CN117594669A - 太阳能电池及其制备方法、叠层电池及光伏组件 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法、叠层电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有第一表面；隧穿层，位于第一表面；掺杂导电层，掺杂导电层内具有第一晶粒，位于隧穿层远离基底的表面；掺杂硅层，位于掺杂导电层远离基底的表面，掺杂硅层内具有第二晶粒，在沿背离基底的方向上，掺杂硅层相对于掺杂导电层的平均晶化率由90%减小至0%；第一电极，位于掺杂硅层远离基底一侧，至少与掺杂硅层电接触。本申请实施例有利于提升太阳能电池的光电转化效率。

Description

太阳能电池及其制备方法、叠层电池及光伏组件
技术领域
本申请实施例涉及太阳能电池领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法、叠层电池及光伏组件。
背景技术
太阳能电池具有较好的光电转换能力，在隧穿氧化物钝化接触电池（TOPCON，Tunnel Oxide Passivating Contact）中，设置有钝化接触结构，用于抑制太阳能电池中基底表面的载流子复合，同时为多数载流子提供良好的传导性能。为了对产生的载流子进行传输并收集，还会在太阳能电池中形成电极。电极与钝化接触结构电接触，进而对载流子进行收集。电极对载流子的收集能力对太阳能电池的光电转化性能至关重要。
目前常用的形成电极的工艺为烧结工艺，通过对导电浆料进行烧结，使导电浆料腐蚀部分厚度的钝化接触结构，促使导电浆料渗透至钝化接触结构中，与钝化接触结构电接触。电极与钝化接触结构的电接触性能影响电极对载流子的收集能力。然而，若导电浆料腐蚀过多钝化接触结构，则会导致形成的电极穿透钝化接触结构与基底直接接触，进而在基底表面形成载流子复合中心，不利于太阳能电池的光电转化性能的提升。
发明内容
本申请实施例提供一种太阳能电池及其制备方法、叠层电池及光伏组件，至少有利于提高太阳能电池的光电转化效率。
本申请一实施例提供一种太阳能电池，包括：基底，基底具有第一表面；隧穿层，位于第一表面；掺杂导电层，掺杂导电层内具有第一晶粒，位于隧穿层远离基底的表面；掺杂硅层，位于掺杂导电层远离基底的表面，掺杂硅层内具有第二晶粒，在沿背离基底的方向上，掺杂硅层相对于掺杂导电层的平均晶化率由90%减小至0%；第一电极，位于掺杂硅层远离基底一侧，至少与掺杂硅层电接触。
另外，第一电极仅与掺杂硅层电接触。
另外，第一电极贯穿掺杂硅层，并穿透部分厚度的掺杂导电层，与掺杂导电层电接触。
另外，太阳能电池还包括：第一钝化层，第一钝化层覆盖掺杂硅层远离基底的表面，第一电极位于钝化层远离基底的部分表面，且第一电极穿透钝化层，与掺杂硅层或掺杂导电层电接触。
另外，掺杂硅层包括沿背离基底方向依次邻接的第一区以及第二区，在沿背离基底的方向上，第一区相对于掺杂导电层的平均晶化率在10%~90%之间，第二区相对于掺杂导电层的平均晶化率为0%。
另外，在垂直于第一表面的方向上，第一区的厚度与第二区的厚度之比为0.5~4。
另外，第一区的厚度与第二区的厚度之比随第一区相对于掺杂导电层的平均晶化率的增长而减小。
另外，第一区相对于掺杂导电层的平均晶化率为10%、30%、60%或90%。
另外，在垂直于第一表面的方向上，掺杂硅层的厚度与掺杂导电层的厚度之比为0.1~3。
另外，在垂直于第一表面的方向上，掺杂硅层与掺杂导电层的整体厚度为60nm~300nm。
相应地，本申请另一实施例还提供一种叠层电池，包括：底电池，底电池为如上述任一项所述的太阳能电池；顶电池，顶电池位于底电池中的掺杂硅层远离基底的一侧。
相应地，本申请又一实施例还提供一种太阳能电池的制备方法，包括：提供基底，基底具有第一表面；在第一表面形成隧穿层；在隧穿层表面形成掺杂导电层，掺杂导电层内具有第一晶粒；在掺杂导电层表面形成掺杂硅层，掺杂硅层内具有第二晶粒，在沿背离基底的方向上，掺杂硅层相对于掺杂导电层的平均晶化率由90%减小至0%；在掺杂硅层远离基底的一侧形成第一电极，第一电极至少与掺杂硅层电接触。
另外，形成掺杂导电层和掺杂硅层的方法包括：在隧穿层表面形成初始掺杂导电层；自初始掺杂导电层远离基底的表面对部分厚度的初始掺杂导电层进行激光处理，以将部分厚度的初始掺杂导电层转化为掺杂硅层，未经激光处理的剩余部分初始掺杂导电层构成掺杂导电层。
另外，激光处理所采用的激光器包括：飞秒激光器、纳秒激光器或皮秒激光器中的任一者，所述飞秒激光器、纳秒激光器或皮秒激光器包含：红外激光器、绿光激光器、紫外激光器中的任一者。
另外，激光处理的激光功率为1W~20W，频率在500KHz~3000KHz，扫描速度为5000mm/s~80000mm/s。
另外，激光器为紫外皮秒激光器，激光处理的激光功率为3W~7W，频率为500KHz~1500KHz，扫描速度为30000mm/s~50000mm/s。
另外，在形成第一电极之前还包括：在掺杂硅层表面形成第一钝化层，形成第一电极的方法包括：在待形成第一电极区域的第一钝化层顶面印刷导电浆料，导电浆料包括玻璃粉体，玻璃粉体在导电浆料中的质量占比为2%~6%；对导电浆料进行烧结处理，烧结处理的温度为720℃~780℃。
相应地，本申请再一实施例还提供一种光伏组件，包括电池串，电池串由多个上述任一项的太阳能电池连接而成；封装层，封装层用于覆盖电池串的表面，盖板用于覆盖封装层远离电池串的表面。
本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
本申请实施例提供的太阳能电池的技术方案中，掺杂导电层具有第一晶粒，掺杂硅层具有第二晶粒，即掺杂导电层与掺杂硅层均为多晶结构，掺杂硅层相对于掺杂导电层的晶化率由90%减小至0%。也就是说，掺杂导电层的晶化率大于掺杂硅层的晶化率，能够保证载流子在掺杂导电层中的传输性能。在沿背离基底的方向上，掺杂硅层相对于掺杂导电层的晶化率由90%减小至0%，即最外侧且靠近第一电极处的掺杂硅层的晶化率为0%，为完全未晶化的非晶硅，非晶硅相较于多晶硅的致密度较大，在实际形成第一电极的工艺中，降低第一电极穿透掺杂硅层以及掺杂导电层与基底接触的可能性。掺杂硅层中的其余位置被晶化，且晶化率相较于掺杂导电层较小，如此，使得掺杂硅层集成了非晶硅的优势与多晶硅的优势，一方面保证掺杂硅层具有较大的致密度，另一方面能够保证载流子在掺杂硅层中的迁移能力加强，进而保证第一电极对载流子的收集能力。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的俯视结构示意图；
