CN116759468A - 太阳能电池、太阳能电池的制造方法及光伏组件 - Google Patents

太阳能电池、太阳能电池的制造方法及光伏组件 Download PDF

Info

Publication number
CN116759468A
CN116759468A CN202310693500.7A CN202310693500A CN116759468A CN 116759468 A CN116759468 A CN 116759468A CN 202310693500 A CN202310693500 A CN 202310693500A CN 116759468 A CN116759468 A CN 116759468A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
doped
doped conductive
doping
solar cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310693500.7A
Other languages
English (en)
Inventor
张临安
金井升
杨楠楠
瞿佳华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang Jinko Solar Co Ltd
Jinko Solar Haining Co Ltd
Original Assignee
Zhejiang Jinko Solar Co Ltd
Jinko Solar Haining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang Jinko Solar Co Ltd, Jinko Solar Haining Co Ltd filed Critical Zhejiang Jinko Solar Co Ltd
Priority to CN202310693500.7A priority Critical patent/CN116759468A/zh
Publication of CN116759468A publication Critical patent/CN116759468A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1864—Annealing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1868—Passivation

Abstract

本申请实施例提供一种太阳能电池、太阳能电池的制造方法及光伏组件，太阳能电池包括基底，基底具有第一表面；隧穿氧化层，位于第一表面；掺杂导电叠层，掺杂导电叠层位于隧穿氧化层远离第一表面一侧，掺杂导电叠层至少包括朝向远离第一表面方向依次设置的第一掺杂导电层、第二掺杂导电层及第三掺杂导电层，掺杂导电叠层的各层均掺杂有第一掺杂元素，第一掺杂元素包括碳元素、氮元素、氧元素或者氢元素中的至少一种，在沿预设方向上，掺杂导电叠层中各层掺杂的第一掺杂元素的总浓度逐层降低，预设方向为基底指向隧穿氧化层的方向。本申请实施例至少有利于提高太阳能电池的效率。

