JP2007036224A5 - - Google Patents
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Claims (11)
- 第1導電型の基板に形成されて第1、第2及び第3活性領域を画定する素子分離膜と、
前記第1活性領域に形成された第2導電型のフォトダイオード領域と、
前記第2活性領域に形成された第2導電型の浮遊拡散領域と、
前記第2活性領域の上部を横切り、前記浮遊拡散領域と電気的に接続されたソースフォロワーゲートと、
前記ソースフォロワーゲート両側の前記第2活性領域に各々形成された第2導電型の第1及び第2ソース/ドレイン領域と、
前記第3活性領域に形成された第1ピックアップ領域とを含み、前記第3活性領域は前記第1または第2ソース/ドレイン領域が形成された前記第2活性領域の一側に連結され、前記浮遊拡散領域と、前記第1及び第2ソース/ドレイン領域は互いに離隔されることを特徴とするCMOSイメージセンサ。 - 前記第1ピックアップ領域は第1導電型の不純物でドーピングされたことを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記第1導電型はp型であり、前記第2導電型はn型であり、前記第1ピックアップ領域には接地電圧が印加されることを特徴とする請求項2に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記素子分離膜によって画定され、前記第1または第2ソース/ドレイン領域が形成された前記第2活性領域の他の一側に連結された第4活性領域と、
前記第4活性領域に形成された第2ピックアップ領域とをさらに含み、前記第2ピックアップ領域は第2導電型の不純物でドーピングされ、前記第2ピックアップ領域は前記第1及び第2ソース/ドレイン領域と離隔されることを特徴とする請求項2に記載のCMOSイメージセンサ。 - 前記第1導電型はp型であり、前記第2導電型はn型であり、前記第1ピックアップ領域には接地電圧が印加され、前記第2ピックアップ領域には電源電圧が印加されることを特徴とする請求項4に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記第1ピックアップ領域は第2導電型の不純物でドーピングされることを特徴とする請求項1に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記第1導電型はp型であり、前記第2導電型はn型であり、前記第1ピックアップ領域には電源電圧が印加されることを特徴とする請求項6に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記フォトダイオード領域と前記浮遊拡散領域との間の前記第2活性領域の上部を横切る伝送ゲートと、
前記浮遊拡散領域と前記第1ソース/ドレイン領域との間の前記第2活性領域の上部を横切るリセットゲートとをさらに含むことを特徴とする請求項1乃至7のうちのいずれか1項に記載のCMOSイメージセンサ。 - 前記伝送、リセット及びソースフォロワーゲートと前記基板との間に介在されたゲート絶縁膜をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記第1ピックアップ領域は前記第1及び第2ソース/ドレイン領域と離隔されることを特徴とする請求項1乃至7のうちのいずれか1項に記載のCMOSイメージセンサ。
- 前記第1ソース/ドレイン領域には電源電圧が印加されることを特徴とする請求項1乃
至7のうちのいずれか1項に記載のCMOSイメージセンサ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2005-0068043 | 2005-07-26 | ||
KR1020050068043A KR101177553B1 (ko) | 2005-07-26 | 2005-07-26 | 씨모스 이미지 센서 및 그 형성 방법 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007036224A JP2007036224A (ja) | 2007-02-08 |
JP2007036224A5 true JP2007036224A5 (ja) | 2009-08-27 |
JP4988262B2 JP4988262B2 (ja) | 2012-08-01 |
Family
ID=37693394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006192102A Active JP4988262B2 (ja) | 2005-07-26 | 2006-07-12 | Cmosイメージセンサ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7586140B2 (ja) |
JP (1) | JP4988262B2 (ja) |
KR (1) | KR101177553B1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102034482B1 (ko) | 2013-03-04 | 2019-10-21 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 형성 방법 |
US9887228B2 (en) * | 2014-01-20 | 2018-02-06 | Himax Imaging, Inc. | Image sensor with oblique pick up plug and semiconductor structure comprising the same |
KR102109952B1 (ko) * | 2019-10-14 | 2020-05-13 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 형성 방법 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3467013B2 (ja) | 1999-12-06 | 2003-11-17 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2001332714A (ja) | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
JP2002043557A (ja) | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子を有する半導体装置およびその製造方法 |
US6365926B1 (en) * | 2000-09-20 | 2002-04-02 | Eastman Kodak Company | CMOS active pixel with scavenging diode |
KR100460760B1 (ko) | 2002-04-27 | 2004-12-09 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 암전류 특성과 필팩터를 향상시킨 시모스 이미지센서의단위화소 |
KR20030096659A (ko) | 2002-06-17 | 2003-12-31 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 화소 어레이 영역, 그 구조체 및 그 제조방법 |
KR100975443B1 (ko) * | 2003-04-30 | 2010-08-11 | 크로스텍 캐피탈, 엘엘씨 | 씨모스 이미지 센서의 단위화소 및 단위화소 어레이 |
-
2005
- 2005-07-26 KR KR1020050068043A patent/KR101177553B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-06-21 US US11/472,058 patent/US7586140B2/en active Active
- 2006-07-12 JP JP2006192102A patent/JP4988262B2/ja active Active
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