CN219917178U - 一种晶格钝化接触结构、太阳能电池、组件和系统 - Google Patents

Abstract

本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种晶格钝化接触结构、太阳能电池、组件和系统。太阳能电池的晶格钝化接触结构包括：硅基底；依次设置在所述硅基底上的第一氧化硅层、掺杂层、第二氧化硅层和钝化层；所述掺杂层的物质在穿透区穿透所述第一氧化硅层与所述硅基底接触。如此，穿透区可形成载流子传输的直接通道，降低隧穿传输的比例，并增加孔洞传输的比例，从而提高载流子传输的效率，降低第一氧化硅层的串联电阻贡献，提高太阳能电池的填充因子和光电转换效率。另外，可进一步提高掺杂层的物质的吸杂效应，提升硅片的少子寿命。

Description

一种晶格钝化接触结构、太阳能电池、组件和系统

技术领域

本申请属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种晶格钝化接触结构、太阳能电池、组件和系统。

背景技术

太阳能电池发电为一种可持续的清洁能源来源，其利用半导体p-n结的光生伏特效应可以将太阳光转化成电能，形成的电流通过导电区从电极导出。

相关技术中，太阳能电池的导电区包括晶格钝化接触结构。晶格钝化接触结构利用隧穿层隔离掺杂层与硅基底，形成硅基底、隧穿层、掺杂层依次层叠的结构。然而，目前的晶格钝化接触结构中，载流子传输效率低，吸杂效果差，导致太阳能电池的光电转换效率较低。

基于此，如何设计晶格钝化接触结构以提高光电转换效率，成为了亟待解决的问题。

实用新型内容

本申请提供一种晶格钝化接触结构，旨在解决如何设计晶格钝化接触结构以提高光电转换效率的问题。

本实用新型是这样实现的，提供一种太阳能电池的晶格钝化接触结构，包括：

硅基底；

依次设置在所述硅基底上的第一氧化硅层、掺杂层、第二氧化硅层和钝化层；

所述掺杂层的物质在穿透区穿透所述第一氧化硅层与所述硅基底接触。

更进一步地，其特征在于，所述掺杂层包含多晶硅。

更进一步地，所述掺杂层穿透所述第一氧化硅层的物质为多晶硅。

更进一步地，所述掺杂层和所述第一氧化硅层的掺杂元素均为第三主族元素或者第五主族元素。

更进一步地，所述第三主族元素为硼元素。

更进一步地，所述第五主族元素为磷元素。

更进一步地，所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层的厚度均小于或等于3nm。

更进一步地，所述第一氧化硅层厚度小于或等于2.5nm，所述第二氧化硅层厚度小于或等于2nm。

更进一步地，所述钝化层为氧化层、碳化硅层、及非晶硅层中的一种或多种组合。

本实用新型还提供一种太阳能电池，所述太阳能电池为topcon电池或者背接触电池，所述topcon电池或者所述背接触电池包括如上所述的太阳能电池的晶格钝化接触结构。

本实用新型还提供一种太阳能电池组件，包括如上所述的太阳能电池。

本实用新型还提供一种太阳能电池系统，包括如上所述的太阳能电池组件。

本申请实施例的晶格钝化接触结构，掺杂层的物质在穿透区穿透第一氧化硅层与硅基底接触，该穿透区可形成载流子传输的直接通道，降低隧穿传输的比例，并增加孔洞传输的比例，从而提高载流子传输的效率，降低第一氧化硅层的串联电阻贡献，提高太阳能电池的填充因子和光电转换效率。另外，掺杂层的物质在穿透区穿透第一氧化硅层与硅基底接触，可进一步提高掺杂层的物质的吸杂效应，提升硅片的少子寿命。

附图说明

图1是本申请实施例提供的太阳能电池的晶格钝化接触结构的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的太阳能电池的结构示意图。

主要元件符号说明：

太阳能电池100、晶格钝化接触结构10、硅基底101、第一氧化硅层11、穿透区111、掺杂层12、第二氧化硅层13、钝化层14。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

