CN114678433B - 太阳能电池及生产方法、光伏组件 - Google Patents

太阳能电池及生产方法、光伏组件 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种太阳能电池及生产方法、光伏组件，涉及太阳能光伏技术领域。太阳能电池包括：硅基底、掺杂氮化钛层、低功函数金属层和金属电极层；掺杂氮化钛层设置在硅基底的一面，低功函数金属层设置在掺杂氮化钛层的一面，金属电极层设置在低功函数金属层的一面；低功函数金属层包含的低功函数金属高于金属钛的活性；其中，掺杂氮化钛层中包含的低功函数金属是从低功函数金属层中扩散进入形成的。本申请中，由于低功函数金属层可以在退火处理的过程中发生扩散，从而生成掺杂有低功函数金属层中低功函数金属的掺杂氮化钛层，使得掺杂氮化钛层的功函数降低，促进电子输运，进而提高太阳能电池的效率。

Description

太阳能电池及生产方法、光伏组件
技术领域
本发明涉及太阳能光伏技术领域，特别是涉及一种太阳能电池及生产方法、光伏组件。
背景技术
随着传统能源的不断消耗及其对环境带来的负面影响，太阳能作为一种无污染、可再生能源，其开发和利用得到了迅速的发展。
太阳能电池的一个显著特点是它们能够将光产生的电子和空穴引导到非对称导电的路径上，即将载流子分开，然后通过正极和负极进行收集，从而输出电能。传统的晶体硅太阳能电池是通过在硅基底的近表面进行掺杂，从而得到电子选择性接触和空穴选择性接触以实现载流子的分离，但由于掺杂技术势必引起重掺杂效应，影响电池性能。由于氮化钛是一种准金属材料，其高导电性和低接触电阻率使其成为一种有助于载流子传输和收集的材料，另外，氮化钛本身可以钝化硅基底表面以抑制载流子的表面复合，且氮化钛的沉积速率较快，因此，可以通过在硅基底的一面设置具有电子选择性或者空穴选择性的氮化钛层作为载流子选择层，以收集硅基底中的电子或空穴，从而分离硅基底中的载流子，而无需对硅基底进行掺杂。
但是，在目前的方案中，采用常规方法制备得到的氮化钛的功函数较大，电子输运效率较差，并不适用于提取和收集电子载流子，从而导致太阳能电池的效率较低。
发明内容
本发明提供一种太阳能电池及生产方法、光伏组件，旨在解决采用氮化钛作为作为载流子选择层时，由于氮化钛的功函数较大而导致的太阳能电池的效率较低的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：
硅基底、掺杂氮化钛层、低功函数金属层和金属电极层；
所述掺杂氮化钛层设置在所述硅基底的一面，所述低功函数金属层设置在所述掺杂氮化钛层远离所述硅基底的一面，所述金属电极层设置在所述低功函数金属层远离所述掺杂氮化钛层的一面；
所述低功函数金属层包含的低功函数金属高于金属钛的活性；
其中，所述掺杂氮化钛层中包含所述低功函数金属，且所述掺杂氮化钛层中包含的低功函数金属是在对所述低功函数金属层进行退火处理的过程中，从所述低功函数金属层中扩散进入形成的。
可选的，所述硅基底和掺杂氮化钛层之间还包括：第一氧化层和第二氧化层；
所述第一氧化层设置在所述硅基底的一面，所述第二氧化层设置在所述第一氧化层远离所述硅基底的一面；
其中，所述低功函数金属高于所述第一氧化层中包含的金属的活性；
所述第二氧化层是由所述低功函数金属层中的低功函数金属穿过所述掺杂氮化钛层，与所述第一氧化层发生反应生成的金属氧化层。
可选的，所述第一氧化层包括：氧化镁、三氧化二铝、二氧化铪、氧化钛、氧化铌，氧化钽、氧化镓、氧化锌和氧化铯中的任意一种。
可选的，所述掺杂氮化钛层中低功函数金属的浓度，从靠近所述低功函数金属层的一面向靠近所述硅基底的一面逐渐减小。
可选的，所述太阳能电池还包括：第一氮化钛层；
所述第一氮化钛层设置在所述低功函数金属层和所述金属电极层之间。
可选的，所述掺杂氮化钛层的厚度为1-10纳米，所述第一氮化钛层的厚度为5-500纳米。
可选的，所述低功函数金属包括：钙、镁、铝、钡、铯、锶、镱、铈、钐、铕、钕、钍、钆、铪、镥和镧中的任意一种。
可选的，所述金属电极层包括：铝、银、铝/银、镍/铜/锡、铬/钯/银和镍/铜/银中的任意一种。
可选的，所述低功函数金属层的厚度为0.1-10纳米。
