有する繰り返し単位（ＢＮ）等の極性基を有する繰り返し単位を挙げることができる。本発明では、これらの中でも、水酸基含有炭化水素基を有する繰り返し単位（ＢＨ）が必須であり、又、ラクトン構造含有炭化水素基を有する繰り返し単位（ＢＬ）を含むことが好ましい。
繰り返し単位（Ｂ）は、半導体基板等に対する密着性を高めたり、リソグラフィー溶剤やアルカリ現像液への溶解性を調整したりするための極性基を有する繰り返し単位であり、ラクトン構造を有する繰り返し単位（ＢＬ）、水酸基を有する繰り返し単位（ＢＨ）、ニトリル基を有する繰り返し単位（ＢＮ）等の極性基を有する繰り返し単位を挙げることができる。本発明では、これらの中でも、水酸基含有炭化水素基を有する繰り返し単位（ＢＨ）が必須であり、又、ラクトン構造含有炭化水素基を有する繰り返し単位（ＢＬ）を含むことが好ましい。
Claims (3)
- 少なくとも、酸の作用で分解して極性基が生成する酸不安定構造を有する繰り返し単位（Ａ）と、極性基を有する繰り返し単位（Ｂ）とを含む共重合体であって、繰り返し単位（Ａ）が、式（１）
で表される繰り返し単位（Ａ１）と、式（２）
の炭化水素基を表し、Ｒ２１〜Ｒ２３はそれぞれ独立して水素原子、水酸基、若しくは式（２ａ）
で表される置換オキシ基を表し、Ｒ２１〜Ｒ２３の少なくとも一つが式（２ａ）で表される置換オキシ基である。]
で表される繰り返し単位（Ａ２）とを含み、繰り返し単位（Ｂ）が、水酸基を有する繰り返し単位（ＢＨ）を含むことを特徴とする半導体リソグラフィー用共重合体。
- 繰り返し単位（Ｂ）が、更にラクトン構造を有する繰り返し単位（ＢＬ）を含む繰り返し単位である請求項１に記載の半導体リソグラフィー用共重合体。
- 繰り返し単位（ＢＨ）が、式（５）
で表される繰り返し単位（ＢＨ１）を含む繰り返し単位である請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体リソグラフィー用共重合体。
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2005266620A JP5001541B2 (ja) | 2005-09-14 | 2005-09-14 | 半導体リソグラフィー用共重合体及び組成物 |
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| JP5001541B2 JP5001541B2 (ja) | 2012-08-15 |
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| JP2005266620A Active JP5001541B2 (ja) | 2005-09-14 | 2005-09-14 | 半導体リソグラフィー用共重合体及び組成物 |
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- 2005-09-14 JP JP2005266620A patent/JP5001541B2/ja active Active
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