CN116722060A - 太阳能电池及光伏组件 - Google Patents

太阳能电池及光伏组件 Download PDF

Info

Publication number
CN116722060A
CN116722060A CN202211193991.0A CN202211193991A CN116722060A CN 116722060 A CN116722060 A CN 116722060A CN 202211193991 A CN202211193991 A CN 202211193991A CN 116722060 A CN116722060 A CN 116722060A
Authority
CN
China
Prior art keywords
doping
layer
doped
conductive
solar cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211193991.0A
Other languages
English (en)
Inventor
金井升
张博
张彼克
廖光明
张临安
张昕宇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang Jinko Solar Co Ltd
Jinko Solar Co Ltd
Original Assignee
Zhejiang Jinko Solar Co Ltd
Jinko Solar Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang Jinko Solar Co Ltd, Jinko Solar Co Ltd filed Critical Zhejiang Jinko Solar Co Ltd
Priority to CN202211193991.0A priority Critical patent/CN116722060A/zh
Priority to US18/061,401 priority patent/US20240105873A1/en
Priority to EP22212300.2A priority patent/EP4345916A1/en
Priority to AU2022283790A priority patent/AU2022283790B1/en
Priority to JP2022212228A priority patent/JP7284865B1/ja
Priority to DE202023101204.3U priority patent/DE202023101204U1/de
Priority to NL2034428A priority patent/NL2034428B1/en
Priority to JP2023082696A priority patent/JP2024049308A/ja
Priority to KR1020230093424A priority patent/KR20230116748A/ko
Publication of CN116722060A publication Critical patent/CN116722060A/zh
Priority to AU2024200285A priority patent/AU2024200285A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/074—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a heterojunction with an element of Group IV of the Periodic Table, e.g. ITO/Si, GaAs/Si or CdTe/Si solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底；掺杂层，掺杂层的掺杂浓度大于基底的掺杂浓度，掺杂层包括多个沿第一方向间隔设置的第一掺杂区、位于相邻的第一掺杂区之间的第二掺杂区以及第三掺杂区，第一掺杂区的掺杂浓度小于第二掺杂区的掺杂浓度且小于第三掺杂区的掺杂浓度；隧穿介质层，隧穿介质层位于第一掺杂区表面以及第二掺杂区表面；掺杂导电层，掺杂导电层与第一掺杂区正对；第一电极，每一第一电极设置于掺杂导电层远离基底的一侧，并与掺杂导电层电连接；多个导电传输层，导电传输层与第二掺杂区正对，导电传输层位于隧穿介质层表面。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换效率。

