CN212676289U - 太阳电池及光伏组件 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了太阳电池及光伏组件，涉及光伏技术领域。电池包括硅片，第一载流子选择收集层沉积于硅片的背光面的第一区；硅片的背光面除第一区之外的区域为第二区；金属氧族化合物层沉积于硅片和第一载流子选择收集层共同的背光面；金属氧族化合物层中对应第一载流子选择收集层的部分形成第一载流子输送区，对应第二区的部分形成第二载流子选择收集层；第一电极对应设置在第一载流子输送区；第二电极对应设置在第二载流子选择收集层上。第一载流子选择收集层、金属氧族化合物层均沉积形成，具有体区复合低的优点，不受俄歇复合极限的限制，无需额外对位和电学隔离，工艺简单，复合低，光电转换效率高，无反向pn结，工艺温度低。

Description

太阳电池及光伏组件

技术领域

本实用新型涉及光伏技术领域，特别是涉及一种太阳电池及光伏组件。

背景技术

目前，太阳电池有些将正负电极均设置在电池的背光面上，这种电池通常需要在硅片的背光面的某些区域掺杂形成P区，在另外的区域掺杂形成N区；但是掺杂区域复合较高，面临俄歇复合极限，限制了光电转换效率。

实用新型内容

本实用新型提供一种太阳电池及光伏组件，旨在解决制作对位准确、且相互电学隔离的不同导电类型掺杂区域，工艺复杂，工艺温度高，且掺杂区域存在俄歇复合极限的问题。

根据本实用新型的第一方面，提供了一种太阳电池，包括：硅片、第一载流子选择收集层、金属氧族化合物层、第一电极以及第二电极；

所述第一载流子选择收集层沉积于所述硅片的背光面的第一区上；所述硅片的背光面除所述第一区之外的区域为第二区；

所述金属氧族化合物层沉积于所述硅片的背光面的所述第二区上以及所述第一载流子选择收集层的背光面上；所述金属氧族化合物层中对应所述第一载流子选择收集层的部分形成第一载流子输送区；所述金属氧族化合物层中对应所述第二区的部分形成第二载流子选择收集层；

所述第一电极对应设置在所述第一载流子输送区上；

所述第二电极对应设置在所述第二载流子选择收集层上。

本实用新型实施方式中，第一载流子选择收集层沉积在硅片的背光面的第一区上，无需高温扩散，工艺温度低。第一载流子选择收集层载流子传导能级与硅片的第一载流子传导能级接近，可以吸收第一载流子排斥第二载流子，起到第一载流子选择性作用。金属氧族化合物层在第一载流子选择收集层之外的区域的界面处载流子传导能级与硅片的背光面上第二区的第二载流子的传导能级接近，可以起到吸收第二载流子排斥第一载流子的作用，进而金属氧族化合物层中第一载流子传输区之外的区域形成了第二载流子选择收集层，通过第二载流子选择收集层实现了第二载流子的收集和传输。也就是说，与第一载流子选择收集层对应的金属氧族化合物层区域实现了对第一载流子的传输，之外的金属氧族化合物层区域实现了对第二载流子的收集和传输，即，金属氧族化合物层的不同区域分别实现了第一载流子传输和第二载流子的收集，同时，金属氧族化合物层中，第一载流子输送区和第二载流子选择收集层的界面处，存在高阻缺陷，可以实现绝缘，不会产生漏电或短路，因此不需要额外的对位和电学隔离，工艺简单，降低了复合，提升了光电转换效率。第一载流子选择收集层采用沉积选择性接触结构，金属氧族化合物层也采用沉积的选择性接触结构，具有体区复合低的优点，不受俄歇复合极限的限制。同时，第一载流子选择收集层、第二载流子选择收集层，不会因为相互接触而产生反向pn结。并且，金属氧族化合物层结构与性能可调性强，可实现较低的横向传导能力和较强的纵向传导能力，且热稳定性较好，工艺选择窗口宽。

可选的，所述金属氧族化合物层中，所述第一载流子输送区和所述第二载流子选择收集层之间设置有阻断结构。

可选的，所述阻断结构为开槽；和/或，所述阻断结构为高阻体，所述高阻体的电阻率是所述金属氧族化合物层的电阻率100倍以上。

可选的，所述第一载流子选择收集层的厚度为1-500nm，更优地，为2-60nm。

可选的，所述金属氧族化合物层的厚度为1-600nm，更优地，为2-100nm。

可选的，所述第一载流子选择收集层在所述硅片的背光面的投影的面积，占所述硅片的背光面的总面积的5％至45％。

可选的，还包括隧穿隔离层；所述隧穿隔离层位于所述硅片的背光面与所述金属氧族化合物层与所述第一载流子选择收集层两者共同的向光面之间；所述隧穿隔离层的厚度为0.1nm-5nm，所述隧穿隔离层为一层或多层结构。

可选的，所述第一电极和所述第一载流子选择收集层之间设置有第一透明导电薄膜和/或第一功函数调节层；所述第一透明导电薄膜和/或第一功函数调节层均位于所述第一载流子选择收集层的投影区域内；

和/或，所述第二电极和所述第二载流子选择收集层之间设置有第二透明导电薄膜和/或第二功函数调节层；所述第二透明导电薄膜和/或第二功函数调节层均位于所述第二载流子选择收集层的投影区域内。

可选的，所述第一功函数调节层、所述第二功函数调节层的厚度均为0.1-2nm。

可选的，在所述第一电极和所述第一载流子选择收集层之间设置有所述第一透明导电薄膜的情况下，所述第一电极以栅线的形式设置在所述第一透明导电薄膜的背光面；

和/或，在所述第二电极和所述第二载流子选择收集层之间设置有所述第二透明导电薄膜的情况下，所述第二电极以栅线的形式设置在所述第二透明导电薄膜的背光面。

可选的，所述硅片的背光面为平面结构或陷光结构；

和/或，所述硅片的向光面为平面结构或陷光结构。

可选的，所述第一载流子选择收集层的俯视图为点状或线状图案。

可选的，所述硅片的向光面设置有钝化层、正面场效应层、正面减反射薄膜层、散射结构层、聚光结构层中的至少一种；

和/或，在所述金属氧族化合物层以及所述第一载流子输送区两者的背光面中，所述第一电极、所述第二电极之外的区域设置有背面减反射膜。

根据本实用新型的第二方面，还提供一种光伏组件，包括：任一前述的太阳电池。

上述光伏组件，具有与前述太阳电池相同或相似的有益效果。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施方式的技术方案，下面将对本实用新型实施方式的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本实用新型实施方式中的第一种太阳电池的结构示意图；

图2示出了本实用新型实施方式中的第二种太阳电池的结构示意图；

图3示出了本实用新型实施方式中的第三种太阳电池的结构示意图；

图4示出了本实用新型实施方式中的第四种太阳电池的结构示意图；

图5示出了本实用新型实施方式中的第五种太阳电池的结构示意图。

附图编号说明：

1-硅片，2-第一载流子选择收集层，3-隧穿隔离层，4-金属氧族化合物层，5-第二电极，6-第一电极，52-第二导电薄膜，53-第二功函数调节层，63-第一导电薄膜，62-第一功函数调节层，7-正面减反射薄膜层，8-背面减反射膜，9-阻断结构。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施方式中的附图，对本实用新型实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本实用新型一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型实施方式中，参照图1所示，图1示出了本实用新型实施方式中的第一种太阳电池的结构示意图。该太阳电池包括：硅片1，硅片1的背光面的第一区上沉积有第一载流子选择收集层2。第一载流子选择收集层2可以实现对第一载流子的收集和传输。硅片1和第一载流子选择收集层2两者共同的背光面上沉积有金属氧族化合物层4。金属氧族化合物层4结构与性能可调性强，可实现较低的横向传导能力和较强的纵向传导能力，且热稳定性较好，工艺选择窗口宽。

金属氧族化合物层4中对应第一载流子选择收集层2的部分形成第一载流子输送区，可以实现对第一载流子的传输。金属氧族化合物层4中对应硅片1的第二区的部分形成第二载流子选择收集层，可以实现对第二载流子的收集和传输。

可以理解的是，所述第一载流子选自多子或少子中的一个，所述第二载流子选自多子或少子中的另一个。也即当第一载流子为多子时，则第二载流子必为少子；当第二载流子为多子时，则第一载流子必为少子；需要说明的是，在本实用新型中，多子、少子具体是电子还是空穴，主要根据硅片1的掺杂类型决定。若硅片1的掺杂类型为n型，则，在本实用新型的太阳电池中多子即指电子，少子即指空穴。若硅片1的掺杂类型为p型，则，本实用新型的太阳电池中多子即指空穴，少子即指电子。

可选的，第一载流子选择收集层在硅片1的背光面的投影的面积，占硅片的背光面的总面积的5％至45％，该面积比例下，对第一载流子的收集和传输效果好，同时也不会影响第二载流子的收集和传输。

可选的，第一载流子选择收集层的俯视图可以为点状或线状图案，点状图案例如圆形或椭圆形。线状图案如矩形或多边形等。第一载流子选择收集层的俯视图为点状或线状图案，对于第一载流子选择收集层的沉积实现工艺简单。

在金属氧族化合物层4中第二载流子选择收集层的背光面上对应设置有第二电极5，第二电极5用于传导第二载流子。在第一载流子输送区上对应设置有第一电极6，第一电极6用于传导第一载流子。需要说明的是，第二电极5和第一电极6之间需要保留电气绝缘间隙，电气绝缘间隙间隙不小于正常工作电压下的击穿距离。第二电极5和第一电极6可采用印刷、沉积等工艺制作。第一电极6和第二电极5可以为金属电极。

参照图1所示，若，硅片1为n型硅片，若第一载流子为电子，第一载流子为空穴。第一载流子选择收集层2即为电子收集端。第一载流子选择收集层为沉积结构，其导带能级与硅材料的导带能级接近，可以引起n型硅片在该第一载流子选择收集层2能带向下弯曲，吸引电子排斥空穴，起到电子选择性收集的作用。金属氧族化合物层4中对应硅片1的第二区的部分形成第二载流子选择收集层，第二载流子选择收集层即为空穴收集端。第二载流子选择收集层表现为空穴选择性接触材料，该材料的导带能级与n型硅片的价带能级接近，且可以具备界面负电荷或负固定缺陷，可以引起界面处能带向上弯曲，形成界面p型层，起到吸引空穴排斥电子的作用。

需要说明的是，本实用新型中的导带能级、价带能级一般指材料本身的能级，即该材料单独存在时的能级水平，并不是指在电池结构中的实际能级。

在第一载流子输送区，第一载流子选择收集层2的导带底能级位于硅片1导带能级和金属氧族化合物层4的导带能级之间，因此，硅片1中电子可以直接顺序进入第一载流子选择收集层2后再进入金属氧族化合物层4中与第一载流子选择收集层2对应的第一载流子输送区，从而实现电子的传输。

金属氧族化合物层4可同时实现空穴的收集与电子的传输，同时，金属氧族化合物层4中，第一载流子输送区和第二载流子选择收集层的界面处，存在高阻缺陷，可以实现绝缘，不同类型载流子被收集后均纵向传输进入相应电极，不会产生漏电或短路，因而不同类型的载流子收集端不需要额外进行电学隔离，并且不会因为相互接触而产生反向pn结。

本实用新型实施方式中，第一载流子选择收集层采用沉积选择性接触结构，金属氧族化合物层4也采用沉积的选择性接触结构，相比于传统的全扩散结构，具有体区复合低的优点，不受俄歇复合极限的限制，同时扩散步骤少，工艺相对简单；而且在形成第一载流子选择收集层和第二载流子选择收集层均采用沉积方式，无需高温。相比于采用非晶硅作为的结构，金属氧族化合物层4的选择性更强，热稳定性更高，同时材料沉积过程设备要求较低，安全性更高。金属氧族化合物层4可以全面覆盖电池背面，进一步简化工艺流程。

采用金属氧族化合物层4中对应硅片1的第二区的部分形成第二载流子选择收集层，相比于非晶硅材料具备更强的选择性和纵向传输能力，第二载流子收集与纵向传输能力更强。

可选的，金属氧族化合物层4可以为一层或多层结构，参照图1所示，金属氧族化合物层4的厚度d1可以为1-600nm，更优地，d1为2-100nm，该厚度范围利于第二载流子和第一载流子的传输和收集。

可选的，在硅片为n型硅片且第一载流子为多子的情况下，或，在硅片为p型硅片且第一载流子为少子的情况下，金属氧族化合物层4的材料选自：第一材料中的至少一种。该第一材料为：功函数大于等于5eV的n型金属氧化物、或功函数小于等于6eV的p型金属氧化物。针对上述两种情况，该材料的金属氧族化合物层4中的第一载流子输送区，利于第一载流子的传输，该材料的金属氧族化合物层4中的第二载流子选择收集层利于第二载流子的传输和收集。

具体的，在硅片为n型硅片且第一载流子为电子的情况下，或，在硅片为p型硅片且第一载流子为电子的情况下，金属氧族化合物层4的材料选自：上述第一材料中的至少一种。

可选的，上述第一材料选自：氧化钼、氧化钨、氧化钒、氧化铌、氧化镍、掺汞氧化铌(如Hg₂Nb₂O₇)、掺汞氧化钽(如Hg₂Ta₂O₇)中的至少一种。在硅片为n型硅片且第一载流子为电子的情况下，或，在硅片为p型硅片且第一载流子为电子的情况下，上述材料的金属氧族化合物层4中的第二载流子选择收集层利于第二载流子的传输和收集，上述材料的金属氧族化合物层4中的第一载流子输送区，利于第一载流子的传输。

可选的，在硅片为p型硅片且第一载流子为多子的情况下，或在硅片为n型硅片且第一载流子为少子的情况下，金属氧族化合物层的材料选自第二材料中的至少一种；第二材料为功函数大于或等于3eV的金属氧族化合物。该材料的金属氧族化合物层4中的第一载流子输送区，利于第一载流子的传输，该材料的金属氧族化合物层4中的第二载流子选择收集层利于第二载流子的传输和收集。

具体的，在硅片为p型硅片且第一载流子为空穴的情况下，或在硅片为n型硅片且第一载流子为空穴的情况下，金属氧族化合物层4的材料选自：上述第二材料中的至少一种。

可选的，上述第二材料选自：氧化锌、氧化锡、氧化钛、氧化铜、氧化铊、硫化镉、硫化钼、硫化锌、硒化钼、硒化铜、掺铌氧化铜(如CuNb₃O₈)、氧化镉锗(如Ce_0.8Gd_0.2O₂)、氧化铱锌(如ZnIr₂O₄)、氧化钴钙(如Ca₃Co₄O₉)中的至少一种。在硅片为p型硅片且第一载流子为空穴的情况下，或在硅片为n型硅片且第一载流子为空穴的情况下，该材料的金属氧族化合物层4中的第一载流子输送区，利于第一载流子的传输，该材料的金属氧族化合物层4中的第二载流子选择收集层利于第二载流子的传输和收集。

可选的，上述金属氧族化合物中含有掺杂元素，该掺杂元素选自：卤族元素、过渡金属元素、碱金属元素、稀土元素、III族元素、IV族元素、V族元素中的至少一种。上述材料的金属氧族化合物层4中的第一载流子输送区，利于第一载流子的传输，该材料的金属氧族化合物层4中的第二载流子选择收集层利于第二载流子的传输和收集。

可选的，金属氧族化合物层4的横向传导能力小于等于1.0×10^-3S/cm，横向电阻大于或等于1.0×10³Ω/cm，进而对横向电流具有良好的阻隔作用。可以通过调节材料结构如结晶性、晶相或掺杂等工艺实现降低横向导电能力。

可选的，在硅片为p型硅片且第一载流子为多子的情况下，或在硅片为n型硅片且第一载流子为少子的情况下，金属氧族化合物层4中对应硅片1的第二区的部分形成第二载流子选择收集层，用于收集和传输第二载流子电子，金属氧族化合物层4中对应第一载流子选择收集层的部分形成第一载流子输送区，用于传输第一载流子空穴。金属氧族化合物层4的界面或内部的固定正电荷密度大于或等于10¹¹cm^-2，和/或，金属氧族化合物层4的界面或内部的受主缺陷密度大于或等于10¹¹cm^-2，和/或，金属氧族化合物层4的界面或内部的限位电荷密度大于或等于10¹¹cm^-2。该材料的金属氧族化合物层4中的第一载流子输送区，利于第一载流子的传输，该材料的金属氧族化合物层4中的第二载流子选择收集层利于第二载流子的传输和收集。

可选的，在硅片为n型硅片且第一载流子为多子的情况下，或在硅片为p型硅片且第一载流子为少子的情况下，金属氧族化合物层4中对应硅片1的第二区的部分形成第二载流子选择收集层，用于收集和传输第二载流子空穴，金属氧族化合物层4与中对应第一载流子选择收集层2的部分形成第一载流子输送区，用于传输第一载流子电子。金属氧族化合物层4的界面或内部的固定负电荷密度大于或等于10¹²cm^-2，和/或，金属氧族化合物层4的界面或内部的施主缺陷密度大于或等于10¹²cm^-2，和/或，金属氧族化合物层4的界面或内部的限位电荷密度大于或等于10¹²cm^-2。该材料的金属氧族化合物层4中的第一载流子输送区，利于第一载流子的传输，该材料的金属氧族化合物层4中的第二载流子选择收集层利于第二载流子的传输和收集。

可选的，参照图2所示，图2示出了本实用新型实施方式中的第二种太阳电池的结构示意图。金属氧族化合物层4中，第一载流子输送区和第二载流子选择收集层之间设置有阻断结构9。该阻断结构9将金属氧族化合物层中，第一载流子输送区和第二载流子选择收集层进行电学分割，从而可以提高未分割区域内金属氧族化合物的电导率，可以从很大程度上减少纵向串联电阻。且通过阻断结构对第一载流子输送区和第二载流子选择收集层进行电学分割，不同类型载流子被收集后均纵向传输进入相应电极，不会因为横向传输而互相连通导致漏电或短路，因此不需要额外的对位和电学隔离，工艺简单，降低了复合，提升了光电转换效率。

可选的，阻断结构为开槽；和/或，阻断结构高阻体，高阻体的电阻率是金属氧族化合物层4的电阻率100倍以上。一方面绝缘效果好，另一方面实现工艺简单。

可选的，金属氧族化合物层4在可见光波段的平均透光率大于或等于70％，进而，金属氧族化合物层4对可见光的遮挡少，利于提升光电转换效率。

可选的，硅片1的背光面为平面结构或陷光结构，金属氧族化合物层4以及第一载流子选择收集层2的向光面适配于硅片1的背光面。和/或，硅片1的向光面为平面结构或陷光结构。对于陷光结构而言，可以增加光程，提升光电转换效率。陷光结构可以为绒面、倒金字塔、纳米陷光结构等。

可选的，硅片的向光面还可以设置有钝化层、正面场效应层、正面减反射薄膜层、散射结构层、聚光结构层中的至少一种。和/或，在金属氧族化合物层的以及第一载流子输送区两者背光面中，第二电极、第一电极之外的区域设置有背面减反射膜，以实现钝化、光学改进等。

例如，参照图3所示，图3示出了本实用新型实施方式中的第三种太阳电池的结构示意图。图3中7可以为正面减反射薄膜层，8可以为背面减反射膜。

可选的，参照图1所示，第一载流子选择收集层2的厚度d2为1-500nm，更优地，d2为2-60nm。该厚度的第一载流子选择收集层2有利于对第一载流子的收集和传输。(可选的，第一载流子选择收集层2在硅片1的背光面的投影的面积，占硅片1的背光面的总面积的5％至45％。该面积比例下，对第一载流子的收集和传输效果好，同时也不会影响第二载流子的收集和传输。

可选的，硅片为n型硅片且第一载流子为多子的情况下，或在硅片为p型硅片且第一载流子为少子的情况下，第一载流子选择收集层的材料选自：功函数大于或等于3eV的晶硅材料、函数大于或等于3eV的非晶硅材料、或第二材料中的至少一种。该第二材料为功函数大于或等于3eV的金属氧族化合物。上述材料的第一载流子选择收集层对第一载流子的收集和传输效果好。

可选的，在硅片为p型硅片且第一载流子为多子的情况下，或在硅片为n型硅片且第一载流子为少子的情况下，第一载流子选择收集层的材料可以选自：第一材料中的至少一种；该第一材料为功函数大于等于5eV的n型金属氧族化合物、或功函数小于等于6eV的p型金属氧族化合物。上述材料的第一载流子选择收集层对第一载流子的收集和传输效果好。

关于该第二材料、第一材料的具体选择可以参照前述有关记载，且能达到相同或类似的有益效果，为了避免重复，此处不再赘述。

可选的，硅片的背光面和金属氧族化合物层与第一载流子选择收集层两者共同的向光面之间设置有隧穿隔离层。隧穿隔离层可以为一层或多层结构，隧穿隔离层的厚度为0.1nm-5nm。隧穿隔离层起到良好的表面钝化作用，可以减少电流在界面处的复合。

例如，参照图4所示，图4示出了本实用新型实施方式中的第四种太阳电池的结构示意图。硅片1的背光面和金属氧族化合物层4与第一载流子选择收集层2两者共同的向光面之间设置有隧穿隔离层3，隧穿隔离层3的厚度d3为0.1nm-5nm。

可选的，隧穿隔离层的材料选自：硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物、硅的卤化物中的至少一种。上述材料的隧穿隔离层表面化学钝化作用更好。隧穿隔离层可以单独形成，如，采用原位反应的工艺如湿法热氧、干法热氧工艺，可以采用化学气相沉积、物理气相沉积等沉积工艺单独形成。或用与金属氧族化合物层集成的工艺，如生长金属氧族化合物过程中或后退火过程中形成的界面氧化硅层，作为隧穿隔离层。需要说明的是，若隧穿隔离层为不含硅的材料时，可以包含其与硅材料的化学过渡层。

可选的，隧穿隔离层可以为电介质层，介电常数大于2。不仅起到良好的表面化学钝化作用，而且，具有良好的场钝化作用，可以对横向导电起到良好的阻断作用。

可选的，隧穿隔离层的击穿电压大于或等于3MV/cm，表面钝化作用好，且对横向导电起到良好的阻断作用。

可选的，隧穿隔离层的材料选自：氧化硅(如SiO_x)、氮化硅(如SiN_x)、氟化硅(如SiF₄)、氟氧化硅(如SiOF)、碳氧化硅(如SiOC)、氧化铝(如Al₂O₃)、氟化铝(如AlF_x)、氮氧化铝(如AlON)中的至少一种。上述材料的隧穿隔离层表面钝化作用好，且对横向导电起到良好的阻断作用。需要说明的是化学式中的x，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的取值。

可选的，第一电极和第一载流子选择收集层之间设置有第一透明导电薄膜和/或第一功函数调节层。即，第一电极和第一载流子选择收集层之间可以设置有第一导电薄膜、或者第一功函数调节层，亦或者两者都有。第一透明导电薄膜和/或第一功函数调节层均位于第一载流子选择收集层的投影区域内。需要说明的是，在两者都有的情况下，第一透明导电薄膜可以位于第一功函数调节层的背光面或向光面。第一电极的投影可以位于第一导电薄膜和/或第一功函数调节层的投影之内。

和/或，第二载流子选择收集层和第二电极之间设置有第二透明导电薄膜和/或第二功函数调节层。即，第二载流子选择收集层和第二电极之间可以设置有第二导电薄膜、或者第二功函数调节层，亦或者两者都有。第二透明导电薄膜和/或第二功函数调节层均位于第二载流子选择收集层的投影区域内。需要说明的是，在两者都有的情况下，第二透明导电薄膜可以位于第二功函数调节层的背光面或向光面。第二电极的投影可以位于第二导电薄膜和/或第二功函数调节层的投影之内。

其中，上述第一导电薄膜、第二导电薄膜能够起到辅助载流子传输的作用，而且透光，可以进一步提高光电转换效率。第一功函数调节层、第二功函数调节层起到降低接触电阻的作用。

图5示出了本实用新型实施方式中的第五种太阳电池的结构示意图。如，参照图5，第一载流子选择收集层2和第一电极6之间设置有第一导电薄膜63和第一功函数调节层62。第一导电薄膜63位于第一功函数调节层62的向光面。第二载流子选择收集层和第二电极5之间设置有第二导电薄膜52和第二功函数调节层53。第二导电薄膜52位于第二功函数调节层53的背光面。

可选的，参照图5所示，第一功函数调节层62的厚度d4、第二功函数调节层53的厚度d5均为0.1-5nm。该厚度范围可以更大程度降低接触电阻。

可选的，第一透明导电薄膜由透明导电材料和功函数调节材料化合或混合形成。和/或，第二透明导电薄膜由透明导电材料和功函数调节材料化合或混合形成。即，第一导电薄膜、第二导电薄膜不仅可以起到辅助载流子传输的作用，而且透光，可以进一步提高光电转换效率，同时，可以降低接触电阻或纵向电阻。

可选的，在第一载流子选择收集层和第一电极之间设置有第一透明导电薄膜的情况下，第一电极以栅线的形式设置在第一透明导电薄膜的背光面，充分利用背面透光，可以进一步提高光电转换效率。

和/或，在第二载流子选择收集层和第二电极之间设置有第二透明导电薄膜的情况下，第二电极以栅线的形式设置在第二透明导电薄膜的背光面，充分利用背面透光，可以进一步提高光电转换效率。

可选的，第一导电薄膜与第二导电薄膜的材料均独立选自：氧化锌、掺铝氧化锌、氧化锡、掺铟氧化锡、掺铟镓氧化锡中的至少一种。上述材料的第一导电薄膜与第二导电薄膜载流子传输性能更优，可以进一步提高光电转换效率。

可选的，第一功函数调节层、第二功函数调节层的功函数均为1eV-5.5eV，可以更进一步降低接触电阻。

可选的，第一功函数调节层、第二功函数调节层的材料、第一透明导电薄膜，和/或，第二透明导电薄膜中的功函数调节材料均可以独立选自：碱金属、过渡金属、碱金属卤化物或过渡金属卤化物中的至少一种，可以更进一步降低接触电阻。

可选的，第一功函数调节层、第二功函数调节层的材料、第一透明导电薄膜和/或，第二透明导电薄膜中的功函数调节材料均可以独立选自：Ca、Mg、Ba、LiF_x、KFx、MgF_x、BaCl_x等。其中，化学式中的x，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的取值。

可选的，第一透明导电薄膜和/或，第二透明导电薄膜中的功函数调节材料的功函数为1eV-5.5eV，可以更进一步降低接触电阻。

本实用新型实施方式还提供了一种光伏组件，包括：任一前述太阳电池。该组件中的硅片、第一载流子选择收集层、第二载流子选择收集层、第一载流子输送区、第二电极、第一电极具体可以参照前述有关记载，并能达到相同或相似的有益效果，为了避免重复，此处不再赘述。

上面结合附图对本实用新型的实施方式进行了描述，但是本实用新型并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本实用新型的启示下，在不脱离本实用新型宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本实用新型的保护之内。

Claims (14)

1.一种太阳电池，其特征在于，包括：硅片、第一载流子选择收集层、金属氧族化合物层、第一电极、以及第二电极；

所述第一载流子选择收集层沉积于所述硅片的背光面的第一区上；所述硅片的背光面除所述第一区之外的区域为第二区；

所述金属氧族化合物层沉积于所述硅片的背光面的所述第二区上以及所述第一载流子选择收集层的背光面上；所述金属氧族化合物层中对应所述第一载流子选择收集层的部分形成第一载流子输送区；所述金属氧族化合物层中对应所述第二区的部分形成第二载流子选择收集层；

所述第一电极对应设置在所述第一载流子输送区上；

所述第二电极对应设置在所述第二载流子选择收集层上。

2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述金属氧族化合物层中，所述第一载流子输送区和所述第二载流子选择收集层之间设置有阻断结构。

3.根据权利要求2所述的太阳电池，其特征在于，所述阻断结构为开槽；和/或，所述阻断结构为高阻体，所述高阻体的电阻率是所述金属氧族化合物层的电阻率100倍以上。

4.根据权利要求1或2所述的太阳电池，其特征在于，所述第一载流子选择收集层的厚度为1-500nm。

5.根据权利要求1或2所述的太阳电池，其特征在于，所述金属氧族化合物层的厚度为1-600nm。

6.根据权利要求1或2所述的太阳电池，其特征在于，所述第一载流子选择收集层在所述硅片的背光面的投影的面积，占所述硅片的背光面的总面积的5％至45％。

7.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，还包括隧穿隔离层；所述隧穿隔离层位于所述硅片的背光面与所述金属氧族化合物层与所述第一载流子选择收集层两者共同的向光面之间；所述隧穿隔离层的厚度为0.1nm-5nm，所述隧穿隔离层为一层或多层结构。

8.根据权利要求1或2所述的太阳电池，其特征在于，所述第一电极和所述第一载流子选择收集层之间设置有第一透明导电薄膜和/或第一功函数调节层；所述第一透明导电薄膜和/或第一功函数调节层均位于所述第一载流子选择收集层的投影区域内；

和/或，所述第二电极和所述第二载流子选择收集层之间设置有第二透明导电薄膜和/或第二功函数调节层；所述第二透明导电薄膜和/或第二功函数调节层均位于所述第二载流子选择收集层的投影区域内。

9.根据权利要求8所述的太阳电池，其特征在于，所述第一功函数调节层、所述第二功函数调节层的厚度均为0.1-2nm。

10.根据权利要求8所述的太阳电池，其特征在于，在所述第一电极和所述第一载流子选择收集层之间设置有所述第一透明导电薄膜的情况下，所述第一电极以栅线的形式设置在所述第一透明导电薄膜的背光面；

和/或，在所述第二电极和所述第二载流子选择收集层之间设置有所述第二透明导电薄膜的情况下，所述第二电极以栅线的形式设置在所述第二透明导电薄膜的背光面。

11.根据权利要求1或2所述的太阳电池，其特征在于，所述硅片的背光面为平面结构或陷光结构；

和/或，所述硅片的向光面为平面结构或陷光结构。

12.根据权利要求1或2所述的太阳电池，其特征在于，所述第一载流子选择收集层的俯视图为点状或线状图案。

13.根据权利要求1或所述的太阳电池，其特征在于，所述硅片的向光面设置有钝化层、正面场效应层、正面减反射薄膜层、散射结构层、聚光结构层中的至少一种；

和/或，在所述金属氧族化合物层以及所述第一载流子输送区两者的背光面中，所述第一电极、所述第二电极之外的区域设置有背面减反射膜。

14.一种光伏组件，其特征在于，包括：权利要求1至权利要求13中任一所述的太阳电池。

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