JP7389861B1 - 太陽電池、その製造方法、及び光起電力モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
互いに対向して設けられた正面及び背面を含む半導体基板と、
前記半導体基板の正面におけるエミッタ及び正面パッシベーション層と、
前記半導体基板の背面におけるトンネル層、背面金属化領域の位置を合わせる第1ドープ導電層と前記背面非金属化領域の位置を合わせる第2ドープ導電層を含むドープ導電層、及び背面パッシベーション層と、
前記エミッタに接触する正面電極及び前記第1ドープ導電層に接触する背面電極と、を有する太陽電池であって、
前記第1ドープ導電層は、前記第2ドープ導電層より低い酸素含有量を有することを特徴とする太陽電池を提供する。
前記第1ドープ導電層のシート抵抗は、30Ω/sq~80Ω/sqであり、前記第2ドープ導電層のシート抵抗は、60Ω/sq~400Ω/sqであり、及び/又は、
第1ドープ導電層の厚さは、30nm~300nmであり、前記第2ドープ導電層の厚さは、30nm~300nmである。
テクスチャ処理後の半導体基板の正面にエミッタを形成する工程と、
前記半導体基板の背面にトンネル層及び導電層を形成し、前記導電層に対してドーピング処理及びレーザー局所処理を行って、背面金属化領域の位置を合わせる第1ドープ導電層と背面非金属化領域の位置を合わせる第2ドープ導電層を含むドープ導電層を形成する工程と、
前記第1ドープ導電層と第2ドープ導電層の表面に背面パッシベーション層を形成し、前記エミッタの表面に正面パッシベーション層を形成する工程と、
前記背面パッシベーション層を通して前記第1ドープ多結晶シリコン層と接触する背面電極と、前記正面パッシベーション層を通して前記エミッタと接触する正面電極とを形成する工程と、を含む太陽電池の製造方法であって、
前記第1ドープ導電層は、前記第2ドープ導電層より低い酸素含有量を有することを特徴とする製造方法を提供する。
前記第1トンネル層は、前記第2トンネル層より高い酸素含有量を有する。
前記第1ドープ導電層と前記第1トンネル層との界面における酸素含有量は、前記第2ドープ導電層と前記第2トンネル層との界面における酸素含有量よりも高い。
前記第1ドープ導電層は、前記第1トンネル層より低い酸素含有量を有する。
前記第1ドープ導電層中のリン濃度は、前記第2ドープ導電層のリン濃度より高い。
さらに、本開示において、「金属化領域」とは、太陽電池の正面又は背面における電極を形成した領域を意味しており、「非金属化領域」とは、太陽電池の正面又は背面における電極を形成していない領域を意味している。
互いに対向して設けられた正面及び背面を含む半導体基板1と、
半導体基板1の正面におけるエミッタ2及び正面パッシベーション層5と、
半導体基板1の背面におけるトンネル層3、背面金属化領域の位置を合わせる第1ドープ導電層41と背面非金属化領域の位置を合わせる第2ドープ導電層42を含むドープ導電層4、及び背面パッシベーション層6と、
エミッタ2に接触する正面電極7及び第1ドープ導電層41に接触する背面電極8と、を備える太陽電池であって、
前記第1ドープ導電層41は、前記第2ドープ導電層41とり低い酸素含有量を有することを特徴とする太陽電池を提供する。
テクスチャ処理後の半導体基板1の正面にエミッタ2を形成する工程と、
半導体基板1の背面にトンネル層3と導電層を形成し、導電層に対してドーピング処理とレーザー局所処理を行って、背面金属化領域の位置を合わせる第1ドープ導電層41と背面非金属化領域の位置を合わせる第2ドープ導電層42を含むドープ導電層4を形成する工程と、
第1ドープ導電層41と第2ドープ導電層42の表面に背面パッシベーション層6を形成し、エミッタ2の表面に正面パッシベーション層5を形成する工程と、
背面パッシベーション層6を通して第1ドープ多結晶シリコン層と接触する背面電極8と、正面パッシベーション層5を通してエミッタ2と接触する正面電極7を形成する工程と、を含む太陽電池の製造方法であって、
第1ドープ導電層41は、第2ドープ導電層42より低い酸素含有量を有することを特徴とする太陽電池の製造方法を提供する。
図3に示されるように、工程S100において、テクスチャ処理後の半導体基板1の正面にエミッタ2を形成する。
図4に示されるように、工程200において、半導体基板1の背面にトンネル層3及び導電層を形成し、導電層に対してドーピング処理、レーザー局所処理を行って、背面金属化領域の位置を合わせる第1ドープ導電層41と背面非金属化領域の位置を合わせる第2ドープ導電層42を含むドープ導電層4を形成し、第1ドープ導電層41中の酸素含有量は、第2ドープ導電層42の酸素含有量よりも低い。
図5に示されるように、工程S300において、第1ドープ導電層41と第2ドープ導電層42の表面に背面パッシベーション層6を形成し、エミッタ2の表面に正面パッシベーション層5を形成する。
図1に示されるように、工程400において、背面パッシベーション層6を通して第1ドープ多結晶シリコン層41と接触する背面電極8と、正面パッシベーション層5を通してエミッタ2と接触する正面電極7を形成する。
第1カバー200、第2カバー500は、透明又は不透明のカバー、例えばガラスカバー、プラスチックカバーであってもよい。
2 エミッタ
3 トンネル層
31 第1トンネル層
32 第2トンネル層
4 ドープ導電層
41 第1ドープ導電層
42 第2ドープ導電層
5 正面パッシベーション層
6 背面パッシベーション層
7 正面電極
8 背面電極
1000 光起電力モジュール
100 太陽電池
200 第1カバー
300 第1封止接着剤層
400 第2封止接着剤層
500 第2カバー
Claims (20)
- 太陽電池であって、
前記太陽電池は、
互いに対向して設けられた正面及び背面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の正面におけるエミッタ及び正面パッシベーション層と、
前記半導体基板の背面におけるトンネル層、背面金属化領域の位置を合わせる第1ドープ導電層と背面非金属化領域の位置を合わせる第2ドープ導電層を含むドープ導電層、及び背面パッシベーション層と、
前記エミッタに接触する正面電極及び前記第1ドープ導電層に接触する背面電極と、を備え、
前記第1ドープ導電層中の酸素含有量は、19~22質量%であり、
前記第2ドープ導電層中の酸素含有量は、27~28質量%であることを特徴とする太陽電池。 - 前記トンネル層は、背面金属化領域の位置を合わせる第1トンネル層と、前記背面非金属化領域の位置を合わせる第2トンネル層を含み、
前記第1トンネル層中の酸素含有量は、前記第2トンネル層中の酸素含有量よりも高い、ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。 - 前記トンネル層は、背面金属化領域の位置を合わせる第1トンネル層と、前記背面非金属化領域の位置を合わせる第2トンネル層を含み、
前記第1ドープ導電層と前記第1トンネル層との界面における酸素含有量は、前記第2ドープ導電層と前記第2トンネル層との界面における酸素含有量よりも高い、ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。 - 前記第1ドープ導電層と前記背面パッシベーション層との界面における酸素含有量は、前記第2ドープ導電層と前記背面パッシベーション層との界面における酸素含有量よりも高い、ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。
- 前記第1ドープ導電層中の酸素含有量は、前記第1トンネル層中の酸素含有量よりも低い、ことを特徴とする請求項2に記載の太陽電池。
- 前記第1トンネル層に占める酸素の質量割合は、25%~30%である、ことを特徴とする請求項5に記載の太陽電池。
- 前記第1ドープ導電層中の窒素含有量は、前記第2ドープ導電層中の窒素含有量よりも高い、ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。
- 前記第1ドープ導電層に占める窒素の質量割合は、3%~5%である、ことを特徴とする請求項7に記載の太陽電池。
- 前記ドープ導電層は、炭化シリコンと多結晶シリコンのうちの少なくとも1種を含む、ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。
- 前記第1ドープ導電層と前記第2ドープ導電層は、いずれもリンドープ層であり、
前記第1ドープ導電層中のリン濃度は、前記第2ドープ導電層中のリン濃度よりも高い、ことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。 - 前記第1ドープ導電層中のリン濃度は、1×10 20 cm-3~1×10 21 cm-3であり、前記第2ドープ導電層中のリン濃度は、8×10 19 cm-3~5×10 20 cm-3であり、及び/又は、
前記第1ドープ導電層のシート抵抗は、30Ω/sq~80Ω/sqであり、前記第2ドープ導電層のシート抵抗は、60Ω/sq~400Ω/sqであり、及び/又は、
第1ドープ導電層の厚さは、30nm~300nmであり、前記第2ドープ導電層の厚さは、30nm~300nmである、ことを特徴とする請求項10に記載の太陽電池。 - 太陽電池の製造方法であって、
前記太陽電池の製造方法は、
テクスチャ処理後の半導体基板の正面にエミッタを形成する工程と、
前記半導体基板の背面にトンネル層及び導電層を形成し、前記導電層に対してドーピング処理及びレーザー局所処理を行って、背面金属化領域の位置を合わせる第1ドープ導電層と背面非金属化領域の位置を合わせる第2ドープ導電層を含むドープ導電層を形成する工程と、
前記第1ドープ導電層と第2ドープ導電層の表面に背面パッシベーション層を形成し、前記エミッタの表面に正面パッシベーション層を形成する工程と、
前記背面パッシベーション層を通して前記第1ドープ導電層と接触する背面電極と、前記正面パッシベーション層を通して前記エミッタと接触する正面電極を形成する工程と、を含み、
前記第1ドープ導電層中の酸素含有量は、19~22質量%であり、
前記第2ドープ導電層中の酸素含有量は、27~28質量%であることを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 前記導電層に対してドーピング処理及びレーザー局所処理を行った後、前記トンネル層は、背面金属化領域の位置を合わせる第1トンネル層と、背面非金属化領域の位置を合わせる第2トンネル層を含み、
前記第1トンネル層中の酸素含有量は、前記第2トンネル層中の酸素含有量よりも高い、ことを特徴とする請求項12に記載の太陽電池の製造方法。 - 前記導電層に対してドーピング処理及びレーザー局所処理を行った後、前記トンネル層は、背面金属化領域の位置を合わせる第1トンネル層と、背面非金属化領域の位置を合わせる第2トンネル層を含み、
前記第1ドープ導電層と前記第1トンネル層との界面における酸素含有量は、前記第2ドープ導電層と前記第2トンネル層との界面における酸素含有量よりも高い、ことを特徴とする請求項12に記載の太陽電池の製造方法。 - 前記導電層に対してドーピング処理及びレーザー局所処理を行った後、前記第1ドープ導電層と前記背面パッシベーション層との界面における酸素含有量は、前記第2ドープ導電層と前記背面パッシベーション層との界面における酸素含有量よりも高い、ことを特徴とする請求項12に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記導電層に対してドーピング処理及びレーザー局所処理を行った後、前記トンネル層は、背面金属化領域の位置を合わせる第1トンネル層と、背面非金属化領域の位置を合わせる第2トンネル層を含み、
前記第1ドープ導電層中の酸素含有量は、前記第1トンネル層中の酸素含有量よりも低い、ことを特徴とする請求項12に記載の太陽電池の製造方法。 - 前記導電層に対してドーピング処理及びレーザー局所処理を行った後、前記第1ドープ導電層中の窒素含有量は、前記第2ドープ導電層中の窒素含有量よりも高い、ことを特徴とする請求項12に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記導電層に対するドーピング処理及びレーザー局所処理に用いるドープ源は、リン源であり、
前記第1ドープ導電層中のリン濃度は、前記第2ドープ導電層中のリン濃度よりも高い、ことを特徴とする請求項12に記載の太陽電池の製造方法。 - 光起電力モジュールであって、
前記光起電力モジュールは、カバー、封止材料層、及び太陽電池ストリングを備え、
前記太陽電池ストリングは、請求項1~11のいずれか一項に記載の太陽電池を複数含むことを特徴とする光起電力モジュール。 - 請求項12~18のいずれか一項に記載の製造方法で太陽電池を製造すること、
複数の前記太陽電池を用いて太陽電池ストリングを製造すること、及び
前記太陽電池ストリングをカバー及び封止材料層とともに使用して光起電力モジュールを製造することを含む、光起電力モジュールの製造方法。
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