JP2007073659A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半絶縁性InPの基板1上に、i−InAlAsのバッファ層2、i−InGaAsのチャネル層3、一部にn型ドーピングを施されたi−In0.4Al0.6As0.9Sb0.1のキャリア供給層7、i−InAlAsのバリア層5、n−InGaAsのキャップ層6を、この順序で順次エピタキシャル成長してなる半導体ヘテロ構造を有する電界効果トランジスタを構成する。
【選択図】 図1
Description
InP基板上に、InAlAsバッファ層、InGaAsチャネル層、少なくとも一部にn型ドーピングを施されたキャリア供給層、InAlAsバリア層、n型ドーピングを施されたInGaAsキャップ層を、この順序で順次エピタキシャル成長してなる半導体ヘテロ構造を有する電界効果トランジスタにおいて、前記キャリア供給層が、0.6≦x<1、0<y<1としたときにIn1−xAlxAs1−ySbyで表される組成を持ち、InPの格子定数に等しい格子定数を持つ化合物半導体からなることを特徴とする電界効果トランジスタを構成する。
本発明に係る電界効果トランジスタであるInP基板上HEMTの半導体ヘテロ構造を図1に示す。図において、半絶縁性InPの基板1上に、i−InAlAsのバッファ層2、i−InGaAsのチャネル層3、i−InAlAsSbのキャリア供給層7、i−InAlAsのバリア層5、n−InGaAsのキャップ層6が順次エピタキシャル成長されている。InAlAsにおけるInとAlの組成比は52:48、InGaAsにおけるInとGaの組成比は53:47、InAlAsSbにおけるInとAlの組成比は2:3、AsとSbの組成比は9:1とすることで全ての層がInPに格子整合している。
Claims (1)
- InP基板上に、InAlAsバッファ層、InGaAsチャネル層、少なくとも一部にn型ドーピングを施されたキャリア供給層、InAlAsバリア層、n型ドーピングを施されたInGaAsキャップ層を、この順序で順次エピタキシャル成長してなる半導体ヘテロ構造を有する電界効果トランジスタにおいて、前記キャリア供給層が、0.6≦x<1、0<y<1としたときにIn1−xAlxAs1−ySbyで表される組成を持ち、InPの格子定数に等しい格子定数を持つ化合物半導体からなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
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