CN112310232A - 太阳电池及生产方法、电池组件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了太阳电池及生产方法、电池组件，涉及光伏技术领域。太阳电池包括：硅基底；电极接触结构位于硅基底上；电极接触结构包括：界面钝化层、低功函数金属层、金属电极；在电极接触结构中，界面钝化层靠近硅基底；低功函数金属层层叠在界面钝化层上，金属电极设置在低功函数金属层上；界面钝化层的材料包括金属氧化物；界面钝化层具有电子选择性；金属氧化物中含有第一金属，低功函数金属层中含有第二金属，第二金属的活动性大于第一金属的活动性。本申请中，第二金属会对界面钝化层起到还原作用，使界面钝化层中的氧空位增加，利于提升导电性，降低了硅基底与界面钝化层的势垒高度，降低了硅基底与界面钝化层的接触电阻率。

Description

太阳电池及生产方法、电池组件
技术领域
本发明涉及光伏技术领域，特别是涉及一种太阳电池及生产方法、电池组件。
背景技术
硅太阳电池具有广泛的应用前景。现有的硅太阳电池中，硅基底与金属的电极结构直接接触的势垒高度较高。
发明内容
本发明提供一种太阳电池及生产方法、电池组件，旨在解决硅太阳电池中，硅基底与金属的电极结构直接接触的势垒高度较高的问题。
根据本发明的第一方面，提供了一种太阳电池，包括：
硅基底；
以及电极接触结构，位于所述硅基底上；
所述电极接触结构包括：界面钝化层、低功函数金属层、以及金属电极；
在所述电极接触结构中，所述界面钝化层靠近所述硅基底设置；所述低功函数金属层层叠在所述界面钝化层上，所述金属电极设置在所述低功函数金属层上；
所述界面钝化层的材料包括金属氧化物；所述界面钝化层具有电子选择性；
所述金属氧化物中含有第一金属，所述低功函数金属层中含有第二金属，所述第二金属的活动性大于所述第一金属的活动性。
本发明实施方式中，低功函数金属层中的第二金属的活动性，大于界面钝化层中的金属氧化物中的第一金属的活动性，进而，在退火过程中，低功函数金属层中的第二金属会对界面钝化层起到还原作用，使得界面钝化层中的氧空位增加，氧空位的增加，有利于提升导电性，进而，提升了界面钝化层对电子的传输性能，改善了硅基底表面的能带排列，降低了硅基底与界面钝化层的势垒高度，降低了硅基底与界面钝化层的接触电阻率，提高了太阳电池的填充因子。同时，在退火过程中，界面钝化层中的晶粒增大，也降低了硅基底与界面钝化层的接触电阻率。位于硅基底的上的界面钝化层、低功函数金属层，降低了硅基底带隙中的金属诱导的间隙态占据，使费米能级脱钉。由于硅基底与电子选择性的界面钝化层之间的导带偏移量很小，而价带偏移量较大，阻挡了空穴从硅基底到界面钝化层，减少了界面处的肖特基势垒高度，增加了太阳电池的载流子提取，也抑制了界面处的载流子复合，实现无掺杂欧姆接触。而且，上述太阳电池具有一维载流子传输模式，可以提高太阳电池的填充因子。
可选的，所述界面钝化层的材料选自氧化钛、氧化铌、氧化钽、氧化镓、氧化锌、氧化铯中的至少一种；
所述界面钝化层的厚度为1nm-20nm。
可选的，所述第二金属选自钙、镁、钡、铯、锶、钇、铈、钐、铕、钕、钍、钆、铪、镥、镧或钛中的至少一种。
可选的，所述界面钝化层覆盖所述硅基底的整个表面；
或，所述界面钝化层覆盖所述硅基底的部分表面；
所述表面为所述硅基底的向光面或背光面。
可选的，所述硅基底的部分表面的面积，占所述硅基底的整个表面的面积的比例小于或等于10％。
可选的，在所述界面钝化层覆盖所述硅基底的整个表面的情况下，所述界面钝化层的厚度为5nm-20nm；
在所述界面钝化层覆盖所述硅基底的部分表面的情况下，所述界面钝化层的厚度为1nm-10nm。
可选的，所述电极接触结构还包括：位于所述界面钝化层和所述低功函数金属层之间的隧穿层；所述隧穿层的材料选自：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或非晶硅的至少一种；所述隧穿层的厚度为0.5nm-3nm。
可选的，所述太阳电池还包括：位于所述硅基底和所述界面钝化层之间的第一钝化层；所述第一钝化层的材料选自氧化硅、氧化钛、氧化铝、氢化非晶硅中的至少一种；所述第一钝化层的厚度为1nm-2nm。
可选的，所述太阳电池还包括空穴选择层；
所述空穴选择层和所述界面钝化层，分别位于所述硅基底的向光面和背光面；
或，所述界面钝化层和所述空穴选择层，分别位于所述硅基底的背光面的第一区域和第二区域。
根据本发明的第二方面，还提供一种太阳电池的生产方法，包括如下步骤：
提供硅基底；
在所述硅基底上设置界面钝化层；所述界面钝化层的材料包括金属氧化物；所述金属氧化物中含有第一金属；所述界面钝化层具有电子选择性；
在所述界面钝化层上设置低功函数金属层；所述低功函数金属层中含有第二金属，所述第二金属的活动性大于所述第一金属的活动性；
在所述低功函数金属层上设置金属电极，得到电池前体；
对所述电池前体退火，所述界面钝化层、所述低功函数金属层、所述金属电极在退火过程中，形成电极接触结构。
根据本发明的第三方面，还提供一种电池组件，包括：任一前述的太阳电池。
上述太阳电池的生产方法、电池组件，具有与前述太阳电池相同或相似的有益效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施方式的技术方案，下面将对本发明实施方式的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本发明实施方式中的第一种太阳电池的结构示意图；
图2示出了本发明实施方式中的第二种太阳电池的结构示意图；
图3示出了本发明实施方式中的第三种太阳电池的结构示意图；
图4示出了本发明实施方式中的第四种太阳电池的结构示意图；
图5示出了本发明实施方式中的第五种太阳电池的结构示意图；
图6示出了本发明实施方式中的第六种太阳电池的结构示意图；
图7示出了本发明实施方式中的第七种太阳电池的结构示意图；
图8示出了本发明实施方式中的第八种太阳电池的结构示意图。
附图编号说明：
1-硅基底，2-电极接触结构，21-界面钝化层，22-低功函数金属层，23-金属电极，24-隧穿层，3-第一电极，4-钝化减反层，5-发射极层，6-局域重掺杂区，7-第一钝化层，8-空穴选择层，9-第二钝化层，10-钝化掩膜层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
在本发明实施方式中，参照图1所示，图1示出了本发明实施方式中的第一种太阳电池的结构示意图。该太阳电池包括：硅基底1，对硅基底1的掺杂类型不作具体限定。例如，硅基底1可以为N型掺杂或P型掺杂。N型轻掺杂硅基底包含N型导电掺杂剂(例如磷P、砷As、锑Sb)，其掺杂浓度可以为5×1014-1×1016cm-3。采用N型硅基底，可以对减少寿命的污染物具有更大的抵抗能力，并且由于没有硼氧缺陷可以避免性能退化。同时，上述掺杂浓度较轻，轻掺杂利于降低俄歇复合和带隙变窄效应，提高少数载流子的寿命和载流子扩散长度，提高电池电流密度，在低掺杂浓度的晶体硅基底上获得高的转换效率。
电极接触结构2位于硅基底1上，具体可以位于硅基底1的电子传输侧，如，可以是在硅基底1的向光面或背光面。硅基底1的向光面为接收光的表面，背光面为与向光面相对的表面。电极接触结构2包括：界面钝化层21、低功函数金属层22、金属电极23。界面钝化层21、低功函数金属层22、金属电极23三者在硅基底1的背光面的投影具有重合区域。三者的投影可以完全重合或部分重合，不作具体限定。界面钝化层21、低功函数金属层22、金属电极23三者中，界面钝化层21靠近硅基底1，金属电极23远离硅基底1，低功函数金属层22层叠在界面钝化层21上，金属电极23设置在低功函数金属层22上。界面钝化层21的材料包括金属氧化物。界面钝化层21具有电子选择性，即选择性通过电子。界面钝化层21具有电子选择作用，无需使用自燃、爆炸性硅烷和有毒的磷气体前体制作电子选择接触结构，可以降低成本、降低生产危险系数。界面钝化层21还可以起到良好的界面钝化作用。
界面钝化层21中的金属氧化物含有第一金属，低功函数金属层22中含有第二金属。低功函数金属层22中的第二金属的活动性大于界面钝化层21中第一金属的活动性，即，低功函数金属层22中的第二金属能够还原界面钝化层21中的金属氧化物，进而，在退火过程中，低功函数金属层22中的第二金属会对界面钝化层21起到还原作用，使得界面钝化层21中的氧空位增加，而氧空位的增加，有利于提升导电性，进而，提升了界面钝化层21对电子的传输性能，改善了硅基底1表面的能带排列，降低了硅基底1与界面钝化层21的势垒高度，降低了硅基底1与界面钝化层21的接触电阻率，提高了太阳电池的填充因子。同时，在退火过程中，界面钝化层21中的晶粒增大，也降低了硅基底1与界面钝化层21的接触电阻率。位于硅基底1的电子侧的界面钝化层21、低功函数金属层22，降低了硅基底1带隙中的金属诱导的间隙态占据，使费米能级脱钉。由于硅基底1与电子选择性的界面钝化层21之间的导带偏移量很小，而价带偏移量较大(如大于2.0eV)，阻挡了空穴从硅基底1到界面钝化层21，减少了界面处的肖特基势垒高度，增加了太阳电池的载流子提取，也抑制了界面处的载流子复合，实现无掺杂欧姆接触。而且，上述太阳电池具有一维载流子传输模式，可以提高太阳电池的填充因子。上述退火可以为低温退火，温度在300-600℃，退火时间5min-60min。
需要说明的是，即使退火过程中发生了还原反应，上述界面钝化层21、低功函数金属层22、金属电极23三者均依然存在，退火后三者中原有的物质依然是主体，界面钝化层21、低功函数金属层22之间是否具有明显的界面不作具体限定，低功函数金属层22、金属电极23之间存在明显的界面。
上述金属电极23作为电子端电极，用于收集电子。金属电极23可以为Al电极、Ag电极或Al/Ag叠层电极等。例如，金属电极23可以通过蒸镀薄的Al与Ag的叠层，并通过电镀进行Ag层增厚。
可选的，界面钝化层21的材料选自氧化钛(TiOx)、氧化铌(NbOx)、氧化钽(TaOx)、氧化镓(GaOx)、氧化锌(ZnOx)、氧化铯(CsOx)中的至少一种。上述材料的界面钝化层21，与硅基底1具有更新小的导带差异和较大的价带差异，对空穴提供了障碍，具有良好的电子选择性，且与低功函数金属层22容易发生还原反应。而且，上述材料的界面钝化层21还具有较宽的带隙以及合适的光学折射系数，有利于提高硅基太阳电池的性能。如，TiOx的带隙为3.45eV，NbOx的带隙为3.7eV，TaOx的带隙为4.4eV，GaOx的带隙为4.9eV，ZnOx的带隙为3.37eV，CsOx的带隙为5.7eV。TiOx的光学折射系数为2.35，NbOx的光学折射系数为2.3，TaOx的光学折射系数为2.1，GaOx的光学折射系数为1.92，ZnOx的光学折射系数为2.0，CsOx的光学折射系数为1.96。需要说明的是，上述化学式中的x，本领域技术人员根据实际需要确定。
界面钝化层21的厚度h1为1nm-20nm，厚度h1为界面钝化层21、低功函数金属层22、金属电极23三者层叠的方向上的尺寸。上述厚度的界面钝化层层21电子选择性能优。
可选的，低功函数金属层22中的第二金属选自钙(Ca)、镁(Mg)、钡(Ba)、铯(Cs)、锶(Sr)、钇(Y)、铈(Ce)、钐(Sm)、铕(Eu)、钕(Nd)、钍(Th)、钆(Gd)、铪(Hf)、镥(Lu)、镧(La)或钛(Ti)中的至少一种。上述第二金属的活动性较强，对界面钝化层21的还原程度较强，在界面钝化层21形成更多的氧空位，进一步提升电子选择性。
例如，若界面钝化层21的材料选自TiO2，还原TiO2最低功函数的金属是Al，Al的功函数约等于4.2eV。若低功函数金属层22中的第二金属为Ca。由于Ca的功函数约等于2.9eV，Ca的功函数远远低于Al的功函数，因此Ca能够还原TiO2。TiO2被还原成TiO、Ti2O3和其他非化学计量的氧化物，氧空位的TiO2-x导电性高于化学计量的TiO2。具有高浓度氧空位的氧化钛具有更高的导电性，降低了Si/TiO2异质结的接触电阻率，从而提高了电池的填充因子。此外，混合气体(FGA)退火过程中氧化钛薄膜的粗化也可以降低接触电阻率。需要说明的是，本领领域技术人员根据实际需要设定化学式中的x。