第二方面，本发明实施例提供了一种太阳能电池的生产方法，所述方法包括：
在硅基底的一面制备第二氮化钛层；
在所述第二氮化钛层远离所述硅基底的一面制备低功函数金属层；
在所述低功函数金属层远离所述第二氮化钛层的一面制备金属电极层；
对所述低功函数金属层进行退火处理，所述低功函数金属层中的低功函数金属扩散进入所述第二氮化钛层中，形成掺杂氮化钛层。
可选的，所述在硅基底的一面制备第二氮化钛层的步骤，具体包括：
在所述硅基底的一面制备第一氧化层；
在所述第一氧化层远离所述硅基底的一面制备所述第二氮化钛层；
所述对所述低功函数金属层进行退火处理，所述低功函数金属层中的低功函数金属扩散进入所述第二氮化钛层中，形成掺杂氮化钛层的步骤，具体包括：
对所述低功函数金属层进行退火处理，所述低功函数金属层中的低功函数金属扩散进入所述第二氮化钛层中，形成所述掺杂氮化钛层，且所述低功函数金属层中的低功函数金属穿过所述掺杂氮化钛层，与所述第一氧化层发生反应生成第二氧化层。
可选的，所述退火处理的步骤，包括：
在350-450摄氏度的温度范围内，在氮气和氢气的混合气体中进行退火，所述混合气体中氮气和氢气的比例为10:1。
可选的，在350-450摄氏度的温度范围内，在氮气和氢气的混合气体中进行退火的步骤之后，所述方法还包括：
在400-700摄氏度的温度范围内，在氮气退火气氛中进行二次退火。
可选的，在所述低功函数金属层远离所述第二氮化钛层的一面制备金属电极层的步骤，具体包括：
在所述低功函数金属层远离所述第二氮化钛层的一面制备第一氮化钛层；
在所述第一氮化钛层远离所述低功函数金属层的一面制备所述金属电极层。
可选的，所述第一氧化层包括：氧化镁、三氧化二铝、二氧化铪、氧化钛、氧化铌，氧化钽、氧化镓、氧化锌和氧化铯中的任意一种。
第三方面，本发明实施例提供了一种光伏组件，所述光伏组件包括前述任一所述的太阳能电池。
基于上述太阳能电池及生产方法、光伏组件，本申请存在以下有益效果：本申请中太阳能电池包括：硅基底、掺杂氮化钛层、低功函数金属层和金属电极层；掺杂氮化钛层设置在硅基底的一面，低功函数金属层设置在掺杂氮化钛层远离硅基底的一面，金属电极层设置在低功函数金属层远离掺杂氮化钛层的一面；低功函数金属层包含的低功函数金属高于金属钛的活性；其中，掺杂氮化钛层中包含低功函数金属，且掺杂氮化钛层中包含的低功函数金属是在对低功函数金属层进行退火处理的过程中，从低功函数金属层中扩散进入形成的。本申请中，由于低功函数金属层可以在退火处理的过程中发生扩散，从而生成掺杂有低功函数金属层中低功函数金属的掺杂氮化钛层，使得掺杂氮化钛层的功函数降低，促进电子输运，进而提高太阳能电池的效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本发明实施例中的第一种太阳能电池的结构示意图；
图2示出了本发明实施例中的第二种太阳能电池的结构示意图；
图3示出了本发明实施例中的第三种太阳能电池的结构示意图；
图4示出了本发明实施例中的一种太阳能电池的生产方法的步骤流程图。
附图编号说明：
10-硅基底，20-掺杂氮化钛层，30-低功函数金属层，40-金属电极层，50-第一氧化层，60-第二氧化层，70-第一氮化钛层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面通过列举几个具体的实施例详细介绍本发明提供的一种太阳能电池及生产方法、光伏光伏组件。
图1示出了本发明实施例提供的第一种太阳能电池的结构示意图，参照图1，太阳能电池可以包括：硅基底10、掺杂氮化钛层20、低功函数金属层30和金属电极层40。
其中，掺杂氮化钛层20设置在硅基底10的一面，低功函数金属层30设置在掺杂氮化钛层20远离硅基底10的一面，金属电极层40设置在低功函数金属层30远离掺杂氮化钛层20的一面，且低功函数金属层30包含的低功函数金属高于金属钛的活性。
具体的，掺杂氮化钛层20中包含低功函数金属，且掺杂氮化钛层20中包含的低功函数金属是在对低功函数金属层30进行退火处理的过程中，从低功函数金属层30中扩散进入形成的。
在本发明实施例中，硅基底的掺杂类型可以为n型掺杂，也可以为p型掺杂，在硅基底的掺杂类型为n型掺杂时，对应的掺杂物可以包括V族元素中的磷元素(P)、砷元素(As)、铋元素(Bi)和锑元素(Sb)中的任意一种或多种；在硅基底的掺杂类型为P型掺杂时，对应的掺杂物可以包括III族元素中的硼元素(B)、铝元素(Al)、镓元素(Ga)和铟元素(In)中的任意一种或多种。
其中，设置在硅基底上的掺杂氮化钛层，可以设置在硅基底的背光面，也可以设置在硅基底的向光面。由于氮化钛是一种准金属材料，其高导电性和低接触电阻率使其成为一种有助于载流子传输和收集的材料，另外，氮化钛本身可以钝化硅基底表面以抑制载流子的表面复合，且氮化钛的沉积速率较快，因此，可以通过在硅基底的一面设置具有电子选择性或者空穴选择性的第二氮化钛层作为载流子选择层，以收集硅基底中的电子或空穴，从而分离硅基底中的载流子，而无需对硅基底进行掺杂。但是，采用常规方法制备得到的氮化钛的功函数较大，使得氮化钛的电子输运效率较差，并不适用于提取和收集电子载流子，从而导致太阳能电池的效率较低。
因此，在本发明实施例中，可以将设置在硅基底表面的第二氮化钛层制备为掺杂氮化钛层，即在第二氮化钛层远离硅基底的表面设置包含的低功函数金属的低功函数金属层，且低功函数金属层包含的低功函数金属高于金属钛的活性，从而在对低功函数金属层进行退火处理的过程中，低功函数金属层中的低功函数金属扩散进入第二氮化钛层，形成掺杂氮化钛层，使得掺杂氮化钛层的功函数降低，促进电子输运，进而提高太阳能电池的效率。
具体的，掺杂氮化钛层中低功函数金属的掺杂水平，取决于低功函数金属层中低功函数金属的功函数和扩散能力，以及第二氮化钛层的厚度和退火条件，第二氮化钛层的厚度越厚，低功函数金属的扩散受到的阻碍越大，掺杂效果越差，因此，可以通过选择扩散能力高，即活性较强的低功函数金属，以及降低第二氮化钛层的厚度、调节退火条件等，提高掺杂氮化钛层中低功函数金属的掺杂水平。
需要说明的是，低功函数金属层中低功函数金属的功函数可以低于铝的功函数(4.28电子伏特)，以提高对于电子载流子的选择传输。
在本发明实施例中，上述金属电极层用于收集和导出载流子。在受到光照的情况下，硅基底作为光吸收层，产生电子-空穴对，由于掺杂氮化钛层和低功函数金属层具有良好的载流子选择传输作用，载流子被传输至低功函数金属层中，然后被与其连接的金属电极层导出，从而实现载流子的分离，使得金属电极层与硅基底之间产生电势差，即产生电压，从而将光能转换为电能。
在本发明实施例中，一种太阳能电池，包括：硅基底、掺杂氮化钛层、低功函数金属层和金属电极层；掺杂氮化钛层设置在硅基底的一面，低功函数金属层设置在掺杂氮化钛层远离硅基底的一面，金属电极层设置在低功函数金属层远离掺杂氮化钛层的一面；低功函数金属层包含的低功函数金属高于金属钛的活性；其中，掺杂氮化钛层中包含低功函数金属，且掺杂氮化钛层中包含的低功函数金属是在对低功函数金属层进行退火处理的过程中，从低功函数金属层中扩散进入形成的。本申请中，由于低功函数金属层可以在退火处理的过程中发生扩散，从而生成掺杂有低功函数金属层中低功函数金属的掺杂氮化钛层，使得掺杂氮化钛层的功函数降低，促进电子输运，进而提高太阳能电池的效率。
可选的，图2示出了本发明实施例提供的第二种太阳能电池的结构示意图，参照图2，硅基底10和掺杂氮化钛层20之间还可以包括：第一氧化层50和第二氧化层60，第一氧化层50设置在硅基底10的一面，第二氧化层60设置在第一氧化层50远离硅基底10的一面。
其中，低功函数金属层30中的低功函数金属高于第一氧化层50中包含的金属的活性，第二氧化层60是由低功函数金属层30中的低功函数金属穿过掺杂氮化钛层20，与第一氧化层50发生反应生成的金属氧化层，即由于低功函数金属层30中的低功函数金属高于第一氧化层50中包含的金属的活性，则低功函数金属层30中的低功函数金属可以扩散通过掺杂氮化钛层20，与第一氧化层50发生反应从而形成第二氧化层60，生成的第二氧化层60可以增强太阳能电池的表面钝化效果，同时还可以促进低功函数金属层30中的低功函数金属在掺杂氮化钛层20中的扩散。
可选的，第一氧化层可以包括：氧化镁(MgOx)、三氧化二铝(Al2O3)、二氧化铪(HfO2)、氧化钛(TiOx)、氧化铌(NbOx)，氧化钽(TaOx)、氧化镓(GaOx)、氧化锌(ZnOx)和氧化铯(CsOx)中的任意一种，需要说明的是化学式中的x本领域技术人员可以根据实际需要确定。第一氧化层可以作为电子选择接触，促进硅基底中电子载流子的选择和传输，其中，二氧化钛(TiO2)、一氧化锌(ZnO)和氧化钽(TaOx)与硅具有较小的导带差异和较大的价带差异，为空穴提供了障碍，MgOx和CsOx能产生偶极矩，可以通过费米能级的脱钉降低电极的功函数，从而使电子输运的势垒高度变小。
此外，第一氧化层还可以包括二氧化硅(SiO2)，SiO2也可以与穿过掺杂氮化钛层的低功函数金属发生反应生成第二氧化层。
可选的，掺杂氮化钛层中低功函数金属的浓度，从靠近低功函数金属层的一面向靠近硅基底的一面逐渐减小。
具体的，由于掺杂氮化钛层中的低功函数金属，是由掺杂氮化钛层远离硅基底一面的低功函数金属层中的低功函数金属扩散产生的，因此，掺杂氮化钛层中低功函数金属的浓度从远离硅基底到靠近硅基底的方向呈梯度分布，且由于低功函数金属的扩散距离的增加，其浓度逐渐减小。
可选的，图3示出了本发明实施例提供的第三种太阳能电池的结构示意图，参照图3，太阳能电池还可以包括第一氮化钛层70，其中，第一氮化钛层设置在低功函数金属层30和金属电极层40之间。
由于第二氮化钛层设置在低功函数金属层30靠近硅基底10的一面，用于在硅基底10和低功函数金属层30之间形成掺杂氮化钛层20，而第一氮化钛层70设置在低功函数金属层30远离硅基底10的一面，由于氮化钛具有准金属导电性，因此，可以直接利用第一氮化钛层70作为太阳能电池的电极层，以收集并导出载流子，金属电极层40设置在第一氮化钛层70远离低功函数金属层30的一面，从而可以阻止第一氮化钛层70在空气中的氧化，避免电池性能的下降。
可选的，掺杂氮化钛层的厚度可以为1-10纳米，即用于形成掺杂氮化钛层的第二氮化钛层的厚度也为1-10纳米，第二氮化钛层的厚度对低功函数金属的扩散具有重要影响，第二氮化钛层的厚度越厚，低功函数金属元素的扩散受到的阻碍越大，掺杂效果越差，第二氮化钛掺杂后得到的掺杂氮化钛功函数降低不明显，因此，并不能促进电子输运的提高。第一氮化钛层的厚度可以为5-500纳米，使得相比于第二氮化钛层，第一氮化钛层的厚度较大，可以用作太阳能电池的电极层，同时，使得低功函数金属层中的低功函数金属向硅基底方向的第二氮化钛层扩散掺杂形成掺杂氮化钛层，而不会影响第一氮化钛层的功函数，因此，第一氮化钛层的功函数大于掺杂氮化钛层的功函数。
可选的，低功函数金属包括：钙、镁、铝、钡、铯、锶、镱、铈、钐、铕、钕、钍、钆、铪、镥和镧中的任意一种，上述低功函数金属的活性均大于金属钛的活性，即金属活动性顺序位于金属钛之前，从而能够在第二氮化钛层中进行扩散从而形成掺杂氮化钛层。同时，若需要低功函数金属与第一氧化层反应生成第二氧化层，则低功函数金属的活动顺序位于第一氧化层中金属元素之前，且低功函数金属的活动性越强，与第一氧化层的反应程度越大，对第二氮化钛层的掺杂效果也越显著。
可选的，金属电极层可以包括：铝、银、铝/银、镍/铜/锡、铬/钯/银和镍/铜/银中的任意一种，金属电极层的设置一方面可以避免第一氮化钛在空气中的氧化，避免电池性能恶化，另一方面可以改善晶体硅表面的能带排列，降低电阻，从而促进电子的传输和收集效果，提高电池性能。
本发明还提供了一种太阳能电池的生产方法，参见图4，示出了本发明实施例提供的一种太阳能电池的生产方法的步骤流程图，该方法可以包括如下步骤：
步骤101，在硅基底的一面制备第二氮化钛层。
在该步骤中，可以首先获取硅基底，进而在硅基底的一面制备第二氮化钛层，即未进行掺杂的氮化钛层。
具体的，可以在硅基底的一面制备第二氮化钛层，以供进一步在第二氮化钛层远离硅基底的一面制备低功函数金属层，从而在退火的条件下，使得低功函数金属层中的低功函数金属扩散进入第二氮化钛层中，从而制备得到掺杂氮化钛层。
可选的，可以在制备第二氮化钛层之前，在硅基底的一面首先制备第一氧化层，进一步在第一氧化层远离硅基底的一面制备第二氮化钛层，以供进一步在第二氮化钛层远离硅基底的一面制备低功函数金属层，从而在退火的条件下，使得低功函数金属层中的低功函数金属扩散进入第二氮化钛层中，从而制备得到掺杂氮化钛层，并且，低功函数金属层中的低功函数金属穿过掺杂氮化钛层之后，可以与第一氧化层发生反应生成第二氧化层。
步骤102、在所述第二氮化钛层远离所述硅基底的一面制备低功函数金属层。
在该步骤中，在硅基底的一面制备第二氮化钛层之后，可以进一步在第二氮化钛层远离硅基底的一面制备低功函数金属层。
步骤103、在所述低功函数金属层远离所述第二氮化钛层的一面制备金属电极层。
在该步骤中，可以在第二氮化钛层远离硅基底的一面制备低功函数金属层之后，在所述低功函数金属层远离第二氮化钛层的一面制备金属电极层。
可选的，在太阳能电池还包含第一氮化钛层的情况下，可以在第二氮化钛层远离硅基底的一面制备低功函数金属层之后，在低功函数金属层远离第二氮化钛层的一面首先制备第一氮化钛层，进一步在第一氮化钛层远离低功函数金属层的一面制备金属电极层，从而可以直接利用第一氮化钛层作为太阳能电池的电极层，以收集并导出载流子，金属电极层设置在第一氮化钛层远离低功函数金属层的一面，从而可以阻止第一氮化钛层在空气中的氧化，避免电池性能的下降。
步骤104、对所述低功函数金属层进行退火处理，所述低功函数金属层中的低功函数金属扩散进入所述第二氮化钛层中，形成掺杂氮化钛层。
在该步骤中，可以在制备得到低功函数金属层或制备得到金属电极层之后，对低功函数金属层进行退火处理，使得低功函数金属层中的低功函数金属扩散进入第二氮化钛层中，从而形成掺杂氮化钛层。
在本发明实施例中，若硅基底和待掺杂氮化钛之间设置有第一氧化层，对低功函数金属层进行的退火处理，还可以使得低功函数金属层中的低功函数金属穿过掺杂氮化钛层之后，与第一氧化层发生反应生成第二氧化层。
可选的，上述针对低功函数金属层的退火处理可以包括：在350-450摄氏度的温度范围内，在氮气和氢气的混合气体中进行退火，且混合气体中氮气和氢气的比例为10:1。
可选的，在针对低功函数金属层进行了上述退火处理之后，还可以进一步在400-700摄氏度的温度范围内，在氮气退火气氛中进行二次退火。退火温度越高，第二氮化钛层的功函数降低越大，得到的掺杂氮化钛层的功函数越小。但是，退火温度存在一个临界值，若退火温度低于临界值，则掺杂氮化钛层的功函数随着退火温度的升高而降低，若温度高于临界值，第二氮化钛层的功函数不仅不会降低，还会有一定程度的增加。同时，若硅基底和待掺杂氮化钛之间设置有第一氧化层，则随着退火温度的升高，第一氧化层的厚度降低，这是由于低功函数金属的掺入形成了金属氧化层(即第二氧化层)，导致氧清除。
需要说明的是，上述太阳能电池和太阳能电池的生产方法对应的部分两者可以参照，且具有相同或相似的有益效果。
此外，本发明实施例还提供了一种光伏组件，包括前述任一所述的太阳能电池，太阳能电池的两侧可以设置有封装胶膜、盖板、背板等。具有与前述的太阳能电池相同或相似的有益效果。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。

Claims (16)

1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：
硅基底、掺杂氮化钛层、低功函数金属层和金属电极层；
所述掺杂氮化钛层设置在所述硅基底的一面，所述低功函数金属层设置在所述掺杂氮化钛层远离所述硅基底的一面，所述金属电极层设置在所述低功函数金属层远离所述掺杂氮化钛层的一面；
所述低功函数金属层包含的低功函数金属高于金属钛的活性；
其中，所述掺杂氮化钛层中包含所述低功函数金属，且所述掺杂氮化钛层中包含的低功函数金属是在对所述低功函数金属层进行退火处理的过程中，从所述低功函数金属层中扩散进入形成的。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅基底和掺杂氮化钛层之间还包括：第一氧化层和第二氧化层；
所述第一氧化层设置在所述硅基底的一面，所述第二氧化层设置在所述第一氧化层远离所述硅基底的一面；
其中，所述低功函数金属高于所述第一氧化层中包含的金属的活性；
所述第二氧化层是由所述低功函数金属层中的低功函数金属穿过所述掺杂氮化钛层，与所述第一氧化层发生反应生成的金属氧化层。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一氧化层包括：氧化镁、三氧化二铝、二氧化铪、氧化钛、氧化铌，氧化钽、氧化镓、氧化锌和氧化铯中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂氮化钛层中低功函数金属的浓度，从靠近所述低功函数金属层的一面向靠近所述硅基底的一面逐渐减小。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：第一氮化钛层；
所述第一氮化钛层设置在所述低功函数金属层和所述金属电极层之间。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，
所述掺杂氮化钛层的厚度为1-10纳米，所述第一氮化钛层的厚度为5-500纳米。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，
所述低功函数金属包括：钙、镁、铝、钡、铯、锶、镱、铈、钐、铕、钕、钍、钆、铪、镥和镧中的任意一种。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述金属电极层包括：铝、银、铝/银、镍/铜/锡、铬/钯/银和镍/铜/银中的任意一种。
9.根据权利要求1-6中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述低功函数金属层的厚度为0.1-10纳米。
10.一种太阳能电池的生产方法，其特征在于，所述方法包括：
在硅基底的一面制备第二氮化钛层；
在所述第二氮化钛层远离所述硅基底的一面制备低功函数金属层；
在所述低功函数金属层远离所述第二氮化钛层的一面制备金属电极层；
对所述低功函数金属层进行退火处理，所述低功函数金属层中的低功函数金属扩散进入所述第二氮化钛层中，形成掺杂氮化钛层。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在硅基底的一面制备第二氮化钛层的步骤，具体包括：
在所述硅基底的一面制备第一氧化层；
在所述第一氧化层远离所述硅基底的一面制备所述第二氮化钛层；
所述对所述低功函数金属层进行退火处理，所述低功函数金属层中的低功函数金属扩散进入所述第二氮化钛层中，形成掺杂氮化钛层的步骤，具体包括：
对所述低功函数金属层进行退火处理，所述低功函数金属层中的低功函数金属扩散进入所述第二氮化钛层中，形成所述掺杂氮化钛层，且所述低功函数金属层中的低功函数金属穿过所述掺杂氮化钛层，与所述第一氧化层发生反应生成第二氧化层。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，所述退火处理的步骤，包括：
在350-450摄氏度的温度范围内，在氮气和氢气的混合气体中进行退火，所述混合气体中氮气和氢气的比例为10:1。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在350-450摄氏度的温度范围内，在氮气和氢气的混合气体中进行退火的步骤之后，所述方法还包括：
在400-700摄氏度的温度范围内，在氮气退火气氛中进行二次退火。
14.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，在所述低功函数金属层远离所述第二氮化钛层的一面制备金属电极层的步骤，具体包括：
在所述低功函数金属层远离所述第二氮化钛层的一面制备第一氮化钛层；
在所述第一氮化钛层远离所述低功函数金属层的一面制备所述金属电极层。
15.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一氧化层包括：氧化镁、三氧化二铝、二氧化铪、氧化钛、氧化铌，氧化钽、氧化镓、氧化锌和氧化铯中的任意一种。
16.一种光伏组件，其特征在于，包括权利要求1-9中任一所述的太阳能电池。
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