JP2007031355A5 - - Google Patents
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Description
前記式(2)で表される5−ヒドロキシ−3−オキサ−2−チアトリシクロ[4.2.1.0 4,8 ]ノナン誘導体には、下記式(2′)
(式中、R1、R2、R3、R4は、同一又は異なって、水素原子、ハロゲン原子、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基、又はヒドロキシル基部分が保護基で保護されていてもよく且つハロゲン原子を有していてもよい炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基を示し、R5、R6、R7は、同一又は異なって、水素原子、ハロゲン原子、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基、塩を形成していてもよいカルボキシル基、置換オキシカルボニル基、塩を形成していてもよいスルフィノ基、置換オキシスルフィニル基、塩を形成していてもよいスルホ基、置換オキシスルホニル基、又はシアノ基を示し、Xは炭素数1〜3のアルキル基が1又は2個置換していてもよいメチレン基、酸素原子又は硫黄原子を示す。nは1又は2を示す。但し、Xがメチレン基で且つn=2の場合には、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7のうち少なくとも1つは水素原子ではない。R1とOHの立体的な位置は、それぞれ、エンド、エキソの何れであってもよい)
で表される5−ヒドロキシ−3−オキサ−2−チアトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン誘導体が含まれる。
で表される5−ヒドロキシ−3−オキサ−2−チアトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン誘導体が含まれる。
前記式(2)で表される5−ヒドロキシ−3−オキサ−2−チアトリシクロ[4.2.1.0 4,8 ]ノナン誘導体は、下記式(4)
(式中、R1、R2、R3、R4は、同一又は異なって、水素原子、ハロゲン原子、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基、又はヒドロキシル基部分が保護基で保護されていてもよく且つハロゲン原子を有していてもよい炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基を示し、R5、R6、R7は、同一又は異なって、水素原子、ハロゲン原子、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基、塩を形成していてもよいカルボキシル基、置換オキシカルボニル基、塩を形成していてもよいスルフィノ基、置換オキシスルフィニル基、塩を形成していてもよいスルホ基、置換オキシスルホニル基、又はシアノ基を示し、Rbは水素原子又は有機基を示し、Xは炭素数1〜3のアルキル基が1又は2個置換していてもよいメチレン基、酸素原子又は硫黄原子を示す。nは1又は2を示す)
で表される2,3−エポキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン誘導体を環化反応に付すことにより製造することができる。
で表される2,3−エポキシビシクロ[2.2.1]ヘプタン誘導体を環化反応に付すことにより製造することができる。
Claims (2)
- 下記式(1)
で表される3−オキサ−2−チアトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン誘導体。 - 下記式(2)
で表される5−ヒドロキシ−3−オキサ−2−チアトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン誘導体と、下記式(3)
で表される不飽和カルボン酸又はその反応性誘導体を反応させて、下記式(1)
で表される3−オキサ−2−チアトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン誘導体を得る3−オキサ−2−チアトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン誘導体の製造法。
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