图2为本申请一实施例提供的第一种太阳能电池的局部剖面结构示意图；
图3为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的拉曼光谱表征图；
图4为本申请一实施例提供的第二种太阳能电池的局部剖面结构示意图；
图5为本申请一实施例提供的第三种太阳能电池的局部剖面结构示意图；
图6为本申请一实施例提供的第四种太阳能电池的局部剖面结构示意图；
图7为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的剖面结构示意图；
图8为本申请又一实施例提供的一种太阳能电池的制备方法中提供基底的步骤对应的剖面结构示意图；
图9为本申请又一实施例提供的一种太阳能电池的制备方法中形成隧穿层的步骤对应的剖面结构示意图；
图10为本申请又一实施例提供的一种太阳能电池的制备方法中形成初始掺杂导电层的步骤对应的剖面结构示意图；
图11为本申请又一实施例提供的一种太阳能电池的制备方法中形成掺杂导电层和掺杂硅层的步骤对应的剖面结构示意图；
图12为本申请又一实施例提供的一种太阳能电池的制备方法中形成第一钝化层的步骤对应的剖面结构示意图；
图13为本申请又一实施例提供的一种太阳能电池的制备方法中形成第一钝化层的步骤对应的俯视结构示意图；
图14为本申请再一实施例提供的一种光伏组件的结构示意图。
具体实施方式
如本文中所使用，描述为彼此“相邻”的特征(例如，区、结构、装置)意指并包含彼此最接近(例如，最靠近)定位的具有一或多个所公开标识的特征。不匹配“相邻”特征的一或多个所公开标识的额外特征(例如，额外区、额外结构、额外装置)可安置于“相邻”特征之间。换句话说，“相邻”特征可定位成直接彼此邻近，使得无其它特征介入于“相邻”特征之间；或“相邻”特征可定位成彼此间接邻近，使得具有除与至少一个“相邻”特征相关联的标识以外的标识的至少一个特征定位在“相邻”特征之间。因此，描述为彼此“竖直相邻”的特征意指并包含位于彼此竖直最接近(例如，竖直最靠近)处的一或多个标识所公开的特征。此外，描述为彼此“水平相邻”的特征意指并包含位于彼此最水平接近(例如，最水平靠近)处的一或多个所公开标识的特征。
以下描述中，在第一部件上方或者上形成或设置有第二部件，或者，在第一部件表面上形成或设置有第二部件，或者，在第一部件一侧形成或设置有第二部件，可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。为了简单和清楚起见，可以以不同比例任意绘制各种部件。在附图中，为了简化，可以省略一些层/部件。
如无特别说明，在第一部件表面形成或设置有第二部件，指的是第一部件与第二部件直接相接触。
其中，上述的“部件”可以指，层、膜、区域、部分、结构等。
由背景技术可知，目前的太阳能电池的光电转化效率较低的问题。
本申请实施例提供一种太阳能电池，掺杂硅层相对于掺杂导电层的晶化率由90%减小至0%，使得掺杂硅层集成了非晶硅的优势与多晶硅的优势，一方面保证掺杂硅层具有较大的致密度，降低第一电极穿透掺杂硅层以及掺杂导电层与基底接触的可能性，另一方面能够保证载流子在掺杂硅层中的迁移能力加强，进而保证第一电极对载流子的收集能力。
下面将结合附图对本申请的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本申请各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
图1为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的俯视结构示意图；图2为本申请一实施例提供的第一种太阳能电池的局部剖面结构示意图。其中，图2为图1中AA’方向的剖面结构示意图。
参考图1以及图2，太阳能电池包括：基底100，基底100具有第一表面1。太阳能电池还包括：隧穿层101，位于第一表面1；掺杂导电层102，掺杂导电层102内具有第一晶粒，位于隧穿层101远离基底100的表面。太阳能电池还包括：掺杂硅层103，位于掺杂导电层102远离基底100的表面，掺杂硅层103内具有第二晶粒，在沿背离基底100的方向上，掺杂硅层103相对于掺杂导电层102的平均晶化率由90%减小至0%。太阳能电池还包括：第一电极104，位于掺杂硅层103远离基底100一侧，至少与掺杂硅层103电接触。
掺杂导电层102中的第一晶粒结合起来结晶成具有多晶结构的掺杂导电层102，掺杂硅层103中的第二晶粒结合起来结晶成掺杂硅层103中的多晶部分。
掺杂硅层103相对于掺杂导电层102的平均晶化率由90%减小至0%。也就是说，所指的掺杂硅层103的平均晶化率为相对的晶化率，为掺杂硅层103相对于掺杂导电层102的平均晶化率，掺杂导电层102的晶化率被认为是100%。
平均晶化率可以通过对掺杂硅层103中的不同区域分别测量晶化率，并对测得的多个晶化率取平均值得到。
例如，可以对掺杂硅层103的不同厚度处进行晶化率的测试，并得到平均晶化率。在一个具体的例子中，可以在掺杂硅层103的厚度方向上，将掺杂硅层103分为五等份，对每一等份进行晶化率的测试，并获得平均晶化率。在其它例子中，也可以在掺杂硅层103的厚度方向上，将掺杂硅层103分为其它数量的等分，以获取平均晶化率。
在一些实施例中，可以通过拉曼光谱来测试掺杂导电层102和掺杂硅层103的晶化率。晶体硅具有高度一致的键角和键长，排列有序，可形成拉曼锐峰。无定形硅结构相对无序，键角、键能、键长以及摇摆键范围大，可形成很宽的拉曼峰，与晶体硅区别明显。采用两种结构的特征峰峰强可以实现硅晶化率的测试。
具体地，对于晶化率为100%的晶体硅，可以得到在520cm-1处的拉曼特征峰，对于非晶硅，可以得到在470cm-1处的拉曼特征峰。对于晶化率大于0%，且小于100%的晶体硅，则在520cm-1处和470cm-1处均具有拉曼特征峰。基于此，可以大致判定掺杂导电层102和掺杂硅层103的晶化率。
对于不同晶化率的晶体硅，其在拉曼光谱中的特征峰峰强不同，因此，可以将晶体硅在拉曼光谱中的特征峰峰强与100%晶化的晶体硅在拉曼光谱中的特征峰峰强进行对比，进而得出晶体硅的晶化率。
例如，可以对掺杂导电层102进行拉曼光谱测试，得到掺杂导电层102的晶化率为100%，其对应的特征峰峰强为第一峰强。再对掺杂硅层103进行拉曼光谱测试，对应的特征峰峰强为第二峰强。将第二峰强与第一峰强进行比较，得出掺杂硅层103的晶化率。掺杂硅层103的晶化率的计算式可以为：第二峰强/第一峰强×100%。
图3为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的拉曼光谱表征图。