参照图1所示，可选的，该太阳电池还可以包括发射极层5，发射极层5与电极接触结构2可以分别位于硅基底1的向光面和背光面。第一电极3位于发射极层5上，第一电极3与发射极层5电性接触。发射极层5的向光面可以设置有钝化减反层4，第一电极3通过钝化减反层4上的开口与发射极层5电性接触。在第一电极3与发射极层4接触处还可以设置有局域重掺杂区6，局域重掺杂区6的掺杂类型与发射极层5相同，掺杂浓度大于发射极层5的掺杂浓度。发射极层5的掺杂类型与硅基底1的掺杂类型相反，且掺杂浓度大于硅基底1，局域重掺杂区6与发射极层5形成高低结，既能钝化电池的接触，降低接触区域表面复合，同时能与第一电极3形成良好的欧姆接触，进一步提高电池的开路电压和转换效率。例如，若硅基底1若为N型掺杂，局域重掺杂区6的p++与发射极层5的p+，形成p++/p+。
第一电极3可以为Al、Al/Ag、Ni/Cu、Ni/Cu/Sn、Cr/Pd/Ag或Ni/Cu/Ag电极中的任意一种。第一电极3可以和电极接触结构2中的金属电极23可以通过各种已知的方法制作，并且可以无需高温烧结工艺，以降低热影响和对电池性能的不利影响。例如，第一电极3和金属电极23可以通过丝网印刷、打印、激光转印低温浆料或电子束蒸发、热蒸镀、电镀的方式形成。
可选的，参照图2所示，图2示出了本发明实施方式中的第二种太阳电池的结构示意图。太阳电池还可以包括空穴选择层8，空穴选择层8用于对空穴起到选择性作用。空穴选择层8和界面钝化层21，分别位于硅基底的1向光面和背光面，形成双面电池。该太阳电池中还可以包括位于硅基底1和空穴选择层8之间的第二钝化层9。
或，可选的，参照图3所示，图3示出了本发明实施方式中的第三种太阳电池的结构示意图。界面钝化层21和空穴选择层8，分别位于硅基底1的背光面的第一区域和第二区域，形成IBC电池。需要说明的是，第一区域和第二区域的大小均不作具体限定。例如，在电子为少数载流子的情况下，第一区域可以大于第二区域，在空穴为少数载流子的情况下，第二区域可以大于第一区域，以便于少数载流子的收集。IBC电池由于完全消除了电池向光面的遮光，也无需向光面开口和金属化工艺，避免了对向光面的钝化层的损伤和金属化接触处的复合，可以进一步提高电池效率，无掺杂异质结电池结构避免了高温工艺，简化工艺流程。
空穴选择层8的材料不作具体限定。例如，空穴选择层8的材料可以选自MoOx，空穴选择层8可以与前述的界面钝化层，制造无掺杂的c-Si太阳电池，即无需高温扩散形成发射极层，而是应用MoOx空穴选择性接触形成无掺杂异质结。
可选的，参照图4所示，图4示出了本发明实施方式中的第四种太阳电池的结构示意图。电极接触结构2还包括：位于界面钝化层21和低功函数金属层22之间的隧穿层24，隧穿层24的材料选自：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或非晶硅的至少一种。隧穿层的24厚度h2为0.5nm-3nm。上述隧穿层24与界面钝化层21和低功函数金属层22均不发生化学反应，在退火过程中，低功函数金属层22中的部分金属原子能够穿过隧穿层24，进入至界面钝化层21中。也就是说，隧穿层24并不能阻止低功函数金属层22中的部分金属原子进入界面钝化层21中，而是可以控制低功函数金属层22中金属原子进入界面钝化层21中的数量和速度，进而，调整低功函数金属层22中金属原子与界面钝化层21的氧化还原反应程度，并且不会阻碍电子的传输。此外，隧穿层24还可以阻止界面钝化层21中氧原子向外扩展，提高电池性能的稳定性。
可选的，太阳电池还可以包括：位于硅基底1和界面钝化层21之间的第一钝化层7，第一钝化层7的材料选自氧化硅、氧化钛、氧化铝、氢化非晶硅中的至少一种。第一钝化层7的厚度为1nm-2nm。上述第一钝化层7可以起到空穴阻断作用，且不会阻碍电子的传输。例如，第一钝化层7若厚度为1nm-2nm的SiO2，SiO2具有较宽的带隙，进而具有更强的空穴阻挡能力，可隧穿的SiO2界面层可以减轻SiO2基电子选择钝化接触的接触电阻。再例如，若第一钝化层7若为采用原子层沉积形成的厚度＜1nm的Al2O3，隧穿电阻低，具有良好的隧穿效果。
