JP2007043099A - 窒化物系半導体素子 - Google Patents
窒化物系半導体素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007043099A JP2007043099A JP2006160157A JP2006160157A JP2007043099A JP 2007043099 A JP2007043099 A JP 2007043099A JP 2006160157 A JP2006160157 A JP 2006160157A JP 2006160157 A JP2006160157 A JP 2006160157A JP 2007043099 A JP2007043099 A JP 2007043099A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ohmic electrode
- thickness
- nitride
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 316
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 314
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 72
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 72
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 60
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 52
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 72
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1051
- 238000000034 method Methods 0.000 description 113
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 78
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 62
- 230000008569 process Effects 0.000 description 61
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 57
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 37
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 33
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 32
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 23
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 20
- 230000008859 change Effects 0.000 description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 16
- UOACKFBJUYNSLK-XRKIENNPSA-N Estradiol Cypionate Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H](C4=CC=C(O)C=C4CC3)CC[C@@]21C)C(=O)CCC1CCCC1 UOACKFBJUYNSLK-XRKIENNPSA-N 0.000 description 14
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 13
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 13
- 230000009471 action Effects 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 7
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/737—Hetero-junction transistors
- H01L29/7371—Vertical transistors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/6631—Bipolar junction transistors [BJT] with an active layer made of a group 13/15 material
- H01L29/66318—Heterojunction transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】この窒化物系半導体素子(窒化物系半導体レーザ素子)は、p側オーミック電極6に、約1nmの厚みを有するとともにp型コンタクト層5の主表面に接触して形成されるSi層6aと、Si層6a上に形成される約20nmの厚みを有するPd層6bとを含むとともに、n側オーミック電極9に、約1nmの厚みを有するとともにn型GaN基板1の下面に接触して形成されるSi層9aと、Si層9aの下面上に形成される約6nmの厚みを有するAl層9bと、Al層9bの下面上に形成される約30nmの厚みを有するPd層9cとを含む。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1実施形態による窒化物系半導体レーザ素子(窒化物系半導体素子)の構造を示した断面図である。図2〜図4は、図1に示した第1実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の構造を詳細に説明するための図である。図1〜図4を参照して、まず、第1実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の構造について説明する。
図25は、本発明の第2実施形態による窒化物系半導体レーザ素子(窒化物系半導体素子)の構造を示した断面図である。図26は、図25に示した第2実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の構造を詳細に説明するための図である。図25および図26を参照して、この第2実施形態では、上記第1実施形態と異なり、p側オーミック電極のSi層の厚みを約2nmに大きくする場合について説明する。
図31は、本発明の第3実施形態による窒化物系半導体発光ダイオード素子(窒化物系半導体素子)の構造を示した断面図である。図32および図33は、図31に示した第3実施形態による窒化物系半導体発光ダイオード素子の構造を詳細に説明するための図である。図31〜図33を参照して、この第3実施形態では、上記第1実施形態と異なり、p側オーミック電極をGaNからなるp型コンタクト層上に形成するとともに、p側オーミック電極をSi層、Pd層およびTi層により構成する場合について説明する。
図40は、本発明の第4実施形態による窒化物系半導体発光ダイオード素子(窒化物系半導体素子)の構造を示した断面図である。図41および図42は、図40に示した第4実施形態による窒化物系半導体発光ダイオード素子の構造を詳細に説明するための図である。図40〜図42を参照して、この第4実施形態では、上記第3実施形態と異なり、p側オーミック電極をSi層、Pt層、Ti層およびPd層により構成する場合について説明する。