本申请中，掺杂层的物质在穿透区穿透第一氧化硅层与硅基底接触，该穿透区可形成载流子传输的直接通道，降低隧穿传输的比例，并增加孔洞传输的比例，从而提高载流子传输的效率，降低第一氧化硅层的串联电阻贡献，提高太阳能电池的填充因子和光电转换效率。另外，掺杂层的物质在穿透区穿透第一氧化硅层与硅基底接触，可进一步提高掺杂层的物质的吸杂效应，提升硅片的少子寿命。

实施例一

请参阅图1，本申请实施例的太阳能电池的晶格钝化接触结构，包括：

硅基底101；

依次设置在硅基底101上的第一氧化硅层11、掺杂层12、第二氧化硅层13和钝化层14；

掺杂层12的物质在穿透区111穿透第一氧化硅层11与硅基底101接触。

本申请实施例的太阳能电池的晶格钝化接触结构，掺杂层12的物质经过退火工艺后，会析出晶体，部分晶体在掺杂层边界形成晶体时，晶体会挤压甚至穿透第一氧化硅层11，使得掺杂层12的物质在该区域几乎可以与硅基底101直接接触。在光学显微镜下，可以看到，掺杂层12中含有多个带斜纹的小区域，这些小区域就是掺杂层中析出的晶体，一些带斜纹的小区域分布在第一氧化硅层11的边界处，即掺杂层的晶体穿透第一氧化硅层11形成穿透区111。该穿透区111可形成载流子传输的直接通道，降低隧穿传输的比例，并增加孔洞传输的比例，从而提高载流子传输的效率，降低第一氧化硅层11的串联电阻贡献，提高太阳能电池的填充因子和光电转换效率。另外，掺杂层12的物质在穿透区111穿透第一氧化硅层11与硅基底101接触，可进一步提高掺杂层12的物质的吸杂效应，提升硅片的少子寿命。

其中，在穿透区111内，掺杂层12的物质穿透第一氧化硅层11与硅基底101接触。请参考图1，在掺杂层12中，存在多个较为规整的晶体斜线结构，而在该穿透区111内，掺杂层12的物质同样为较为规整的晶体斜线结构，上述晶体斜线结构由多晶硅形成。掺杂层12的晶体斜线结构确实是在穿透区111穿透第一氧化硅层11与硅基底101接触。

值得一提的是，上述的穿透区111，在第一氧化硅层11的延伸方向上，可有至少一个，例如两个、三个、四个等。在该至少一个穿透区111内，均分别存在掺杂层12的物质穿透第一氧化硅层11与硅基底101接触的情况。

具体地，硅基底101包括相背的正面和背面，正面在正常工作期间朝向太阳，为向光面，可直接接收太阳光。背面在正常工作期间背离太阳，在太阳能电池倾斜地设置在地面的情况下，背面可接收被地面反射的太阳光。

在本实施例中，硅基底101为N型的单晶硅片。可以理解，在其他的实施例中，硅基底101也可以为多晶硅片、准单晶硅片等其他类型的硅片。硅基底101还可以为P型，可根据实际使用需要对硅基底101进行设置，在此不做具体限定。

具体地，硅基底101和第一氧化硅层11之间，可形成有内扩散层。内扩散层包括掺杂晶体硅层、掺杂非晶硅层、掺杂多晶硅层、掺杂纳米晶硅层、掺杂混晶硅层、掺杂碳化硅层、掺杂二氧化硅层、掺杂碳氧化硅层、掺杂氮氧化硅层、掺杂碳氮氧化硅层中的一种或多种。可以理解，在其他的实施例中，硅基底101和第一氧化硅层11可直接接触，不形成内扩散层。

具体地，第一氧化硅层11的数量为一层。可以理解，在其他的实施例中，第一氧化硅层11的层数可为2层、3层、4层或其他数量。

具体地，第一氧化硅层11可整面地设于硅基底101。可以理解，在其他的实施例中，第一氧化硅层11也可局域地设于硅基底101。

具体地，掺杂层12包括掺杂非晶硅层、掺杂多晶硅层、掺杂纳米晶硅层、掺杂混晶硅层、掺杂碳化硅层、掺杂二氧化硅层、掺杂碳氧化硅层、掺杂氮氧化硅层、掺杂碳氮氧化硅层中的一种或多种。

进一步地，在掺杂层12包括上述膜层中的多种的情况下，多种膜层可相互混合，也可依次层叠；也可以是，部分种类的膜层混合，其余种类膜层依次层叠；也可以是，部分区域的多种膜层混合，其余区域的多种膜层依次层叠。在此不对掺杂层12的具体形式进行限定。

进一步地，掺杂层12包括依次层叠的多层掺杂膜，相邻两层掺杂膜的折射率不同。如此，相邻两层掺杂膜可形成折射率梯度，从而实现梯度消光，可以增强太阳能电池对光线的吸收，有利于提高光电转换效率。可以理解，在其他的实施例中，掺杂层12包括依次层叠的多层掺杂膜，相邻两层掺杂膜的折射率可以相同。

具体地，掺杂层12的掺杂极性可与硅基底101相同，也可与硅基底101不同。换言之，掺杂层12的掺杂极性硅基底101的掺杂极性，可均为N型，也可均为P型；也可以是，掺杂层12的掺杂极性为N型，硅基底101的掺杂极性为P型；还可以是，掺杂层12的掺杂极性为P型，硅基底101的掺杂极性为N型。

具体地，掺杂层12可整面地设于第一氧化硅层11。可以理解，在其他的实施例中，掺杂层12也可局域地设于第一氧化硅层11。

具体地，第二氧化硅层13的结构可与第一氧化硅层11相同。第二氧化硅层13也可比第一氧化硅层11更致密、更厚。

具体地，第二氧化硅层13厚度为大于0.3nm且小于0.5nm。例如为0.31nm、0.32nm、0.38nm、0.4nm、0.45nm、0.49nm。可以理解，第二氧化硅层13可与掺杂层12形成致密的半共格晶界，外界的金属容易通过半共格晶界形成短路扩散至硅基底101，最终导致电性能降低或引起PID失效，而厚度大于0.3nm的第二氧化硅层13，可有效阻挡金属杂质的扩散。同时，厚度小于5nm的第二氧化硅层13，允许外层的钝化层14中的H离子在烧结、退火等热处理过程中快速穿透掺杂层12、掺杂层12与硅基底101的界面和硅基底101，从而形成有效的H钝化。

具体地，第二氧化硅层13的数量为一层。可以理解，在其他的实施例中，第二氧化硅层13的层数可为2层、3层、4层或其他数量。

具体地，第二氧化硅层13可整面地设于掺杂层12。可以理解，在其他的实施例中，第二氧化硅层13也可局域地设于掺杂层12。

具体地，钝化层14包括氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层中的至少一种。如此，实现太阳能电池的表面钝化。

进一步地，钝化层14的层数可为1层、2层、3层或其他数量。

进一步地，钝化层14可形成有开槽。如此，使得电极通过开槽穿过钝化层14和第二氧化硅层13，接触掺杂层12，从而将太阳能电池产生的电流导出。

实施例二

在一些可选实施例中，掺杂层12包含多晶硅。

如此，相较于第一氧化硅层11，更易将本征多晶硅层掺杂为掺杂多晶硅层，可以避免对本征多晶硅层的掺杂影响到第一氧化硅层11，保证第一氧化硅层11和掺杂多晶硅层的正常制备和功能。而且，掺杂多晶硅层可以阻挡金属杂质的扩散，并允许钝化层14中的H离子在烧结、退火等热处理过程中快速穿透，到达硅基底101，从而形成有效的H钝化。

实施例三

在一些可选实施例中，掺杂层12穿透第一氧化硅层11的物质为多晶硅。

请参考图1，在掺杂层12中，存在多个较为规整的晶体斜线结构，而在该穿透区111内，掺杂层12的物质同样为较为规整的晶体斜线结构，上述晶体斜线结构由多晶硅形成。

实施例四

在一些可选实施例中，掺杂层12和第一氧化硅层11的掺杂元素均为第三主族元素或者第五主族元素。

如此，利用第三主族元素或第五主族元素，使得掺杂层12和第一氧化硅层11形成P型掺杂区或N型掺杂区，从而在硅基底101形成PN结。

具体地，第三主族元素包括硼、铝、镓、铟、铊。掺杂层12和第一氧化硅层11的掺杂元素可为硼、铝、镓、铟、铊中的一种或多种。

具体地，第五主族元素包括氮、磷、砷、锑、铋。掺杂层12和第一氧化硅层11的掺杂元素可为氮、磷、砷、锑、铋中的一种或多种。

实施例五

在一些可选实施例中，第三主族元素为硼元素。通过硼元素，使得掺杂层12和第一氧化硅层11形成P型掺杂区。当然，在其他实施例中，第三主族元素也可以为其他，此处不一一赘述。

实施例六

在一些可选实施例中，第五主族元素为磷元素。通过磷元素，使得掺杂层12和第一氧化硅层11形成N型掺杂区。当然，在其他实施例中，第五主族元素也可以为其他，此处不一一赘述。

实施例七

在一些可选实施例中，第一氧化硅层11和第二氧化硅层13的厚度均小于或等于3nm。即第一氧化硅层11的厚度小于或等于3nm，第二氧化硅层13的厚度也小于或等于3nm。

如此，使得第一氧化硅层11和第二氧化硅层13的厚度分别处于合适范围，使得第一氧化硅层11的吸杂和导电效果较好，使得第二氧化硅层13阻挡金属杂质的扩散和使H离子快速通过的效果较好。

具体地，第一氧化硅层11厚度例如为2.9nm、2.8nm、2.5nm、2.2nm、2nm、1.5nm、1nm、0.8nm、0.5nm。

具体地，第二氧化硅层13厚度例如为0.5nm、0.8nm、1nm、1.2nm、1.5nm、2nm、2.5nm、2.8nm、3nm。

实施例八

在一些可选实施例中，第一氧化硅层11厚度小于或等于2.5nm，第二氧化硅层13厚度小于或等于2nm。

如此，使得第一氧化硅层11和第二氧化硅层13的厚度分别处于更加合适的范围，使得第一氧化硅层11的吸杂和导电效果更好，使得第二氧化硅层13阻挡金属杂质的扩散和使H离子快速通过的效果更好。

具体地，第一氧化硅层11厚度例如为0.5nm、0.8nm、1nm、1.2nm、1.5nm、1.8nm、2nm、2.3nm、2.5nm。

具体地，第二氧化硅层13厚度例如为0.5nm、1nm、1.2nm、1.5nm、1.8nm、1.9nm、2nm。

实施例九

在一些可选实施例中，钝化层14为氧化层、碳化硅层、及非晶硅层中的一种或多种组合。

如此，实现良好的钝化效果。

例如，其钝化层14为单一材料的氧化层；又如，钝化层14为多种材料的氧化层和非晶硅层的组合；再如，钝化层14为单一材料的多层不同折射率的非晶硅的组合。另外，钝化层14还可以为氮氧化硅层、氮化硅层等。可以理解，钝化层14的具体结构布置包括但不限于上述所罗列的几种方式，可根据实际使用需要对钝化层14进行相应设置，在此不做具体限定。

进一步地，其钝化层14的厚度为0.5-10nm。优选地，钝化层14的厚度优选为0.8-2nm。可以理解，钝化层14的厚度可设置为如现有技术中的隧穿层厚度，也可设置为较现有的隧穿层厚度更厚等，其根据实际使用需要进行设置，在此不做具体限定。

优选地，钝化层14为从第二氧化硅层13依次向外排列的氧化层和碳化硅层。进一步的，氧化层优选为氧化硅层、氧化铝层中的一层或多层。进一步地，碳化硅层包括氢化碳化硅层，此时氢化碳化硅层中的氢，在扩散机理及热效应的作用下进入硅基底101中，可以中和硅基底101背面的悬挂键，将硅基底101的缺陷钝化好，从而将禁带中的能带转入价带或者导带，使得提高载流子通过钝化层14进入第二氧化硅层13的几率。

实施例十

请参阅图2，本申请实施例的太阳能电池100，为topcon电池或者背接触电池，topcon电池或者背接触电池包括如实施例一至实施例九任一项的太阳能电池100的晶格钝化接触结构10。

本申请实施例的太阳能电池100，掺杂层12的物质经过退火工艺后，会析出晶体，部分晶体在掺杂层边界形成晶体时，晶体会挤压甚至穿透第一氧化硅层11，使得掺杂层12的物质在该区域几乎可以与硅基底101直接接触。在光学显微镜下，可以看到，掺杂层12中含有多个带斜纹的小区域，这些小区域就是掺杂层中析出的晶体，一些带斜纹的小区域分布在第一氧化硅层11的边界处，即掺杂层的晶体穿透第一氧化硅层11形成穿透区111。该穿透区111可形成载流子传输的直接通道，降低隧穿传输的比例，并增加孔洞传输的比例，从而提高载流子传输的效率，降低第一氧化硅层11的串联电阻贡献，提高太阳能电池的填充因子和光电转换效率。另外，掺杂层12的物质在穿透区111穿透第一氧化硅层11与硅基底101接触，可进一步提高掺杂层12的物质的吸杂效应，提升硅片的少子寿命。

具体地，在太阳能电池100为背接触电池的情况下，P、N两种极性的导电区间隔地设于背接触电池的一面。在太阳能电池100为双面接触电池的情况下，P、N两种极性的导电区分别设于背接触电池的两面。

进一步地，两种极性的导电区可均为实施例一至实施例九任一项的太阳能电池100的晶格钝化接触结构10；也可以是，P型导电区为实施例一至实施例九任一项的太阳能电池100的晶格钝化接触结构10，N型导电区不为实施例一至实施例九任一项的太阳能电池100的晶格钝化接触结构10；也可以是，N型导电区为实施例一至实施例九任一项的太阳能电池100的晶格钝化接触结构10，P型导电区不为实施例一至实施例九任一项的太阳能电池100的晶格钝化接触结构10。

进一步地，太阳能电池100包括，P、N两种极性的电极，即图2中的第一电极191和第二电极192，分别通过P、N两种极性的导电区连接到硅基底101。

实施例十一

本申请实施例的太阳能电池组件，包括实施例十的太阳能电池100。

本申请实施例的太阳能电池组件，掺杂层12的物质经过退火工艺后，会析出晶体，部分晶体在掺杂层边界形成晶体时，晶体会挤压甚至穿透第一氧化硅层11，使得掺杂层12的物质在该区域几乎可以与硅基底101直接接触。在光学显微镜下，可以看到，掺杂层12中含有多个带斜纹的小区域，这些小区域就是掺杂层中析出的晶体，一些带斜纹的小区域分布在第一氧化硅层11的边界处，即掺杂层的晶体穿透第一氧化硅层11形成穿透区111。该穿透区111可形成载流子传输的直接通道，降低隧穿传输的比例，并增加孔洞传输的比例，从而提高载流子传输的效率，降低第一氧化硅层11的串联电阻贡献，提高太阳能电池的填充因子和光电转换效率。另外，掺杂层12的物质在穿透区111穿透第一氧化硅层11与硅基底101接触，可进一步提高掺杂层12的物质的吸杂效应，提升硅片的少子寿命。

在本实施例中，太阳能电池组件中的多个太阳能电池100可依次串接在一起从而实现形成电池串，从而实现电流的串联汇流输出，例如，可通过设置焊带(汇流条、互联条)、导电背板等方式来实现电池片的串接。

可以理解的是，在这样的实施例中，太阳能电池组件还可包括金属框架、背板、光伏玻璃和胶膜。胶膜可填充在太阳能电池100正面和背面及光伏玻璃、相邻电池片等之间，作为填充物，其可为良好的透光性能和耐老化性能的透明胶体，例如胶膜可采用EVA胶膜或者POE胶膜，具体可根据实际情况进行选择，在此不作限制。

光伏玻璃可覆盖在太阳能电池100的正面的胶膜上，光伏玻璃可为超白玻璃，其具有高透光率、高透明性，并且具有优越的物理、机械以及光学性能，例如，超白玻璃的透光率可达92％以上，其可在尽可能不影响太阳能电池100的效率的情况下对太阳能电池100进行保护。同时，胶膜可将光伏玻璃和太阳能电池100黏合在一起，胶膜的存在可以对太阳能电池100进行密封绝缘以及防水防潮。

背板可贴附在太阳能电池100背面的胶膜上，背板可以对太阳能电池100起保护和支撑作用，具有可靠的绝缘性、阻水性和耐老化性，背板可以有多重选择，通常可为钢化玻璃、有机玻璃、铝合金TPT复合胶膜等，其具体可根据具体情况进行设置，在此不作限制。背板、太阳能电池100、胶膜以及光伏玻璃组成的整体可设置在金属框架上，金属框架作为整个太阳能电池组件的主要外部支撑结构，且可为太阳能电池组件进行稳定的支撑和安装，例如，可通过金属框架将太阳能电池组件安装在所需要安装的位置。

实施例十二

本申请实施例的太阳能电池系统，包括实施例十一的太阳能电池组件。

本申请实施例的太阳能电池系统，掺杂层12的物质经过退火工艺后，会析出晶体，部分晶体在掺杂层边界形成晶体时，晶体会挤压甚至穿透第一氧化硅层11，使得掺杂层12的物质在该区域几乎可以与硅基底101直接接触。在光学显微镜下，可以看到，掺杂层12中含有多个带斜纹的小区域，这些小区域就是掺杂层中析出的晶体，一些带斜纹的小区域分布在第一氧化硅层11的边界处，即掺杂层的晶体穿透第一氧化硅层11形成穿透区111。该穿透区111可形成载流子传输的直接通道，降低隧穿传输的比例，并增加孔洞传输的比例，从而提高载流子传输的效率，降低第一氧化硅层11的串联电阻贡献，提高太阳能电池的填充因子和光电转换效率。另外，掺杂层12的物质在穿透区111穿透第一氧化硅层11与硅基底101接触，可进一步提高掺杂层12的物质的吸杂效应，提升硅片的少子寿命。

在本实施例中，太阳能电池系统可应用在光伏电站中，例如地面电站、屋顶电站、水面电站等，也可应用在利用太阳能进行发电的设备或者装置上，例如用户太阳能电源、太阳能路灯、太阳能汽车、太阳能建筑等等。当然，可以理解的是，太阳能电池系统的应用场景不限于此，也即是说，太阳能电池系统可应用在需要采用太阳能进行发电的所有领域中。以光伏发电系统网为例，太阳能电池系统可包括光伏阵列、汇流箱和逆变器，光伏阵列可为多个太阳能电池组件的阵列组合，例如，多个太阳能电池组件可组成多个光伏阵列，光伏阵列连接汇流箱，汇流箱可对光伏阵列所产生的电流进行汇流，汇流后的电流流经逆变器转换成市电电网要求的交流电之后接入市电网络以实现太阳能供电。

以上仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。而且，本申请各实施例或示例中描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中，以合适的方式结合。

Claims (9)

1.一种太阳能电池的晶格钝化接触结构，其特征在于，包括：

硅基底；

依次设置在所述硅基底上的第一氧化硅层、掺杂层、第二氧化硅层和钝化层；

所述掺杂层的物质在穿透区穿透所述第一氧化硅层与所述硅基底接触。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的晶格钝化接触结构，其特征在于，所述掺杂层为掺杂多晶硅层。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池的晶格钝化接触结构，其特征在于，所述掺杂层穿透所述第一氧化硅层的物质为多晶硅。

4.根据权利要求1至3任一项所述的太阳能电池的晶格钝化接触结构，其特征在于，所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层的厚度均小于或等于3nm。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池的晶格钝化接触结构，其特征在于，所述第一氧化硅层厚度小于或等于2.5nm，所述第二氧化硅层厚度小于或等于2nm。

6.根据权利要求1至3任一项所述的太阳能电池的晶格钝化接触结构，其特征在于，所述钝化层为氧化层、碳化硅层、及非晶硅层中的一种或多种组合。

7.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池为topcon电池或者背接触电池，所述topcon电池或者所述背接触电池包括如权利要求1至6任一项所述的太阳能电池的晶格钝化接触结构。

8.一种太阳能电池组件，其特征在于，所述太阳能电池组件包括如权利要求7所述的太阳能电池。

9.一种太阳能电池系统，其特征在于，所述太阳能电池系统包括如权利要求8所述的太阳能电池组件。