Description

太阳能电池及光伏组件
技术领域
本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件。
背景技术
影响太阳能电池性能(例如光电转换效率)的原因包括光学损失以及电学损失，光学损失包括电池前表面反射损失、接触栅线的阴影损失以及长波段的非吸收损失等，电学损失包括半导体表面及体内的光生载流子复合、半导体和金属栅线的接触电阻以及金属和半导体的接触电阻等的损失。
为了减少太阳能电池的电学损失以及光学损失，一般需要对太阳能电池的背面进行抛光工艺。背面抛光工艺主要是利用湿化学法对背面硼掺杂金字塔绒面结构进行抛光处理，增加光的内反射，降低载流子表面复合速率，提升电池光电转换效率。在背面抛光工艺中，晶硅电池背面抛光面形貌有利于长波段光的背反射和后续形成在背面膜层的均匀性，对太阳能电池的效率提升具有重要作用。背面抛光工艺可以优化太阳能电池性能，但影响该类型太阳能电池性能的因素仍然较多，开发高效的钝化接触太阳能电池具有重要的意义。
发明内容
本申请实施例提供一种太阳能电池及光伏组件，至少有利于提升太阳能电池的光电转换效率。
根据本申请一些实施例，本申请实施例一方面提供一种太阳能电池，包括：基底；掺杂层，掺杂层位于邻近基底的第一表面的基底内，掺杂层内掺杂元素类型与基底掺杂元素类型相同，掺杂层的掺杂浓度大于基底的掺杂浓度，掺杂层包括多个沿第一方向间隔设置的第一掺杂区、位于相邻的第一掺杂区之间的第二掺杂区以及第三掺杂区，第一掺杂区的掺杂浓度小于第二掺杂区的掺杂浓度且小于第三掺杂区的掺杂浓度；隧穿介质层，隧穿介质层位于第一掺杂区表面以及第二掺杂区表面；多个沿第一方向间隔排布的掺杂导电层，掺杂导电层与第一掺杂区正对，掺杂导电层位于隧穿介质层表面；多个沿第一方向间隔排布的第一电极，第一电极沿第二方向延伸，每一第一电极设置于掺杂导电层远离基底的一侧，并与掺杂导电层电连接；多个导电传输层，导电传输层与第二掺杂区正对，导电传输层位于隧穿介质层表面，每一导电传输层位于相邻的掺杂导电层之间，并与掺杂导电层侧面接触。
在一些实施例中，第二掺杂区的掺杂浓度小于等于第三掺杂区的掺杂浓度。
在一些实施例中，沿垂直于第一表面的方向，第一掺杂区的掺杂深度小于第二掺杂区的掺杂深度。
在一些实施例中，沿垂直于第一表面的方向，第二掺杂区的掺杂深度小于等于第三掺杂区的掺杂深度。
在一些实施例中，第一掺杂区的掺杂深度为30nm～300nm；第二掺杂区的掺杂深度为50nm～500nm；第三掺杂区的掺杂深度为200nm～1500nm。
在一些实施例中，第一掺杂区的掺杂浓度为5E19～1E21cm-3；第二掺杂区的掺杂浓度为1E20～3E21cm-3；第三掺杂区的掺杂浓度为5E17～1E20cm-3。
在一些实施例中，第一掺杂区的掺杂总量小于第二掺杂区的掺杂总量且小于第三掺杂区的掺杂总量。
在一些实施例中，掺杂导电层内掺杂元素类型与掺杂层内掺杂元素类型相同；掺杂层的掺杂浓度小于掺杂导电层的掺杂浓度。
在一些实施例中，导电传输层内的掺杂元素类型与掺杂层内掺杂元素类型相同。
在一些实施例中，导电传输层的掺杂浓度大于掺杂层的掺杂浓度。
在一些实施例中，沿第一方向，导电传输层包括间隔设置的主体部以及位于相邻的主体部之间的连接部，主体部与掺杂导电层侧面接触，主体部的掺杂浓度小于等于连接部的掺杂浓度。
在一些实施例中，第二掺杂区包括第一子掺杂部以及第二子掺杂部，第一子掺杂部与主体部正对，第二子掺杂部与连接部一一对应，第一子掺杂部的掺杂浓度小于等于第二子掺杂部的掺杂浓度。
在一些实施例中，沿垂直于第一表面的方向，第一子掺杂部的掺杂深度小于等于第二子掺杂部的掺杂深度。
在一些实施例中，连接部的总面积与导电传输层的面积的比值为1:11～2:3。
在一些实施例中，掺杂层的材料至少为单晶硅、微晶硅、非晶硅或者多晶硅中的一者。
在一些实施例中，掺杂层的材料与基底的材料、掺杂导电层的材料或导电传输层的材料的至少一者相同。
在一些实施例中，还包括：钝化层，钝化层位于掺杂导电层、导电传输层以及第三掺杂区的表面。
在一些实施例中，还包括：多个沿第二方向间隔设置的第二电极，第二电极沿第一方向延伸，并电连接沿第一方向间隔排布的多个第一电极。
在一些实施例中，相邻的第二电极之间至少具有一个导电传输层；还包括：导电连接层，导电连接层位于导电传输层与第二电极之间，导电连接层相对的侧面分别与导电传输层的侧面以及第二电极的表面接触。
在一些实施例中，掺杂层还包括第四掺杂区，第四掺杂区与导电连接层正对，第四掺杂区的掺杂浓度大于等于第一掺杂区的掺杂浓度且小于等于第三掺杂区的掺杂浓度。
根据本申请一些实施例，本申请实施例另一方面还提供一种光伏组件，其特征在于，包括：电池串，电池串由多个如上述实施例任一项太阳能电池连接而成；封装层，封装层用于覆盖电池串的表面；盖板，盖板用于覆盖封装层远离电池串的表面。
本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
本申请实施例提供的技术方案中，在基底的表面设置掺杂层，且掺杂层包括第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区，且第一掺杂区上具有掺杂导电层以及第一电极，第二掺杂区上具有导电传输层，第三掺杂区上无第一电极以及掺杂导电层。为了提高掺杂导电层与第一电极的接触，通常会将掺杂导电层设置为高掺，本申请实施例中通过第一掺杂区的掺杂浓度小于第二掺杂区的掺杂浓度且小于第三掺杂区的掺杂浓度，一方面可以避免位于第一电极下方的掺杂元素浓度过大时，可能导致基底的禁带宽度收缩，导致太阳能电池的开路电压降低，有可能导致电场衰退的现象；第二方面，可以避免掺杂导电层的掺杂浓度过大以及掺杂层的掺杂浓度过大时导致的高掺杂效应(例如隧穿效应产生复合电流)。但设置掺杂浓度较高的第二掺杂区以及第三掺杂区，可以提高非第一电极正对区域的载流子的传输效率，从而提升太阳能电池的开路电压，有利于提升太阳能电池的光电转换效率。
此外，掺杂层的掺杂浓度大于基底的掺杂浓度，掺杂层与基底之间形成高低结，从而在掺杂层与基底之间构成内建电场，较高掺杂的掺杂层表面形成正空间电荷，较低掺杂的基底表面构成负空间电荷，使基底内的多数载流子容易漂移至高掺杂的掺杂层，有利于提升电池的输出电流。同时由于内建电场的存在，基底与掺杂层之间存在势垒，从而阻挡高掺杂的多数载流子往低掺杂的基底漂移。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制；为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的结构示意图；
图2为本申请一实施例提供的一种太阳能电池中掺杂层的结构示意图；
图3为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的一种局部剖面结构示意图；
图4为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的另一种局部剖面结构示意图；
图5为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的又一种局部剖面结构示意图；
图6为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的一种太阳能电池中载流子的传输示意图；
图7为本申请一实施例提供的一种太阳能电池中的另一种太阳能电池中载流子的传输示意图；
图8为本申请一实施例提供的一种太阳能电池中的又一种太阳能电池中载流子的传输示意图；
图9为本申请一实施例提供的一种太阳能电池中掺杂层的ECV掺杂浓度曲线图；
图10为本申请一实施例提供的另一种太阳能电池中的一种局部剖面结构示意图；
图11为本申请一实施例提供的又一种太阳能电池的结构示意图；
图12为本申请一实施例提供的又一种太阳能电池中掺杂层的结构示意图；
图13为本申请一实施例提供的又一种太阳能电池中的一种局部剖面结构示意图；
图14为本申请另一实施例提供的一种光伏组件的一种结构示意图。
具体实施方式
由背景技术可知，目前的太阳能电池的光电转换效率欠佳。
分析发生，导致目前的太阳能电池的光电转换效率欠佳的原因之一在于：为提高太阳能电池的光电转换效率，通常会增大基底的掺杂浓度以提升多数载流子的传输速率，然而一般在电极正对的区域设置掺杂浓度较大的掺杂导电层，当两者的掺杂浓度同样较大时，可能导致电极正对的区域的基底的禁带宽度收缩，导致太阳能电池的开路电压降低，有可能导致电场衰退的现象；而且，较大的掺杂浓度同样会出现重掺杂效应，可能出现暗电流或者多数载流由于隧穿效应出现复合电流，从而降低了短路电流。