Description

太阳能电池、太阳能电池的制造方法及光伏组件
技术领域
本申请实施例涉及光伏组件技术领域，特别涉及一种太阳能电池、太阳能电池的制造方法及光伏组件。
背景技术
为了提高太阳能电池的光电转化性能，通常会在太阳能电池背面制备钝化接触层，通过钝化接触层来对太阳能电池进行钝化，从而降低太阳能电池基底内以及基底表面的复合。目前的钝化接触层中，通常包含掺杂多晶硅层，掺杂导电层中掺杂有导电离子，以在基底表面形成能带弯曲，从而对少子起到场钝化作用。
然而，掺杂导电层具有一定吸光能力，影响太阳能电池的光电转换效率，且目前的掺杂导电层的掺杂浓度单一，掺杂导电层具有较大的寄生吸收，掺杂导电层的表面浓度较低，不利于掺杂导电层与电极之间形成良好的接触。
发明内容
本申请实施例提供一种太阳能电池、太阳能电池的制造方法及光伏组件，至少有利于提高太阳能电池的效率。
根据本申请一些实施例，本申请实施例一方面提供一种太阳能电池，包括：基底，所述基底具有第一表面；隧穿氧化层，位于所述第一表面；掺杂导电叠层，所述掺杂导电叠层位于所述隧穿氧化层远离所述第一表面一侧，所述掺杂导电叠层至少包括朝向远离所述第一表面方向依次设置的第一掺杂导电层、第二掺杂导电层及第三掺杂导电层，所述掺杂导电叠层的各层均掺杂有第一掺杂元素，第一掺杂元素包括碳元素、氮元素、氧元素或者氢元素中的至少一种，在沿预设方向上，所述掺杂导电叠层中各层掺杂的所述第一掺杂元素的总浓度逐层降低，所述预设方向为所述基底指向所述隧穿氧化层的方向。
在一些实施例中，在沿所述预设方向上，所述掺杂导电叠层中相邻层掺杂的所述第一掺杂元素总浓度的差值在1E18cm-3-9E20cm-3范围内。
在一些实施例中，在沿所述预设方向上，所述掺杂导电叠层中各层的结晶度逐层变大。
在一些实施例中，所述第一掺杂导电层中单位体积的晶界数量小于所述第二掺杂导电层中单位体积的晶界数量，所述第二掺杂导电层中单位体积的晶界数量小于所述第三掺杂导电层中单位体积的晶界数量。
在一些实施例中，所述第三掺杂导电层的厚度大于所述第一掺杂导电层的厚度，所述第三掺杂导电层的厚度大于所述第二掺杂导电层的厚度。
在一些实施例中，所述掺杂导电叠层中各层均掺杂有第二掺杂元素，所述第二掺杂元素为N型元素或者P型元素，其中，在沿所述预设方向上，所述掺杂导电叠层中各层掺杂的所述第二掺杂元素总浓度逐层增加。
在一些实施例中，所述太阳能电池还包括：第一电极，设置于所述第三掺杂导电层远离所述第一表面的一侧，且与所述第三掺杂导电层电接触；所述基底还包括与所述第一表面正对的第二表面，所述第二表面朝向远离所述基底的方向依次设置有发射极、钝化层和第二电极，其中，所述第二电极贯穿所述钝化层与所述发射极电接触。
根据本申请一些实施例，本申请实施例另一方面还提供一种太阳能电池的制造方法，包括：提供基底，所述基底具有第一表面；在所述第一表面上形成隧穿氧化层；形成掺杂导电叠层，所述掺杂导电叠层位于所述隧穿氧化层远离所述第一表面一侧，所述掺杂导电叠层至少包括朝向远离所述第一表面依次设置的第一掺杂导电层、第二掺杂导电层及第三掺杂导电层；其中，所述掺杂导电叠层的各层均掺杂有第一掺杂元素，第一掺杂元素包括碳元素、氮元素、氧元素或者氢元素中的至少一种，在沿预设方向上，所述掺杂导电叠层中各层掺杂的所述第一掺杂元素的总浓度逐层降低，所述预设方向为所述基底指向所述隧穿氧化层的方向。
在一些实施例中，形成所述掺杂导电叠层的步骤包括：在第一温度条件下，在所述隧穿氧化层远离所述第一表面一侧形成第一掺杂导电层；在第二温度条件下，在所述第一掺杂导电层远离所述第一表面一侧形成第二掺杂导电层；在第三温度条件下，在所述第二掺杂导电层远离所述第一表面一侧形成第三掺杂导电层；其中，所述第一温度小于所述第二温度，所述第二温度小于所述第三温度。
在一些实施例中，所述第二温度与所述第一温度的差值为100℃-300℃；所述第三温度与所述第二温度的差值为100℃-350℃。
在一些实施例中，所述第一温度为350℃-550℃；所述第二温度为450℃-650℃；所述第三温度为550℃-800℃。
在一些实施例中，采用PECVD工艺形成所述第一掺杂导电层；采用PECVD工艺形成所述第二掺杂导电层；采用LPCVD工艺形成所述第三掺杂导电层。
在一些实施例中，采用原位掺杂工艺，在所述掺杂导电叠层的各层内掺杂所述第一掺杂元素。
在一些实施例中，还包括：在所述掺杂导电叠层的各层内掺杂第二掺杂元素，所述第二掺杂元素为N型元素或者P型元素，在沿所述预设方向上，所述掺杂导电叠层中各层掺杂的所述第二掺杂元素总浓度逐层增加。
在一些实施例中，对于所述掺杂导电叠层中的各层，先掺杂所述第一掺杂元素，后掺杂所述第二掺杂元素；或者，采用原位掺杂工艺，同时掺杂所述第一掺杂元素和所述第二掺杂元素。
根据本申请一些实施例，本申请实施例又一方面还提供一种光伏组件，包括：电池串，所述电池串包括上述实施例任一项所述的太阳能电池或根据上述实施例提供的太阳能电池的制造方法制得的太阳能电池；封装层，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面；盖板，所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。
本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
本申请实施例提供的太阳能电池，包括掺杂导电叠层，掺杂导电叠层包括朝向远离第一表面方向依次设置至少三层掺杂导电层，其中，掺杂导电叠层中的各层均掺杂有第一掺杂元素，第一掺杂元素包括碳元素、氮元素、氧元素或者氢元素中的至少一种，例如，第一掺杂元素可以为碳元素、氮元素或者氧元素中的至少一种，可以调节掺杂导电叠层中各层的带隙，从而调控掺杂导电叠层的性能，减小形成的掺杂导电叠层对入射光线的吸收能力，实现低光学吸收，且通过掺杂有碳元素、氮元素或者氧元素中的至少一种，碳元素、氮元素以及氧元素容易捕获氢元素，能够形成键能较大的C-H键、N-H键或者O-H键，从而有效抑制H元素的溢出，有利于提高掺杂导电叠层的钝化效果，又例如，第一掺杂元素可以为氢元素，通过掺杂有氢元素，有利于提高掺杂导电叠层的钝化性能，有利于提高太阳能电池的效率；且还设置在沿预设方向上，掺杂导电叠层中各层掺杂的第一掺杂元素的总浓度逐层降低，预设方向为基底指向隧穿氧化层的方向，调节掺杂导电叠层的带隙，实现对掺杂导电叠层中各层不同程度的性能调控，并使得掺杂导电叠层中，第一掺杂导电层对入射光线的吸收能力相对较弱，从而经由第一掺杂导电层到达基底的入射光线较多，从而可以提高对入射光线的利用率，实现低光学吸收；
此外，掺杂导电叠层中各层还掺杂有第二掺杂元素，第二掺杂元素为N型元素或者P型元素，通过掺杂有第一掺杂元素，例如，碳元素、氮元素或者氧元素，能够形成相较于Si-Si键，键能较大的C-Si键、N-Si键或者O-Si键，键能较大的C-Si键、N-Si键或者O-Si键不易断裂，能够抑制第二掺杂元素的掺杂，通过设置在沿预设方向上，掺杂导电叠层中各层掺杂的第一掺杂元素的总浓度逐层降低，能够使得对掺杂有第一掺杂元素的掺杂导电叠层掺杂第二掺杂元素过程中，在沿预设方向上，掺杂导电叠层中各层掺杂的第二掺杂元素总浓度逐层增加，使得掺杂导电叠层与隧穿氧化层接触的表面具有较低浓度的第二掺杂元素，减少第二掺杂元素对隧穿氧化层钝化效果的影响，并使得掺杂导电叠层远离基底的表面具有较高浓度的第二掺杂元素，有利于掺杂导电叠层与电极之间形成良好的欧姆接触。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制；为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的结构示意图；
图2为本申请一实施例提供的另一种太阳能电池的结构示意图；
图3为本申请另一实施例提供的一种太阳能电池的制造方法对应的流程图；
图4至图7为本申请另一实施例提供的一种太阳能电池的制造方法各步骤对应的结构示意图；
图8为本申请又一实施例提供的一种光伏组件的结构示意图。
具体实施方式