具体地，参考图3，对掺杂导电层102进行拉曼光谱测试，可以得到掺杂导电层102在520cm-1处的拉曼特征峰，峰强为7903cps（counts per second，计数率），晶化率为100%。
对掺杂硅层103的外侧进行拉曼光谱测试，即对掺杂硅层103远离掺杂导电层102一侧表面进行晶化率测试，可得到掺杂硅层103在470cm-1处的拉曼特征峰，而不存在520cm-1处的拉曼特征峰，测得该处得掺杂硅层103得晶化率为0%。
之后，自掺杂硅层103远离掺杂导电层102一侧表面对掺杂硅层103进行刻蚀，去除部分厚度的掺杂硅层103，并对剩余的掺杂硅层103远离掺杂导电层102的一侧进行拉曼光谱测试，可以得到掺杂硅层103在520cm-1处和470cm-1处均具有拉曼特征峰，峰强小于7903cps。通过将测得的掺杂硅层103的峰强与掺杂导电层102的峰强进行对比，可以得到掺杂硅层103相对于掺杂导电层102的晶化率。例如，对于晶化率为30%的掺杂硅层103而言，掺杂硅层103在520cm-1处和470cm-1处均具有拉曼特征峰，峰强为2425cps，与晶化率100%的掺杂导电层102对应特征峰峰强的比值为0.3，则认为该处的掺杂硅层103的晶化率为30%。
为了得到掺杂硅层103的平均晶化率，可以采用上述方法重复对掺杂硅层103的不同位置处进行晶化率测试，对测得的多个晶化率值取平均值，得到平均晶化率值。
载流子在晶化程度较高的多晶结构中的迁移率较高，因此，掺杂导电层102的晶化率大于掺杂硅层103的晶化率，能够保证载流子在掺杂导电层102中的传输性能。
晶化率较高的掺杂导电层102对入射光线具有较大的寄生吸收，使得基底100对入射光线的利用率降低，不利于提升太阳能电池的光电转化能力。由于引入了掺杂硅层103，使得掺杂导电层102的厚度可以设置的相对较小，进而能够减小掺杂导电层102对入射光线的寄生吸收，提升太阳能电池对入射光线的利用率。并且，掺杂硅层103的晶化率小于掺杂导电层102的晶化率，掺杂硅层103本身对入射光线的寄生吸收能力也较低，使得太阳能电池对入射光线的利用率进一步提高，进而提高太阳能电池的光电转化性能。
在沿背离基底100的方向上，掺杂硅层103相对于掺杂导电层102的晶化率由90%减小至0%，即，在掺杂硅层103的最外侧处，即掺杂硅层103中的靠近第一电极104的部分的晶化率为0%，为完全未晶化的非晶硅。非晶硅相较于多晶硅而言，具有更少的晶界。其中，掺杂导电层102以及掺杂硅层103中，结构相同而取向不同的不同第一晶粒以及第二晶粒之间的接触界面，可以称为晶界。由于非晶硅的晶界较少，使得非晶硅相较于多晶硅的致密度更高，在实际制备第一电极104的工艺中，用于形成第一电极104的导电浆料渗透非晶硅的难度较大，进而能够降低第一电极104穿透掺杂硅层103以及掺杂导电层102与基底100接触的可能性，减小在基底100第一表面1产生载流子复合中心的风险，从而保证太阳能电池的开路电压较大，保证太阳能电池具有较好的光电转化性能。
掺杂硅层103中，除了未被晶化的非晶硅部分之外，还具有被晶化的多晶部分，多晶部分的晶化率小于掺杂导电层102的晶化率，使得掺杂硅层103集成了非晶硅的优势与多晶硅的优势，一方面保证掺杂硅层103具有较大的致密度，另一方面能够保证载流子在掺杂硅层103中的迁移能力加强，进而保证第一电极104对载流子的收集能力。
在一些实施例中，掺杂导电层102的材料可以为多晶硅或者碳化硅中的任一者。
在一些实施例中，掺杂硅层103的材料可以为硅或者碳化硅中的任一者。
在一些实施例中，掺杂导电层102的材料可以与掺杂硅层103的材料相同。例如，掺杂导电层102与掺杂硅层103均的材料均为硅，掺杂导电层102为多晶硅，掺杂硅层103的硅的晶化率小于掺杂导电层102的多晶硅的晶化率。再例如，掺杂导电层102与掺杂硅层103均的材料均为碳化硅，掺杂导电层102为多晶碳化硅，掺杂硅层103的多晶碳化硅的晶化率小于掺杂导电层102的多晶碳化硅的晶化率。
在一些实施例中，掺杂导电层102的掺杂元素类型与掺杂硅层103中的掺杂元素类型相同。
在一些实施例中，隧穿层101的材料可以包括：氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅或者多晶硅中的至少一种。
在一些实施例中，基底100的材料可以为元素半导体材料。具体地，元素半导体材料由单一元素组成，例如可以是硅或者锗。其中，元素半导体材料可以为单晶态、多晶态、非晶态或者微晶态（同时具有单晶态和非晶态的状态，称为微晶态），例如，硅可以是单晶硅、多晶硅、非晶硅或者微晶硅中的至少一种。
在一些实施例中，基底100的材料也可以是化合物半导体材料。常见的化合物半导体材料包括但不限于锗化硅、碳化硅、砷化镓、镓化铟、钙钛矿、碲化镉、铜铟硒等材料。
基底100可以为N型半导体基底或者P型半导体基底。N型半导体基底内掺杂有N型掺杂元素，N型掺杂元素可以为磷（P）元素、铋（Bi）元素、锑（Sb）元素或砷（As）元素等五族元素中的任意一者。P型半导体基底内掺杂有P型元素，P型掺杂元素可以为硼（B）元素、铝（Al）元素、镓（Ga）元素或铟（In）元素等三族元素中的任意一者。
在一些实施例中，掺杂导电层102的掺杂元素类型、掺杂硅层103中的掺杂元素类型与基底100中的掺杂元素类型相同，且掺杂导电层102的掺杂元素浓度大于基底100的掺杂元素浓度，掺杂硅层103的掺杂元素浓度大于基底100的掺杂元素浓度。
基底100具有第一表面1以及与第一表面1相对的第二表面2。在一些实施例中，太阳能电池为单面电池，基底100的第二表面可以作为受光面，用于接收入射光线，第一表面1作为背光面。
在一些实施例中，太阳能电池为双面电池，则基底100的第二表面和第一表面1均可以作为受光面，均可用于接收入射光线。可以理解的是，本申请实施例中所指的背光面也能够接收入射光线，只是对入射光线的接收程度弱于受光面对入射光线的接收程度，因而被定义为背光面。
在一些实施例中，可以在基底100的第二表面2或者第一表面1的至少一者进行制绒工艺，以在基底100第二表面2或者第一表面1中的至少一者形成绒面，如此，可以增强基底100的第二表面2以及第一表面1对入射光线的吸收利用率。
在一些实施例中，绒面可以为金字塔绒面，金字塔绒面作一种常见的绒面，不仅会使基底100表面的反射率减小，还可形成光陷阱，增加强基底100对入射光线的吸收效果，增大太阳电池的转换效率。
具体地，若太阳能电池为单面电池，则可以在基底100的受光面形成绒面，例如可以为金字塔绒面，基底100的背光面可以为抛光面，即基底100的背光面相较于受光面更平坦。需要说明的是，对于单面电池，也可以在基底100的受光面以及背光面均形成绒面。
若太阳能电池为双面电池，则可以在基底100的受光面以及背光面均形成绒面。
第一电极104与掺杂硅层103电接触，能够对掺杂硅层103中的载流子进行收集，形成光电流。
在一些实施例中，第一电极104的数量可以为多个，多个第一电极104可以沿第一方向X间隔排布，每一第一电极104可以沿第二方向Y延伸。其中，第一方向X可以为第一表面1的一个边缘指向相对的另一边缘的方向，第二方向Y垂直于第一方向X。
在一些实施例中，第一电极104的材料可以包括金属材料，金属材料可以为银、铜、镍或者铝中的至少一者。
参考图2，在一些实施例中，第一电极104可以仅与掺杂硅层103电接触。部分第一电极104可以穿透部分厚度的掺杂硅层103，与掺杂硅层103电接触。即，第一电极104未穿透掺杂导电层102，进一步降低第一电极104与基底100接触的风险，减小基底100产生载流子复合中心的风险。
图4为本申请一实施例提供的第二种太阳能电池的局部剖面结构示意图。
参考图4，在一些实施例中，第一电极104也可以贯穿掺杂硅层103，并穿透部分厚度的掺杂导电层102，与掺杂导电层102电接触。如此，能够增加第一电极104与掺杂硅层103以及掺杂导电层102的接触面积，提升第一电极104与掺杂硅层103以及掺杂导电层102之间的电接触性能，进而提升第一电极104对掺杂硅层103以及掺杂导电层102中的载流子的收集能力，提升太阳能电池的光电转化性能。
图5为本申请一实施例提供的第三种太阳能电池的局部剖面结构示意图。
参考图5，在一些实施例中，太阳能电池还包括：第一钝化层105，第一钝化层105覆盖掺杂硅层103远离基底100的表面，第一电极104位于钝化层远离基底100的部分表面，且第一电极104穿透第一钝化层105，与掺杂硅层103或掺杂导电层102电接触。
第一钝化层105对基底100的第一表面1起到良好的钝化作用，降低基底100第一表面1的缺陷态密度，较好地抑制基底100的第一表面1的载流子复合。第一钝化层105还能够起到较好的减反射效果，减小基底100的第一表面1对入射光线的反射，提高基底100对入射光线的利用率。
在一些实施例中，第一钝化层105的材料可以为氧化硅、氧化铝、氮化硅或者氮氧化硅中的至少一者。
在一些实施例中，第一钝化层105可以是单层结构。在一些实施例中，第一钝化层105也可以是多层结构，多层结构中各层的材料可以彼此不同，或者，部分数量层的材料可以彼此不同，且其余部分数量的材料可以相同。例如，第一钝化层105可以为氮化硅层和氧化铝层的多层结构，或者可以为氧化硅层以及氧化铝层的多层结构。
图6为本申请一实施例提供的第四种太阳能电池的局部剖面结构示意图。
参考图6，在一些实施例中，掺杂硅层103可以包括沿背离基底100方向依次邻接的第一区111以及第二区112，在沿背离基底100的方向上，第一区111相对于掺杂导电层102的平均晶化率在10%~90%之间，第二区112相对于掺杂导电层102的平均晶化率为0%。
第一区111与掺杂导电层102邻接，第二区112位于第一区111远离掺杂导电层102的一侧。本申请实施例中，掺杂硅层103为连续膜层，根据掺杂硅层103中的晶化率的不同，将掺杂硅层103分为第一区111与第二区112，并不代表第一区111与第二区112之间有明显的边界。
第二区112的平均晶化率为0%，即第二区112为非晶硅，非晶硅具有较大的致密度，在实际形成第一电极104的工艺中，能够提高用于形成第一电极104的导电浆料腐蚀并渗透第二区112的难度，进而减小第一电极104穿透掺杂硅层103的厚度，降低第一电极104穿透掺杂硅层103以及掺杂导电层102与基底100接触的可能性。
非晶硅对入射光线的寄生吸收能力较弱，设置第二区112位于第一区111远离掺杂导电层102的一侧，即第二区112覆盖第一区111表面，可以减小掺杂硅层103整体对入射光线的寄生吸收。
第一区111相对于掺杂导电层102的平均晶化率在10%~90%之间，即第一区111相对于掺杂导电层102的平均晶化率可以为10%~90%之间的任一值。如此，一方面第一区111的晶化率小于掺杂导电层102的晶化率，使得第一区111的致密度大于掺杂导电层102的致密度，能够减小第一电极104穿透掺杂硅层103和掺杂导电层102的概率。另一方面，第一区111的晶化率大于非晶硅的晶化率，使得载流子在第一区111内的迁移率大于在非晶硅中的迁移率，进而能够在减小第一电极104穿透掺杂硅层103和掺杂导电层102的概率的同时，保证第一电极104对载流子较好的收集能力。
不难发现，掺杂硅层103包括第一区111与第二区112，使得掺杂硅层103集成了非晶硅的优势与多晶硅的优势，一方面保证掺杂硅层103具有较大的致密度，另一方面能够保证载流子在掺杂硅层103中的迁移能力加强，进而保证第一电极104对载流子的收集能力。
在一些实施例中，第一电极104仅与掺杂硅层103接触，则第一电极104与掺杂硅层103中的第一区111电接触。
在一些实施例中，第一区111相对于掺杂导电层102的平均晶化率可以为10%、30%、60%或90%。
可以对第一区111的不同位置处进行晶化率测试，对测得的多个晶化率值取平均值，得到平均晶化率值。例如，可以对第一区111的不同厚度处进行晶化率测试，得到多个晶化率值。
在一些实施例中，在垂直于第一表面1的方向上，第一区111的厚度与第二区112的厚度之比为0.5~4，例如可以为0.5~0.7、0.7~0.8、0.8~0.9、0.9~1、1~1.3、1.3~1.7、1.7~2、2~2.3、2.3~2.5、2.5~2.8、2.8~3、3~3.3、3.3~3.5、3.5~3.8、3.8~3.9或者3.9~4。
在一个具体的例子中，第一区111的厚度与第二区112的厚度之比为0.5~1，即第一区111的厚度小于第二区112的厚度，使得掺杂硅层103整体的致密度较高，如此，能够进一步减小第一电极104穿透掺杂硅层103和掺杂导电层102的概率。
在另一个具体的例子中，第一区111的厚度与第二区112的厚度之比为1~4，即第一区111的厚度大于第二区112的厚度，使得第二区112起到减小第一电极104穿透掺杂硅层103和掺杂导电层102的概率的同时，掺杂硅层103整体具有较大的晶化率，既能够保证第一电极104与掺杂硅层103的电接触性能增强，又能够保证载流子在掺杂硅层103中的迁移率，提升第一电极104对载流子的收集效率。
可以理解的是，可以根据第一区111的平均晶化率的值来调节第一区111的厚度与第二区112的厚度之比在0.5~4之内变化，有效提高太阳能电池的光电转化效率。
在一些实施例中，第一区111的厚度与第二区112的厚度之比随第一区111相对于掺杂导电层102的平均晶化率的增长而减小。也就是说，第一区111相对于掺杂导电层102的平均晶化率越大，掺杂硅层103中的第一区111的厚度越小。
可以理解的是，第一区111相对于掺杂导电层102的平均晶化率越大，则第一区111的晶界越多，第一区111的致密度越小。为了保证掺杂硅层103具有较大的致密度，当第一区111晶化率较大时，设置第一区111的厚度较小。另一方面，第一区111相对于掺杂导电层102的平均晶化率越小，则第一区111的晶界越小，使得第一区111的致密度较大，进而掺杂硅层103整体的致密度较大。为了保证载流子在掺杂硅层103中的迁移率，设置第一区111的厚度较大，第二区112的厚度较小，使得非晶硅在掺杂硅层103中的占比较低，进而能够保证载流子在掺杂硅层103中的迁移率不至于较低。
在一个具体的例子中，第一区111相对于掺杂导电层102的平均晶化率为30%，第一区111的厚度与第二区112的厚度之比可以为0.3。
在另一个具体的例子中，第一区111相对于掺杂导电层102的平均晶化率为60%，第一区111的厚度与第二区112的厚度之比可以为1。
在又一个具体的例子中，第一区111相对于掺杂导电层102的平均晶化率为90%，第一区111的厚度与第二区112的厚度之比可以为2。
在一些实施例中，在垂直于第一表面1的方向上，掺杂硅层103的厚度与掺杂导电层102的厚度之比为0.1~3，例如可以为0.1~0.2、0.2~0.3、0.3~0.5、0.5~0.8、0.8~1、1~1.3、1.3~1.5、1.5~1.8、1.8~2、2~2.1、2.1~2.3、2.3~2.5、2.5~2.7、2.7~2.8、2.8~2.9或者2.9~3。
掺杂硅层103的厚度与掺杂导电层102的厚度之比为0.1~1，即掺杂硅层103的厚度小于掺杂导电层102的厚度，使得掺杂导电层102的厚度较大，则能够提升载流子的迁移率，提高第一电极104对载流子的收集效率。
掺杂硅层103的厚度与掺杂导电层102的厚度之比为1~3，即掺杂硅层103的厚度大于掺杂导电层102的厚度，使得掺杂硅层103的厚度较大，如此，能够进一步减小第一电极104穿透掺杂硅层103和掺杂导电层102的概率。
在一些实施例中，掺杂硅层103与掺杂导电层102可以为连续膜层，根据掺杂硅层103与掺杂导电层102的晶化率的不同，来区分掺杂硅层103与掺杂导电层102，掺杂硅层103与掺杂导电层102之间没有明显的边界。
在一些实施例中，随着第一区111相对于掺杂导电层102的平均晶化率的变化，第一区111的厚度、第二区112的厚度与掺杂导电层102的厚度之比也随之变化，保证太阳能的光电转化性能较高。
在一个具体的例子中，第一区111相对于掺杂导电层102的平均晶化率为30%，第一区111的厚度、第二区112的厚度与掺杂导电层102的厚度之比可以为20:67:13。
在另一个具体的例子中，第一区111相对于掺杂导电层102的平均晶化率为60%，第一区111的厚度与第二区112的厚度之比可以为1:1:1。
在又一个具体的例子中，第一区111相对于掺杂导电层102的平均晶化率为90%，第一区111的厚度与第二区112的厚度之比可以为2:1:2。
在一些实施例中，在垂直于第一表面1的方向上，掺杂硅层103与掺杂导电层102的整体厚度为60nm~300nm，例如可以为60nm~80nm、80nm~100nm、100nm~130nm、130nm~150nm、150nm~180nm、180nm~200nm、200nm~220nm、220nm~250nm、250nm~280nm、280nm~290nm或者290nm~300nm。在上述范围内，一方面能够降低第一电极104穿透掺杂硅层103和掺杂导电层102与基底100接触的概率，另一方面保证第一电极104对载流子的收集能力较强。
图7为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的剖面结构示意图。
在一些实施例中，太阳能电池还包括：发射极106，发射极106位于部分基底100内，且发射极106与第二表面2共面。发射极106的掺杂元素类型与基底100的掺杂元素类型不同，进而与基底100构成PN结。
在一些实施例中，太阳能电池还可以包括第二钝化层107。第二钝化层107位于发射极106远离基底100的表面，对基底100的第二表面起到良好的钝化作用，降低基底100第二表面的缺陷态密度，较好地抑制基底100第二表面的载流子复合。第二钝化层107还能够起到较好的减反射效果，减小基底100第二表面对入射光线的反射，提高基底100对入射光线的利用率。
在一些实施例中，第二钝化层107的材料可以为氧化硅、氧化铝、氮化硅或者氮氧化硅中的至少一者。
在一些实施例中，第二钝化层107可以是单层结构。在一些实施例中，第二钝化层107也可以是多层结构，多层结构中各层的材料可以彼此不同，或者，部分数量层的材料可以彼此不同，且其余部分数量的材料可以相同。例如，第二钝化层107可以为氮化硅层和氧化铝层的多层结构，或者可以为氧化硅层以及氧化铝层的多层结构。
在一些实施例中，太阳能电池还包括沿第一方向X间隔排布的多个第二电极108，多个第二电极108中的每一个第二电极108沿第二方向Y延伸。第二电极108位于第二钝化层107表面，穿透第二钝化层107与发射极106电接触。在一些实施例中，第二电极108的材料可以是金属，例如可以是铜、银、镍或者铝。
上述实施例提供的太阳能电池中，掺杂硅层103相对于掺杂导电层102的晶化率由90%减小至0%，使得掺杂硅层103集成了非晶硅的优势与多晶硅的优势，一方面保证掺杂硅层103具有较大的致密度，降低第一电极104穿透掺杂硅层103以及掺杂导电层102与基底100接触的可能性，另一方面能够保证载流子在掺杂硅层103中的迁移能力加强，进而保证第一电极104对载流子的收集能力。
相应地，本申请另一实施例还提供一种叠层电池，包括：底电池，底电池为如上述任一项所述的太阳能电池；顶电池，顶电池位于底电池中的掺杂硅层远离基底的一侧。
在一些实施例中，底电池还包括第一钝化层，第一钝化层覆盖掺杂硅层远离基底的表面，且第一电极位于钝化层远离基底的部分表面，第一电极穿透钝化层，与掺杂硅层或掺杂导电层电接触。则，顶电池位于第一钝化层远离基底的一侧，且顶面池覆盖掺杂硅层表面以及第一电极表面。
在一些实施例中，顶电池可以包括：层叠的第一传输层、钙钛矿基底、第二传输层、透明导电层以及减反层。其中，第一传输层与底电池正对。
在一些实施例中，第一传输层可以为电子传输层或者空穴传输层中的一者，第二传输层可以为电子传输层或者空穴传输层中的另一者。
相应地，本申请又一实施例还提供一种太阳能电池的制备方法，可用于制备上述实施例提供的太阳能电池，以下将结合附图对本申请又一实施例提供的太阳能电池的制备方法进行详细说明。
图8为本申请又一实施例提供的一种太阳能电池的制备方法中提供基底的步骤对应的剖面结构示意图。
太阳能电池的制备方法包括：参考图8，提供基底100，基底100具有第一表面1。
在一些实施例中，基底100的材料可以为元素半导体材料。具体地，元素半导体材料由单一元素组成，例如可以是硅或者锗。其中，元素半导体材料可以为单晶态、多晶态、非晶态或者微晶态（同时具有单晶态和非晶态的状态，称为微晶态），例如，硅可以是单晶硅、多晶硅、非晶硅或者微晶硅中的至少一种。
在一些实施例中，基底100的材料也可以是化合物半导体材料。常见的化合物半导体材料包括但不限于锗化硅、碳化硅、砷化镓、镓化铟、钙钛矿、碲化镉、铜铟硒等材料。
基底100可以为N型半导体基底或者P型半导体基底。N型半导体基底内掺杂有N型掺杂元素，N型掺杂元素可以为磷（P）元素、铋（Bi）元素、锑（Sb）元素或砷（As）元素等五族元素中的任意一者。P型半导体基底内掺杂有P型元素，P型掺杂元素可以为硼（B）元素、铝（Al）元素、镓（Ga）元素或铟（In）元素等三族元素中的任意一者。
基底100具有第一表面1以及与第一表面1相对的第二表面2。在一些实施例中，可以在基底100的第二表面或者第一表面1的至少一者表面进行制绒工艺，以在基底100第二表面或者第一表面1中的至少一者表面形成绒面，如此，可以增强基底100的第二表面以及第一表面1对入射光线的吸收利用率。在一些实施例中，绒面可以为金字塔绒面。
图9为本申请又一实施例提供的一种太阳能电池的制备方法中形成隧穿层的步骤对应的剖面结构示意图。
参考图9，在第一表面1形成隧穿层101。
在一些实施例中，隧穿层101的材料可以包括：氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅或者多晶硅中的至少一种。
在一些实施例中，可以采用沉积工艺在第一表面1形成隧穿层101，沉积工艺可以包括原子层沉积或者等离子体增强化学气相沉积法中的任一种。在一些实施例中，隧穿层101的材料为氧化硅，则形成隧穿层101的方法也可以包括高温热氧化法、臭氧氧化法或者氧化性酸溶液湿法氧化法中的任一者。
图10为本申请又一实施例提供的一种太阳能电池的制备方法中形成初始掺杂导电层的步骤对应的剖面结构示意图；图11为本申请又一实施例提供的一种太阳能电池的制备方法中形成掺杂导电层和掺杂硅层的步骤对应的剖面结构示意图。
参考图10至图11，在隧穿层101表面形成掺杂导电层102，掺杂导电层102内具有第一晶粒。在掺杂导电层102表面形成掺杂硅层103，掺杂硅层103内具有第二晶粒，在沿背离基底100的方向上，掺杂硅层103相对于掺杂导电层102的平均晶化率由90%减小至0%。
在一些实施例中，掺杂导电层102与掺杂硅层103可以为连续膜层，形成掺杂导电层102和掺杂硅层103的方法包括以下步骤：
首先，参考图10，在隧穿层101表面形成初始掺杂导电层20。初始掺杂导电层20的晶化率为100%。初始掺杂导电层20的掺杂元素类型与基底100的掺杂元素类型相同，且初始掺杂导电层20的掺杂元素浓度大于基底100的掺杂元素浓度。
在一些实施例中，初始掺杂导电层20的材料可以为多晶硅或者碳化硅中的任一者。
以初始掺杂导电层20的材料为多晶硅为例，在一些实施例中，形成初始掺杂导电层20的方法可以包括：采用沉积工艺在隧穿层101表面形成本征非晶硅层，例如可以采用低压化学气相沉积法或者等离子体增强化学气相沉积法形成本征非晶硅层。接着对本征非晶硅层进行掺杂工艺，以向本征多晶硅层中注入第一掺杂元素，并通过高温退火工艺实现本征非晶硅层的多晶化，形成初始掺杂导电层20。在一些实施例中，可以在沉积本征非晶硅层的步骤中，原位掺杂第一掺杂元素，第一掺杂元素的导电类型与基底100的导电类型相同，第一掺杂元素可以为硼或磷等元素。
参考图11，在形成初始掺杂导电层20之后，自初始掺杂导电层20远离基底100的表面对部分厚度的初始掺杂导电层20进行激光处理，以将部分厚度的初始掺杂导电层20转化为掺杂硅层103，未经激光处理的剩余部分初始掺杂导电层20构成掺杂导电层102。
经激光处理的初始掺杂导电层20被加热熔融并重结晶，当激光停止照射后，冷却固化形成晶化程度低于初始掺杂导电层20的掺杂硅层103。
激光照射至部分厚度的初始掺杂导电层20中，对初始掺杂导电层20进行加热熔融。可以理解的是，越靠近激光源的初始掺杂导电层20受激光的作用越大，进而重结晶形成非晶部分。远离激光源的初始掺杂导电层20受激光的作用较小，形成晶化率小于初始掺杂导电层20的多晶部分。进而使得在沿背离基底100的方向上，形成的掺杂硅层103相对于掺杂导电层102的平均晶化率由90%减小至0%。
在一些实施例中，激光处理所采用的激光器包括：飞秒激光器、纳秒激光器或皮秒激光器中的任一者，所述飞秒激光器、纳秒激光器或皮秒激光器包含：红外激光器、绿光激光器、紫外激光器中的任一者。换句话说，激光器可以包括红外飞秒激光器、绿光飞秒激光器、紫外飞秒激光器、红外纳秒激光器、绿光纳秒激光器、紫外纳秒激光器、红外皮秒激光器、绿光皮秒激光器、紫外皮秒激光器。
激光器可以作为激光源，发出激光，照射至部分厚度的初始掺杂导电层20中。
在一些实施例中，激光处理的激光功率为1W~20W，例如可以为1W~2W、2W~5W、5W~7W、7W~9W、9W~10W、10W~12W、12W~14W、14W~15W、15W~16W、16W~18W、18W~19W或者19W~20W；频率在500KHz~3000KHz，例如可以为500KHz~600KHz、600KHz~800KHz、800KHz~1000KHz、1000KHz~1200KHz、1200KHz~1500KHz、1500KHz~1800KHz、1800KHz~2000KHz、2000KHz~2200KHz、2200KHz~2500KHz、2500KHz~2600KHz、2600KHz~2800KHz、2800KHz~2900KHz或者2900KHz~3000KHz；扫描速度为5000mm/s~80000mm/s，例如可以为5000mm/s~7000mm/s、7000mm/s~9000mm/s、9000mm/s~10000mm/s、10000mm/s~15000mm/s、15000mm/s~20000mm/s、20000mm/s~25000mm/s、25000mm/s~30000mm/s、30000mm/s~40000mm/s、40000mm/s~50000mm/s、50000mm/s~55000mm/s、55000mm/s~60000mm/s、60000mm/s~70000mm/s或者70000mm/s~80000mm/s。
在上述范围内，使得激光器发出的激光仅到达部分厚度的初始掺杂导电层20中，进而形成晶化率不同的掺杂导电层102与掺杂硅层103。且在上述范围内，能够使得在沿背离基底100的方向上，形成的掺杂硅层103相对于掺杂导电层102的平均晶化率由90%减小至0%。
在一些实施例中，激光器为紫外皮秒激光器，激光处理的激光功率为3W~7W，例如可以为3W~3.5W、3.5W~4W、4W~5W、5W~5.5W、5.5W~6W、6W~6.5W或者6.5W~7W；频率为500KHz~1500KHz，例如可以为500KHz~600KHz、600KHz~700KHz、700KHz~750KHz、750KHz~800KHz、800KHz~900KHz、900KHz~1000KHz、1000KHz~1100KHz、1100KHz~1200KHz、1200KHz~1300KHz、1300KHz~1400KHz、1400KHz~1450KHz或者1450KHz~1500KHz；扫描速度为30000mm/s~50000mm/s，例如可以为30000mm/s~32000mm/s、32000mm/s~35000mm/s、35000mm/s~38000mm/s、38000mm/s~40000mm/s、40000mm/s~43000mm/s、43000mm/s~45000mm/s、45000mm/s~46000mm/s、46000mm/s~48000mm/s、48000mm/s~49000mm/s或者49000mm/s~50000mm/s。紫外皮秒激光器能够更有效地作用于初始掺杂导电层20，更加高效地形成掺杂导电层102和掺杂硅层103，同时不会对掺杂导电层102和掺杂硅层103的形貌造成破坏。
在一些实施例中，掺杂导电层102与掺杂硅层103也可以为不连续膜层，即掺杂导电层102与掺杂硅层103之间具有分界线。则，也可以首先形成掺杂导电层102，之后，再在掺杂导电层102表面形成初始掺杂硅层，形成初始掺杂硅层的方法可以参考上述形成初始掺杂导电层20的方法。
在形成初始掺杂硅层之后，对全部厚度的初始掺杂硅层进行激光处理，形成掺杂硅层103。
图12为本申请又一实施例提供的一种太阳能电池的制备方法中形成第一钝化层的步骤对应的剖面结构示意图；图13为本申请又一实施例提供的一种太阳能电池的制备方法中形成第一钝化层的步骤对应的俯视结构示意图。其中，图12为图13中AA’方向的剖面结构示意图。
参考图12以及图13，在一些实施例中，太阳能电池的制备方法还包括：在掺杂硅层103表面形成第一钝化层105。
在一些实施例中，可以等离子体增强化学气相沉积法、原子层沉积法或者物理气相沉积法中的任一者形成第一钝化层105。第一钝化层105可以是单层结构，也可以是多层结构。在一些实施例中，第一钝化层105的材料可以是氧化硅、氧化铝、氮化硅或者氮氧化硅中的至少一者。
参考图5，在掺杂硅层103远离基底100的一侧形成第一电极104，第一电极104至少与掺杂硅层103电接触。
在一些实施例中，第一电极104可以仅与掺杂硅层103电接触。
在一些实施例中，第一电极104也可以贯穿掺杂硅层103，并穿透部分厚度的掺杂导电层102，与掺杂导电层102电接触。
在一些实施例中，在形成第一钝化层105之后，形成第一电极104，形成第一电极104的方法包括：参考图13，在待形成第一电极区域30的第一钝化层105顶面印刷导电浆料，导电浆料包括玻璃粉体，玻璃粉体在导电浆料中的质量占比为2%~6%，例如可以为2%~3%、3%~4%、4%~5%或者5%~6%。待形成第一电极区域30可以为多个，多个待形成第一电极区域30沿第一方向X间隔排布，每一待形成第一电极区域30沿第二方向Y延伸。
玻璃粉体是导电浆料中的腐蚀成分，可以在烧结处理中，腐蚀第一钝化层105与掺杂硅层103，进而使导电浆料可以渗透至掺杂硅层103中。
由于掺杂硅层103中具有平均晶化率为0%的非晶部分，非晶部分的致密度较大，使得导电浆料较难穿透的掺杂硅层103。因此，即使玻璃粉体在导电浆料中的质量占比较大，也不容易导致导电浆料腐蚀过多的掺杂硅层103和掺杂导电层102，与基底100接触。基于此，设置玻璃粉体在导电浆料中的质量占比为2%~6%，使得玻璃粉体在导电浆料中的质量占比可选择范围较大，有利于简化工艺，提高产量。
在一些实施例中，可以通过丝网印刷、喷墨打印、激光转印等方式中的任一种工艺在待形成第一电极区域30形成导电浆料。
之后，对导电浆料进行烧结处理，烧结处理的温度为720℃~780℃。由于掺杂硅层103中的非晶成分的致密度较大，使得导电浆料较难穿透的掺杂硅层103。因此，设置烧结处理的温度在上述范围内，烧结处理的温度可选择的范围较大，进一步简化工艺，提高产量。
在一些实施例中，太阳能电池的制备方法还可以包括：参考图7，自基底100第二表面对基底100进行扩散，以在基底100内形成发射极106，发射极106的掺杂元素类型与基底100的掺杂元素类型不同，进而与基底100构成PN结。
在一些实施例中，形成发射极106的步骤可以在形成隧穿层101的步骤之前进行。
在一些实施例中，太阳能电池的制备方法还可以包括：在发射极106顶面形成第二钝化层107，第二钝化层107可以是单层结构，也可以是多层结构。在一些实施例中，第二钝化层107的材料可以是氧化硅、氧化铝、氮化硅或者氮氧化硅中的至少一者。
形成第二钝化层107的工艺可以与形成第一钝化层105的工艺相同。
在一些实施例中，太阳能电池的制备方法还可以包括：形成第二电极108，第二电极108穿透第二钝化层107与发射极106电接触。在一些实施例中，形成第二电极108的工艺可以与形成第一电极104的工艺相同。
图14为本申请再一实施例提供的一种光伏组件的结构示意图。
相应地，本申请实施例再一方面还提供一种光伏组件，参考图14，光伏组件包括：电池串，电池串由多个上述实施例提供的太阳能电池201连接而成；封装层202，封装层202用于覆盖电池串的表面；盖板203，盖板203用于覆盖封装层202远离电池串的表面。太阳能电池201以整片或者多分片的形式电连接形成多个电池串，多个电池串以串联和/或并联的方式进行电连接。
具体地，在一些实施例中，多个电池串之间可以通过导电带204电连接。封装层202覆盖太阳能电池201的正面以及背面，具体地，封装层202可以为乙烯-乙酸乙烯共聚物胶膜、聚乙烯辛烯共弹性体胶膜或者聚对苯二甲酸乙二醇酯胶膜或聚乙烯醇缩丁醛酯等有机封装胶膜。在一些实施例中，盖板203可以为玻璃盖板、塑料盖板等具有透光功能的盖板。具体地，盖板203朝向封装层202的表面可以为凹凸表面，从而增加入射光线的利用率。
本申请虽然以较佳实施例公开如上，但并不是用来限定权利要求，任何本领域技术人员在不脱离本申请构思的前提下，都可以做出若干可能的变动和修改，因此本申请的保护范围应当以本申请权利要求所界定的范围为准。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本申请的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本申请的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本申请的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。

Claims (18)

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
基底，所述基底具有第一表面；
隧穿层，位于所述第一表面；
掺杂导电层，所述掺杂导电层内具有第一晶粒，位于所述隧穿层远离所述基底的表面；
掺杂硅层，位于所述掺杂导电层远离所述基底的表面，所述掺杂硅层内具有第二晶粒，在沿背离所述基底的方向上，所述掺杂硅层相对于所述掺杂导电层的平均晶化率由90%减小至0%；
第一电极，位于所述掺杂硅层远离所述基底一侧，至少与所述掺杂硅层电接触。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电极仅与所述掺杂硅层电接触。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一电极贯穿所述掺杂硅层，并穿透部分厚度的所述掺杂导电层，与所述掺杂导电层电接触。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述掺杂硅层远离所述基底的表面，所述第一电极位于所述钝化层远离所述基底的部分表面，且所述第一电极穿透所述钝化层，与所述掺杂硅层或所述掺杂导电层电接触。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂硅层包括沿背离所述基底方向依次邻接的第一区以及第二区，在沿背离所述基底的方向上，所述第一区相对于所述掺杂导电层的平均晶化率在10%~90%之间，所述第二区相对于所述掺杂导电层的平均晶化率为0%。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一区的厚度与所述第二区的厚度之比为0.5~4。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一区的厚度与所述第二区的厚度之比随所述第一区相对于所述掺杂导电层的平均晶化率的增长而减小。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一区相对于所述掺杂导电层的平均晶化率为10%、30%、60%或90%。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，在垂直于所述第一表面的方向上，所述掺杂硅层的厚度与所述掺杂导电层的厚度之比为0.1~3。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，在垂直于所述第一表面的方向上，所述掺杂硅层与所述掺杂导电层的整体厚度为60nm~300nm。
11.一种叠层电池，其特征在于，包括：
底电池，所述底电池为如上述权利要求1-10中任一项所述的太阳能电池；
顶电池，所述顶电池位于所述底电池中的掺杂硅层远离所述基底的一侧。
12.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底具有第一表面；
在所述第一表面形成隧穿层；
在所述隧穿层表面形成掺杂导电层，所述掺杂导电层内具有第一晶粒；
在所述掺杂导电层表面形成掺杂硅层，所述掺杂硅层内具有第二晶粒，在沿背离所述基底的方向上，所述掺杂硅层相对于所述掺杂导电层的平均晶化率由90%减小至0%；
在所述掺杂硅层远离所述基底的一侧形成第一电极，所述第一电极至少与所述掺杂硅层电接触。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述掺杂导电层和所述掺杂硅层的方法包括：
在所述隧穿层表面形成初始掺杂导电层；
自所述初始掺杂导电层远离所述基底的表面对部分厚度的所述初始掺杂导电层进行激光处理，以将部分厚度的所述初始掺杂导电层转化为掺杂硅层，未经所述激光处理的剩余部分所述初始掺杂导电层构成掺杂导电层。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述激光处理所采用的激光器包括：飞秒激光器、纳秒激光器或皮秒激光器中的任一者，所述飞秒激光器、纳秒激光器或皮秒激光器包含：红外激光器、绿光激光器、紫外激光器中的任一者。
15.根据权利要求14所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述激光处理的激光功率为1W~20W，频率在500KHz~3000KHz，扫描速度为5000mm/s~80000mm/s。
16.根据权利要求15所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述激光器为紫外皮秒激光器，所述激光处理的激光功率为3W~7W，频率为500KHz~1500KHz，扫描速度为30000mm/s~50000mm/s。
17.根据权利要求12-16中任一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在形成第一电极之前还包括：在所述掺杂硅层表面形成第一钝化层，形成所述第一电极的方法包括：
在待形成第一电极区域的所述第一钝化层顶面印刷导电浆料，所述导电浆料包括玻璃粉体，所述玻璃粉体在所述导电浆料中的质量占比为2%~6%；
对所述导电浆料进行烧结处理，所述烧结处理的温度为720℃~780℃。
18.一种光伏组件，包括：
电池串，所述电池串由多个如权利要求1~10中任一项所述的太阳能电池连接而成；
封装层，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面；
盖板，所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。
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