可选的，低功函数金属层22在硅基底1的一侧的投影，与界面钝化层21在硅基底1的一侧的投影具有重合区域，两者主要通过投影与重合区域的部分，在退火过程中产生氧化还原反应。重合区域的大小不作具体限定。例如，两者的投影可以是完全重合。
可选的，参照图1、图2、图4所示，界面钝化层21覆盖硅基底1的整个表面，硅基底1的表面为硅基底1的向光面或背光面。即，界面钝化层21与硅基底1整面接触。低功函数金属层22与界面钝化层21在硅基底1上的投影可以完全重合。
图5示出了本发明实施方式中的第五种太阳电池的结构示意图。图6示出了本发明实施方式中的第六种太阳电池的结构示意图。图7示出了本发明实施方式中的第七种太阳电池的结构示意图。图8示出了本发明实施方式中的第八种太阳电池的结构示意图。或，可选的，参照图5、图6、图7、图8，界面钝化层21覆盖硅基底1的部分表面，此处，硅基底1的表面同样为硅基底1的向光面或背光面，即为部分接触。低功函数金属层22与界面钝化层21在硅基底1上的投影也可以完全重合。可以通过设置具有开孔的钝化掩膜层10实现部分接触，需要说明的是钝化掩膜层10可以不用去除，以降低加工复杂度。钝化掩膜层10中的氢还可以扩散，以降低表面缺陷。图7、图8中，钝化掩膜层10的背光面没有设置界面钝化层21和低功函数金属层22。
可选的，在界面钝化层21覆盖硅基底1的部分表面的情况下或部分接触的情况下，该部分表面的面积占硅基底1的整个表面的面积的比例小于或等于10％，不仅减小了接触电阻率，而且便于加工、加工成本较低。
在界面钝化层21覆盖硅基底1的整个表面的情况下或整面接触的情况下，界面钝化层21的厚度为5nm-20nm，整面接触的情况下，界面钝化层21厚度的变化，对接触电阻率影响不大，上述厚度的界面钝化层21，不仅提升了界面钝化效果，而且接触电阻率也较小。例如，在界面钝化层21覆盖硅基底1的整个表面的情况下，界面钝化层21的厚度为9nm。
在界面钝化层21覆盖硅基底的部分表面的情况下或局部接触的情况下，界面钝化层的厚度为1nm-10nm，上述厚度的界面钝化层21兼顾了界面钝化效果和接触电阻率，界面钝化效果好，且接触电阻率较小。例如，在界面钝化层21覆盖硅基底的部分表面的情况下，界面钝化层21的厚度为3nm。
本发明实施方式还提供了一种太阳电池的生产方法，该方法包括如下步骤：
步骤S1，提供硅基底。
步骤S2，在所述硅基底上设置界面钝化层；所述界面钝化层的材料包括金属氧化物；所述金属氧化物中含有第一金属；所述界面钝化层具有电子选择性。
界面钝化层可以通过原子层沉积方法形成，沉积厚度可以为1nm-20nm，并且可以对于整面接触和局部接触中的应用采用不同的厚度。
步骤S3，在所述界面钝化层上设置低功函数金属层；所述低功函数金属层中含有第二金属，所述第二金属的活动性大于所述第一金属的活动性。
低功函数金属层可以通过热蒸发蒸镀或溅射沉积而成。
步骤S4，在所述低功函数金属层上设置金属电极，得到电池前体。
对于金属电极的制备不作具体限定。例如，在低真空压力(<5x10-7Torr)下从固态源热蒸发约30nm的薄层钙，作为低功函数金属层。在不破坏真空的情况下，在同一腔室中连续蒸发约150nm的Al电极层，随后蒸发约150nm的Al以加厚电极层。
步骤S5，对所述电池前体退火，所述界面钝化层、所述低功函数金属层、所述金属电极在退火过程中，形成电极接触结构。
如，将电池前体置于300-600℃的混合气体中退火30分钟左右。界面钝化层、低功函数金属层在退火过程中，发生还原反应。界面钝化层、低功函数金属层、金属电极三者在退火过程中，形成电极接触结构。退火过程可使电镀的第一电极与硅基体形成良好的欧姆接触，同时可以驱使钝化掩膜层中的氢扩散到硅基体中，以降低表面缺陷。
该电池的生产方法还可以包括：对硅基底进行清洗、制绒，并在硅基底的向光面扩散硼，形成发射极层，在发射极层的向光面沉积钝化减反层，在向光面和背光面沉积SiNx钝化层，后续同时可以作为背面局部钝化接触结构制作的钝化掩膜层，并且最终不需要去除。
在硅基底的向光面设置有钝化减反层的情况下，通过激光烧蚀或化学蚀刻钝化减反层形成接触开口，然后电镀进行Ni/Cu/Ag金属叠层形成第一电极。第一钝化层通过原子层沉积(ALD)、PECVD、LPCVD沉积或者通过热氧化形成。
本发明实施方式还提供了一种电池组件，包括：任一前述太阳电池。上述太阳电池生产方法、电池组件中的电极接触结构具体可以参照前述太阳电池中有关记载，并能达到相同或相似的有益效果，为了避免重复，此处不再赘述。
上面结合附图对本发明的实施方式进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。

Claims (10)

1.一种太阳电池，其特征在于，包括：
硅基底；
以及电极接触结构，位于所述硅基底上；
所述电极接触结构包括：界面钝化层、低功函数金属层、以及金属电极；
在所述电极接触结构中，所述界面钝化层靠近所述硅基底设置；所述低功函数金属层层叠在所述界面钝化层上，所述金属电极设置在所述低功函数金属层上；
所述界面钝化层的材料包括金属氧化物；所述界面钝化层具有电子选择性；
所述金属氧化物中含有第一金属，所述低功函数金属层中含有第二金属，所述第二金属的活动性大于所述第一金属的活动性。
2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述界面钝化层的材料选自氧化钛、氧化铌、氧化钽、氧化镓、氧化锌、氧化铯中的至少一种；
所述界面钝化层的厚度为1nm-20nm。
3.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第二金属选自钙、镁、钡、铯、锶、钇、铈、钐、铕、钕、钍、钆、铪、镥、镧或钛中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述界面钝化层覆盖所述硅基底的整个表面；
或，所述界面钝化层覆盖所述硅基底的部分表面；
所述表面为所述硅基底的向光面或背光面。
5.根据权利要求4所述的太阳电池，其特征在于，所述硅基底的部分表面的面积，占所述硅基底的整个表面的面积的比例小于或等于10％；
在所述界面钝化层覆盖所述硅基底的整个表面的情况下，所述界面钝化层的厚度为5nm-20nm；
在所述界面钝化层覆盖所述硅基底的部分表面的情况下，所述界面钝化层的厚度为1nm-10nm。
6.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述电极接触结构还包括：位于所述界面钝化层和所述低功函数金属层之间的隧穿层；所述隧穿层的材料选自：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅或非晶硅的至少一种；所述隧穿层的厚度为0.5nm-3nm。
7.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括：位于所述硅基底和所述界面钝化层之间的第一钝化层；所述第一钝化层的材料选自氧化硅、氧化钛、氧化铝、氢化非晶硅中的至少一种；所述第一钝化层的厚度为1nm-2nm。
8.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述太阳电池还包括空穴选择层；
所述空穴选择层和所述界面钝化层，分别位于所述硅基底的向光面和背光面；
或，所述界面钝化层和所述空穴选择层，分别位于所述硅基底的背光面的第一区域和第二区域。
9.一种太阳电池的生产方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供硅基底；
在所述硅基底上设置界面钝化层；所述界面钝化层的材料包括金属氧化物；所述金属氧化物中含有第一金属；所述界面钝化层具有电子选择性；
在所述界面钝化层上设置低功函数金属层；所述低功函数金属层中含有第二金属，所述第二金属的活动性大于所述第一金属的活动性；
在所述低功函数金属层上设置金属电极，得到电池前体；
对所述电池前体退火，所述界面钝化层、所述低功函数金属层、所述金属电极在退火过程中，形成电极接触结构。
10.一种电池组件，其特征在于，包括：权利要求1-8中任一所述的太阳电池。
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