CN215869407U - 一种极性相同的钝化接触结构及电池、组件和系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种极性相同的钝化接触结构及电池、组件和系统；该极性相同的钝化接触结构包括硅衬底、设于硅衬底至少一面的电介质层、交替布置于电介质层表面的多晶硅层和第一多晶硅掺杂层、以及设于第一多晶硅掺杂层表面的第二多晶硅掺杂层；第一多晶硅掺杂层和第二多晶硅掺杂层的厚度之和大于多晶硅层的厚度，位于多晶硅层两侧的第一多晶硅掺杂层的掺杂极性相同，且第二多晶硅掺杂层的掺杂浓度大于第一多晶硅掺杂层的掺杂浓度；电介质层的厚度为0.9～2.9nm。该极性相同的钝化接触结构能显著降低金属接触复合及接触电阻，应用于太阳能电池(如TOPCon电池)后，能提高其短路电流和双面率，进而能提高太阳能电池的光电转换效率。

Description

一种极性相同的钝化接触结构及电池、组件和系统

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种极性相同的钝化接触结构及电池、组件和系统。

背景技术

目前，光伏行业量产效率最高的太阳能电池技术是钝化接触技术，即TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化层钝化接触)电池技术。其中，TOPCon电池技术主要是将超薄的隧穿氧化层(如氧化硅层)与重掺杂的多晶硅掺杂层相结合，使氧化硅层通过化学钝化来降低硅衬底与Poly-Si之间的界面态密度，同时，使多数载流子通过隧穿原理实现输运，而少数载流子则由于较高势垒及Poly-Si场效应而难以隧穿通过氧化硅层；如此，可获得较好的表面钝化和接触性能，使太阳能电池具有较高的开路电压和较低的接触电阻。另外，IBC(Interdigitated back contact，交叉背接触)电池因其前表面无栅线遮挡，可最大程度优化前表面陷光结构及背表面的金属电极结构，使其具有较高的短路电流密度及较高的填充因子。所以，目前研发的较高效率的太阳能电池采用的是将高开路电压及低接触电阻的TOPCon电池技术与高短路电流密度及高填充因子的IBC电池技术相结合的POLO-IBC电池技术，而且，该电池技术已被ISFH研究所应用，并获得了 26.1％光电转换效率的太阳能电池。

然而，现有太阳能电池的光电转换效率仍然不高，而无论是TOPCon电池技术还是POLO-IBC电池技术，究其原因，制约太阳能电池的光电转换效率进一步提高的主要原因是金属接触复合及接触电阻较高。而且，由于传统的IBC电池背面的叉指状结构的制备过程需要用到复杂且成本高昂的光刻掩膜技术，如果将其与钝化接触结构相融合，会增加太阳能电池制备工艺的复杂度，大大提升其制造成本，难以实现量产化。基于此，实用新型CN201910873413.3公开了一种局部钝化接触结构的制备方法，以制备出适用于太阳能电池的局部钝化接触结构，尽管该制备方法无需额外掩膜，但是，其在高温退火后，还依次进行了氧化、清洗去除非掺杂区氧化层、碱刻蚀去除非掺杂区多晶硅层和清洗去除剩余氧化层等处理，才能制备出该局部钝化接触结构，其制备方法仍然比较复杂，进而导致太阳能电池的制备工艺仍然较复杂，且其形成的局部钝化接触结构的短路电流及双面率低，仍然会影响太阳能电池的光电转换效率的提高。

实用新型内容

本实用新型的目的之一在于提供一种极性相同的钝化接触结构，该钝化接触结构不仅能显著降低金属接触复合及接触电阻，应用于太阳能电池(如TOPCon电池)后，还能提高太阳能电池的短路电流和双面率，进而能进一步提高太阳能电池的光电转换效率。

本实用新型的目的之二在于提供一种带有极性相同的钝化接触结构的电池。

本实用新型的目的之三在于提供一种太阳能电池组件。

本实用新型的目的之四在于提供一种太阳能电池系统。

基于此，本实用新型公开了一种极性相同的钝化接触结构，包括硅衬底、设于硅衬底至少一面的电介质层、交替布置于电介质层表面的多晶硅层和第一多晶硅掺杂层、以及设于第一多晶硅掺杂层表面的第二多晶硅掺杂层；所述第一多晶硅掺杂层和第二多晶硅掺杂层的厚度之和大于所述多晶硅层的厚度，位于所述多晶硅层两侧的第一多晶硅掺杂层的掺杂极性相同，且第二多晶硅掺杂层的掺杂浓度大于第一多晶硅掺杂层的掺杂浓度；所述电介质层的厚度为0.9～2.9nm。

优选地，所述多晶硅层与第一多晶硅掺杂层及第二多晶硅掺杂层的掺杂极性相同；所述第一多晶硅掺杂层的掺杂浓度大于多晶硅层的掺杂浓度。

优选地，所述多晶硅层的晶化率大于第二多晶硅掺杂层的晶化率；所述第一多晶硅掺杂层的晶化率大于第二多晶硅掺杂层的晶化率。

优选地，所述硅衬底为N型晶体硅衬底。

优选地，所述电介质层的材质为氧化硅、氧化铝和氧化铬中的一种或多种组合。

优选地，所述电介质层的厚度为1～1.4nm。

本实用新型还公开了一种电池，包括以上实用新型内容中所述的一种极性相同的钝化接触结构、设于所述钝化接触结构表面的背面钝化膜、设于第二多晶硅掺杂层表面并延伸至背面钝化膜外的背面金属电极、以及设于硅衬底正面的p+发射极、设于p+发射极表面的正面钝化膜和设于p+发射极表面并延伸至正面钝化膜外的正面金属电极。

优选地，所述硅衬底的正面为呈金字塔状的陷光结构，所述p+发射极设于所述陷光结构的表面；所述硅衬底的背面为平面结构。

本实用新型的一种电池的制备工艺，包括如下制备步骤：

步骤1，对所述硅衬底进行预处理，得到预处理后的硅衬底；

步骤2，在预处理后的硅衬底正面制备p+发射极；

步骤3，再在预处理后的硅衬底背面制备电介质层；

步骤4，在所述电介质层的表面制备非晶硅层；

步骤5，对所述非晶硅层的表面进行掺杂处理；

步骤6，再采用含掺杂原子的硅浆对非晶硅层进行选择性掺杂处理，然后通过热处理，使非晶硅层的非晶结构转变为n+多晶硅结构，并使部分掺杂原子选择性扩散至n+多晶硅结构中，从而使多晶硅结构形成交替布置于所述电介质层表面的多晶硅层和第一多晶硅掺杂层，同时含掺杂原子的硅浆在第一多晶硅掺杂层表面形成掺杂浓度大于第一多晶硅掺杂层的第二多晶硅掺杂层；

步骤7，再对所述p+发射极和所述钝化接触结构的表面进行钝化处理，以在p+发射极的表面形成正面钝化膜，并在所述钝化接触结构的表面形成背面钝化膜；

步骤8，然后，对所述p+发射极与第二多晶硅掺杂层进行金属化处理，以在p+发射极上形成延伸至正面钝化膜上方的正面金属电极，并在第二多晶硅掺杂层上形成延伸至背面钝化膜下方的背面金属电极，即得带有所述极性相同的钝化接触结构的电池。

优选地，步骤1中，所述预处理的方法为碱处理或酸处理；预处理后，所述硅衬底的正面为呈金字塔形的陷光结构，且硅衬底的背面为平面结构。

优选地，步骤2中，所述在预处理后的硅衬底正面制备所述p+发射极的步骤为：在预处理后的硅衬底的正面进行硼扩散，以制备所述p+发射极，并在p+发射极表面形成 BSG层；

经步骤5和6后，还在所述多晶硅层及第二多晶硅掺杂层的表面形成PSG层。

进一步优选地，在步骤7之前，还包括进行化学清洗处理，以去除所述BSG层和PSG层的步骤；采用酸溶液进行所述化学清洗处理。

步骤4中，所述非晶硅层的制备方法为物理气相沉积法、低压化学气相沉积法、等离子体化学气相沉积法或常压化学气相沉积法；步骤6中，所述含掺杂原子的硅浆的选择性掺杂处理的方法为丝网印刷法或喷墨法；所述含掺杂原子的硅浆优选为含磷掺杂原子的硅浆；

步骤7中，所述钝化处理的方法为原子层沉积法、化学气相沉积法或常压化学气相淀积法；

步骤8中，所述金属化处理的步骤为：所述p+发射极印刷银铝浆电极再高温烧结，以形成所述正面金属电极，且所述第二多晶硅掺杂层印刷银浆再于温度800～900℃下烧结，以形成所述背面金属电极。

本实用新型还公开了一种太阳能电池组件，包括由上至下依次设置的正面材料层、正面封装层、电池、背面封装层和背面材料层，所述电池是上述的一种带有极性相同的钝化接触结构的电池。

本实用新型还公开了一种太阳能电池系统，包括一个或一个以上的太阳能电池组件，所述太阳能电池组件是上述的一种太阳能电池组件。

与现有技术相比，本实用新型至少包括以下有益效果：

1、本实用新型的极性相同的钝化接触结构能应用于太阳能电池中，且最外层的重掺杂的第二多晶硅掺杂层与金属电极接触，能显著降低金属接触复合，同时因第二多晶硅掺杂层的掺杂浓度较高，还能减小接触电阻。

2、本实用新型的极性相同的钝化接触结构在应用于TOPCon电池之后，除了能降低金属接触复合和接触电阻，还可减薄非接触区域的多晶硅层，这一方面能减小载流子的寄生性吸收，提高太阳能电池的短路电流，另一方面还能减少光反射，提高太阳能电池的光利用率，进而提高太阳能电池的双面率；如此，能进一步提高该带有极性相同的钝化接触结构的太阳能电池的光电转换效率。

3、当第一多晶硅掺杂层的掺杂浓度小于第二多晶硅掺杂层的掺杂浓度时，次掺杂浓度的第一多晶硅掺杂层能与电介质层共同起到场钝化及隧穿作用，进而增强该钝化接触结构的场钝化及隧穿作用。

4、由于第一多晶硅掺杂层和第二多晶硅掺杂层的厚度之和大于所述多晶硅层的厚度，即多晶硅层的厚度较小，如此，通过减薄非接触区域的多晶硅层的厚度，以减少原材料的消耗量，进而降低生产成本。

附图说明

图1为本实施例的一种极性相同的钝化接触结构的结构示意图。

图2为本实施例的一种电池的结构示意图。

图3为本实施例的一种电池的制备工艺中硅衬底经步骤1后的结构示意图。

图4为本实施例的一种电池的制备工艺中硅衬底经步骤2后的结构示意图。

图5为本实施例的一种电池的制备工艺中硅衬底经步骤3后的结构示意图。

图6为本实施例的一种电池的制备工艺中硅衬底经步骤4后的结构示意图。

图7为本实施例的一种电池的制备工艺中硅衬底经步骤5后的结构示意图。

图8为本实施例的一种电池的制备工艺中硅衬底经步骤6后的结构示意图。

图9为本实施例的一种电池的制备工艺中硅衬底经步骤7后的结构示意图。

附图标号说明：硅衬底1；p+发射极2；BSG层3；正面钝化膜4；正面金属电极5；电介质层6；非晶硅层7；多晶硅层8；第一多晶硅掺杂层9；第二多晶硅掺杂层10；PSG 层11；背面钝化膜12；背面金属电极13。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

实施例

本实施例的一种极性相同的钝化接触结构，参见图1，包括硅衬底1、电介质层6、多晶硅层8、第一多晶硅掺杂层9及第二多晶硅掺杂层10。其中，电介质层6设于硅衬底1的背面和/或正面，多晶硅层8和第一多晶硅掺杂层9均局域布置于电介质层6的表面，且多晶硅层8与第一多晶硅掺杂层9的侧面相邻，也即，多晶硅层8和第一多晶硅掺杂层9交替布置于电介质层6的表面，第二多晶硅掺杂层10设于第一多晶硅掺杂层9 的表面。

其中，硅衬底1为N型晶体硅衬底。电介质层6的材质为氧化硅、氧化铝和氧化铬中的一种或多种组合；电介质层6主要起到界面钝化及隧穿的作用。具体地，电介质层6 的厚度为0.9～2.9nm；优选为，电介质层6的厚度为1～1.4nm，更优选为1.2nm。

其中，位于多晶硅层8两侧的第一多晶硅掺杂层9的掺杂极性相同，第二多晶硅掺杂层10的掺杂浓度大于第一多晶硅掺杂层9的掺杂浓度；次掺杂浓度的第一多晶硅掺杂层9能与电介质层6共同起到场钝化及隧穿作用，进而增强该钝化接触结构的场钝化及隧穿作用。

其中，第一多晶硅掺杂层9和第二多晶硅掺杂层10的厚度之和大于多晶硅层8的厚度；这样，多晶硅层8的厚度较小，可通过减薄非接触区域的多晶硅层8的厚度，来减少该多晶硅层8的原材料的消耗量，进而降低生产成本。

需要说明的是，多晶硅层8为掺杂结构，且多晶硅层8的掺杂极性与第一多晶硅掺杂层9及第二多晶硅掺杂层10的掺杂极性相同，且第一多晶硅掺杂层9的掺杂浓度大于多晶硅层8的掺杂浓度。

本实施例的一种极性相同的钝化接触结构，其应用于太阳能电池后，能使最外层的重掺杂的第二多晶硅掺杂层10与金属电极接触，从而能显著降低金属接触复合，同时因第二多晶硅掺杂层的掺杂浓度较高，还能减小接触电阻，进而提高电池的光电转换效率。

本实施例的一种电池，参见图2，包括硅衬底1、p+发射极2、正面钝化膜4、正面金属电极5、电介质层6、多晶硅层8、第一多晶硅掺杂层9、第二多晶硅掺杂层10、背面钝化膜12及背面金属电极13。其中，p+发射极2设于硅衬底1的正面，正面钝化膜4 设于p+发射极2的表面，正面金属电极5设于p+发射极2上并延伸至正面钝化膜4外；其中，电介质层6、多晶硅层8、第一多晶硅掺杂层9及第二多晶硅掺杂层10的设置参见图1所示的一种极性相同的钝化接触结构；背面钝化膜12设于该钝化接触结构的表面，也即背面钝化膜12覆盖电池的整个背面。背面金属电极13设于第二多晶硅掺杂层10上并延伸至背面钝化膜12外。

将图1所示的一种极性相同的钝化接触结构在应用于电池(如TOPCon电池)之后，除了能降低金属接触复合和接触电阻，还可减薄非接触区域的多晶硅层8的厚度，这不仅能减少原材料的消耗量，还能减小载流子的寄生性吸收，提高太阳能电池的短路电流，同时也能减少光反射，提高太阳能电池的光利用率，进而提高太阳能电池的双面率；如此，能进一步提高该带有极性相同的钝化接触结构的电池的光电转换效率。

本实施例的一种电池的制备工艺，其制备过程中的结构变化如图3至图9所示，其制备过程为：先对硅衬底1进行预处理，再在预处理后的硅衬底1的正面制备p+发射极 2，接着在预处理后的硅衬底1的背面制备电介质层6，之后在整个电介质层6的背面制备非晶硅层7，再对整个非晶硅层7的背面进行掺杂处理；然后，再将含有掺杂原子的硅浆局域制备于非晶硅层7的背面，然后经热处理，使非晶硅层7的非晶结构发生变化并转变为n+多晶硅结构，同时使部分掺杂原子继续扩散至n+多晶硅结构中，从而使得该 n+多晶硅结构形成交替布置于电介质层6背面的多晶硅层8和第一多晶硅掺杂层9，同时含掺杂原子的硅浆在第一多晶硅掺杂层9表面形成第二多晶硅掺杂层10。再对p+发射极2和钝化接触结构的表面进行钝化处理，以在p+发射极2的正面形成正面钝化膜4，并在该钝化接触结构的背面形成背面钝化膜12，然后，对p+发射极2与第二多晶硅掺杂层10进行金属化处理，以在p+发射极2上形成向上延伸至正面钝化膜4上方的正面金属电极5，并在第二多晶硅掺杂层10上形成向下延伸至背面钝化膜12下方的背面金属电极13，即得该带有极性相同的钝化接触结构的电池，如图2所示。

本实施例的一种的电池的制备工艺，其具体制备步骤如下：

步骤1，选择合适的硅衬底1，对硅衬底1进行预处理，以使硅衬底1的正面为呈金字塔状的陷光结构，并使硅衬底1的背面为平面结构。预处理的方法为碱处理或酸处理，但不仅限于这两种预处理方法。

本实施例的一个示例中，在碱处理过程中，可加入添加剂来促进预处理过程的进行。经预处理后的硅衬底1的结构如图3所示。

步骤2，在预处理后的硅衬底1的正面进行硼掺杂处理，以制备p+发射极2。其中，硼掺杂处理的方法为扩散法、旋涂法、丝网印刷法或喷墨法。

本实施例的一个示例中，采用扩散法制备p+发射极2的步骤为：在常压管中，采用三溴化硼作为硼源，对硅衬底1的正面进行硼源扩散，扩散温度为700～1000℃、时间为 40～100min、方阻为60～100Ω/sqr，在p+发射极2表面形成厚度为60～120nm的BSG层3；具体地，扩散过程中采用背靠背的方式进行插片，即扩散面朝外，非扩散面朝内。完成步骤2的硼掺杂处理后，其结构如图4所示。

步骤3，在预处理后的硅衬底1的背面制备电介质层6。本实施例的一个示例中，当电介质层6的材质为氧化硅时，电介质层6的制备方法为硝酸氧化法、高温热氧化或臭氧氧化法，但不限于以上电介质层6的制备方法。

具体地，采用硝酸氧化法制备氧化硅的步骤为：将经预处理后的硅衬底1置于质量分数为45～80％的硝酸溶液中反应4～8min、反应温度为90～100℃，反应结束后，采用氮气枪对硅衬底1进行快速吹干处理，即可在硅衬底1的背面制备得到厚度为0.9～2.9nm 的氧化硅，其结构如图5所示。

步骤4，在电介质层6的整个背面制备一层非晶硅层7，其制备方法为物理气相沉积法(PVD)、低压化学气相沉积法(LPCVD)、等离子体化学气相沉积法(PECVD) 或常压化学气相沉积法(APCVD)；对应地，沉积非晶硅层7所用的设备为PVD设备、 LPCVD设备、PECVD设备或APCVD设备。

本实施例的一个示例中，LPCVD方法的制备过程为：在真空低于7×10^-3Torr、温度为550～700℃的条件下，通入SiH₄，然后沉积反应10～40min，再抽真空，确认危险气体 SiH₄抽干净后，通入氮气至常压，冷却降温后，取出，即可在电介质层6表面制备一层非晶硅层7，其结构如图6所示。

步骤5，对整个非晶硅层7的背面进行掺杂处理。其中，掺杂处理的方法为扩散法、旋涂法、丝网印刷法或喷墨法。掺杂处理优选采用掺杂磷的浆料。具体地，扩散过程中采用背靠背的方式进行插片，即扩散面朝外，非扩散面朝内。

步骤6，在步骤5的掺杂处理后，再对非晶硅层7进行选择性掺杂处理，再通过一次热处理，使非晶硅层7的非晶结构转变为多晶结构，以在电介质层6的表面形成晶粒尺寸较小且均匀的n+多晶硅结构，并且经步骤5的掺杂处理的n+多晶硅结构经热处理能形成多晶硅层8，其结构如图7所示，与此同时，选择性掺杂处理的部分掺杂原子会继续扩散至选择性掺杂区域的n+多晶硅结构中，以使选择性掺杂区域的n+多晶硅结构形成第一多晶硅掺杂层9；如此，该n+多晶硅结构以交替的形式形成布置于电介质层6表面的多晶硅层8和第一多晶硅掺杂层9；同时，选择性掺杂处理所用的含掺杂原子的硅浆能在第一多晶硅掺杂层9表面形成掺杂浓度大于第一多晶硅掺杂层9的第二多晶硅掺杂层10。优选的，第二多晶硅掺杂层10的掺杂浓度是第一多晶硅掺杂层9掺杂浓度的1～50倍，第一多晶硅掺杂层9的掺杂浓度是多晶硅层8掺杂浓度的1～50倍。其中，选择性掺杂处理的方法为丝网印刷法或喷墨法，但不仅限于这两种方法。

本实施例的一个示例中，采用丝网印刷法进行选择性掺杂处理的步骤为：印刷含硼掺杂原子的硅浆或含磷掺杂原子的硅浆；此处，以印刷含磷掺杂原子的硅浆为例，印刷完成后，用100～400℃的温度进行烘干处理，烘干的时间为5～30min，烘干完成后，再进行退火处理，退火温度为700～1000℃、时间为10～30min，退火完成后，含磷掺杂原子的硅浆形成第二多晶硅掺杂层10，同时在步骤5的掺杂处理的基础上，步骤6中部分含磷掺杂原子选择性扩散至n+多晶硅结构中；如此，能以交替的形式形成布置于电介质层6 表面的多晶硅层8和第一多晶硅掺杂层9，并氧化形成位于多晶硅层8和第二多晶硅掺杂层10表面的PSG层11。其结构如图8所示。

步骤6中，选择性掺杂处理优选为丝网印刷法。这样，采用丝网印刷的方式，将含掺杂原子的硅浆局域印刷至非晶硅层7的特定区域，无需光刻和多步骤掩膜，仅通过一次热处理，即可同步制得交替布置于电介质层6表面的多晶硅层8和第一多晶硅掺杂层9，与此同时，同步制得位于第一多晶硅掺杂层9表面的第二多晶硅掺杂层10，这极大地简化钝化接触结构的工艺流程，提高生产效率；而且，丝网印刷能将含掺杂原子的硅浆精确掺杂至第一多晶硅掺杂层，以免对多晶硅层造成污染，进而能确保该电池中钝化接触结构的钝化性能。

步骤7，选择性掺杂处理后，再进行化学清洗处理，以去除BSG层3和PSG层11。其中，化学清洗处理采用酸溶液。化学清洗处理后，其结构如图9所示。

步骤8，化学清洗处理后，对p+发射极2和钝化接触结构的表面进行钝化处理，以在p+发射极2的表面形成正面钝化膜4，并在该钝化接触结构的表面形成背面钝化膜12。其中，钝化处理的方法为原子层沉积法(ALD)、化学气相沉积法(PECVD)或常压化学气相淀积法(APCVD)。优选为，对p+发射极2和钝化接触结构的表面同步进行钝化处理，以进一步简化该电池的制备工艺流程，提高生产效率。

步骤9，钝化处理结束后，再对p+发射极2与第二多晶硅掺杂层10进行金属化处理，以在p+发射极2上形成延伸至正面钝化膜4外的正面金属电极5，并在第二多晶硅掺杂层10上形成延伸至背面钝化膜12外的背面金属电极13。

其中，金属化处理优选为对金属电极进行丝网印刷处理，具体为，p+发射极2丝网印刷银铝浆电极并高温烧结，以形成正面金属电极5；第二多晶硅掺杂层10丝网印刷银浆并烧结，烧结温度800～900℃，以形成背面金属电极13。金属化处理后，即完成该带有极性相同的钝化接触结构的电池的制备，其结构如图2所示。步骤9中，采用丝网印刷制备金属电极，并通过套印对位的方式可以实现金属电极与掺杂层的精准对位，降低漏电风险。

所得电池中的背面金属电极13与重掺杂的第二多晶硅掺杂层10接触，可有效降低金属接触区域的复合，并可降低接触电阻，能提高该电池的发电效率；且制得的电池中多晶硅层8的晶化率大于第二多晶硅掺杂层10的晶化率，第一多晶硅掺杂层9的晶化率也大于第二多晶硅掺杂层10；这样，能有效避免硅衬底1中起发电作用的原子被低晶化率的多晶硅层8和第一多晶硅掺杂层9中的缺陷复合掉，能进一步提高该电池的发电效率。而且，该电池的制备工艺无需复杂的激光掺杂和掩膜工艺，工艺简单；且该制备工艺能与现有生产线相兼容，成本较低，易于量产化。

本实施例还提供了一种太阳能电池组件，包括由上至下依次设置的正面材料层、正面封装层、太阳能电池、背面封装层和背面材料层，太阳能电池是上述的一种带有极性相同的钝化接触结构的电池。

本实施例还提供了一种太阳能电池系统，包括一个或一个以上的太阳能电池组件，太阳能电池组件是上述的一种太阳能电池组件。

尽管已描述了本实用新型实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本实用新型实施例范围的所有变更和修改。

以上对本实用新型所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。

Claims (10)

1.一种极性相同的钝化接触结构，其特征在于，包括硅衬底、设于硅衬底至少一面的电介质层、交替布置于电介质层表面的多晶硅层和第一多晶硅掺杂层、以及设于第一多晶硅掺杂层表面的第二多晶硅掺杂层；所述第一多晶硅掺杂层和第二多晶硅掺杂层的厚度之和大于所述多晶硅层的厚度，位于所述多晶硅层两侧的第一多晶硅掺杂层的掺杂极性相同，且第二多晶硅掺杂层的掺杂浓度大于第一多晶硅掺杂层的掺杂浓度；所述电介质层的厚度为0.9～2.9nm。

2.根据权利要求1所述的一种极性相同的钝化接触结构，其特征在于，所述多晶硅层与第一多晶硅掺杂层及第二多晶硅掺杂层的掺杂极性相同；所述第一多晶硅掺杂层的掺杂浓度大于多晶硅层的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的一种极性相同的钝化接触结构，其特征在于，所述多晶硅层的晶化率大于第二多晶硅掺杂层的晶化率；所述第一多晶硅掺杂层的晶化率大于第二多晶硅掺杂层的晶化率。

4.根据权利要求1所述的一种极性相同的钝化接触结构，其特征在于，所述硅衬底为N型晶体硅衬底。

5.根据权利要求1所述的一种极性相同的钝化接触结构，其特征在于，所述电介质层的材质为氧化硅、氧化铝和氧化铬中的一种。

6.根据权利要求1所述的一种极性相同的钝化接触结构，其特征在于，所述电介质层的厚度为1～1.4nm。

7.一种电池，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的一种极性相同的钝化接触结构、设于所述钝化接触结构表面的背面钝化膜、设于第二多晶硅掺杂层表面并延伸至背面钝化膜外的背面金属电极、以及设于硅衬底正面的p+发射极、设于p+发射极表面的正面钝化膜和设于p+发射极表面并延伸至正面钝化膜外的正面金属电极。

8.根据权利要求7所述的一种电池，其特征在于，所述硅衬底的正面为呈金字塔状的陷光结构，所述p+发射极设于所述陷光结构的表面；所述硅衬底的背面为平面结构。

9.一种太阳能电池组件，包括由上至下依次设置的正面材料层、正面封装层、电池、背面封装层和背面材料层，其特征在于：所述电池是权利要求7-8任一所述的一种电池。

10.一种太阳能电池系统，包括一个或一个以上的太阳能电池组件，其特征在于：所述太阳能电池组件是权利要求9所述的一种太阳能电池组件。

Images