由背景技术可知，目前的太阳能电池存在掺杂导电层掺杂浓度单一的问题。
本申请实施例提供一种太阳能电池，设置在沿预设方向上，掺杂导电叠层中各层掺杂的第一掺杂元素总浓度逐层降低，其中，第一掺杂元素可以为碳元素、氮元素或者氧元素中的至少一种，可以调节掺杂导电叠层中各层的带隙，从而调控掺杂导电叠层的性能，减小形成的掺杂导电叠层对入射光线的吸收能力，实现低光学吸收，且能够有效抑制H元素的溢出，有利于提高掺杂导电叠层的钝化效果，第一掺杂元素也可以为氢元素，通过掺杂有氢元素，有利于提高掺杂导电叠层的钝化性能，有利于提高太阳能电池的效率；且还设置在沿基底指向隧穿氧化层的方向上，掺杂导电叠层中各层掺杂的第一掺杂元素的总浓度逐层降低，以调节掺杂导电叠层的带隙，实现对掺杂导电叠层中各层不同程度的性能调控，并使得掺杂导电叠层中，第一掺杂导电层对入射光线的吸收能力相对较弱，从而经由第一掺杂导电层到达基底的入射光线较多，从而可以提高对入射光线的利用率，实现低光学吸收；
此外，掺杂导电叠层中各层还掺杂有第二掺杂元素，第二掺杂元素为N型元素或者P型元素，通过掺杂有第一掺杂元素，例如，碳元素、氮元素或者氧元素，能够形成相较于Si-Si键，键能较大的C-Si键、N-Si键或者O-Si键，键能较大的C-Si键、N-Si键或者O-Si键不易断裂，能够抑制第二掺杂元素的掺杂，通过设置在沿基底指向隧穿氧化层的方向上，掺杂导电叠层中各层掺杂的第一掺杂元素的总浓度逐层降低，能够使得在沿基底指向隧穿氧化层的方向上，掺杂导电叠层中各层掺杂的第二掺杂元素总浓度逐层增加，使得掺杂导电叠层与隧穿氧化层接触的界面具有较低浓度的第二掺杂元素，减少第二掺杂元素对隧穿氧化层钝化效果的影响，并使得掺杂导电叠层远离基底的表面具有较高浓度的第二掺杂元素，有利于掺杂导电叠层与电极之间形成良好的欧姆接触。
下面将结合附图对本申请的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本申请各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
图1为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的结构示意图，图2为本申请一实施例提供的另一种太阳能电池的结构示意图；
参考图1，太阳能电池包括基底100，基底100具有第一表面10。太阳能电池包括隧穿氧化层101，位于第一表面10。太阳能电池包括掺杂导电叠层102，掺杂导电叠层102位于隧穿氧化层101远离第一表面10一侧，掺杂导电叠层102至少包括朝向远离第一表面10方向依次设置的第一掺杂导电层202、第二掺杂导电层302及第三掺杂导电层402，掺杂导电叠层102的各层均掺杂有第一掺杂元素，第一掺杂元素包括碳元素、氮元素、氧元素或者氢元素中的至少一种，在沿预设方向上，掺杂导电叠层102中各层掺杂的第一掺杂元素的总浓度逐层降低，预设方向为基底100指向隧穿氧化层101的方向。
通过掺杂有第一掺杂元素，可以调节掺杂导电叠层中各层的带隙，从而调控掺杂导电叠层102的性能，减小形成的掺杂导电叠层102对入射光线的吸收能力，实现低光学吸收，且通过掺杂有碳元素、氮元素或者氧元素中的至少一种，碳元素、氮元素以及氧元素容易捕获氢元素，能够形成相较于Si-H键，键能较大的C-H键、N-H键或者O-H键，从而有效抑制H元素的溢出，有利于提高掺杂导电叠层的钝化效果，另外，第一掺杂元素也可以为氢元素，通过掺杂有氢元素，有利于提高掺杂导电叠层的钝化性能，有利于提高太阳能电池的效率；且还设置在沿预设方向上，掺杂导电叠层中各层掺杂的第一掺杂元素的总浓度逐层降低，调节掺杂导电叠层102的带隙，实现对掺杂导电叠层102中各层不同程度的性能调控，并使得掺杂导电叠层102中，第一掺杂导电层202对入射光线的吸收能力相对较弱，从而经由第一掺杂导电层到达基底的入射光线较多，从而可以提高对入射光线的利用率，实现低光学吸收。
其中，掺杂导电叠层102中各层掺杂的第一掺杂元素的总浓度指的是掺杂导电叠层102中各层掺杂导电层掺杂的所有第一掺杂元素的浓度之和。例如，第一掺杂导电层202可以掺杂有碳元素和氮元素，第一掺杂导电层202掺杂的第一掺杂元素的总浓度则为第一掺杂导电层202中掺杂的碳元素和氮元素的浓度之和。
在一些实施例中，太阳能电池为隧穿氧化层钝化接触电池(Tunnel OxidePassivated Contact，TOPCon)，可以包括双面隧穿氧化层钝化接触电池或单面隧穿氧化层钝化接触电池。
基底100为吸收入射光子而产生光生载流子的区域。在一些实施例中，基底100为硅基底，基底100的材料可以包括单晶硅、多晶硅、非晶硅或微晶硅中的一种或多种。在一些实施例中，基底100的材料还可以为碳化硅、有机材料或多元化合物，多元化合物可以包括但不限于钙钛矿、砷化镓、碲化镉、铜铟硒等材料。基底100内还可以掺杂有掺杂元素，掺杂元素的类型为N型或者P型，N型元素可以为磷(P)元素、铋(Bi)元素、锑(Sb)元素或砷(As)元素等Ⅴ族元素，P型元素可以为硼(B)元素、铝(Al)元素、镓(Ga)元素或铟(In)元素等Ⅲ族元素。
基底100的第一表面10可以为抛光面结构，例如，可以采用碱性溶液或者酸性溶液对第一表面10进行抛光处理，使基底100的第一表面10为抛光面，抛光面可以增加光的内反射，降低载流子表面复合速率，提升电池光电转换效率。基底100还可以具有与第一表面10正对的第二表面11。在一些实施例中，第二表面11具有绒面结构，绒面结构可以提高入射光的内反射，从而降低入射光的光学损失。绒面结构可以通过溶液制绒法或者激光制绒法制备。绒面结构可以包括金字塔结构、类金字塔结构或者其他任意具有高宽深比的斜面结构。
在一些实施例中，基底100的第二表面11可以为正面且第一表面10为背面，或者基底100的第一表面10可以为背面且第二表面11为正面，即太阳能电池为单面电池，正面可以作为受光面，用于接收入射光线，背面作为背光面。在一些实施例中，太阳能电池为双面电池，即基底的第一表面10以及第二表面11均可以作为受光面，均可用于接收入射光线。
太阳能电池还可以包括第一电极104，第一电极104设置于第三掺杂导电层402远离第一表面10的一侧，且与第三掺杂导电层403电接触。在一些实施例中，第一电极104的材料可以为银、铝、铜、锡、金、铅或者镍中的一种。
在一些实施例中，第二表面11朝向远离基底100的方向依次设置有发射极103、钝化层105和第二电极106，其中，第二电极106贯穿钝化层105与发射极103接触。其中，发射极103可以掺杂有N型元素或者P型元素。例如，发射极103可以掺杂有P型元素，基底100掺杂有N型元素，发射极103与基底100形成PN结。在一些实施例中，发射极103可以通过对基底100的表层进行P型离子的扩散掺杂得到，被掺杂的部分基底100转化为发射极103。钝化层105的材料可以为氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮氧化硅或者碳氮氧化硅中的一种或多种，钝化层105可以为单层结构，或者，钝化层105也可以为多层结构。第二电极106的材料可以为银、铝、铜、锡、金、铅或者镍中的一种。
隧穿氧化层101以及掺杂导电叠层102可以作为钝化接触层，其中，隧穿氧化层110用于实现基底100第一表面10的界面钝化，起到化学钝化的效果。具体地，由于基底100界面处存在界面态缺陷，使得基底100界面态密度较大，而界面态密度的增大会促进光生载流子的复合，从而降低太阳能电池的填充因子以及转换效率。因此，设置隧穿氧化层101位于基底100第一表面，通过饱和基底100表面的悬挂键，降低基底100表面的界面缺陷态密度，从而减少基底100表面的复合中心来降低载流子复合速率，使得隧穿氧化层101对基底100第一表面10起到化学钝化的效果。在一些实施例中，隧穿氧化层101的材料可以为氧化硅、氟化镁、氧化硅、非晶硅、多晶硅、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或者氧化钛等电介质材料。