本申请实施例提供一种太阳能电池，通过在基底的表面设置掺杂层，且掺杂层包括第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区，且第一掺杂区上具有掺杂导电层以及第一电极，第二掺杂区上具有导电传输层，第三掺杂区上无第一电极以及掺杂导电层。为了提高掺杂导电层与第一电极的接触，通常会将掺杂导电层设置为高掺，本申请实施例中通过第一掺杂区的掺杂浓度小于第二掺杂区的掺杂浓度且小于第三掺杂区的掺杂浓度，一方面可以避免位于第一电极下方的掺杂元素浓度过大时，可能导致基底的禁带宽度收缩，导致太阳能电池的开路电压降低，有可能导致电场衰退的现象；第二方面，可以避免掺杂导电层的掺杂浓度过大以及掺杂层的掺杂浓度过大时导致的高掺杂效应(例如隧穿效应产生复合电流)。但设置掺杂浓度较高的第二掺杂区以及第三掺杂区，可以提高非第一电极正对区域的载流子的传输效率，从而提升太阳能电池的开路电压，有利于提升太阳能电池的光电转换效率。
下面将结合附图对本申请的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本申请各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
图1为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的结构示意图；图2为本申请一实施例提供的一种太阳能电池中掺杂层的结构示意图；图3为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的一种局部剖面结构示意图；图4为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的另一种局部剖面结构示意图；图5为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的又一种局部剖面结构示意图；
图6为本申请一实施例提供的一种太阳能电池的一种太阳能电池中载流子的传输示意图；图7为本申请一实施例提供的一种太阳能电池中的另一种太阳能电池中载流子的传输示意图；
图8为本申请一实施例提供的一种太阳能电池中的又一种太阳能电池中载流子的传输示意图；图9为本申请一实施例提供的一种太阳能电池中掺杂层的ECV掺杂浓度曲线图。其中，图3以及图6为图1中沿A1-A2方向的剖面结构示意图，图4以及图7为图1中沿B1-B2方向的剖面结构示意图，图5以及图8为图1中沿C1-C2方向的剖面结构示意图。
参考图1～图8，太阳能电池，包括：基底100；掺杂层110，掺杂层110位于邻近基底100的第一表面的基底100上，掺杂层110内掺杂元素类型与基底100掺杂元素类型相同，掺杂层110的掺杂浓度大于基底100的掺杂浓度，掺杂层110包括多个沿第一方向Y间隔设置的第一掺杂区111、位于相邻的第一掺杂区111之间的第二掺杂区112以及第三掺杂区113，第一掺杂区111的掺杂浓度小于第二掺杂区112的掺杂浓度且小于第三掺杂区113的掺杂浓度；隧穿介质层101，隧穿介质层101位于第一掺杂区111表面以及第二掺杂区112表面；多个沿第一方向Y间隔排布的掺杂导电层102，掺杂导电层102与第一掺杂区111正对，掺杂导电层102位于隧穿介质层101表面；多个沿第一方向Y间隔排布的第一电极103，第一电极103沿第二方向X延伸，每一第一电极103设置于掺杂导电层102远离基底100的一侧，并与掺杂导电层102电连接；多个导电传输层104，导电传输层104与第二掺杂区112正对，导电传输层104位于隧穿介质层101表面，每一导电传输层104位于相邻的掺杂导电层102之间，并与掺杂导电层102侧面接触。
基底100用于接收入射光线并产生光生载流子，在一些实施例中，基底100的材料可以包括单晶硅、多晶硅、非晶硅或者微晶硅中的至少一种。在另一些实施例中，基底100的材料还可以为碳化硅、有机材料或多元化合物。多元化合物可以包括但不限于钙钛矿、砷化镓、碲化镉、铜铟硒等材料。
在一些实施例中，基底100内具有掺杂元素，掺杂元素类型为N型或者P型，N型元素可以为磷(P)元素、铋(Bi)元素、锑(Sb)元素或砷(As)元素等Ⅴ族元素，P型元素可以为硼(B)元素、铝(Al)元素、镓(Ga)元素或铟(In)元素等Ⅲ族元素。例如，当基底100为P型基底时，其内部掺杂元素类型为P型。或者，当基底100为N型基底时，其内部掺杂元素类型为N型。具体地，在一些实施例中，基底100可以为N型基底，基底100可以掺杂有N型掺杂离子，例如可以是磷离子、铋离子、锑离子或者砷离子中的任一者。
在一些实施例中，太阳能电池为TOPCON(Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化层钝化接触)电池，基底100还包括与第一表面相对设置的第二表面，基底100的第一表面和第二表面均可用于接收入射光线或反射光线。在一些实施例中，第一表面可以为基底100的背面，第二表面可以为基底100的正面。在另一些实施例中，第一表面也可以为基底100的正面，则第二表面为基底100的背面。
在一些实施例中，基底100第一表面可以设置为非金字塔状绒面，比如层叠的台阶形貌，以使位于基底100第一表面的隧穿介质层101具有较高的致密度和均匀性，使得隧穿介质层101对基底100第一表面具有良好的钝化效果。基底100的第二表面可以设置为金字塔绒面，以使基底100第二表面对入射光线的反射率较小，从而对光线的吸收利用率较大。
在一些实施例中，掺杂层110的材料至少为单晶硅、微晶硅、非晶硅或者多晶硅中的一者。
掺杂层110的材料与基底100的材料、掺杂导电层102的材料或导电传输层104的材料的至少一者相同。在一些实施例中，掺杂层110的材料与基底100的材料相同时，掺杂层110与基底100可以视为同一层原始基底，掺杂层110位于原始基底临近第一表面的区域内，掺杂层110中的第一掺杂区111、第二掺杂区112以及第三掺杂区113的上表面齐平。掺杂层110的材料与基底100的材料相同，可以避免由于不同材料的电导率对光生载流子的消耗，掺杂层110与基底100之间不具有界面态缺陷，从而导致部分载流子复合，降低电池效率。在另一些实施例中，第一掺杂区111、第二掺杂区112以及第三掺杂区113的下表面齐平。
在一些实施例中，掺杂层也是扩散层，可以通过单独的扩散工艺(在掺杂层表面直接掺杂)形成，也可以在形成掺杂导电层和导电传输层时的扩散工艺的掺杂元素穿透到基底形成部分高于基底掺杂浓度的掺杂层，也可以是两者的结合形成的。
此外，开路电压与材料的禁带宽度Eg有关，材料的费米能级越接近导带顶和满带顶，则PN结的内建势垒电压就越高，从而开路电压就越大，载流子越容易跃迁，当掺杂层110与基底100的材料不同时，载流子需要跃迁基底100与掺杂层110的界面势垒区以及掺杂层110与隧穿介质层101的界面势垒区，对载流子的消耗较大，且每种材料的禁带宽度不同，即开路电压也不同，载流子在不同的材料的迁移率也不同，从而可能对电池效率产生影响。
可以理解的是，由于第三掺杂区113的掺杂浓度较第一掺杂区111以及第二掺杂区112的掺杂浓度较大，所以采用激光掺杂时，对第三掺杂区113的激光处理时间大于第二掺杂区112以及第一掺杂区111的激光处理时间，从而使第三掺杂区113远离基底100的上表面比第二掺杂区112以及第一掺杂区111的上表面低。
在一些实施例中，参考图6-图8，掺杂层110的掺杂浓度大于基底100的掺杂浓度，掺杂层110与基底100之间形成高低结，从而在掺杂层110与基底100之间构成内建电场，较高掺杂的掺杂层110表面形成正空间电荷，较低掺杂的基底100表面构成负空间电荷，使基底100内的多数载流子容易漂移至高掺杂的掺杂层110，有利于提升电池的输出电流。同时由于内建电场的存在，基底100与掺杂层110之间存在势垒，从而阻挡高掺杂的多数载流子往低掺杂的基底100漂移。
在一些实施例中，沿第一方向Y上，第二掺杂区112位于相邻的第一掺杂区111之间，第三掺杂器位于相邻的第一掺杂区111之间；沿第二方向X，第二掺杂区112与第三掺杂区113间隔排布。
第一掺杂区的掺杂总量小于第二掺杂区的掺杂总量且小于第三掺杂区的掺杂总量。第一掺杂区111的掺杂总量可以理解为第一掺杂区111中掺杂元素的总量，掺杂总量与掺杂浓度与掺杂深度有关。同理，第二掺杂区112的掺杂总量可以理解为第二掺杂区112中掺杂元素的总量，第三掺杂区113的掺杂总量可以理解为第三掺杂区113中掺杂元素的总量。第一掺杂区111的掺杂总量小于第二掺杂区112的掺杂总量且小于第三掺杂区113的掺杂总量指的是，第一掺杂区111的掺杂浓度小于第二掺杂区112的掺杂浓度且小于第三掺杂区113的掺杂浓度或第一掺杂区111的掺杂深度小于第二掺杂区112的掺杂深度且小于第三掺杂区113的掺杂深度；或者，第一掺杂区111的掺杂浓度小于第二掺杂区112的掺杂浓度且小于第三掺杂区113的掺杂浓度以及第一掺杂区111的掺杂深度小于第二掺杂区112的掺杂深度且小于第三掺杂区113的掺杂深度。常规技术中为了提高掺杂导电层102与第一电极103的接触，通常会将掺杂导电层102设置为高掺，本申请实施例中通过第一掺杂区111的掺杂总量小于第二掺杂区112的掺杂总量且小于第三掺杂区113的掺杂总量，一方面可以避免位于第一电极103下方的掺杂元素浓度过大时，可能导致基底100的禁带宽度收缩，导致太阳能电池的开路电压降低，有可能导致电场衰退的现象；第二方面，可以避免掺杂导电层102的掺杂浓度过大以及掺杂层110的掺杂浓度过大时导致的高掺杂效应(例如隧穿效应产生复合电流)。但设置掺杂浓度较高的第二掺杂区112以及第三掺杂区113，可以提高非第一电极103正对区域的载流子的传输效率，从而提升太阳能电池的开路电压，有利于提升太阳能电池的光电转换效率。
在一些实施例中，参考图9，第一掺杂区111的掺杂深度为30nm～300nm，优选地，第一掺杂区111的掺杂深度为50nm～280nm，具体可以为59nm、103nm、159nm、213nm或者280nm。第一掺杂区的掺杂浓度为5E19～1E21cm-3，可选地，第一掺杂区111的掺杂浓度为8E19～9E20cm-3，具体可以为9E19cm-3、1.2E20cm-3、4.5E20cm-3、7.8E20cm-3或者9E20cm-3。
在一些实施例中，第二掺杂区112的掺杂深度为50nm～500nm，优选地，第二掺杂区112的掺杂深度为70nm～450nm，具体可以为73nm、180nm、261nm、379nm或者450nm。第二掺杂区112的掺杂浓度为1E20～3E21cm-3，可选地，第二掺杂区112的掺杂浓度为2E20～2.5E21cm-3，具体可以为2E20cm-3、5E20cm-3、8E20cm-3、1.6E21cm-3或者2.5E21cm-3。
在一些实施例中，第三掺杂区113的掺杂深度为200nm～1500nm，优选地，第三掺杂区113的掺杂深度为250nm～1300nm，具体可以为260nm、580nm、931nm、1060nm或者1290nm。第三掺杂区113的掺杂浓度为5E17～1E20cm-3，可选地，第三掺杂区113的掺杂浓度为6E17～1E20cm-3，具体可以为6E17cm-3、4E18cm-3、1E19cm-3、8.3E19cm-3或者1E20cm-3。
在一些实施例中，第二掺杂区112的掺杂总量小于等于第三掺杂区113的掺杂总量，包括：第二掺杂区112的掺杂浓度小于等于第三掺杂区113的掺杂浓度或第二掺杂区112的掺杂深度小于等于第三掺杂区113的掺杂深度；或者，第二掺杂区112的掺杂浓度小于等于第三掺杂区113的掺杂浓度以及第二掺杂区112的掺杂深度小于等于第三掺杂区113的掺杂深度。导电传输层104位于相邻的掺杂导电层102之间，导电传输层104用于提升电池的传输能力，且直接与掺杂导电层102侧面接触，与掺杂导电层102相对的第二掺杂区112的低掺可以避免高掺杂效应(例如隧穿效应产生复合电流)。
在一些实施例中，隧穿介质层101与掺杂导电层102可以用于构成基底100表面的钝化接触结构，通过形成隧穿介质层101与掺杂导电层102可以降低载流子在基底100表面的复合，从而增加太阳能电池的开路电压，提升太阳能电池的光电转换效率。具体地，隧穿介质层101可以降低基底100第一表面的缺陷态浓度，从而减少基底100第一表面的复合中心，从而降低载流子的复合速率。
掺杂导电层102用于形成场钝化层，使少数载流子逃离界面，从而降低少数载流子浓度，使得基底100界面处的载流子复合速率较低，从而使太阳能电池的开路电压、短路电流以及填充因子较大，改善太阳能电池的光电转换性能。在一些实施例中，掺杂导电层102与基底100具有相同导电类型的掺杂元素。
多个掺杂导电层102沿第二方向X延伸，且多个掺杂导电层102沿第一方向Y间隔排布，第一方向Y垂直于第二方向X。在一些实施例中，第一电极103与掺杂导电层102为一一对应的关系，即一条第一电极103与一个掺杂导电层102电连接。也就是说，仅在第一电极103对应的区域设置掺杂导电层102，从而可以减少未设置第一电极103区域的寄生吸收作用，提高基底100对光线的利用率。在一些实施例中，第一电极103的材料可以为银、铝、铜、锡、金、铅或者镍中的至少一者。
隧穿介质层101与掺杂导电层102堆叠设置，具体地，在一些实施例中，隧穿介质层101可以整面覆盖于基底100的第一表面，多个掺杂导电层102间隔设置于隧穿介质层101顶面。在另一些实施例中，隧穿介质层101与掺杂导电层102对应设置，即隧穿介质层101设置于掺杂导电层102与基底100之间，且隧穿介质层101还位于导电传输层104与基底100之间，使得这一部分的隧穿介质层101起到减小基底100第一表面的载流子复合的作用，从而可以提高传输至导电传输层104中的载流子浓度。
在一些实施例中，隧穿介质层101的材料可以包括但不限于氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、本征非晶硅和本征多晶硅等具有隧穿作用的电介质材料。具体地，隧穿介质层101可以由包括硅氧化物(SiOx)的硅氧化物层形成，硅氧化物具有良好的钝化特性，且载流子可以很容易的隧穿硅氧化物层。
在一些实施例中，导电传输层104的材料与掺杂导电层102的材料相同。通过设置导电传输层104与掺杂导电层102的材料相同，一方面可以减少整个生产过程中的材料种类，以便于管理。另一方面，设置导电传输层104与掺杂导电层102材料相同，使得导电传输层104与掺杂导电层102之间的接触良好，使得载流子在掺杂导电层102与导电传输层104接触界面处具有较好的传输效果，减小传输损耗。此外，还可以使得载流子在导电传输层104以及掺杂导电层102中的传输速率相近或者相同，从而可以提高载流子从导电传输层104向掺杂导电层102传输的传输效率。值得注意的是，这里的材料相同指的是，导电传输层104中具有与掺杂导电层102中相同的掺杂离子类型以及掺杂离子浓度。
具体地，在一些实施例中，掺杂导电层102的材料至少为掺杂非晶硅、掺杂多晶硅或者掺杂微晶硅材料中的一者。相应地，导电传输层104的材料也可以是掺杂非晶硅、掺杂多晶硅或者掺杂微晶硅材料中的一者。
可以理解的是，在另一些实施例中，导电传输层104的材料也可以与掺杂导电层102的材料不同，例如导电传输层104的材料可以是掺杂非晶硅、掺杂多晶硅或者掺杂微晶硅中的一者，掺杂导电层102的材料可以是掺杂非晶硅、掺杂多晶硅或者掺杂微晶硅中的另一者。
在一些实施例中，当导电传输层104的材料与掺杂导电层102的材料不同时，可以设置导电传输层104的材料对入射光线的吸收系数小于导电传输层104对入射光线的吸收系数，从而可以实现在提高载流子的横向传输能力的同时，减小导电传输层104对入射光线的吸收能力，提高太阳能电池对入射光线的利用率。
在一些实施例中，导电传输层104为多个，多个导电传输层104沿第二方向X间隔排布。在相邻的两个掺杂导电层102之间设置多个导电传输层104，使得基底100中的多数载流子可以通过多个导电传输层104被传输至掺杂导电层102中，从而增强基底100中多数载流子的横向传输能力。此外，设置多个导电传输层104间隔排布，即导电传输层104不是覆盖于相邻的两个掺杂导电层102之间的所有区域，而是设置于相邻的两个掺杂导电层102之间的局部区域中。如此，当设置导电传输层104的材料与掺杂导电层102的材料相同时，使得导电传输层104的整体面积不至于过大，从而可以防止发生由于导电传输层104对入射光线的吸收能力过强，而导致基底100对入射光线的利用率较低的问题。
在一些实施例中，多个导电传输层104阵列排布，包括：沿第一方向Y间隔排布的多列导电传输层104，其中，每一列导电传输层104中的多个导电传输层104沿第二方向X间隔排布，且沿第一方向Y相邻的两列导电传输层104之间具有至少一条第一电极103。也就是说，在一些实施例中，当相邻的导电传输层104之间仅具有一条第一电极103时，每两个相邻的第一电极103之间均具有导电传输层104。在另一些实施例中，相邻的两列导电传输层104之间也可以具有多条第一电极103，使得部分相邻的两条第一电极103之间具有导电传输层104，部分相邻的第一电极103之间不具有导电传输层104。例如，在第二方向X上，第一条第一电极103和第二条第一电极103之间有导电传输层104，第二条第一电极103和第三条第一电极103之间没有导电传输层104。可以理解的是，当导电传输层104的材料与掺杂导电层102的材料相同时，导电传输层104的数量越多，在增强载流子横向能力的同时，对入射光线的吸收能力越强。因此，可以基于第一电极103的总的数量以及对第一电极103的电流收集能力的需求，灵活设置导电传输层104与掺杂导电层102之间的连接关系，从而使得在提高载流子传输能力的同时，导电传输层104不会对入射光线产生较强的吸收作用。
参考图1，在一些实施例中，所有相邻的第一电极103之间均具有导电传输层104。在每两条第一电极103之间均设置导电传输层104，可以提高相邻的第一电极103之间的横向传输能力，从而提高每一第一电极103对电流的收集能力。
在一些实施例中，一列导电传输层104中的每一导电传输层104与相邻的一列导电传输层104中的每一导电传输层104一一对应，且相对应的两个导电传输层104沿第一方向Y间隔排布。例如，第一列导电传输层104中的每一导电传输层104与第二列导电传输层104中的相对应的导电传输层104在第一方向Y上对齐分布，每一列导电传输层104为规则排布。使得导电传输层104的数量较多，从而形成较多的横向传输通道来对基底100中的载流子进行横向传输。此外，由于每一列导电传输层104为规则排布，如此，在实际制备导电传输层104的工艺中，可以简化形成导电传输层104的工艺。
在另一些实施例中，一列导电传输层104与相邻的一列导电传输层104沿第二方向X错位排布，即第一列导电传输层104中的每一导电传输层104与第二列导电传输层104中的每一导电传输层104在第一方向Y上均不正对，即第一列导电传输层104中的每一导电传输层104与第二列导电传输层104中的每一导电传输层104在第二方向X上交错开。设置多个导电传输层104交错式的排布，一方面使得导电传输层104的数量不至于过多，从而可以避免导电传输层104对入射光线吸收较多。另一方面，还可以实现在设置的导电传输层104的数量较少的同时，使得导电传输层104在基底100第一表面均匀分布，从而可以增强基底100中不同位置的载流子的横向传输能力。
在一些实施例中，沿第二方向X，靠近基底100边缘的导电传输层104的密度大于远离基底100边缘的导电传输层104的密度，例如，靠近基底100边缘的导电传输层104第二方向X上的间距小于远离基底100边缘的导电传输层104在第二方向X的间距。如此，近基底100边缘的导电传输层104的密度相较于远离基底100边缘的更大，即近基底100边缘所对应的基底100中的载流子的横向传输能力更强，使得近基底100边缘的第一电极103中的载流子浓度较大，以此对最外侧的第二电极106收集载流子的数量进行补偿，提高最外侧的第二电极106对电流汇集的能力。
在一些实施例中，导电传输层104的顶面低于或齐平于掺杂导电层102的顶面。设置导电传输层104的顶面不高于掺杂导电层102的顶面，可以防止由于导电传输层104的顶面凸出于掺杂导电层102顶面，使得导电传输层104的侧面对入射光线吸收的问题，从而可以降低导电传输层104对入射光线的寄生吸收能力。在垂直于基底100表面的方向上，导电传输层104的高度可以是掺杂导电层102高度的0.5～1.2倍。
在一些实施例中，参考图6以及图7，掺杂导电层内掺杂元素类型与掺杂层110内掺杂元素类型相同；掺杂层110的掺杂浓度小于掺杂导电层102的掺杂浓度。掺杂层110与基底100之间形成高低结，在掺杂层110与基底100之间构成第一内建电场；掺杂层110与掺杂导电层102之间形成高低结，在掺杂层110与掺杂导电层102之间构成第二内建电场，且第一内建电场与第二内建电场的电压朝向相同，可以形成双重电压差，趋于基底100内的多数载流子容易漂移至高掺杂的掺杂层110，然而再次漂移至掺杂导电层102，最后被第一电极103收集，有利于提升电池的输出电流。同时由于内建电场的存在，基底100与掺杂层110之间存在势垒，掺杂层110与掺杂导电层102之间存在势垒，从而阻挡高掺杂的多数载流子往低掺杂的基底100漂移。
同理，参考图8，导电传输层104内的掺杂元素类型与掺杂层110内掺杂元素类型相同；导电传输层104的掺杂浓度大于掺杂层110的掺杂浓度。掺杂层110与导电传输层104之间形成高低结，在掺杂层110与导电传输层104之间构成第三内建电场，且第一内建电场与第三内建电场的电压朝向相同，可以形成双重电压差，趋于基底100内的多数载流子容易漂移至高掺杂的掺杂层110，然而再次漂移至导电传输层104，进而漂移至掺杂导电层102，最后被第一电极103收集，有利于提升电池的输出电流。同时由于内建电场的存在可以阻挡高掺杂的多数载流子往低掺杂的基底100漂移。
图10为本申请一实施例提供的另一种太阳能电池中的一种局部剖面结构示意图。
在一些实施例中，参考图10，沿第一方向Y，导电传输层104包括间隔设置的主体部121以及位于相邻的主体部121之间的连接部122，主体部121与掺杂导电层102侧面接触，主体部121的掺杂浓度小于等于连接部122的掺杂浓度。由于导电传输层104作为载流子的横向传输通道，因此，邻近于导电传输层104的掺杂导电层102中的载流子浓度较高，从而使得第一电极103中，与邻近于导电传输层104的掺杂导电层102电连接的部分(主体部121)具有较高的载流子浓度，且因此可以提高第一电极103的电流的汇集能力，同时，连接部122处的掺杂浓度较小，对光的吸收较小，即避免导电传输层104对入射光线吸收较多的问题，进而提高太阳能电池整体的光电转换性能。
在一些实施例中，连接部122的总面积与导电传输层104的面积的比值为1:11～2:3，可选地，连接部122的总面积与导电传输层104的面积的比值为1/3～2/3，具体可以为0.4、0.48、0.56或者0.62。主体部121的面积占比较多可以增强第一电极103的电流的收集能力，同时减少对光的吸收，提升电池效率；连接部122的占比较多时，提升载流子的横向传输能力。
在一些实施例中，连接部122的顶面具有陷光结构。陷光结构可以增强导电传输层104顶面对入射光线的反射能力，从而使得照射至导电传输层104顶面的入射光线可以被反射出去，防止被导电传输层104吸收。这一部分被反射的入射光线还可以继续被反射回来，例如可以被反射至未覆盖掺杂导电层102以及导电传输层104的区域，从而被基底100吸收利用，如此，可以增强基底100对入射光线的吸收利用率。
在一些实施例中，沿垂直于第一表面的方向，连接部122的剖面形状包括三角形、矩形、梯形或者椭圆形，且连接部122的顶面低于主体部121的顶面，从而使掺杂导电层102对照射至导电传输层104顶面的入射光线起到一定的遮挡作用。另一方面，还使得入射光线可以在连接部122的侧壁形成多次反射，从而降低导电掺杂层110顶面对入射光线的寄生吸收。可以理解的是，在另一些实施例中，连接部122的剖面形状也可以为其它形状，仅需满足具有连接部的顶面朝向基底100凹陷这一特征即可。
在一些实施例中，第二掺杂区112包括第一子掺杂部131以及第二子掺杂部132，第一子掺杂部131与主体部121正对，第二子掺杂部132与连接部122一一对应，第一子掺杂部131的掺杂浓度小于等于第二子掺杂部132的掺杂浓度。第一子掺杂部131的掺杂总量小于等于第二子掺杂部132的掺杂总量；第一子掺杂部131的掺杂总量小于等于第二子掺杂部132的掺杂总量包括：第一子掺杂部131的掺杂浓度小于等于第二子掺杂部132的掺杂浓度或沿垂直于第一表面的方向，第一子掺杂部131的掺杂深度小于等于第二子掺杂部132的掺杂深度；或者，第一子掺杂部131的掺杂浓度小于等于第二子掺杂部132的掺杂浓度以及第一子掺杂部131的掺杂深度小于等于第二子掺杂部132的掺杂深度。连接部122位于相邻的主体部121之间，主体部121直接与掺杂导电层102侧面接触，导电传输层104用于提升电池的传输能力，与主体部121正对的第一子掺杂部131的低掺可以避免高掺杂效应(例如隧穿效应产生复合电流)；与连接部122正对的第二子掺杂部132的高掺可以提高载流子的传输速率。
在一些实施例中，还包括：钝化层107，钝化层107位于掺杂导电层102、导电传输层104以及第三掺杂区113的表面；钝化层107可以视为后钝化层。钝化层107可以为单层结构或叠层结构，钝化层107的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮氧化硅、氧化钛、氧化铪或氧化铝等材料中的一种或多种。
第一电极103为太阳能电池的栅线，用于收集并汇总太阳能电池的电流。第一电极103可以由烧穿型浆料烧结而成。第一电极103的材料可以为铝、银、金、镍、钼或铜的一种或多种。在一些情况下，第一电极103是指细栅线或指状栅线，以区别于主栅线或者汇流条。
在一些实施例中，太阳能电池还包括：发射极，发射极位于基底100远离掺杂层110的第二表面，发射极具有与基底100不同的掺杂元素类型；第一钝化层，第一钝化层位于发射极远离基底100的表面，第一钝化层视为前钝化层；多个间隔设置的电极，且电极贯穿第一钝化层且与发射极接触。
在一些实施例中，第一钝化层可以为单层结构或叠层结构，第一钝化层的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮氧化硅、氧化钛、氧化铪或氧化铝等材料中的一种或多种。
电极由烧穿型浆料烧结而成。电极与发射极的接触可以为局域接触或完全接触。电极的材料可以为铝、银、镍、金、钼或铜的一种或多种。在一些实施例中，电极为上电极或正面电极。在一些情况下，电极是指细栅线或指状栅线，以区别于主栅线或者汇流条。
在一些实施例中，发射极远离基底100的表面还可以具有减反层，减反层起到对入射光线进行减反射的作用。在一些实施例中，减反层可以为氮化硅层，氮化硅层可以包括氮化硅材料。在另一些实施例中，减反层也可以设置为多层结构，例如可以为氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅中的一种或多种材料构成的叠层结构。
在另一些实施例中，基底100的第二表面也可以具有与基底100第一表面相类似的结构，例如基底100的第二表面可以具有沿远离基底100第二表面依次堆叠设置的第二隧穿介质层以及第二掺杂导电层，其中，第二掺杂导电层中的掺杂离子类型与掺杂导电层102中的掺杂离子类型不同。
图11为本申请一实施例提供的又一种太阳能电池的结构示意图；图12为本申请一实施例提供的又一种太阳能电池中掺杂层的结构示意图；图13为本申请一实施例提供的又一种太阳能电池中的一种局部剖面结构示意图。
在一些实施例中，太阳能电池还包括：多个沿第二方向X间隔设置的第二电极106，第二电极106沿第一方向Y延伸，并电连接沿第一方向Y间隔排布的多个第一电极103，用于收集第一电极103中的电流进行汇集，并导出太阳能电池。可以理解的是，第二电极106不仅与第一电极103电接触，还与部分掺杂导电层102电接触，如此，使得掺杂导电层102中的载流子可以被直接传输至第二电极106中，而无需经过第一电极103，可以提高第二电极106对电流的汇集能力。
在一些实施例中，相邻的第二电极106之间至少具有一个导电传输层104，也就是说，第二电极106与导电传输层104间隔设置，如此，可以通过导电传输层104对第二电极106进行限位，使得在制备第二电极106的工艺过程中，不进行额外的定位处理即可以确定第二电极106的位置，便于对第二电极106的印刷，简化工艺流程。太阳能电池还包括：导电连接层105，导电连接层105位于导电传输层104与第二电极106之间，导电连接层105相对的侧面分别与导电传输层104的侧面以及第二电极106的表面接触，使得第二电极106可以通过掺杂导电层102收集基底100的电流，而无需经过第一电极103。
在一些实施例中，掺杂层110还包括第四掺杂区114，第四掺杂区114与导电连接层105正对，第四掺杂区114的掺杂浓度大于等于第一掺杂区111的掺杂浓度且小于等于第三掺杂区113的掺杂浓度。第四掺杂区114的掺杂浓度大于等于第一掺杂区111的掺杂浓度且小于等于第三掺杂区113的掺杂浓度的技术效果与第一掺杂区111的掺杂浓度小于第二掺杂区112的掺杂浓度且小于第三掺杂区113的掺杂浓度的技术效果类似，在这里不过多赘述。
第四掺杂区114的掺杂深度大于等于第一掺杂区111的掺杂深度且小于等于第三掺杂区113的掺杂深度；且第四掺杂区114的掺杂深度大于等于第一掺杂区111的掺杂深度且小于等于第三掺杂区113的掺杂深度的技术效果与第一掺杂区111的掺杂深度小于第二掺杂区112的掺杂深度且小于第三掺杂区113的掺杂深度的技术效果类似，在这里不过多赘述。根据本申请一些实施例，本申请实施例另一方面还提供一种光伏组件，其特征在于，包括：电池串，电池串由多个如上述实施例任一项太阳能电池连接而成；封装层，封装层用于覆盖电池串的表面；盖板，盖板用于覆盖封装层远离电池串的表面。
上述实施例提供的技术方案中，在基底100的表面设置掺杂层110，且掺杂层110包括第一掺杂区111、第二掺杂区112以及第三掺杂区113，且第一掺杂区111上具有掺杂导电层102以及第一电极103，第二掺杂区112上具有导电传输层104，第三掺杂区113上无第一电极103以及掺杂导电层102。为了提高掺杂导电层102与第一电极103的接触，通常会将掺杂导电层102设置为高掺，本申请实施例中通过第一掺杂区111的掺杂浓度小于第二掺杂区112的掺杂浓度且小于第三掺杂区113的掺杂浓度，一方面可以避免位于第一电极103下方的掺杂元素浓度过大时，可能导致基底100的禁带宽度收缩，导致太阳能电池的开路电压降低，有可能导致电场衰退的现象；第二方面，可以避免掺杂导电层102的掺杂浓度过大以及掺杂层110的掺杂浓度过大时导致的高掺杂效应(例如隧穿效应产生复合电流)。但设置掺杂浓度较高的第二掺杂区112以及第三掺杂区113，可以提高非第一电极103正对区域的载流子的传输效率，从而提升太阳能电池的开路电压，有利于提升太阳能电池的光电转换效率。
图14为本申请另一实施例提供的一种光伏组件的一种结构示意图。
本申请实施例还提供一种光伏组件，参考图14，光伏组件包括电池串，电池串由多个上述实施例提供的太阳能电池20连接而成；封装层21，封装层21用于覆盖电池串的表面；盖板22，盖板22用于覆盖封装层21远离电池串的表面。太阳能电池20以整片或者多分片的形式电连接形成多个电池串，多个电池串以串联和/或并联的方式进行电连接。
具体地，在一些实施例中，多个电池串之间可以通过导电带电连接。封装层21包括第一封装层211以及第二封装层212，第一封装层211覆盖太阳能电池20的正面或者背面的其中一者，第二封装层覆盖太阳能电池20的正面或者背面的另一者，具体地，第一封装层211或第二封装层212的至少一者可以为乙烯-乙酸乙烯共聚物(EVA)胶膜、聚乙烯辛烯共弹性体(POE)胶膜或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)胶膜等有机封装胶膜。在一些实施例中，盖板22可以为玻璃盖板、塑料盖板等具有透光功能的盖板。具体地，盖板22朝向封装层21的表面可以为凹凸表面，从而增加入射光线的利用率。盖板22包括第一盖板221以及第二盖板222，第一盖板221与第一封装层211相对，第二盖板222与第二封装层212相对。
本申请虽然以较佳实施例公开如上，但并不是用来限定权利要求，任何本领域技术人员在不脱离本申请构思的前提下，都可以做出若干可能的变动和修改，因此本申请的保护范围应当以本申请权利要求所界定的范围为准。此外，本申请说明书的实施例以及所示出的附图仅为示例说明，并非本申请权利要求所保护的全部范围。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本申请的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本申请的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本申请的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。

Claims (21)

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
基底；
掺杂层，所述掺杂层位于邻近所述基底的第一表面的基底内，所述掺杂层内掺杂元素类型与所述基底掺杂元素类型相同，所述掺杂层的掺杂浓度大于所述基底的掺杂浓度，所述掺杂层包括多个沿第一方向间隔设置的第一掺杂区、位于相邻的所述第一掺杂区之间的第二掺杂区以及第三掺杂区，所述第一掺杂区的掺杂浓度小于所述第二掺杂区的掺杂浓度且小于所述第三掺杂区的掺杂浓度；
隧穿介质层，所述隧穿介质层位于所述第一掺杂区表面以及所述第二掺杂区表面；
多个沿所述第一方向间隔排布的掺杂导电层，所述掺杂导电层与所述第一掺杂区正对，所述掺杂导电层位于所述隧穿介质层表面；
多个沿所述第一方向间隔排布的第一电极，所述第一电极沿第二方向延伸，每一所述第一电极设置于所述掺杂导电层远离所述基底的一侧，并与所述掺杂导电层电连接；
导电传输层，所述导电传输层与所述第二掺杂区正对，所述导电传输层位于所述隧穿介质层表面，每一所述导电传输层位于相邻的所述掺杂导电层之间，并与所述掺杂导电层侧面接触。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂区的掺杂浓度小于等于所述第三掺杂区的掺杂浓度。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，沿垂直于所述第一表面的方向，所述第一掺杂区的掺杂深度小于所述第二掺杂区的掺杂深度。
4.根据权利要求1或3所述的太阳能电池，其特征在于，沿垂直于所述第一表面的方向，所述第二掺杂区的掺杂深度小于等于所述第三掺杂区的掺杂深度。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂区的掺杂深度为30nm～300nm；所述第二掺杂区的掺杂深度为50nm～500nm；所述第三掺杂区的掺杂深度为200nm～1500nm。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂区的掺杂浓度为5E19～1E21cm-3；所述第二掺杂区的掺杂浓度为1E20～3E21cm-3；所述第三掺杂区的掺杂浓度为5E17～1E20cm-3。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂区的掺杂总量小于所述第二掺杂区的掺杂总量且小于所述第三掺杂区的掺杂总量。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂导电层内掺杂元素类型与所述掺杂层内掺杂元素类型相同；所述掺杂层的掺杂浓度小于所述掺杂导电层的掺杂浓度。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述导电传输层内的掺杂元素类型与所述掺杂层内掺杂元素类型相同。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述导电传输层的掺杂浓度大于所述掺杂层的掺杂浓度。
11.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，沿所述第一方向，所述导电传输层包括间隔设置的主体部以及位于相邻的所述主体部之间的连接部，所述主体部与所述掺杂导电层侧面接触，所述主体部的掺杂浓度小于等于所述连接部的掺杂浓度。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂区包括第一子掺杂部以及第二子掺杂部，所述第一子掺杂部与所述主体部正对，所述第二子掺杂部与所述连接部一一对应，所述第一子掺杂部的掺杂浓度小于等于所述第二子掺杂部的掺杂浓度。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池，其特征在于，沿垂直于所述第一表面的方向，所述第一子掺杂部的掺杂深度小于等于所述第二子掺杂部的掺杂深度。
14.根据权利要求11所述的太阳能电池，其特征在于，所述连接部的总面积与所述导电传输层的面积的比值为1:11～2:3。
15.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂层的材料至少为单晶硅、微晶硅、非晶硅或者多晶硅中的一者。
16.根据权利要求15所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂层的材料与所述基底的材料、所述掺杂导电层的材料或所述导电传输层的材料的至少一者相同。
17.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：钝化层，所述钝化层位于所述掺杂导电层、所述导电传输层以及所述第三掺杂区的表面。
18.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：多个沿所述第二方向间隔设置的第二电极，所述第二电极沿所述第一方向延伸，并电连接沿所述第一方向间隔排布的多个所述第一电极。
19.根据权利要求18所述的太阳能电池，其特征在于，相邻的所述第二电极之间至少具有一个所述导电传输层；还包括：导电连接层，所述导电连接层位于所述导电传输层与所述第二电极之间，所述导电连接层相对的侧面分别与所述导电传输层的侧面以及所述第二电极的表面接触。
20.根据权利要求19所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂层还包括第四掺杂区，所述第四掺杂区与所述导电连接层正对，所述第四掺杂区的掺杂浓度大于等于所述第一掺杂区的掺杂浓度且小于等于所述第三掺杂区的掺杂浓度。
21.一种光伏组件，其特征在于，包括：
电池串，所述电池串由多个如权利要求1～20任一项所述太阳能电池连接而成；
封装层，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面；
盖板，所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。
CN202211193991.0A 2022-09-28 2022-09-28 太阳能电池及光伏组件 Pending CN116722060A (zh)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211193991.0A CN116722060A (zh) 2022-09-28 2022-09-28 太阳能电池及光伏组件
US18/061,401 US20240105873A1 (en) 2022-09-28 2022-12-02 Photovoltaic cell and photovoltaic module
EP22212300.2A EP4345916A1 (en) 2022-09-28 2022-12-08 Photovoltaic cell and photovoltaic module
AU2022283790A AU2022283790B1 (en) 2022-09-28 2022-12-09 Photovoltaic cell and photovoltaic module
JP2022212228A JP7284865B1 (ja) 2022-09-28 2022-12-28 太陽電池および光起電力モジュール
DE202023101204.3U DE202023101204U1 (de) 2022-09-28 2023-03-13 Photovoltaikzelle und Photovoltaikmodul
NL2034428A NL2034428B1 (en) 2022-09-28 2023-03-26 Photovoltaic cell and photovoltaic module
JP2023082696A JP2024049308A (ja) 2022-09-28 2023-05-19 太陽電池および光起電力モジュール
KR1020230093424A KR20230116748A (ko) 2022-09-28 2023-07-18 태양전지 및 태양광 모듈
AU2024200285A AU2024200285A1 (en) 2022-09-28 2024-01-16 Photovoltaic cell and photovoltaic module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211193991.0A CN116722060A (zh) 2022-09-28 2022-09-28 太阳能电池及光伏组件

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116722060A true CN116722060A (zh) 2023-09-08

Family

ID=84462985

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211193991.0A Pending CN116722060A (zh) 2022-09-28 2022-09-28 太阳能电池及光伏组件

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20240105873A1 (zh)
EP (1) EP4345916A1 (zh)
JP (2) JP7284865B1 (zh)
KR (1) KR20230116748A (zh)
CN (1) CN116722060A (zh)
AU (2) AU2022283790B1 (zh)
DE (1) DE202023101204U1 (zh)
NL (1) NL2034428B1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117936606A (zh) * 2024-03-21 2024-04-26 晶科能源(海宁)有限公司 太阳能电池及光伏组件

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2017872B1 (en) * 2016-11-25 2018-06-08 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Photovoltaic cell with passivating contact
CN112259621A (zh) * 2020-11-11 2021-01-22 通威太阳能（安徽）有限公司 一种高效perc太阳能电池及其制备方法
CN112635592A (zh) 2020-12-23 2021-04-09 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种太阳能电池及其制作方法
CN113299770A (zh) 2021-06-04 2021-08-24 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构
CN113571604B (zh) 2021-09-27 2022-01-25 浙江晶科能源有限公司 光伏电池及其制备方法、光伏组件
CN115101619A (zh) * 2022-06-07 2022-09-23 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种基于隧穿氧化层钝化接触结构的选择性发射极及其制备方法和应用

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117936606A (zh) * 2024-03-21 2024-04-26 晶科能源(海宁)有限公司 太阳能电池及光伏组件

Also Published As

Publication number Publication date
AU2022283790B1 (en) 2024-01-04
US20240105873A1 (en) 2024-03-28
JP7284865B1 (ja) 2023-05-31
AU2024200285A1 (en) 2024-02-01
NL2034428B1 (en) 2024-04-05
DE202023101204U1 (de) 2023-05-15
EP4345916A1 (en) 2024-04-03
JP2024049279A (ja) 2024-04-09
JP2024049308A (ja) 2024-04-09
KR20230116748A (ko) 2023-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230275167A1 (en) Solar cell, method for preparing the same, and photovoltaic module
CN218585994U (zh) 太阳能电池及光伏组件
CN115458617B (zh) 太阳能电池及光伏组件
US11862741B2 (en) Solar cell, photovoltaic module, and method for preparing the solar cell
CN115985980B (zh) 一种太阳能电池及光伏组件
US20230275163A1 (en) Solar cell and photovoltaic module
US20240170588A1 (en) Solar cell and solar cell module
AU2024200285A1 (en) Photovoltaic cell and photovoltaic module
CN116666460A (zh) 太阳能电池及制备方法、光伏组件
US11967656B2 (en) Photovoltaic cell, method for preparing same, and photovoltaic module
CN117117020A (zh) 太阳能电池及光伏组件
CN116913989A (zh) 太阳能电池及光伏组件
CN117059690A (zh) 太阳能电池及光伏组件
JP7248856B1 (ja) 太陽電池および太陽電池の製造方法、光起電力モジュール
CN220934090U (zh) 太阳能电池及光伏组件
US20240194800A1 (en) Solar cell and photovoltaic module
CN117673177A (zh) 太阳能电池及光伏组件
CN117995924A (zh) 叠层电池以及光伏组件
CN117727822A (zh) 太阳能电池、太阳能电池的制造方法及光伏组件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination