JP2007044736A - 消耗電極式ガスシールドアーク溶接法およびこれに用いられる溶接トーチ - Google Patents
消耗電極式ガスシールドアーク溶接法およびこれに用いられる溶接トーチ Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】ケース1と、このケース内に設けられたチップボデイ2と、このチップボデイの先端に取り付けられたチップ4と、このチップを囲むノズル9を有し、ケースとチップボデイとの間に空隙2が形成され、この空隙の先端部がシールドガスの噴射口11とされ、ケースの先端部で、かつノズルの内側に複数の添加ガスの噴射孔8が放射状に設けられた溶接トーチを用い、不活性ガスからなるシールドガスを消耗電極となるワイヤ5に向けて供給し、酸化性ガスと不活性ガスとの混合ガスからなる添加ガスを溶融池外縁に向けて供給する。
【選択図】図1
Description
このような溶存酸素濃度が高い理由は、シールドガス中に含まれている酸化性ガス中の酸素原子が溶接時に高温となっている消耗電極先端、溶滴および溶融池に持ち込まれるためと考えられている。
しかしながら、二重ノズルを用いて、内側流路に不活性ガスからなるシールドガス、外側の環状流路に添加ガスを供給してアークを安定させるためには、大量の添加ガスを供給する必要があり、その結果、溶融池へも大量の酸素が混入することとなり、溶存酸素濃度の低減は図ることができない。
請求項1にかかる発明は、不活性ガスからなるシールドガスを消耗電極に向けて供給し、酸化性ガスと不活性ガスとの混合ガスからなる添加ガスを溶融池外縁に向けて供給することを特徴とする消耗電極式ガスシールドアーク溶接法である。
請求項3にかかる発明は、酸化性ガスが酸素であって、これを2〜10vol%含む添加ガスを用いることを特徴とする請求項1記載の消耗電極式ガスシールドガアーク溶接法である。
請求項5にかかる発明は、酸化性ガスが、酸素と二酸化炭素とであり、二酸化炭素濃度に酸素濃度を2倍した濃度の合計が4〜20vol%とした添加ガスを用いることを特徴とする請求項1記載の消耗電極式ガスシールドアーク溶接法である。
ケースとチップボデイとの間に空隙が形成され、この空隙の先端部がシールドガスの噴射口とされ、ケースの先端部で、かつノズルの内側に複数の添加ガスの噴射孔が放射状に設けられたことを特徴とする消耗電極式ガスシールドアーク溶接用溶接トーチである。
これらの図において、符号1は、ケースを示す。このケース1は、中空の円筒状の金属製の部材である。このケース1内には、空隙2を介してチップボデイ3が収容されてトーチ本体に取り付けられている。
チップボデイ3は、円棒状の金属部材であって、その先端にはチップ4が中心軸を同じくして着脱可能に取り付けられている。チップ4は、やはり円棒状の金属部材であって、その先端に向けて徐々に縮径され、先細りの形状となっている。
この円筒状のガス通路7は、その下部において添加ガスが噴射される4個の噴射孔8、8・・に連通している。
さらに、ノズル9の基端側には、2本の添加ガス供給パイプ10、10が接続されている。
また、ケース1とチップボデイ3との間のシールドガス流路2の先端部分は、ワイヤ5に対して同心とされた円筒状となったシールドガスの噴射口11となっている。また、ノズル9の先端部は、チップ4の先端部よりも下方にまで延び、チップ4の先端部がノズル9の先端部で隠れるようになっている。
溶接トーチのシールドガス流路2にアルゴン、ヘリウムなどの不活性ガスからなるシールドガスを流し、噴射口11から噴出させる。
これと同時に、供給パイプ10、10から添加ガスを流し、ガス通路7を経て、4個の噴射孔8、8・・から噴射させる。