掺杂导电叠层102用于形成场钝化层，其中，场钝化作用为：在基底100的界面处形成一个指向基底100内部的静电场，使少数载流子逃离界面，从而降低少数载流子浓度，使得基底100界面处的载流子复合速率较低，从而使太阳能电池的开路电压、短路电流以及填充因子较大，改善太阳能电池的光电转换性能。
在一些实施例中，掺杂导电叠层102中各层均可以掺杂有第二掺杂元素，第二掺杂元素为N型元素或者P型元素，其中，在沿预设方向上，掺杂导电叠层中各层掺杂的第二掺杂元素总浓度逐层增加，从而使得掺杂导电叠层102与隧穿氧化层101接触的表面具有相对较低浓度的第二掺杂元素，减少第二掺杂元素对隧穿氧化层101钝化效果的影响，同时浓度较低的第一掺杂导电层203与基底之间的准费米能级的差值较小，有利于提升理论开路电压，有利于提升太阳能电池的光电转换效率，使得掺杂导电叠层102中远离基底100的膜层具有相对较高浓度的第二掺杂元素，使得掺杂导电叠层102与第一电极104之间形成良好得欧姆接触，从而可以减小串联电阻，使得太阳能电池具有较大的开路电压，提高太阳能电池的光电转换效率。
在一些实施例中，掺杂导电叠层中各层掺杂的第二掺杂元素均为磷元素时，第一掺杂导电层202中掺杂的第二掺杂元素总浓度可以为1E20cm-3-3E20cm-3，例如，总浓度为1E20cm-3、1.6E20cm-3、2E20cm-3、2.7E20cm-3或者3E20cm-3，第二掺杂导电层302中掺杂的第二掺杂元素总浓度可以为3E20cm-3-5E20cm-3，例如，总浓度为3E20cm-3、3.3E20cm-3、4.4E20cm-3、4.7E20cm-3或者5E20cm-3，第三掺杂导电层402中掺杂的第二掺杂元素总浓度可以为5E20cm-3-1E21cm-3，例如，总浓度为5E20cm-3、6E20cm-3、7.3E20cm-3、9.5E20cm-3或者1E21cm-3。在一些实施例中，掺杂导电叠层中各层掺杂的第二掺杂元素均为硼元素时，第一掺杂导电层202中掺杂的第二掺杂元素总浓度可以小于5E18cm-3，例如，总浓度为5E18cm-3、7E18cm-3、6E17cm-3、4E16cm-3或者3E15cm-3，第二掺杂导电层302中掺杂的第二掺杂元素总浓度可以为5E18cm-3-1E19cm-3，例如，总浓度为5E18cm-3、5.6E18cm-3、7E18cm-3、8E18cm-3或者1E19cm-3，第三掺杂导电层402中掺杂的第二掺杂元素总浓度可以为1E19cm-3-1E20cm-3，例如，总浓度为1E19cm-3、4E19cm-3、7.3E19cm-3、9.5E19cm-3或者1E20cm-3。如此，掺杂导电叠层102整体的掺杂浓度适中，能够避免掺杂导电叠层102掺杂的总浓度过高时，造成的发射极区域少子复合增大，从而有利于提高少子寿命，避免电池短路，并有利于提高电流密度和太阳能电池的效率。
此外，掺杂导电叠层102中掺杂的第一掺杂元素还可以抑制第二掺杂元素的掺杂。具体地，通过在掺杂导电叠层中掺杂有第一掺杂元素，例如，碳元素、氮元素或者氧元素，能够形成相较于Si-Si键，键能较大的C-Si键、N-Si键或者O-Si键，键能较大的C-Si键、N-Si键或者O-Si键不易断裂，能够抑制第二掺杂元素的掺杂，掺杂导电层中掺杂的第一掺杂元素总浓度越大，对抑制第二掺杂元素扩散的效果越好。通过设置在沿预设方向上，掺杂导电叠层102中各层掺杂的第一掺杂元素总浓度逐层降低，使得在对掺杂有第一掺杂元素的掺杂导电叠层102掺杂第二掺杂元素过程中，在沿预设方向上，掺杂导电叠层102中掺杂的第二掺杂元素总浓度逐层降低，从而有利于在提高太阳能电池的钝效果的同时，降低掺杂导电叠层102对入射光线的吸收，并使得掺杂导电叠层102与第一电极104之间形成良好的欧姆接触。
掺杂导电叠层102与基底100具有相同导电类型的掺杂元素，掺杂导电叠层102的材料可以为掺杂多晶硅、掺杂微晶硅或者掺杂非晶硅中的一种或多种。例如，基底100掺杂有N型元素，掺杂导电叠层102的材料可以为N型掺杂多晶硅、N型掺杂微晶硅或N型掺杂非晶硅的一种或多种。
掺杂导电叠层102中各层掺杂的第二掺杂元素的总浓度还与掺杂导电叠层102中各层的晶界数量有关，晶界为第二掺杂元素的扩散通道，掺杂导电层中单位体积的晶界数量越多，掺杂导电层中掺杂的第二掺杂元素浓度越大。
在一些实施例中，在沿预设方向上，掺杂导电叠层102中各层的结晶度逐层变大，结晶度表示聚合物中结晶区域所占的比例。例如，第一掺杂导电层203的原材料为非晶硅，第二掺杂导电层302的原材料为非晶硅和多晶硅，第三掺杂导电层402的原材料为多晶硅，由于非晶硅无晶界，多晶硅完全由晶界相隔的硅晶体颗粒构成，从而第一掺杂导电层202中单位体积的晶界数量小于第二掺杂导电层302中单位体积的晶界数量，第二掺杂导电层302中单位体积的晶界数量小于第三掺杂导电层402中单位体积的晶界数量，从而在进行掺杂处理形成掺杂导电叠层102之后，在沿预设方向上，掺杂导电叠层102中各层掺杂的第二掺杂元素的总浓度逐层增加。又例如，掺杂导电叠层102中各层的原材料均可以为多晶硅和非晶硅，在沿预设方向上，掺杂导电叠层102中各层中多晶硅与非晶硅的质量百分比逐层增加，以使得在沿预设方向上，掺杂导电叠层102中各层的结晶度逐层增大，掺杂导电叠层102中各层单位体积的晶界数量逐层增加。
形成掺杂导电叠层的工艺可以包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD，plasmaenhanced chemical vapor deposition)和低压力化学气相沉积(LPCVD，Low PressureChemical Vapor Deposition)。掺杂导电叠层中各层的结晶度与各层的沉积温度有关，沉积温度越大，掺杂导电层的结晶度越大，可以通过调控形成掺杂导电叠层中各膜层的沉积温度来获得在沿预设方向上，结晶度逐层增加的掺杂导电叠层102。
在沿预设方向上，掺杂导电叠层102中相邻层掺杂的第一掺杂元素总浓度的差值可以在1E18cm-3-9E20cm-3范围内，例如，差值可以为1E18cm-3、3E18cm-3、7E18cm-3、5E19cm-3、6E20cm-3或者9E20cm-3，以保证掺杂导电叠层102中各层掺杂的第一掺杂元素的掺杂量适合，从而有利于调节掺杂导电叠层102中各层掺杂的第二掺杂元素的掺杂量适合，能够提高钝化效果，降低掺杂导电叠层102的吸光能力。
在一些实施例中，第一掺杂导电层202中掺杂的第一掺杂元素浓度可以为1E20cm-3-1E21cm-3，例如，第一掺杂元素浓度可以为1E20cm-3、3E20cm-3、4E20cm-3、5E20cm-3、8E20cm-3、9E20cm-3或者1E21cm-3。第二掺杂导电层302中掺杂的第一掺杂元素浓度可以为1E19cm-3-9E19cm-3，例如，第一掺杂元素浓度可以为1E19cm-3、3E19cm-3、5E19cm-3、7E19cm-3、8E19cm-3或者9E19cm-3。第三掺杂导电层402中掺杂的第一掺杂元素浓度可以小于9E18cm-3，例如，第一掺杂元素浓度可以为9E18cm-3、8E18cm-3、7E18cm-3、9E17cm-3、7E17cm-3、5E16cm-3或者4E15cm-3。
第三掺杂导电层402的厚度可以大于第一掺杂导电层202的厚度，第三掺杂导电层402的厚度可以大于第二掺杂导电层202的厚度，如此，掺杂导电叠层102中，第三掺杂导电层402的厚度相对较大，有利于提高第三掺杂导电层402中掺杂的第二掺杂元素的总含量，从而有利于降低第三掺杂导电层402的横向电阻，能够保证载流子的横向传输速率。在一些实施例中，也可以设置掺杂导电叠层102中各层的厚度一致。