図49は、本発明の第5実施形態による窒化物系半導体レーザ素子(窒化物系半導体素子)の構造を示した断面図である。図50および図51は、図49に示した第5実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の構造を詳細に説明するための図である。図49〜図51を参照して、この第5実施形態では、上記第1実施形態と異なり、p側オーミック電極のみにSi層を含めるとともに、Si層とp側コンタクト層との間にPt層またはPd層をさらに設ける場合について説明する。
図54は、本発明の第6実施形態による窒化物系半導体レーザ素子(窒化物系半導体素子)の構造を示した断面図である。図55および図56は、図54に示した第6実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の構造を詳細に説明するための図である。図54〜図56を参照して、この第6実施形態では、上記第1実施形態と異なり、n側オーミック電極のみにSi層を含める場合について説明する。
図57は、本発明の第7実施形態によるバイポーラトランジスタ(窒化物系半導体素子)の構造を示した断面図である。図58〜図60は、図57に示した第7実施形態によるバイポーラトランジスタの構造を詳細に説明するための図である。図57〜図60を参照して、この第7実施形態では、上記第1〜第6実施形態と異なり、本発明の窒化物系半導体素子をバイポーラトランジスタに適用した場合について説明する。
以下において、本発明の第8実施形態について説明する。なお、第8実施形態に係る窒化物系半導体素子は、上述した第3実施形態に示した窒化物系半導体素子と同様の構成を有している。従って、以下においては、上述した第3実施形態と第8実施形態との相違点について主として説明する。
以下において、本発明の第9実施形態について説明する。なお、第9実施形態に係る窒化物系半導体素子は、上述した第2実施形態に示した窒化物系半導体素子と同様の構成を有している。従って、以下においては、上述した第2実施形態と第9実施形態との相違点について主として説明する。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
202 n型クラッド層(n型の窒化物系半導体層)
5、205、305 p型コンタクト層(p型の窒化物系半導体層)
6、106、206、306、406 p側オーミック電極(オーミック電極)
6a、9a、106a、206a、209a、306a、309a、406b、509a、604a、607a、610a Si(シリコン)層
6b、9c、106b、206b、209c、306d、309c、406c、509c、604c、607b、610c Pd層(第1金属層)
8、10、108、208、210、308、310、408、605、608、611 パッド電極(第2金属層)
9、209、309、509 n側オーミック電極(オーミック電極)
9b、209b、309b、509b、604b、610b Al層(第1金属層)
306b Pt層(第1金属層)
306c Ti層(第1金属層)
406a Pt(Pd)層(オーミック金属層)
603 コレクタ層(n型の窒化物系半導体層)
604 コレクタオーミック電極(オーミック電極)
606 ベース層(p型の窒化物系半導体層)
607 ベースオーミック電極(オーミック電極)
609 エミッタ層(n型の窒化物系半導体層)
610 エミッタオーミック電極(オーミック電極)
801、901 基板
802、902 n型クラッド層
803、903 活性層
904 p型クラッド層
805、905 p型コンタクト層
806、906 p側オーミック電極
806a、906a Si層
806b、906b Pd層
806c、906c Au層
807 表面保護層
907 電流ブロック層
809、909 n側オーミック電極
809a、909a Si層
809b、909b Pd層
809c、909c Al層
810、910 パッド電極
Claims (12)
- 主表面を有する窒化物系半導体層と、
前記窒化物系半導体層の主表面上に形成されるオーミック電極とを備え、
前記オーミック電極は、前記窒化物系半導体層の主表面に接触して形成されるシリコン層と、前記シリコン層上に形成される第1金属層とを含む、窒化物系半導体素子。 - 前記第1金属層は、前記窒化物系半導体層とオーミック接触することが可能な金属を含む、請求項1に記載の窒化物系半導体素子。
- 前記オーミック電極は、p型の前記窒化物系半導体層上に形成され、
前記第1金属層は、PdおよびPtの少なくとも一方を含む、請求項1又は請求項2に記載の窒化物系半導体素子。 - 前記オーミック電極は、n型の前記窒化物系半導体層上に形成され、
前記オーミック電極は、前記シリコン層と前記第1金属層との間に配置されるAl層をさらに含む、請求項1又は請求項2に記載の窒化物系半導体素子。 - 前記オーミック電極は、n型の前記窒化物系半導体層上に形成され、
前記オーミック電極は、前記シリコン層と前記第1金属層との間に、Pd層及びPt層のいずれか一方を少なくとも含む、請求項1又は請求項2に記載の窒化物系半導体素子。 - 前記シリコン層は、アモルファスシリコンからなる、請求項1〜5のいずれか1項に記載の窒化物系半導体素子。
- 前記オーミック電極上に形成される第2金属層をさらに備える、請求項1〜6のいずれか1項に記載の窒化物系半導体素子。
- 前記シリコン層は、0.5nm以上30nm以下の厚みを有する、請求項1〜7のいずれか1項に記載の窒化物系半導体素子。
- p型の窒化物系半導体層と、
前記p型の窒化物系半導体層上に形成されるオーミック電極とを備え、
前記オーミック電極は、前記p型の窒化物系半導体層上に形成されるシリコン層と、前記シリコン層上に形成される第1金属層とを含む、窒化物系半導体素子。 - 前記p型の窒化物系半導体層と、前記シリコン層との間には、前記p型の窒化物系半導体層にオーミック接触することが可能なオーミック金属層が設けられている、請求項9に記載の窒化物系半導体素子。
- n型の窒化物系半導体層と、
前記n型の窒化物系半導体層上に形成されるオーミック電極とを備え、
前記オーミック電極は、前記n型の窒化物系半導体層上に形成されるシリコン層と、前記シリコン層上に形成される第1金属層とを含み、
前記第1金属層は、前記n型の窒化物系半導体層にオーミック接触することが可能な材料を含んでおり、
前記オーミック電極は、前記シリコン層と前記第1金属層との間に、Pd層及びPt層のいずれか一方を少なくとも含む、窒化物系半導体素子。 - 前記シリコン層は、アモルファスシリコンからなる、請求項11に記載の窒化物系半導体素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006160157A JP4183719B2 (ja) | 2005-06-29 | 2006-06-08 | 窒化物系半導体素子 |
US11/475,955 US20070001269A1 (en) | 2005-06-29 | 2006-06-28 | Nitride semiconductor device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005190316 | 2005-06-29 | ||
JP2006160157A JP4183719B2 (ja) | 2005-06-29 | 2006-06-08 | 窒化物系半導体素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008177725A Division JP2008306197A (ja) | 2005-06-29 | 2008-07-08 | 窒化物系半導体素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007043099A true JP2007043099A (ja) | 2007-02-15 |
JP4183719B2 JP4183719B2 (ja) | 2008-11-19 |
Family
ID=37588450
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006160157A Active JP4183719B2 (ja) | 2005-06-29 | 2006-06-08 | 窒化物系半導体素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070001269A1 (ja) |
JP (1) | JP4183719B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8043773B2 (en) | 2006-11-16 | 2011-10-25 | Ricoh Company, Limited | Image bearing member, image forming apparatus and process cartridge |
JP5006164B2 (ja) | 2006-11-21 | 2012-08-22 | 株式会社リコー | 画像形成装置、画像形成方法及びプロセスカートリッジ |
US8148038B2 (en) | 2007-07-02 | 2012-04-03 | Ricoh Company, Ltd. | Image bearing member, process cartridge, image forming apparatus and method of forming image bearing member |
JP5352248B2 (ja) * | 2009-01-09 | 2013-11-27 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2011040667A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Sanyo Electric Co Ltd | n側電極、窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10294531A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-11-04 | Toshiba Corp | 窒化物化合物半導体発光素子 |
US6608360B2 (en) * | 2000-12-15 | 2003-08-19 | University Of Houston | One-chip micro-integrated optoelectronic sensor |
JP3973523B2 (ja) * | 2002-09-20 | 2007-09-12 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体レーザ素子 |
-
2006
- 2006-06-08 JP JP2006160157A patent/JP4183719B2/ja active Active
- 2006-06-28 US US11/475,955 patent/US20070001269A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070001269A1 (en) | 2007-01-04 |
JP4183719B2 (ja) | 2008-11-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100770438B1 (ko) | 반도체발광소자 | |
JP5050574B2 (ja) | Iii族窒化物系半導体発光素子 | |
US9147801B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
US7755101B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP2009514197A (ja) | N極性InGaAlN表面のための電極を備えた半導体発光デバイス | |
TW567622B (en) | Nitride-based semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof | |
WO2006123580A1 (ja) | 窒化物半導体装置及びその製造方法 | |
JP4916434B2 (ja) | 窒化物半導体装置及びその製造方法 | |
KR20070114846A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
US8659051B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing thereof | |
JP4183719B2 (ja) | 窒化物系半導体素子 | |
US7822088B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same | |
JPWO2020121794A1 (ja) | 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法、並びに、窒化物系半導体結晶の製造方法 | |
JP5130436B2 (ja) | GaN系半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP3665243B2 (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
USRE43426E1 (en) | Fabrication method of transparent electrode on visible light-emitting diode | |
JP2009528694A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP5931434B2 (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
JP3792003B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2008306197A (ja) | 窒化物系半導体素子 | |
JP2009130316A (ja) | 窒化物半導体装置およびその製造方法 | |
JP2005268725A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
JP6785221B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
US20150060763A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
JP4007737B2 (ja) | 半導体素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070112 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080118 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20080201 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080509 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080708 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080805 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080902 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4183719 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120912 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130912 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130912 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |