JP2007035695A - 集積型薄膜太陽電池モジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】 発電活性領域と周辺部、ひいてはフレームとの絶縁が、長期にわたり低下することのない集積型薄膜太陽電池モジュールを提供すること。
【解決手段】 本発明の集積型薄膜太陽電池モジュールは、方形の透光性絶縁基板の一方の主面上に直接形成された概ね方形の集積型薄膜太陽電池を含み、前記集積型薄膜太陽電池の周囲全周にわたって絶縁領域が存在し、かつ、正負の電極部分に対応する領域が概ね台形形状であり、前記台形形状の底辺が直列接続された複数の薄膜太陽電池セル側にあることを特徴とし、電極部分に対応する領域の端部でも、水分の浸入が効果的に防止でき、また、電界が集中がなく絶縁耐圧性能低下を効果的に防止できる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、集積型薄膜太陽電池モジュールに関し、詳しくは絶縁性能を向上した集積型薄膜太陽電池モジュールの構造に関する。
近年、太陽電池の低コスト化、高効率化を両立するために原材料が少なくてすむ薄膜太陽電池が注目され、開発が精力的に行われている。特に、ガラス等の安価な透光性絶縁基体上に低温プロセスを用いて良質の半導体層を形成する方法は低コスト化が実現可能な方法として期待されている。
通常このような薄膜太陽電池を含む薄膜太陽電池モジュールは、概ね方形の透光性絶縁基体の一方の主面上に電気的に直列に接続された複数の薄膜太陽電池セルからなる概ね方形の集積型薄膜太陽電池を形成したもの、及び電極部分に対応する領域全体を、その透明電極層や複数の半導体層からなる薄膜光電変換ユニットや金属電極層を保護することや外部と電気的に絶縁することなどを目的として、エチレン−酢酸ビニル共重合体(以下、EVAと称す)などを主成分とする充填材料である封止樹脂と裏面保護シートにより封止した構造になっている。
ところで、このような集積型薄膜太陽電池モジュールでは、太陽光が透光性絶縁基板の他方の主面から入射し、太陽光発電がなされる時に直列接続された薄膜太陽電池セルの数に比例した高電圧が発生するので、絶縁耐圧性能が重要となる。そして、このような集積型薄膜太陽電池モジュールの絶縁耐圧性能は、一般的には発電時に最も電位差が大きくなる正負の電極部分に対応する領域、具体的にはこの電極部分に対応する領域に設けられた取り出し電極と、例えば、封止後の集積型薄膜太陽電池が形成された透光性絶縁基板の4辺に嵌合されたアルミフレーム等の接地電圧となることが予定される部分との間の耐電圧特性を測定することにより把握することができる。
そして、このような集積型薄膜太陽電池は、透明電極膜、複数の半導体層からなる光電変換層を含む薄膜光電変換ユニット、及び、金属電極膜などの薄膜の製膜と、製膜の度に行われるレーザー光等を用いたパターニングとを、順に繰り返すことにより形成されるが、これらの膜は一般に気相反応によって形成され、その場合、集積型薄膜太陽電池となる活性領域とそれ以外の部分とを分離することは困難である。場合によっては、これらの膜が基板の裏側まで回りこんでいることがある。こうしたことに起因して、最悪の場合には、例えばフレームを取り付けたときに、活性部分とフレームとが同電位になってしまう。従って、薄膜太陽電池において絶縁耐圧特性を確保するために、集積化の際にパターニングに用いるレーザー光や機械的な方法を用いて、太陽電池の活性領域とフレームに電気的に接触する可能性のある周辺部とを電気的に分離するために透光性絶縁基板の一方の主面上において集積型薄膜太陽電池の周囲全周にわたって、透明電極層、薄膜光電変換ユニット、及び金属電極層が存在しない絶縁領域を形成する手法が、例えば、特許文献1、2に開示されている。
特開2000−150944号公報 特開2004−140046号公報
しかしながら、これらの手法を用いて作製した太陽電池モジュールであっても、実際に屋外に設置した後には絶縁耐圧性能の低下を生じるものがあった。すなわち、屋外に設置した後の太陽電池モジュールの中には、空気中に含まれる水分が太陽電池モジュールの端部より太陽電池モジュール内に浸入し、その水分を介して太陽電池の活性領域とフレームとの間が電気的に接触するものが観察された。
本発明はこのような課題に鑑みなわれたものであり、発電活性領域と周辺部、ひいてはフレームとの絶縁が、長期にわたり低下することのない集積型薄膜太陽電池モジュールを提供することを目的としている。
かかる状況を鑑み、本発明者はこれらの課題を解決するために鋭意研究開発を重ねた結果、次のような発明が極めて効果的であることを見いだした。
すなわち、本発明は、方形の透光性絶縁基板の一方の主面上に直接形成された概ね方形の集積型薄膜太陽電池を含む集積型薄膜太陽電池モジュールであって、前記集積型薄膜太陽電池は、該透光性絶縁基板上に順に積層された、透明電極層、薄膜光電変換ユニット、及び金属電極層が複数の薄膜太陽電池セルを形成するように実質的に直線状で互いに平行な複数の分割線によって分割されており、かつ、該複数の薄膜太陽電池セルが電気的に直列接続されてなり、前記一方の主面上に前記集積型薄膜太陽電池の周囲全周にわたって前記透明電極層、前記薄膜光電変換ユニット、及び前記金属電極層が存在しない絶縁領域が存在し、かつ、前記概ね方形の集積型薄膜太陽電池の最も電位差が大きくなる正負の電極部分に対応する領域が概ね台形形状であり、前記台形形状の底辺が前記複数の薄膜太陽電池セル側であることを特徴とする集積型薄膜太陽電池モジュールである。このような本発明の集積型薄膜太陽電池モジュールでは、方形の太陽電池モジュールの角部において、集積型薄膜太陽電池の電位差が大きくなる正負の電極部分に対応する領域の端部でも、単位面積あたりの端部の割合が大きくならないので、太陽電池モジュールの角部からの水分の浸入が効果的に防止でき、また、この電極部分に対応する領域が直角のような鋭利な形状をしていないので、電界の集中がなく、絶縁耐圧性能低下を効果的に防止できる。
このような本発明の集積型薄膜太陽電池モジュールは、さらに、前記概ね方形の集積型薄膜太陽電池の4隅の部分において、前記絶縁領域と前記台形形状の電極部分に対応する領域との間に、前記集積型薄膜太陽電池から電気的に絶縁された、概ね三角形状の少なくとも前記透明電極層が存在する絶縁緩衝領域が存在することを特徴とする集積型薄膜太陽電池モジュールとなるので、より効果的に電極部分での電界集中が緩和されるのでモジュールの絶縁性の長期信頼性が向上する。
以上のような構成により、本発明の集積型薄膜太陽電池モジュールでは、方形の太陽電池モジュールの角部において、集積型薄膜太陽電池の電位差が大きくなる正負の電極部分に対応する領域の端部でも、単位面積あたりの端部の割合が大きくならないので、太陽電池モジュールの角部からの水分の浸入が効果的に防止でき、また、この電極部分に対応する領域が直角のような鋭利な形状をしていないので、電界が集中がなく、絶縁耐圧性能低下を効果的に防止できる。
本発明者らは、透光性絶縁基板の一方の主面上において集積型薄膜太陽電池の周囲全周にわたって、透明電極層、薄膜光電変換ユニット、及び金属電極層が存在しない絶縁領域を形成した太陽電池モジュールであっても、屋外に設置した後には、空気中に含まれる水分が太陽電池モジュールの端部より太陽電池モジュール内に浸入し、その水分を介して太陽電池の活性領域とフレームとの間が電気的に接触するものがある理由につき考察し以下の結論を得た。
まず、太陽電池モジュールは多くの場合、方形つまり矩形の角部を有する形状であり、この場合の水分は単位面積あたりの端部の割合が大きくなっている太陽電池モジュールの角部から多く浸入してくることが見出された。
またレーザー光や機械的な方法を用いて太陽電池周辺の一部を取り除くことで前記絶縁領域を形成する場合に、その除去は太陽電池モジュールの辺部にほぼ平行になされており、太陽電池の角部においてその除去部分はほぼ直交していることが問題であることを発見した。つまり、このように太陽電池の一部を除去した部分が直角のような鋭利な形状をしている箇所では電界が集中し大きくなり、絶縁耐圧性能低下の危険性が増すのである。
このように、先の水分の浸入が角部から浸入しやすいこと、また電界は角部において大きくなることとが相俟って、設置した太陽電池モジュールの絶縁耐圧性能の低下は太陽電池の角部において顕著であった。
このように基板角部から水が浸入しやすいことに対し、周囲の透明電極層、光半導体層および金属層の除去部分を基板端部から十分に距離をおいて形成することも、水分浸入による絶縁耐圧性能低下を回避する、あるいは低下するまでの時間を長くする方法の一つであるが、基板端と除去部分の距離を離した場合には、太陽電池の活性領域、すなわち発電部面積が小さくなり、基板1枚当たりの出力を減少することになり、好ましくない。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の1つの実施形態を示す集積型薄膜太陽電池モジュールの角部近傍の平面図である。図2は、従来の集積型薄膜太陽電池モジュールの角部近傍の平面図である。また、図3は、太陽電池モジュールの断面を示している。
まず、図3について説明する。図3に示す構成、断面構造は、本発明による太陽電池モジュールも比較例である従来のものも同等である。図3において3は透光性絶縁基板、4は透明電極層、6は薄膜光電変換ユニット、8は金属電極層であり、10は透光性絶縁基板3周辺においてこれら透明電極層4、薄膜光電変換ユニット6および金属電極層8を光ビームにより除去した部分、11は更にその外側を機械的エッチングにより透明電極層4、薄膜光電変換ユニット6および金属電極層8を除去した絶縁領域を示している。13は封止樹脂、14は裏面保護シートである。
通常薄膜光電変換ユニット6はp型層とn型層でサンドイッチされたi型層からなる。本発明は、薄膜光電変換ユニット6は複数の薄膜光電変換ユニットを積層したものにも適用可能である。例えば、非晶質シリコン光電変換ユニットと結晶質シリコン光電変換ユニットからなるハイブリッド型としても良い。
図1は本発明の集積型薄膜太陽電池モジュールの1つの実施形態を示す角部近傍の平面図である。
図1に示す1は本発明の基板角部における角部分離絶縁線であり、この角部分離絶縁線1、及び分離絶縁線10では透明電極層4、薄膜光電変換ユニット6および金属電極層8が除去されている。分離絶縁線10は、角部において概ね直交しており、角部分離絶縁線1は、辺Aと辺Bと約45度の角度で形成されている。
この角部分離絶縁線1を追加して形成することにより、本発明の図1の集積型薄膜太陽電池モジュールにおいて、電力取り出し電極が取り付けられる正負の集積型薄膜太陽電池両端に位置する電極部分に対応する領域17は、複数の薄膜太陽電池セル側を底辺とする概ね台形形状となっており、これにより集積型薄膜太陽電池モジュール2の最も電位差が大きくなる電極部分に対応する領域17において、直角のような鋭利な形状をしている箇所がなくなるので、電界が分散し、絶縁耐圧性能低下の危険性が減るのである。ここで台形形状の底辺とは、台形の平行な対向する2辺において、長い方の1辺である。
また、この角部分離絶縁線1を追加して形成することにより、集積型薄膜太陽電池の4隅の部分において、絶縁領域11と前記台形形状の電極部分に対応する領域17との間に、集積型薄膜太陽電池から電気的に絶縁された、概ね三角形状の少なくとも前記透明電極層が存在する絶縁緩衝領域16が形成されている。
本発明の角部分離絶縁線1は、図1のように辺Aと辺Bとに対して45度の角度で形成される場合に限らず、また他の例として図4に示すような4分の1円形状でも何ら問題ない。また、図6に示すように角部分離絶縁線1とほぼ同じ形状で、その外側を機械的にエッチングして集積型薄膜太陽電池の周囲全周にわたって透明電極層4、薄膜光電変換ユニット6、及び金属電極層8が存在しない絶縁領域11を形成してもよい。
このような絶縁領域11は、好ましくは100μm以下の微粒子の吹きつけによる機械的なエッチング法により形成され、その幅は絶縁性の確保と加工の容易さ、及び活性領域の透光性絶縁基板3上での面積確保の関係から、0.5mm〜10mm、好ましくは2mm〜6mmで形成される。
図2は、従来の集積型薄膜太陽電池モジュールの角部近傍の平面図である。この従来の集積型薄膜太陽電池モジュールの角部では、基板周囲の透明電極層4、薄膜光電変換ユニット6、および金属層8の除去部分である分離絶縁線10は辺に沿って平行に形成され、基板角部において直交しているため、電極部分に対応する領域17の角部が直角のような鋭利な形状をしており電界が集中し大きくなり易く、絶縁耐圧性能低下の危険性が大きい。
このような角部分離絶縁線1、及び分離絶縁線10は、光ビームにより行うことが、集積化のためのパターニングと同様の工程で実施できることから好ましく、また、絶縁性の確保と加工の容易さの関係から、これらの分離絶縁線の線幅は0.05mm〜0.5mm、好ましくは0.1mm〜0.2mmで形成される。
以下、実施例を用いて本発明を具体的に説明する。本発明は以下に示す実施例に限定されない。
(実施例1)
図5は、本発明の一実施例に係る集積型薄膜太陽電池モジュールを太陽光の入射側である他方の主面から見た全体図である。図5に示す集積型薄膜太陽電池モジュールの製造方法を図3を用いて説明する。
まず、透光性絶縁基板3として面積91cm×91cm、厚さ5mmのソーダライムガラスからなる方形のガラス基板3を用い、この基板3の一方の主面全面上に、熱CVD法により酸化錫膜(厚さ8000オングストローム)を形成し、複数の薄膜太陽電池セルを集積化つまり電気的に直列接続するため、この酸化錫膜4をレーザースクライバーでパターニングし、ガラス側の透明電極層4とした。なお、参照符号5は、透明電極スクライブ線を示す。
パターニングは、ガラス基板3をX−Yテーブル上にセットし、QスイッチYAGレーザーを用いて行った。レーザーの運転条件は、第2高調波532nmを用い、パルス幅3kHz、平均出力500nw、パルス幅10nsecであった。分離幅は50μm、ストリング(個別太陽電池)の幅は約10mmである。
このようにしてパターニングされた酸化錫膜4の上に、分離形成型装置のプラズマCVD室内において、薄膜光電変換ユニッ6をプラズマCVD法により形成した。即ち、200℃で、p型a−SiC:H半導体層、i型a−Si:H半導体層、およびn型微結晶Si:H半導体層を順次堆積して、pin接合を構成する薄膜光電変換ユニット6として積層a―Si層6を形成した。各層を形成するためには、流量がそれぞれ100sccm、500sccm、100sccmのSiH4を用い、p型半導体層とn型半導体層を形成する場合にはそれぞれ1000ppmの水素希釈のB2H6とPH3を2000sccm混入させた。
また、p型半導体層の形成には、30sccmのCH4も混入させることにより、炭素合金化を行った。各層を形成するための投入パワーは、それぞれ200W、500W、3kWであり、反応圧力はそれぞれ1torr、0.5torr、1torrであった。形成した層の膜厚は、製膜時間からそれぞれ150オングストローム、3200オングストローム、300オングストロームと推定される。
このようにして各層の製膜を行った後、ガラス基板3をX−Yテーブル上にセットして、QスイッチYAGレーザーを用い、a―Si層6を、酸化錫層4のパターニング位置から図3における右側に100μmづつずらしてパターニングを行った。レーザーの運転条件は、第2高調波532nmを用い、パルス幅3kHz、平均出力500mw、パルス幅10nsecであった。なお、焦点位置をずらすこととで、分離幅を100μmにした。参照符号7は、薄膜光電変換ユニットスクライブ線を示す。
その後、マグネトロンスパッタ法により、RF放電で酸化亜鉛ターゲットを用いて、パターニングされたa―Si層6上に、1000オングストロームの膜厚の酸化亜鉛層(図示せず)を形成した。スパッタ条件は、アルゴンガス圧力2mtorr、放電パワー200W、製膜温度200℃であった。
次に、酸化亜鉛層上に、同じマグネトロンスパッタ装置の銀ターゲットを用いることにより、直流放電および室温で、2000オングストロームの膜厚の金属電極層8を形成した。スパッタ条件は、アルゴンガス圧力2mtorr、放電パワー200Wであった。
最後に、マグネトロンスパッタ装置からガラス基板3を取り出して、X−Yテーブル上にセットして、QスイッチYAGレーザーを用いて銀層8およびa―Si層6をパターニングして、半導体スクライブ線7から100μm離れた位置に金属電極層スクライブ線9を形成した。レーザーの運転条件は、a―Si層6の加工条件と全く同じであった。分離幅は70μm、ストリング幅は約10mmである。
これらのレーザ光照射によるパターニングと薄膜の堆積により、実質的に直線状で互いに平行な分割線である透明電極スクライブ線5、及び金属電極層スクライブ線9と、これらの分割線に平行でその中間に位置する接続溝である薄膜光電変換ユニットスクライブ線7に埋め込まれた金属電極層8とにより、電気的に直列接続された複数の薄膜太陽電池セルからなる方形の集積型薄膜太陽電池が形成された。
次に、周辺部と太陽電池活性部を電気的に分離、絶縁するために、基板の周囲端部から5mmの位置に全周にわたり、レーザーによるパターニングを施し、分離絶縁線10を形成した。分離絶縁線の幅は150μmで酸化錫膜4の分離部5を包括するように加工した。
さらに、その後際、レーザー装置動作制御プラグラムにより、前記分離絶縁線10と同じ線幅で、図1に示すように基板の4隅の各角部において基板の辺に対して45度の角度で角部分離絶縁線1を形成した。
これにより、集積型薄膜太陽電池の4隅の部分において、絶縁領域11と電極部分に対応する領域17との間に集積型薄膜太陽電池から電気的に絶縁された三角形状の少なくとも透明電極層4が存在する絶縁緩衝領域16が形成された。
次に、この分離絶縁線の外側0.5mmから外側の部分を全周にわたって、100μm以下の微粒子の吹きつけによる機械的なエッチング法を用いて、金属電極層8、酸化亜鉛層、a−Si層6および酸化錫膜4の膜厚全体を除去するとともに、ガラス基板3の表面部分を除去し、機械エッチングによる絶縁領域11を形成した。
その後、集積した個別セルの両端部の電極部分に対応する領域17に取り出し電極12としてはんだメッキ銅箔からなるバスバー電極12を形成して、さらに出力電極取り出しのための配線を行った。このバスバー電極12はストリングに平行となっている。
以上のように構成された、透光性絶縁基板3、及びその上の集積型薄膜太陽電池をモジュール化して、集積型薄膜太陽電池モジュール2とするために、封止樹脂13であるEVAシート13とフッ素系フィルムからなる裏面保護シート14を、真空ラミネーターを用いて被覆して封止し、裏面保護シート14側に外部への出力取出用端子が付いた端子箱と、基板周囲部にアルミ製のフレーム15を取り付けた。
このようにして得た本発明による集積型薄膜太陽電池モジュール2について、100mW/cm2のAM1.5ソーラーシミュレーターを用いて、室温で電流電圧特性を測定した。最大出力で74.2Wであった。
次に、本発明による集積型薄膜太陽電池モジュール2の下端側一辺全部を水深約20mmの水槽に入れ、取り出した出力電極の正負両極を電気的に短絡させた端子とアルミ製フレーム15との間に、1000Vの電圧を印加して抵抗値を測定した。その結果、絶縁抵抗は2000MΩ以上であった。
また、本発明による集積型薄膜太陽電池モジュール2を発電状態にて屋外に90日間曝露させた後、先と同様に下端側一辺全部を水深約20mmの水槽に入れ、取り出した出力電極の正負両極を電気的に短絡させた端子とアルミ製フレーム15との間に1000Vの電圧を印加して抵抗値を測定した結果、曝露前と変わらず2000MΩ以上の抵抗値を示した。
更に、促進試験として別に作製した本発明による集積型薄膜太陽電池モジュール2のほぼ下側半分の面積を水槽に入れ、50℃の水中に30日間浸した後、上述したように抵抗値を測定したが、本発明による集積型薄膜太陽電池モジュール2では1900MΩを示し、十分な絶縁耐圧性能であることを確認した。
(比較例1)
比較のため、角部分離絶縁線1を形成しなかったこと以外は実施例1と同様にして、比較例1として図2に示すような従来の集積型薄膜太陽電池モジュール2を作製し、同様の試験を実施した。つまり、この比較例1の太陽電池モジュール2においては、基板角部において直交する分離絶縁線10により、電極部分に対応する領域17が規定されているようにした。
比較例1の太陽電池モジュール2の出力は74.4Wであり、つまり、実施例1と比較例1との太陽電池モジュール2では発電電力に差は見られなかった。また、この比較例1の太陽電池モジュール2の下端側一辺全部を水深約20mmの水槽に入れ、取り出した出力電極の正負両極を電気的に短絡させた端子とアルミ製フレーム15との間に、1000Vの電圧を印加して抵抗値を測定した結果は、2000MΩ以上であり実施例1の太陽電池モジュール2と同等であった。
しかしながら、比較例1の太陽電池モジュール2を発電状態にて屋外に90日間曝露した後、同様に絶縁抵抗を測定したところ、その値は830MΩであり、曝露前から大きく低下していた。また、実施例1と同様に比較例1の太陽電池モジュール2につき促進試験を実施し抵抗値を測定した結果、JISの規格は満足していたものの、320MΩと本発明の太陽電池モジュールの約6分の1まで抵抗値が低下し、実施例1と比べてかなり低い値であった。
(実施例2)
実施例1における角部分離絶縁線1の形状を、図4に示すように基板角部において4分の1円を形成させるようにしたこと以外は実施例1と全く同様にして、太陽電池モジュール2を作製し、同様の試験を行った。
実施例2の太陽電池モジュール出力は73.6Wであり、実施例1の太陽電池モジュール出力とほとんど同じであった。次に、この実施例2の太陽電池モジュール2の下端側一辺全部を水深約20mmの水槽に入れ、取り出した出力電極の正負両極を電気的に短絡させた端子とアルミ製フレーム15との間に1000の電圧Vを印加して抵抗値を測定した結果、2000MΩ以上であった。
また、この実施例2の太陽電池モジュール2を発電状態にて屋外に90日間曝露させた後、先と同様に下端側一辺全部を水深約20mmの水槽に入れ取り出した出力電極の正負両極を電気的に短絡させた端子とアルミ製フレーム15との間に1000Vの電圧を印加して抵抗値を測定した結果、曝露前と変わらず2000MΩ以上の抵抗値を示した。
更に、実施例1と同様に実施例2の太陽電池モジュール2につき促進試験を実施し抵抗値を測定したが、抵抗値は約1800MΩを示し、十分な絶縁耐圧性能であることを確認した。
(実施例3)
実施例1におけるレーザーによる分離絶縁線10を形成した後、この分離絶縁線の外側0.5mmから外側の部分を全周にわたって、100μm以下の微粒子の吹きつけによる機械的なエッチング法を用いて、金属電極層8、酸化亜鉛層、a−Si層6および酸化錫膜4の膜厚全体を除去するとともに、ガラス基板3の表面部分を除去し、絶縁領域11を形成した。実施例1と異なるのは基板角部における形状が図6に示すように、角部分離絶縁線1を電極部分に対応する領域17の外周部分にのみ設け、また、この角部分離絶縁線1、及び分離絶縁線10で形成される領域ととほぼ同形でその外側に絶縁領域11を設け、つまり、基板4隅の角部において絶縁領域11を角部分離絶縁線1と同じく基板の辺に対してほぼ45度にしたところである。その後、実施例1と全く同様にして、太陽電池モジュール2を作製し、同様の試験を行った。
実施例3の太陽電池モジュール出力は74.4Wであり、実施例1の太陽電池モジュール出力とほとんど同じであった。次に、この実施例3の太陽電池モジュール2の下端側一辺全部を水深約20mmの水槽に入れ、取り出した出力電極の正負両極を電気的に短絡させた端子とアルミ製フレーム15との間に1000の電圧Vを印加して抵抗値を測定した結果、2000MΩ以上であった。
また、この実施例3の太陽電池モジュール2を発電状態にて屋外に90日間曝露させた後、先と同様に下端側一辺全部を水深約20mmの水槽に入れ取り出した出力電極の正負両極を電気的に短絡させた端子とアルミ製フレーム15との間に1000Vの電圧を印加して抵抗値を測定した結果、曝露前と変わらず2000MΩ以上の抵抗値を示した。
更に、実施例1と同様に実施例3の太陽電池モジュール2につき促進試験を実施し抵抗値を測定したが、抵抗値は2000MΩ以上を示し、実施例1あるいは2より大きな絶縁抵抗を示した。
以上の結果から判るように、本発明における実施例1〜3の結果では、発電状態での90日間屋外曝露での絶縁抵抗の低下が見られず、また、促進試験である50℃の温水に太陽電池モジュールの下側ほぼ半分の面積を30日浸漬した後においてもほとんど低下は見られないのに対し、比較例ではJISの規格である100MΩ以上はクリアするものの、絶縁抵抗という意味においては各実施例に大きく見劣りする結果となった。
本発明の1つの実施形態を示す集積型薄膜太陽電池モジュールの角部近傍の平面図。 従来の集積型薄膜太陽電池モジュールの角部近傍の平面図。 実施例1、2および比較例1に係る集積型薄膜太陽電池モジュールの断面図。 本発明の集積型薄膜太陽電池モジュールの別の実施形態を示す角部近傍の平面図。 本発明のもう1つ別の実施形態を示す集積型薄膜太陽電池モジュールの全体平面図。 実本発明の太陽電池モジュールもう1つ別の実施形態を示す角部近傍の平面図。
符号の説明
1 角部分離絶縁線
2 集積型薄膜太陽電池モジュール
3 透光性絶縁基板
4 透明電極層
5 透明電極スクライブ線
6 薄膜光電変換ユニット
7 薄膜光電変換ユニットスクライブ線
8 金属電極層
9 金属電極層スクライブ線
10 分離絶縁線
11 絶縁領域
12 取り出し電極
13 封止樹脂
14 裏面保護シート
15 フレーム
16 絶縁緩衝領域
17 電極部分に対応する領域

Claims (2)

  1. 方形の透光性絶縁基板の一方の主面上に直接形成された概ね方形の集積型薄膜太陽電池を含む集積型薄膜太陽電池モジュールであって、
    該集積型薄膜太陽電池は、該透光性絶縁基板上に順に積層された、透明電極層、薄膜光電変換ユニット、及び金属電極層が複数の薄膜太陽電池セルを形成するように実質的に直線状で互いに平行な複数の分割線によって分割されており、かつ、該複数の薄膜太陽電池セルが電気的に直列接続されてなり、
    該一方の主面上に該集積型薄膜太陽電池の周囲全周にわたって該透明電極層、該薄膜光電変換ユニット、及び該金属電極層が存在しない絶縁領域が存在し、
    かつ、該概ね方形の集積型薄膜太陽電池の最も電位差が大きくなる正負の電極部分に対応する領域が概ね台形形状であり、該台形形状の底辺が該複数の薄膜太陽電池セル側であることを特徴とする集積型薄膜太陽電池モジュール。
  2. 請求項1に記載の集積型薄膜太陽電池モジュールであって、さらに、前記概ね方形の集積型薄膜太陽電池の4隅の部分において、前記絶縁領域と前記台形形状の電極部分に対応する領域との間に、前記集積型薄膜太陽電池から電気的に絶縁された、概ね三角形状の少なくとも前記透明電極層が存在する絶縁緩衝領域が存在することを特徴とする集積型薄膜太陽電池モジュール。
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