其中，第一掺杂导电层202的厚度可以为10nm～30nm，例如，厚度可以为10nm、14nm、19nm、23nm、28nm或者30nm，第二掺杂导电层302的厚度可以为10nm～30nm，例如，厚度可以为10nm、14nm、19nm、23nm、28nm或者30nm，第三掺杂导电层402的厚度可以为30nm～60nm，例如，厚度可以为30nm、32nm、44nm、52nm、57nm或者60nm。如此，第三掺杂导电层402的厚度较大，有利于提高第三掺杂导电层402中掺杂的第二掺杂元素的总浓度，从而有利于降低第三掺杂导电层402的横向电阻，能够保证载流子的横向传输速率，且掺杂导电叠层102的总厚度适中，能够在保证掺杂导电叠层102具有较好的钝化效果的同时，避免在制备第一电极104时被浆料烧穿破坏隧穿氧化层，且掺杂导电叠层102的厚度适中。且如此设置，掺杂导电叠层102的厚度可以为50nm～120nm，在此厚度范围内，能够避免掺杂导电叠层102厚度过大掺杂量过多，避免由于掺杂量过多导致的钝化效果差，有利于提高钝化效果，且能够避免由于掺杂导电叠层102过小导致的掺杂量太少，不利于金属接触效果，有利于提高金属接触效果。
可以理解的是，掺杂导电叠层102也可以包括三层以上的掺杂导电层，其中，在沿预设方向上，掺杂导电叠层102中掺杂的第一掺杂元素总浓度逐层降低，掺杂导电叠层102中存在的第二掺杂元素总浓度逐层增加，且掺杂导电叠层102中离基底100最远的掺杂导电层厚度最大。参考图2，在一些实施例中，掺杂导电叠层102可以包括在隧穿氧化层101上沿预设方向设置的第一掺杂导电层202、第二掺杂导电层302、第三掺杂导电层402以及第四掺杂导电层502，其中，在沿预设方向上，掺杂导电叠层102中掺杂的第一掺杂元素总浓度逐层降低，掺杂导电叠层102中存在的第二掺杂元素总浓度逐层增加，第四掺杂导电层502的厚度要大于掺杂导电叠层102中其余各层掺杂导电层的厚度，第一电极104与第四掺杂导电层502接触。
上述实施例提供的太阳能电池，在掺杂导电叠层102中掺杂有第一掺杂元素，第一掺杂元素可以为碳元素、氮元素或者氧元素中的至少一种，通过掺杂有第一掺杂元素，可以调节掺杂导电叠层中各层的带隙，从而调控掺杂导电叠层102的性能，减小形成的掺杂导电叠层102对入射光线的吸收能力，实现低光学吸收，且通过掺杂有碳元素、氮元素或者氧元素中的至少一种，碳元素、氮元素以及氧元素容易捕获氢元素，能够形成相较于Si-H键，键能较大的C-H键、N-H键或者O-H键，从而有效抑制H元素的溢出，有利于提高掺杂导电叠层的钝化效果，另外，第一掺杂元素也可以为氢元素，通过掺杂有氢元素，有利于提高掺杂导电叠层的钝化性能，有利于提高太阳能电池的效率。
此外，还设置在沿预设方向上，掺杂导电叠层中各层掺杂的第一掺杂元素的总浓度逐层降低，以调节掺杂导电叠层102的带隙，实现对掺杂导电叠层102中各层不同程度的性能调控，其中，通过掺杂有碳元素、氮元素或者氧元素，能够形成相较于Si-Si键，键能较大的C-Si键、N-Si键或者O-Si键，键能较大的C-Si键、N-Si键或者O-Si键不易断裂，能够抑制第二掺杂元素的掺杂，通过设置在沿预设方向上，掺杂导电叠层102中各层掺杂的第一掺杂元素总浓度逐层降低，以及掺杂导电叠层102中各层的结晶度逐层增大，使得在对掺杂有第一掺杂元素的掺杂导电叠层102掺杂第二掺杂元素过程中，在沿预设方向上，掺杂导电叠层102中掺杂的第二掺杂元素总浓度逐层降低，从而有利于在提高太阳能电池的钝效果的同时，降低掺杂导电叠层102对入射光线的吸收，并使得掺杂导电叠层102与第一电极104之间形成良好的欧姆接触。
相应的，本申请另一实施例还提供一种太阳能电池的制造方法，前述实施例提供的太阳能电池可由本申请另一实施例提供的太阳能电池的制造方法制成。以下将结合附图对本申请另一实施例提供的太阳能电池的制造方法进行详细说明，与前一实施例相同或者相应的部分，可参考前述实施例的相应说明，以下将不做详细赘述。图3为本申请另一实施例提供的一种太阳能电池的制造方法对应的流程图，图4至图7为本申请另一实施例提供的一种太阳能电池的制造方法各步骤对应的结构示意图。
参考图3及图4，步骤S10，提供基底100，基底100具有第一表面10。
基底100还具有与第一表面10正对的第二表面11，第二表面上形成有发射极103。形成发射极103的方法可以为：对基底100的第一表面11进行扩散处理，形成发射极103，发射机103掺杂的掺杂元素类型与基底100掺杂的掺杂元素类型相反，发射极103与基底100形成PN结。
参考图3及图5，步骤S11，在第一表面10上形成隧穿氧化层101。
隧穿氧化层101的材料可以为氧化硅、氟化镁、氧化硅、非晶硅、多晶硅、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或者氧化钛等电介质材料。
在一些实施例中，可以采用沉积工艺形成隧穿氧化层101，例如可以采用化学气相沉积工艺。在一些实施例中，当隧穿氧化层101的材料为氧化硅时，也可以采用原位生长工艺形成隧穿氧化层101，例如可以采用热氧化工艺以及硝酸钝化等工艺在基底100第一表面上原位生成隧穿氧化层101。
参考图3及图6，步骤S12，形成掺杂导电叠层102，掺杂导电叠层102位于隧穿氧化层101远离第一表面10一侧，掺杂导电叠层102至少包括朝向远离第一表面10依次设置的第一掺杂导电层202、第二掺杂导电层302及第三掺杂导电层402。
其中，掺杂导电叠层102的各层均掺杂有第一掺杂元素，第一掺杂元素包括碳元素、氮元素、氧元素或者氢元素中的至少一种，通过掺杂有第一掺杂元素，可以调节掺杂导电叠层中各层的带隙，从而调控掺杂导电叠层102的性能，减小形成的掺杂导电叠层102对入射光线的吸收能力，实现低光学吸收，且通过掺杂有碳元素、氮元素或者氧元素中的至少一种，碳元素、氮元素以及氧元素容易捕获氢元素，能够形成键能较大的C-Si键、N-H键或者O-H键，从而有效抑制H元素的溢出，有利于提高掺杂导电叠层的钝化效果，另外，第一掺杂元素也可以为氢元素，通过掺杂有氢元素，有利于提高掺杂导电叠层的钝化性能，有利于提高太阳能电池的效率；在沿预设方向上，掺杂导电叠层102中各层掺杂的第一掺杂元素的总浓度逐层降低，预设方向为基底100指向隧穿氧化层101的方向，以实现对掺杂导电叠层102中各层不同程度的性能调控，使得掺杂导电叠层102中，第一掺杂导电层202对入射光线的吸收能力相对较弱，从而经由第一掺杂导电层203到达基底的入射光线较多，从而可以提高对入射光线的利用率，实现低光学吸收。
形成掺杂导电叠层102的步骤可以包括：在第一温度条件下，在隧穿氧化层101远离第一表面10一侧形成第一掺杂导电层202；在第二温度条件下，在第一掺杂导电层202远离第一表面一侧形成第二掺杂导电层302；在第三温度条件下，在第二掺杂导电层302远离第一表面一侧形成第三掺杂导电层402；其中，第一温度小于第二温度，第二温度小于第三温度。
掺杂导电层的结晶度与形成温度有关，形成温度越高，掺杂导电层的结晶度越大，通过设置第一温度小于第二温度，第二温度小于第三温度，能够使得第一掺杂导电层202的结晶度小于第二掺杂导电层302的结晶度，第二掺杂导电层302的结晶度小于第三掺杂导电层402的结晶度。
此外，在掺杂导电叠层的各层内还可以掺杂第二掺杂元素，第二掺杂元素为N型元素或者P型元素，在沿预设方向上，掺杂导电叠层中各层掺杂的第二掺杂元素总浓度逐层增加，以使得掺杂导电叠层102与隧穿氧化层101接触的表面具有相对较低浓度的第二掺杂元素，减少第二掺杂元素对隧穿氧化层101钝化效果的影响，同时浓度较低的第一掺杂导电层203与基底之间的准费米能级的差值较小，有利于提升理论开路电压，有利于提升太阳能电池的光电转换效率，使得掺杂导电叠层102中远离基底100的膜层具有相对较高浓度的第二掺杂元素，使得掺杂导电叠层102与第一电极104之间形成良好得欧姆接触，从而可以减小串联电阻，使得太阳能电池具有较大的开路电压，提高太阳能电池的光电转换效率。其中，第二掺杂元素第二掺杂元素的掺杂浓度与掺杂导电层单位体积的晶界的数量有关，晶界为第二掺杂元素的扩散通道，掺杂导电层中单位体积的晶界数量越多，掺杂导电层中掺杂的第二掺杂元素浓度越大而掺杂导电层中单位体积的经济数量与掺杂导电层的结晶度有关。
例如，第一掺杂导电层203的原材料为非晶硅，第二掺杂导电层302的原材料为非晶硅和多晶硅，第三掺杂导电层402的原材料为多晶硅，由于非晶硅无晶界，多晶硅完全由晶界相隔的硅晶体颗粒构成，第一掺杂导电层202中单位体积的晶界数量小于第二掺杂导电层302中单位体积的晶界数量，第二掺杂导电层302中单位体积的晶界数量小于第三掺杂导电层402中单位体积的晶界数量，从而在进行掺杂处理形成掺杂导电叠层102之后，在沿预设方向上，掺杂导电叠层102中各层掺杂的第二掺杂元素的总浓度逐层增加。
在一些实施例中，第二温度与第一温度的差值可以为100℃-300℃，例如，差值可以为100℃、124℃、167℃、230℃、274℃或者300℃；第三温度与第二温度的差值可以为100℃-350℃，例如，差值可以为100℃、134℃、187℃、255℃、326℃或者350℃。第一温度可以为350℃-550℃，例如，第一温度可以为350℃、384℃、427℃、490℃、524℃或者550℃；第二温度可以为450℃-650℃，例如，第二温度可以为450℃、484℃、542℃、589℃、634℃或者650℃；第三温度可以为550℃-800℃，例如，第三温度可以为550℃、584℃、637℃、730℃、774℃或者800℃。
为匹配形成掺杂导电叠层102中各层不同的沉积温度，形成掺杂导电叠层102的方法可以包括：采用PECVD工艺形成第一掺杂导电层202；采用PECVD工艺形成第二掺杂导电层302；采用LPCVD工艺形成第三掺杂导电层402。
在一些实施例中，可以采用原位掺杂工艺，在掺杂导电叠层102的各层内掺杂第一掺杂元素，也即在沉积每一层掺杂导电层的步骤中，还通入含第一掺杂元素的气体进行掺杂处理。在一些实施例中，也可以在形成每一本征导电层后，采用高温扩散或者离子注入的方式向本征导电层内掺入第一掺杂元素。其中，可以通过调控每一掺杂导电层制作过程中，通入的第一掺杂元素流量来控制每一掺杂导电层中的第一掺杂元素浓度。例如，形成第一掺杂导电层203的步骤中，通入的第一掺杂元素的流量可以为100sccm～180sccm，例如，流量可以为100sccm、126sccm、155sccm、173sccm或者180sccm；形成第二掺杂导电层302的步骤中，通入的第二掺杂元素的流量可以为180sccm～235sccm，例如，流量可以为180sccm、195sccm、214sccm、224sccm或者235sccm；形成第三掺杂导电层402的步骤中，通入的第二掺杂元素的流量可以为220sccm～350sccm，例如，流量可以为220sccm、254sccm、295sccm、321sccm或者350sccm。
可以理解的是，除了通过调节形成掺杂导电叠层102各层的温度以调节掺杂导电叠层102中各层的结晶度，以获得具有预设浓度梯度的第二掺杂元素的掺杂导电叠层，掺杂导电叠层102中各层掺杂的第二掺杂元素浓度还与第一掺杂元素的浓度有关。例如，第一掺杂元素碳元素、氮元素或者氧元素，能够形成相较于Si-Si键，键能较大的C-Si键、N-Si键或者O-Si键，键能较大的C-Si键、N-Si键或者O-Si键不易断裂，能够抑制第二掺杂元素的掺杂，掺杂导电层中掺杂的第一掺杂元素总浓度越大，对抑制第二掺杂元素扩散的效果越好。通过设置在沿预设方向上，掺杂导电叠层102中各层掺杂的第一掺杂元素总浓度逐层降低，使得在对掺杂有第一掺杂元素的掺杂导电叠层102掺杂第二掺杂元素过程中，在沿预设方向上，掺杂导电叠层102中掺杂的第二掺杂元素总浓度逐层降低。
对于掺杂导电叠层102中的各层，可以先掺杂第一掺杂元素，后掺杂第二掺杂元素，以通过先掺杂的第一掺杂元素来调控后掺杂的第二掺杂元素。例如，可以采用原位掺杂工艺形成掺杂有第一掺杂元素的掺杂导电叠层，然后再采用高温扩散或者离子注入的方式向掺杂导电叠层102中掺杂第二掺杂元素。又例如，可以在采用原位掺杂工艺形成每一具有第一掺杂元素的掺杂导电层，向该掺杂导电层中掺杂第二掺杂元素，再于该掺杂有第一掺杂元素和第二掺杂元素的掺杂导电层上沉积下一掺杂导电层。在一些实施例中，也可以采用原位掺杂工艺，同时掺杂第一掺杂元素和第二掺杂元素。在一些实施例中，也可以先形成第一本征导电层，然后采用高温扩散或者离子注入的方式向第一本征导电层中同步掺入第一掺杂元素和第二掺杂元素，以获得第一掺杂导电层；在第一掺杂导电层202上形成第二本征导电层，然后采用高温扩散或者离子注入的方式向第二本征导电层中同步掺入第一掺杂元素和第二掺杂元素，以获得第二掺杂导电层302；在第二掺杂导电层302上形成第三本征导电层，然后采用高温扩散或者离子注入的方式向第三本征导电层中同步掺入第一掺杂元素和第二掺杂元素，以获得第三掺杂导电层402。
参考图7，后续步骤还包括：在发射极103远离基底100的表面上形成钝化层105；形成第一电极104以及第二电极106，第一电极104与第三掺杂导电层402电接触，第二电极106贯穿钝化层105与发射极103接触。
在一些实施例中，形成第一电极104的方法可以包括：采用丝网印刷工艺在部分第三掺杂导电层402表面印刷金属浆料；对金属浆料进行烧结工艺，以形成第一电极。金属浆料可以包括银、率、铜、锡、金、铅或者镍中的至少一者。
其中，在对金属浆料进行烧结工过程中，由于金属浆料中具有玻璃等高腐蚀性成分的材料，如此，在烧结过程中，腐蚀性成分将会对部分第三掺杂导电层402进行腐蚀，从而使得金属浆料在部分第三掺杂导电层402中渗透。以使金属浆料自第三掺杂导电层402远离基底100的一侧烧穿至部分厚度的第三掺杂导电层402中，形成第一电极104。
在一些实施例中，形成第二电极106的工艺可以与形成第一电极104的工艺相同，可参考上述对形成第一电极104的方法的描述，将不做详细赘述。
相应的，本申请又一实施例还提供一种光伏组件，光伏组件包括前述实施例提供的太阳能电池或根据前述实施例提供的太阳能电池的制造方法制得的太阳能电池。以下将结合附图对本申请又一实施例提供的光伏组件进行详细说明，与前一实施例相同或者相应的部分，可参考前述实施例的相应说明，以下将不做详细赘述。图8为本申请又一实施例提供的一种光伏组件的结构示意图。
参考图8，光伏组件包括电池串，电池串包括前述实施例提供太阳能电池20或根据前述实施例提供的太阳能电池的制造方法制得的太阳能电池20；封装层21，封装层21用于覆盖电池串的表面；盖板22，盖板22用于覆盖封装层21远离电池串的表面。由于上述实施例提供的太阳能电池20具有较高的光电转换效率，因此，由太阳能电池20构成的光伏组件也具有较优性能。
其中，太阳能电池20以整片或者多分片的形式电连接形成多个电池串，多个电池串以串联和/或并联的方式进行电连接。在一些实施例中，多个电池串之间可以通过导电带23电连接。图8仅示意出一种太阳能电池之间的位置关系，即电池片具有相同的极性的电极的排布方向相同或者说具有每个电池片具有正极极性的电极均朝同一侧排布，从而导电带分别连接两个相邻的电池片的不同侧。在一些实施例中，电池片也可以按照不同极性的电极朝向同一侧，即相邻的多个电池片的电极分别为第一极性、第二极性、第一极性的顺序依次排序，则导电带连接同一侧的两个相邻的电池片。
封装层21可以为乙烯-乙酸乙烯共聚物(EVA)胶膜、聚乙烯辛烯共弹性体(POE)胶膜或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)胶膜或聚乙烯醇缩丁醛酯(PVB)等有机封装胶膜。在一些实施例中，盖板22可以为玻璃盖板、塑料盖板等具有透光功能的盖板22。具体地，盖板22朝向封装层21的表面可以为凹凸表面，从而增加入射光线的利用率。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本申请的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本申请的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种改动与修改，因此本申请的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。

Claims (16)

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
基底，所述基底具有第一表面；
隧穿氧化层，位于所述第一表面；
掺杂导电叠层，所述掺杂导电叠层位于所述隧穿氧化层远离所述第一表面一侧，所述掺杂导电叠层至少包括朝向远离所述第一表面方向依次设置的第一掺杂导电层、第二掺杂导电层及第三掺杂导电层，所述掺杂导电叠层的各层均掺杂有第一掺杂元素，第一掺杂元素包括碳元素、氮元素、氧元素或者氢元素中的至少一种，在沿预设方向上，所述掺杂导电叠层中各层掺杂的所述第一掺杂元素的总浓度逐层降低，所述预设方向为所述基底指向所述隧穿氧化层的方向。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述预设方向上，所述掺杂导电叠层中相邻层掺杂的所述第一掺杂元素总浓度的差值在1E18cm-3-9E20cm-3范围内。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿所述预设方向上，所述掺杂导电叠层中各层的结晶度逐层变大。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂导电层中单位体积的晶界数量小于所述第二掺杂导电层中单位体积的晶界数量，所述第二掺杂导电层中单位体积的晶界数量小于所述第三掺杂导电层中单位体积的晶界数量。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第三掺杂导电层的厚度大于所述第一掺杂导电层的厚度，所述第三掺杂导电层的厚度大于所述第二掺杂导电层的厚度。
6.根据权利要求1-5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂导电叠层中各层均掺杂有第二掺杂元素，所述第二掺杂元素为N型元素或者P型元素，其中，在沿所述预设方向上，所述掺杂导电叠层中各层掺杂的所述第二掺杂元素总浓度逐层增加。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：第一电极，设置于所述第三掺杂导电层远离所述第一表面的一侧，且与所述第三掺杂导电层电接触；所述基底还包括与所述第一表面正对的第二表面，所述第二表面朝向远离所述基底的方向依次设置有发射极、钝化层和第二电极，其中，所述第二电极贯穿所述钝化层与所述发射极电接触。
8.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底具有第一表面；
在所述第一表面上形成隧穿氧化层；
形成掺杂导电叠层，所述掺杂导电叠层位于所述隧穿氧化层远离所述第一表面一侧，所述掺杂导电叠层至少包括朝向远离所述第一表面依次设置的第一掺杂导电层、第二掺杂导电层及第三掺杂导电层；
其中，所述掺杂导电叠层的各层均掺杂有第一掺杂元素，第一掺杂元素包括碳元素、氮元素、氧元素或者氢元素中的至少一种，在沿预设方向上，所述掺杂导电叠层中各层掺杂的所述第一掺杂元素的总浓度逐层降低，所述预设方向为所述基底指向所述隧穿氧化层的方向。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，形成所述掺杂导电叠层的步骤包括：
在第一温度条件下，在所述隧穿氧化层远离所述第一表面一侧形成第一掺杂导电层；
在第二温度条件下，在所述第一掺杂导电层远离所述第一表面一侧形成第二掺杂导电层；
在第三温度条件下，在所述第二掺杂导电层远离所述第一表面一侧形成第三掺杂导电层；
其中，所述第一温度小于所述第二温度，所述第二温度小于所述第三温度。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第二温度与所述第一温度的差值为100℃-300℃；所述第三温度与所述第二温度的差值为100℃-350℃。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述第一温度为350℃-550℃；所述第二温度为450℃-650℃；所述第三温度为550℃-800℃。
12.根据权利要求8-11任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，采用PECVD工艺形成所述第一掺杂导电层；采用PECVD工艺形成所述第二掺杂导电层；采用LPCVD工艺形成所述第三掺杂导电层。
13.根据权利要求8所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，采用原位掺杂工艺，在所述掺杂导电叠层的各层内掺杂所述第一掺杂元素。
14.根据权利要求8所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，还包括：在所述掺杂导电叠层的各层内掺杂第二掺杂元素，所述第二掺杂元素为N型元素或者P型元素，在沿所述预设方向上，所述掺杂导电叠层中各层掺杂的所述第二掺杂元素总浓度逐层增加。
15.根据权利要求14所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，对于所述掺杂导电叠层中的各层，先掺杂所述第一掺杂元素，后掺杂所述第二掺杂元素；或者，采用原位掺杂工艺，同时掺杂所述第一掺杂元素和所述第二掺杂元素。
16.一种光伏组件，其特征在于，包括：
电池串，所述电池串包括根据权利要求1-7任一项所述的太阳能电池或根据权利要求8-15所述的太阳能电池的制造方法制得的太阳能电池；
封装层，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面；
盖板，所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。
CN202310693500.7A 2023-06-12 2023-06-12 太阳能电池、太阳能电池的制造方法及光伏组件 Pending CN116759468A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310693500.7A CN116759468A (zh) 2023-06-12 2023-06-12 太阳能电池、太阳能电池的制造方法及光伏组件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310693500.7A CN116759468A (zh) 2023-06-12 2023-06-12 太阳能电池、太阳能电池的制造方法及光伏组件