酸化性ガスが二酸化炭素の場合には、混合ガス中の濃度が 4〜20vol%とされ、より好ましくは6〜14vol%であり、4vol%未満ではやはりアークが安定せず、20vol%を越えると溶接金属中の酸素濃度が高くなる。
さらに、酸化性がすとして酸素と二酸化炭素との混合ガスを用いる場合には。2倍した酸素濃度と二酸化炭素濃度との合計が4〜20vol%とされ、4vol%未満ではやはりアークが安定せず、20vol%を越えると溶接金属中の酸素濃度が高くなる。
また、添加ガスの噴射孔8の開口断面積によっても影響を受け、ある程度大きな開口断面積を持たせて、添加ガスが拡がって流れ出すようにすることも必要になる。
消耗電極とアークが存在しているトーチの中央部のガス中は酸素ガス濃度が低く抑えられており、溶融池外縁と接する外側に近いガス中に酸素ガスが多く含まれることが明確である。本発明ではさまざまな条件でシミュレーションを実施しており、添加ガス組成やシールドガスと添加ガスの好適な流量、また添加ガスの噴射孔8などについても最適なものを選定している。
母材6としては、一般の鋼材が用いられ、炭素鋼、低炭素鋼、ステンレス鋼などが用いられる。また、ワイヤ5としては、直径1.0〜1.6mm程度のソリッドワイヤなどが用いられる。
ノズル内は、噴射口11から噴射されたシールドガスAにより満たされており、シールドガスAは、チップ、陽極となるワイヤ5を包むように流れている。
一方、領域Fで示す溶融池外縁のみに供給された酸化性ガスにより陰極点の安定化が図られる。これにより、溶接金属中の溶存酸素濃度を130ppm以下と極めて低い値とすることができると同時に、アークの安定を保つことが可能となる。
図1および図2に示した溶接トーチを用い、低炭素鋼SM490A(厚さ12mm)を母材6とし、ワイヤ5(YGW15径1.2mm)を消耗電極としてGMA溶接を行った。母材中の酸素濃度は19ppm、窒素濃度は54ppmで、ワイヤ中の酸素濃度は31ppm、窒素濃度は33ppmであった。
溶接方法:GMAW
チップ母材間距離:19mm
トーチ角度:鉛直
溶接姿勢:下向き
溶接長:130mm
継手形状:ビードオンプレート溶接
ワイヤ送給速度:13500mm/分(約350〜380A)
設定電圧:スプレー化下限電圧+1V
溶接速度:450mm/分
結果を表1ないし表4に示す。
なお、表1ないし5に記載された結果は、上記溶接条件、トーチの諸元に応じて変動するものである。
Claims (6)
- 不活性ガスからなるシールドガスを消耗電極に向けて供給し、酸化性ガスと不活性ガスとの混合ガスからなる添加ガスを溶融池外縁に向けて供給することを特徴とする消耗電極式ガスシールドアーク溶接法。
- シールドガスを消耗電極の先端部付近に向けて供給することを特徴とする請求項1記載の消耗電極式ガスシールドアーク溶接法。
- 酸化性ガスが酸素であって、これを2〜10vol%含む添加ガスを用いることを特徴とする請求項1記載の消耗電極式ガスシールドアーク溶接法。
- 酸化性ガスが二酸化炭素であって、これを4〜20vol%含む添加ガスを用いることを特徴とする請求項1記載の消耗電極式ガスシールドアーク溶接法。
- 酸化性ガスが、酸素と二酸化炭素とであり、二酸化炭素濃度に酸素濃度を2倍した濃度の合計が4〜20vol%とした添加ガスを用いることを特徴とする請求項1記載の消耗電極式ガスシールドアーク溶接法。
- ケースと、このケース内に設けられたチップボデイと、このチップボデイの先端に取り付けられたチップと、このチップを囲むノズルを有し、
ケースとチップボデイとの間に空隙が形成され、この空隙の先端部がシールドガスの噴射口とされ、ケースの先端部で、かつノズルの内側に複数の添加ガスの噴射孔が放射状に設けられたことを特徴とする消耗電極式ガスシールドアーク溶接用溶接トーチ。
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