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116759468A true CN116759468A (zh) 2023-09-15

Family

ID=87954633

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310693500.7A Pending CN116759468A (zh) 2023-06-12 2023-06-12 太阳能电池、太阳能电池的制造方法及光伏组件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116759468A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117594669A (zh) * 2024-01-19 2024-02-23 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及其制备方法、叠层电池及光伏组件
CN117594669B (zh) * 2024-01-19 2024-05-17 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及其制备方法、叠层电池及光伏组件

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117594669A (zh) * 2024-01-19 2024-02-23 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及其制备方法、叠层电池及光伏组件
CN117594669B (zh) * 2024-01-19 2024-05-17 浙江晶科能源有限公司 太阳能电池及其制备方法、叠层电池及光伏组件

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6793274B1 (ja) 太陽電池モジュール、太陽電池及びその製造方法
EP3916814A1 (en) Photovoltaic module, solar cell, and method for producing solar cell
EP4235805A1 (en) Solar cell, method for preparing the same, and photovoltaic module
US20110259395A1 (en) Single Junction CIGS/CIS Solar Module
CN113257940A (zh) 叠层光伏器件及生产方法
US20220416107A1 (en) Bifacial tandem photovoltaic cells and modules
CN115985980B (zh) 一种太阳能电池及光伏组件
CN114784148A (zh) 太阳能电池的制备方法及太阳能电池、光伏组件
CN116632093A (zh) 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
CN116404071A (zh) 一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件
CN116259679A (zh) 太阳能电池及光伏组件
CN114050105A (zh) 一种TopCon电池的制备方法
CN117059690A (zh) 太阳能电池及光伏组件
CN219917178U (zh) 一种晶格钝化接触结构、太阳能电池、组件和系统
CN114695583B (zh) 太阳电池及生产方法、光伏组件
CN116759468A (zh) 太阳能电池、太阳能电池的制造方法及光伏组件
CN114361281A (zh) 双面异质结太阳能电池及光伏组件
CN218769554U (zh) 一种太阳能电池以及光伏组件
CN117727838B (zh) 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
JP7336569B1 (ja) 太陽電池およびその製造方法、光起電力モジュール
CN115172478B (zh) 太阳能电池及光伏组件
EP4290590A1 (en) Solar cell
CN114744053B (zh) 太阳能电池及生产方法、光伏组件
CN117995924A (zh) 叠层电池以及光伏组件
CN117594669A (zh) 太阳能电池及其制备方法、叠层电池及光伏组件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination