JP2007027230A - 半導体装置、実装構造体、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】
半導体装置内の配線の配置自由度を確保しながら当該配線にバンプによる応力が直接的にかかることを防止し、その配線の電気的信頼性を向上させた半導体装置、その半導体装置を用いた実装構造体、その実装構造体を用いた電気光学装置及びその電気光学装置を用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】
第１の配線２８と、その第１の配線上に設けられた第１の層間絶縁層２９と、その第１の層間絶縁層上に設けられた第２の配線３０と、第１の配線２８に少なくとも一部が平面的に重なる第１のコンタクトホール３２を有し、第２の配線上に設けられた第２の層間絶縁層３１と、その第２の層間絶縁層上で、当該第１のコンタクトホール３２が設けられた領域と異なる領域に設けられた第１のバンプ３３と、当該第１のコンタクトホール３２を介して第２の配線３０と第１のバンプ３３とを電気的に接続する接続用配線３４とを具備することとした。
【選択図】 図５

Description

本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話機等に用いられる半導体装置、その半導体装置を用いた実装構造体、その実装構造体を用いた電気光学装置、その電気光学装置を用いた電子機器に関する。

従来、パーソナルコンピュータや携帯電話機等といった電子機器の表示装置として液晶装置等の電気光学装置が用いられている。一方、近年パーソナルコンピュータや携帯電話機等も高機能化し、用いられる液晶装置等の電気光学装置も小型化、高精度・高機能化が求められており、その電気光学装置に半導体装置として電気光学物質駆動用ＩＣ等が例えばフリップチップ実装方式により実装されている。

その際、半導体装置のバンプと基板側の配線との電気的接続は、導電性粒子を絶縁性接着材中に混入した異方性導電膜（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｆｉｌｍ）によりなされていた。

しかし、異方性導電膜中の導電性粒子が金やニッケル等の金属から形成されていたため導電性粒子が潰れることなくバンプや配線と接触し、接触面積が小さく導電性が十分でない等の問題があった。

そこで、導電性粒子として導電ゴムからなるものを絶縁性接着剤中に混合することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開平０５−１８２５１６号公報（段落[０００４]から[０００５]、図１）。

しかしながら上述の提案によりフリップチップ実装方式におけるバンプと基板上の配線との導電性は向上したが、例えば半導体装置内の素子等を含む配線に実装時にバンプを通して圧着の応力が強く働き、その素子等の配線にダメージを与えるという問題が生じた。

また、当該バンプを通しての応力を考慮するために半導体装置内への配線の配置自由度が制限されるという問題も考えられた。

本発明は、上述の課題に鑑みてなされるもので、半導体装置内の配線の配置自由度を確保しながら当該配線にバンプによる応力が直接的にかかることを防止し、その配線の電気的信頼性を向上させた半導体装置、その半導体装置を用いた実装構造体、その実装構造体を用いた電気光学装置及びその電気光学装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の主たる観点に係る半導体装置は、第１の配線と、前記第１の配線上に設けられた第１の層間絶縁層と、前記第１の層間絶縁層上に設けられた第２の配線と、前記第１の配線に少なくとも一部が平面的に重なる第１のコンタクトホールを有し、前記第２の配線上に設けられた第２の層間絶縁層と、前記第２の層間絶縁層上で、前記第１のコンタクトホールが設けられた領域と異なる領域に設けられた第１のバンプと、前記第１のコンタクトホールを介して前記第２の配線と前記第１のバンプとを電気的に接続する接続配線とを具備することを特徴とする。

ここで、「第１の配線」及び「第２の配線」とは、例えば半導体素子やコンデンサー等の素子を有するものであり、勿論それらの素子を有しない場合であってもよい。また、「第１の配線」及び「第２の配線」とは、端から端まで連続する必要は必ずしもなく、夫々独立した配線の集合であっても良い。

本発明は、半導体装置に第１の配線と、その第１の配線上に設けられた第１の層間絶縁層と、その第１の層間絶縁層上に設けられた第２の配線と、第１の配線に少なくとも一部が平面的に重なる第１のコンタクトホールを有し、第２の配線上に設けられた第２の層間絶縁層と、その第２の層間絶縁層上で、当該第１のコンタクトホールが設けられた領域と異なる領域に設けられた第１のバンプと、当該第１のコンタクトホールを介して第２の配線と第１のバンプとを電気的に接続する接続配線とを具備することとしたので、第１及び第２の配線にバンプからの応力が直接的に働くことがなく、当該第１及び第２の配線のバンプからのストレスによるダメージを考慮せず第１及び第２の配線の配置をすることができ、半導体装置のより小型化が可能となる。

例えば第１のコンタクトホールに第１の配線が平面的に重なるように配置しても、第１のバンプと第１のコンタクトホールとが異なる領域に設けられているので、第１の配線に第１のバンプからの応力が当該第１のコンタクトホールを伝わって直接的にかかる事がなく、当該第１の配線の第１のバンプからのストレスによるダメージを防ぐことができ、第１の配線の電気的信頼性を向上させることが可能となる。

本発明の一の形態によれば、前記第１の層間絶縁層と前記第２の配線との間に、前記第１の層間絶縁層上に設けられた第３の配線とその第３の配線と前記第２の配線との間に設けられた第３の層間絶縁層とを更に具備し、前記第３の配線は、前記第１の層間絶縁層上の前記第１のコンタクトホールに平面的に重なる領域と異なる領域に設けられていることを特徴とする。これにより、第１の配線と第２の配線との間に設けられた第３の配線が第１のコンタクトホールに平面的に重ならない場合も当該第３の配線に第１のバンプからの応力が直接的に働くことがなく、その配線の電気的信頼性を確保しながら、第３の配線の配置の自由度を向上でき、半導体装置のよりいっそうの小型化、効率化が図れる。

本発明の一の形態によれば、前記第１のバンプは、前記第１及び第２の配線の少なくともいずれか一方に、少なくとも前記第１のバンプの一部が平面的に重なっていることを特徴とする。これにより、従来、バンプを通しての応力を避けるために半導体装置内の配線をバンプに平面的に重ならないように配置すると半導体装置の小型化が図れないという問題を解消でき、より配線の配置自由度を図り、半導体装置の効率化、小型化が可能となる。

本発明の一の形態によれば、前記第１のバンプは、金属により形成されていることを特徴とする。これにより、金属バンプは従来、バンプの形成が容易等の利点がありながら半導体装置内の配線に与えるダメージがより大きいと考えられたが、第２の配線上に積層された第２の層間絶縁層上に第１のバンプを設けることとし、その領域と異なる領域に当該第２の配線の一部が露出する第１のコンタクトホールを設けたので、当該半導体装置の製造コストを軽減しながらその半導体装置内の配線の電気的信頼性を確保することが可能となった。

本発明の一の形態によれば、前記第１のバンプは、樹脂により前記第２の層間絶縁層上に形成された突状部と、前記突状部の突出側表面に形成された導電部材とを有し、前記接続配線は、前記導電部材に電気的に接続されていることを特徴とする。これにより、当該第１のバンプを基板等の配線に圧着することによる応力を当該突状部の弾性力により軽減し、半導体装置内の配線へのストレスを減少させることが可能となり、当該配線の電気的信頼性をより向上できる。

本発明の一の形態によれば、前記第１のバンプは、前記第２の層間絶縁層側の面が平坦であることを特徴とする。例えば第２の層間絶縁層の第１のコンタクトホールにその第１のコンタクトホールの開口面積より大きい断面積のバンプを当該第１のコンタクトホールに設けると、バンプから伝わる応力がその狭い第１のコンタクトホールに集中し、より強いストレスとして内部の配線に働いてしまうが、当該第１のコンタクトホールをバンプが設けられた領域と異なる領域に設けることにより、当該バンプの第２の層間絶縁層側の面を平坦にすることができるようになり、これにより、バンプから伝わる応力は均等に当該第２の層間絶縁層に働き、応力集中もなく過剰なストレスが半導体装置内の配線に働くこともなくなり、当該配線の電気的信頼性をより向上できる。

本発明の一の形態によれば、前記第１の層間絶縁層と前記第２の層間絶縁層との間に設けられた第４の配線と、前記第２の層間絶縁層は、前記第１の配線が設けられた領域と平面的に異なる領域に設けられた第２のコンタクトホールを有し、前記第２のコンタクトホール上に、その第２のコンタクトホールを介して前記第４の配線と電気的に接続するように設けられた第２のバンプとを更に具備することを特徴とする。これにより、第１の配線は第２のバンプと平面的に重ならないため第２のバンプからの応力が第１の配線に直接的には働かず、当該第１の配線のバンプからのストレスによるダメージを防ぎ電気的信頼性を図りながら、例えば第２のバンプの直下に第２のコンタクトホールを設け当該第２のコンタクトホールを介して第２のバンプを第４の配線に電気的に接続することができ、半導体装置の実装面でのバンプとコンタクトホールとで占める面積を小さくすることが可能となる。

また、同じ半導体装置で第１のバンプ及び第２のバンプを使い分けることができるので、例えば第１の配線がコンタクトホールと平面的に重なるときは第１のバンプを用い、第１の配線がコンタクトホールと平面的に重ならないときは第２のバンプを用いることで、そのバンプを設ける場所及び半導体装置内の配線の配置状況等により第１のバンプ及び第２のバンプを使い分け、最も効率的でかつ、電気的接続の信頼性を図ることができる半導体装置とすることが可能となる。

本発明の他の観点に係る実装構造体は、基板と、前記基板上に設けられた基板配線と、第１の配線と、前記第１の配線上に設けられた第１の層間絶縁層と、前記第１の層間絶縁層上に設けられた第２の配線と、前記第１の配線に少なくとも一部が平面的に重なるコンタクトホールを有し、前記第２の配線上に設けられた第２の層間絶縁層と、前記第２の層間絶縁層上で、前記コンタクトホールが設けられた領域と異なる領域に設けられたバンプと、前記コンタクトホールを介して前記第２の配線と前記バンプとを電気的に接続する接続配線とを有し、前記基板配線に前記バンプが電気的に接続される半導体装置と、前記基板に前記半導体装置を固定する封止樹脂材とを具備することを特徴とする。

本発明は、半導体装置に第１の配線と、その第１の配線上に設けられた第１の層間絶縁層と、その第１の層間絶縁層上に設けられた第２の配線と、第１の配線に少なくとも一部が平面的に重なるコンタクトホールを有し、第２の配線上に設けられた第２の層間絶縁層と、その第２の層間絶縁層上で、当該コンタクトホールが設けられた領域と異なる領域に設けられたバンプと、当該コンタクトホールを介して第２の配線とバンプとを電気的に接続する接続配線とを具備することとしたので、第１及び第２の配線にバンプからの応力が直接的に働くことがなく、当該第１及び第２の配線のバンプからのストレスによるダメージを考慮せず第１及び第２の配線の配置をすることができ、半導体装置を実装する実装構造体のより小型化が可能となる。

例えばコンタクトホールに第１の配線が平面的に重なるように配置しても、バンプとコンタクトホールとが異なる領域に設けられており、第２の層間絶縁層等が存在するので、第１の配線にバンプからの応力が当該コンタクトホールを伝わって直接的にかかる事がなく、当該第１の配線のバンプからのストレスによるダメージを防ぐことができ、実装構造体の電気的信頼性を向上させることが可能となる。

本発明の他の観点に係る電気光学装置は、電気光学装置用基板と、前記電気光学装置用基板上に設けられた基板配線と、第１の配線と、前記第１の配線上に設けられた第１の層間絶縁層と、前記第１の層間絶縁層上に設けられた第２の配線と、前記第１の配線に少なくとも一部が平面的に重なるコンタクトホールを有し、前記第２の配線上に設けられた第２の層間絶縁層と、前記第２の層間絶縁層上で、前記コンタクトホールが設けられた領域と異なる領域に設けられたバンプと、前記コンタクトホールを介して前記第２の配線と前記バンプとを電気的に接続する接続配線とを有し、前記基板配線に前記バンプが電気的に接続される半導体装置と、前記電気光学装置用基板に前記半導体装置を固定する封止樹脂材とを具備することを特徴とする。

本発明は、半導体装置に第１の配線と、その第１の配線上に設けられた第１の層間絶縁層と、その第１の層間絶縁層上に設けられた第２の配線と、第１の配線に少なくとも一部が平面的に重なるコンタクトホールを有し、第２の配線上に設けられた第２の層間絶縁層と、その第２の層間絶縁層上で、当該コンタクトホールが設けられた領域と異なる領域に設けられたバンプと、当該コンタクトホールを介して第２の配線とバンプとを電気的に接続する接続配線とを具備することとしたので、例えば電気光学装置用基板に圧着したときのバンプからの応力が、第１及び第２の配線に直接的に働くことがなく、当該第１及び第２の配線のバンプからのストレスによるダメージを考慮せず第１及び第２の配線の配置をすることができ、半導体装置を実装する電気光学装置のより小型化が可能となる。

例えばコンタクトホールに第１の配線が平面的に重なるように配置しても、バンプとコンタクトホールとが異なる領域に設けられており、第２の層間絶縁層等が存在するので、第１の配線にバンプからの応力が当該コンタクトホールを伝わって直接的にかかる事がなく、当該第１の配線のバンプからのストレスによるダメージを防ぐことができ、電気光学装置の電気的信頼性を向上させることが可能となる。

本発明の一の形態によれば、前記電気光学装置用基板は、ガラス基板であることを特徴とする。これにより、その硬さのゆえにＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）等において、バンプを通してより強いストレスが半導体装置内の配線に働いていたガラス基板を当該配線の電気的信頼性を確保しながら用いることができ、電気光学装置の製造コストをより低減できる。

本発明の他の観点に係る電気光学装置は、電気光学装置用基板と、前記電気光学装置用基板に電気的に接続された回路基板と、前記回路基板上に設けられた基板配線と、第１の配線と、前記第１の配線上に設けられた第１の層間絶縁層と、前記第１の層間絶縁層上に設けられた第２の配線と、前記第１の配線に少なくとも一部が平面的に重なるコンタクトホールを有し、前記第２の配線上に設けられた第２の層間絶縁層と、前記第２の層間絶縁層上で、前記コンタクトホールが設けられた領域と異なる領域に設けられたバンプと、前記コンタクトホールを介して前記第２の配線と前記バンプとを電気的に接続する接続配線とを有し、前記基板配線に前記バンプが電気的に接続される半導体装置と、前記回路基板に前記半導体装置を固定する封止樹脂材とを具備することを特徴とする。

本発明は、半導体装置に第１の配線と、その第１の配線上に設けられた第１の層間絶縁層と、その第１の層間絶縁層上に設けられた第２の配線と、第１の配線に少なくとも一部が平面的に重なるコンタクトホールを有し、第２の配線上に設けられた第２の層間絶縁層と、その第２の層間絶縁層上で、当該コンタクトホールが設けられた領域と異なる領域に設けられたバンプと、当該コンタクトホールを介して第２の配線とバンプとを電気的に接続する接続配線とを具備することとしたので、例えば回路基板に圧着したときのバンプからの応力が、第１及び第２の配線に直接的に働くことがなく、当該第１及び第２の配線のバンプからのストレスによるダメージを考慮せず第１及び第２の配線の配置をすることができ、半導体装置を実装する電気光学装置のより小型化が可能となる。

例えばコンタクトホールに第１の配線が平面的に重なるように配置しても、バンプとコンタクトホールとが異なる領域に設けられているので、第１の配線にバンプからの応力が当該コンタクトホールを伝わって直接的にかかる事がなく、当該第１の配線のバンプからのストレスによるダメージを防ぐことができ、電気光学装置の電気的信頼性を向上させることが可能となる。

本発明の他の観点に係る電子機器は、上述の電気光学装置を備えたことを特徴とする。

本発明は、半導体装置内の配線の配置自由度を確保しながら当該配線に基板への圧着時等のバンプによる応力が直接的にかかることを防止し、電気的信頼性を向上させた電気光学装置を備えたので、より製品信頼性が向上し高機能化した電子機器を提供できる。

以下、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。なお、以下実施形態を説明するにあたっては、実装構造体及び電気光学装置の例としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリックス型の液晶装置、また、その液晶装置を用いた電子機器について説明するが、これに限られるものではない。また、以下の図面においては各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。

（第１の実施形態）

図１は本発明の第１の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線概略断面図（Ｘドライバーは切断していない。）、図３はＸ，Ｙドライバーの実装状態の説明図、図４はＸ，Ｙドライバーのバンプ側から見た概略部分平面図及び図５は図４のＢ−Ｂ線概略断面図である。

（液晶装置の構成）

液晶装置１は、例えば図１に示すように液晶パネル２、当該液晶パネル２に電気的に接続された実装構造体としての回路基板であるフレキシブル基板３等を有する。ここで、液晶装置１には、フレキシブル基板３の他にも、バックライト等の照明装置やその他の付帯機構が必要に応じて付設される（図示しない）。

液晶パネル２は、図１及び図２に示すようにシール材４を介して貼り合わされた一対の電気光学装置用基板である第１の基板５及び第２の基板６及び両基板の間隙に封入された電気光学物質としてのＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶７等を有する。

第１及び第２の基板５，６は例えばガラスといった透光性を有する材料からなる板状部材であり、図２に示すように第１及び第２の基板５，６の外側（液晶とは反対側）には、入射光を偏光させるための偏光板８，９が夫々貼着されている。

また、第１の基板５はその内側（液晶側）に例えば図１及び図２に示すようにＹ軸方向にゲート電極１０が形成され、Ｘ軸方向に信号線としてのソース電極１１が形成されており、更にそのゲート電極１０及びソース電極１１等の液晶側には配向膜１２が形成されている。ゲート電極１０及びソース電極１１は、例えばニッケル等から形成されており、図示しないＴＦＴに電気的に接続されている。また、ＴＦＴはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等からなる画素電極１３に電気的に接続されている。

これにより、ゲート電極１０及びソース電極１１はゲート電極１０に電圧を印加したときにソース電極１１から画素電極１３に、またはその逆に電流が流れるようになる。ここで、ソース電極１１は画素電極１３にデータ信号を印加し、画素電極１３は後述する共通電極とでその間に挟まれた液晶７に電圧を印加するものである。

更に第１の基板５は、第２の基板６の外周縁から張出した張出し部１４を有し、当該張出し部１４には、例えばゲート電極１０及びソース電極１１がシール材４で囲まれる領域から当該張出し部１４に延びたゲート電極用配線１５及びソース電極用配線１６等が形成され、その各電極用配線に電気的に接続された例えばフレキシブル基板３からの電流を受け取る外部用端子１７を有する。

また、配向膜１２は例えばポリイミド等の有機薄膜であり電圧が印加されていないときの液晶７の配向状態を規定するためのラビング処理が施されている。

一方、第２の基板６はその内側（液晶側）表面に共通電極１８が形成されており、その共通電極１８の液晶側には配向膜１９が形成されている。

ここで、共通電極１８は液晶パネルの表示に寄与する領域である表示領域の全体に形成された面電極であり、ＩＴＯ等の透明導電膜である。また、配向膜１９は例えばポリイミド等の有機薄膜であり電圧が印加されていないときの液晶７の配向状態を規定するためのラビング処理が施されている。

尚、例えば第１及び第２の基板５，６のいずれか一方の内側には、図示しないが必要に応じて下地層、反射層、着色層及び光遮蔽層等が形成されている。

次に、フレキシブル基板３は例えば図１に示すようにベース基材２０上に銅（Ｃｕ）等から形成された基板配線としての配線パターン２１、その配線パターン２１に電気的に接続された半導体装置としての液晶駆動用のＸドライバー２２及びＹドライバー２３等が実装し、形成されている。

配線パターン２１は、異方性導電膜２４を介して第１の基板５の外部用端子１７に電気的に接続されている出力用端子２５、Ｘ，Ｙドライバー２２，２３と夫々電気的に接続するためのＩＣ接続用端子２６及び入力用端子２７等を有する。

Ｘドライバー２２は、例えば図１に示すようにゲート電極１０にゲート電極用配線１５等を介して電気的に接続されており、Ｙドライバー２３はソース電極１１にソース電極用配線１６等を介して電気的に接続されている。

また、Ｘ，Ｙドライバー２２，２３は例えば図４及び図５に示すように当該Ｘ，Ｙドライバー内部に第１の配線２８を有し、その第１の配線２８上（図５の上方側）に第１の層間絶縁層２９、第２の配線３０、第２の層間絶縁層３１がその順で積層されている。

更にその第２の層間絶縁層３１には、例えば図４及び図５に示すように第１の配線に一部が平面的に重なる第１のコンタクトホール３２が複数設けられている。また、その第１のコンタクトホール３２が形成された領域Ｃ（図５中のＣ）と異なる領域、例えば領域Ｃから１０μｍ〜５０μｍ離れた領域Ｄ（図５中のＤ）に第１のバンプ３３が当該第１のコンタクトホール３２に夫々対応して複数設けられており、更に当該第１のバンプ３３と第２の配線３０とを電気的に個々に接続する接続配線としての接続用配線３４等を有する。

ここで、第１及び第２の配線は例えば図５に示すようにトランジスタ等の半導体素子や抵抗、コンデンサー等の素子３５とその素子３５等をつなぐアルミニウム等で形成された導電配線３６，３７等を有する。

また、第１及び第２の層間絶縁層２９，３１はＳｉＮｘやＳｉＯ_２等により形成されており、第１の配線２８と第２の配線３０の間に第１の層間絶縁層２９が積層されているので第１の配線２８と第２の配線３０間で短絡することを防ぐことができる。勿論、第１の配線２８と第２の配線３０とを電気的に接続するように第１の層間絶縁層２９に導通部を設けてもよい。

第１のコンタクトホール３２は、例えば図４及び図５に示すように第２の層間絶縁層３１を略矩形にその下に形成された第２の配線３０の一部が露出するように開けられており、接続用配線３４はその第１のコンタクトホール３２から露出した第２の配線３０、例えば導電配線３６に電気的に接続するように当該第１のコンタクトホール３２に入り込んで形成されている。これにより、第１のバンプ３３と第２の配線３０とは第１のコンタクトホール３２を介して電気的に接続されることとなる。勿論、第１のバンプ３３と接続用配線３４とを一体的に形成してもよい。

また、第１のバンプ３３は例えば略矩形の金（Ａｕ）等から形成されており、図３に示すように封止樹脂材としての異方性導電膜３８を介してフレキシブル基板３のＩＣ接続用端子２６及び入力用端子２７に夫々電気的に接続されている。

更に第１のバンプ３３は、例えば図５に示すように比較的硬質な第２の層間絶縁層３１側の面３９（以下「バンプ下面」という。）が平坦に形成されている。これにより、従来のようにバンプ下面３９で第２の層間絶縁層３１が開口していることがないので、応力集中が生じることも無く当該第２の層間絶縁層３１の下に配置された第１及び第２の配線２８，３０に強いストレスを与えることを防ぐことができる。

例えば図４に示すように接続用配線３４は、第１のコンタクトホール３２により露出した第２の配線３０の一部等や当該第１のコンタクトホール３２の周縁、更にはその周縁である四辺の内の第１のバンプ側の一辺を除く三辺付近の第２の層間絶縁層３１を覆うように形成されている。また、当該周縁の第１のバンプ側の一辺からは、略矩形に第２の層間絶縁層３１表面上に第１のバンプ３３の側壁に電気的に接続するように例えば１０μｍ〜５０μｍとなる長さに形成されている。

更に接続用配線３４の幅は、例えば図４に示すように略矩形の第１のバンプ３３の幅と略同じになるように形成されている。これにより、第１のコンタクトホール３２と接続用配線３４と第１のバンプ３３とはＹ軸方向に直線的に形成されることとなる。

また、第１の配線２８は例えば図４（図４中の点線）に示すように第１のコンタクトホール３２が設けられた領域Ｃの一部に重なるように、導電配線３６がＹ軸方向にその幅が第１のコンタクトホール３２の縦幅（図５中のＸ軸方向）より小さく形成されており、第１のコンタクトホール内に所定の長さの当該導電配線３６や素子３５が平面的に重なって配置されることとなると共に第１のバンプ３３の一部にも第２の層間絶縁層３１を介して素子３５や導電配線３６が平面的に重なる。

また、第２の配線３０は例えば図４に示すように領域Ｃの一部に重なるように設けられた第１の配線２８と当該領域Ｃを含め一部、第１の層間絶縁層２９を介して重なるように導電配線３７がＹ軸方向に導電配線３６と同じ線幅（図４中のＸ軸方向の幅）で形成されており、第１のコンタクトホール内に所定の長さの当該導電配線３７が平面的に重なって配置されることとなると共に第１のバンプ３３の一部にも第１の層間絶縁層２９等を介して素子３５や導電配線３７が平面的に重なる。

更に異方性導電膜３８は、例えば図３に示すように絶縁性接着材４０中にコア部分が樹脂からなり表面が導電部材により覆われた導電性粒子４１が混合されており、第１のバンプ３３とＩＣ接続用端子２６や入力用端子２７との間に当該導電性粒子４１が挟まれて固定され、第１のバンプ３３とＩＣ接続用端子２６や入力用端子２７との電気的接続が図られている。

尚、第１及び第２の配線２８，３０の幅は図４に限られるものではなく、第１のコンタクトホール３２に平面的に重なっていれば第１のコンタクトホール３２の幅より大きくてもいいし、形状も図４に示したものに限られるものではない。

（液晶装置の製造方法）

次に、以上のように構成された液晶装置１の製造方法について簡単に説明する。

図６は基板にＸ，Ｙドライバーを圧着したときの応力の伝わり方の説明図である。

まず、液晶パネル２を製造する。

例えば第１の基板５の液晶側にＴＦＴ、ゲート電極１０、ソース電極１１、画素電極１３等を形成し、その液晶側に配向膜１２を形成してラビング処理を施して第１の基板側を製造する。尚、ゲート電極１０やソース電極１１等を形成する際にゲート電極用配線１５、ソース電極用配線１６、外部用端子１７も同時に形成してもよい。

また、第２の基板６の液晶側に必要に応じて下地層や反射膜、着色層を夫々形成すると共にその液晶側に共通電極１８を形成し、更に配向膜１９を形成し、ラビング処理を施して第２の基板側を製造する。

そして、第２の基板上にギャップ材４２をドライ散布等により散布し、シール材４を介して第１の基板側と第２の基板側とを貼り合わせる。その後、シール材４の図示しない注入口から液晶７を注入し、シール材４の注入口を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する。

更に偏光板８，９等を第１及び第２の基板５，６の各外面に貼着する。

次に、フレキシブル基板３を製造し、例えば照明装置がセットされた液晶パネル２に組み付ける。

例えば可撓性を有するフイルム状のベース基材２０の上にスパッタリング法やフォトリソグラフィ法等により配線パターン２１である出力用端子２５、ＩＣ接続用端子２６及び入力用端子２７等を形成する。そして、別途製造しておいたＸ，Ｙドライバー２２，２３をＩＣ接続用端子２６及び入力用端子２７の上に異方性導電膜３８を介して熱圧着して実装する。

この熱圧着の際、例えば図６に示すようにＩＣ接続用端子２６や入力用端子２７から導電性粒子４１を介して第１のバンプ３３に圧着時の反力が働くこととなるが、その力である応力はバンプ下面３９が平坦に形成されているので、第１のバンプ３３下の第１及び第２の配線２８，３０に応力集中としては働かない。例えば図６の矢印Ｅのように第１のバンプ３３からの応力は、横方向にも第２の層間絶縁層３１中に伝わりバンプ下面３９より広い領域に拡散し、個々の素子３５や導電配線３６，３７への応力は小さいものとなる。

更にフレキシブル基板３に他の電子部品等を形成し実装してフレキシブル基板３を完成させる。そして、完成されたフレキシブル基板３の出力用端子２５を異方性導電膜２４を介して液晶パネル２の張出し部１４の外部用端子１７に電気的に接続し、必要に応じて液晶パネル２の表示側と反対側に折り曲げ組み込む。

その後、他の必要な部品例えば樹脂フレーム等を取り付けて液晶装置１が完成する。

以上で製造方法の説明を終了する。

このように本実施形態によれば、Ｘ，Ｙドライバー２２，２３に第１の配線２８と、その第１の配線上に設けられた第１の層間絶縁層２９と、その第１の層間絶縁層上に設けられた第２の配線３０と、第１の配線２８に少なくとも一部が平面的に重なる第１のコンタクトホール３２を有し、第２の配線上に設けられた第２の層間絶縁層３１と、その第２の層間絶縁層上で、当該第１のコンタクトホール３２が設けられた領域Ｃ（図５中のＣ）と異なる領域Ｄ（図５中のＤ）に設けられた第１のバンプ３３と、当該第１のコンタクトホール３２を介して第２の配線３０と第１のバンプ３３とを電気的に接続する接続用配線３４とを具備することとしたので、第１及び第２の配線２８，３０に第１のバンプ３３からの応力が直接的に働くことがなく、当該第１及び第２の配線２８，３０の第１のバンプ３３からのストレスによるダメージを考慮せず第１及び第２の配線２８，３０の配置をすることができ、半導体装置としてのＸ，Ｙドライバー２２，２３のより小型化が可能となり、液晶装置１の小型化、高機能化が図れる。

例えばＸ，Ｙドライバー２２，２３の第１のコンタクトホール３２に第１の配線２８が平面的に重なるように配置しても、第１のバンプ３３と第１のコンタクトホール３２とが異なる領域に設けられているので、第１の配線２８に第１のバンプ３３からの応力が当該第１のコンタクトホール３２を伝わって直接的にかかる事がなく、当該第１の配線２８の第１のバンプ３３からのストレスによるダメージを防ぐことができ、第１の配線２８の電気的信頼性を向上させることが可能となる。

更に第１のバンプ３３は、第１及び第２の配線２８，３０の少なくともいずれか一方に少なくとも当該第１のバンプ３３の一部が平面的に重なっていることとしたので、従来、バンプを通しての応力を避けるために半導体装置内の配線をバンプに平面的に重ならないように配置する必要があり、半導体装置の小型化が図れないという問題があったのを、本発明により、配線の配置自由度を図り、半導体装置の効率化、小型化が可能となる。

例えば従来、Ｘ，Ｙドライバーのフレキシブル基板への実装面側から見て複数のバンプが内部に設けられた配線と平面的に重ならないように配置されたため半導体装置内の配線を配置できる領域が狭くなるか、半導体装置としてのＸ，Ｙドライバーの外観が大きくなっていた。しかし、例えば図７に示すように本発明によれば電気的信頼性を確保しながら第１のバンプ３３に平面的に重なる領域を含む領域Ｆ（図７中の点線で囲まれる領域）に第１及び第２の配線２８，３０を配置できる。

ここで、図７はＸ，Ｙドライバーの実装面の概略平面図である。なお、図中のバンプの数は、勿論この数及び配置に限られずもっと多数であったり、図中の上下に夫々複数列や千鳥配置であっても良く、更には上下だけでなく左右の辺に沿って配置しても勿論かまわない。

また、金属バンプは従来バンプの形成が容易等の利点がありながら半導体装置内の配線に与えるダメージがより大きいと考えられたが、第２の配線３０上に積層された第２の層間絶縁層３１上に第１のバンプ３３を設けることとし、その領域Ｄ（図５中のＤ）と異なる領域、例えば領域Ｃ（図５中のＣ）に当該第２の配線３０の一部が露出する第１のコンタクトホール３２を設け、第１のバンプ３３を金属、例えば金（Ａｕ）により形成することとしたので、当該半導体装置の製造コストを軽減しながらその半導体装置内の配線の電気的信頼性を確保することが可能となった。

更に例えば第２の層間絶縁層のコンタクトホールにその開口面積より大きい断面積のバンプを当該コンタクトホールに設けると、バンプから伝わる圧着時等の応力がその狭いコンタクトホールに集中し、より強いストレスとして内部の配線に働くという問題があった。しかし、本発明の第１のバンプ３３は、第２の層間絶縁層側の面であるバンプ下面３９が平坦であるので、第１のバンプ３３から伝わる応力は均等に当該第２の層間絶縁層３１に働き、応力集中もなく過剰なストレスが半導体装置内の配線である第１及び第２の配線２８，３０に働くこともなくなり、当該第１及び第２の配線２８，３０の電気的信頼性をより向上できる。

（変形例１）

次に、本発明に係る液晶装置の変形例１について説明する。本変形例においてはＸ，Ｙドライバーの第１の配線の位置が第１の実施形態と異なるのでその点を中心に説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態の構成要素と同一の符号を付しその説明を省略する。

図８は本変形例１のＸ，Ｙドライバーのバンプ側から見た概略部分平面図である。

液晶装置１０１は、例えば図１に示すように液晶パネル２、当該液晶パネル２に電気的に接続された実装構造体としての回路基板であるフレキシブル基板１０３等を有する。ここで、液晶装置１０１には、フレキシブル基板１０３の他にも、バックライト等の照明装置やその他の付帯機構が必要に応じて付設される（図示しない）。

フレキシブル基板１０３は例えば図１に示すようにベース基材２０上に銅（Ｃｕ）等から形成された配線パターン２１、その配線パターン２１に電気的に接続された半導体装置としての液晶駆動用のＸドライバー１２２及びＹドライバー１２３等が実装し、形成されている。

Ｘ，Ｙドライバー１２２，１２３は例えば図８に示すように当該Ｘ，Ｙドライバー内部に第１の配線１２８を有し、その第１の配線１２８上に第１の層間絶縁層２９、第２の配線３０、第２の層間絶縁層３１がその順に積層されている。ただし、図８では第１の層間絶縁層２９は図示されていない。

ここで、第１の配線１２８は例えば図８に示すように第１の実施形態と異なり第１のコンタクトホール３２が形成された領域Ｃに平面的に重なっておらず、第１のバンプ３３が形成された領域Ｄの一部に平面的に重なるようにＹ軸方向に対し右上がりに斜めに配置されている。

このように本変形例によれば、第２の配線３０の一部が露出する第１のコンタクトホール３２を有し、当該第２の配線３０上に設けられた第２の層間絶縁層３１上で、第１のコンタクトホール３２が設けられた領域Ｃと異なる領域Ｄに第１のバンプ３３を設けると共に、第１の配線１２８を第１のコンタクトホール３２に平面的に重ならないように形成したので、第１のバンプ３３からの応力が第１のコンタクトホール３２を伝わり直接的にかかることによるストレスがなく、第１及び第２の配線１２８，３０の電気的信頼性を確保しながらより、第１及び第２の配線１２８，３０の配置の自由度が大きくなり、更に効率的な半導体装置を備えた液晶装置１０１とすることができる。

（変形例２）

次に、本発明に係る液晶装置の変形例２について説明する。本変形例においてはＸ，Ｙドライバーの第１の配線の位置が第１の実施形態及び変形例１と異なるのでその点を中心に説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態の構成要素と同一の符号を付しその説明を省略する。

図９は本変形例２のＸ，Ｙドライバーのバンプ側から見た概略部分平面図である。

液晶装置２０１は、例えば図１に示すように液晶パネル２、当該液晶パネル２に電気的に接続された実装構造体としての回路基板であるフレキシブル基板２０３等を有する。ここで、液晶装置２０１には、フレキシブル基板２０３の他にも、バックライト等の照明装置やその他の付帯機構が必要に応じて付設される（図示しない）。

フレキシブル基板２０３は例えば図１に示すようにベース基材２０上に銅（Ｃｕ）等から形成された配線パターン２１、その配線パターン２１に電気的に接続された半導体装置としての液晶駆動用のＸドライバー２２２及びＹドライバー２２３等が実装し、形成されている。

Ｘ，Ｙドライバー２２２，２２３は例えば図９に示すように当該Ｘ，Ｙドライバー内部に第１の配線２２８を有し、その第１の配線２２８上に第１の層間絶縁層２９、第２の配線３０、第２の層間絶縁層３１がその順に積層されている。ただし、図９では第１の層間絶縁層２９は図示されていない。

ここで、第１の配線２２８は例えば図９に示すように第１の実施形態と異なり第１のバンプ３３が形成された領域Ｄに平面的に重なっておらず、第１のコンタクトホール３２が形成された領域Ｃの一部に平面的に重なるようにＹ軸方向に対し右上がりに斜めに配置されている。

このように本変形例によれば、第２の配線３０の一部が露出する第１のコンタクトホール３２を有し、当該第２の配線３０上に設けられた第２の層間絶縁層３１上で、第１のコンタクトホール３２が設けられた領域Ｃと異なる領域Ｄに第１のバンプ３３を設けると共に、第１の配線２２８を第１のバンプ３３に平面的に重ならないように形成したので、第１のバンプ３３からの応力が第１のコンタクトホール３２を伝わり直接的にかかることによるストレスがなく、第１及び第２の配線２２８，３０の電気的信頼性を確保しながらより、第１及び第２の配線２２８，３０の配置の自由度が大きくなり、更に効率的な半導体装置を備えた液晶装置２０１とすることができる。

勿論、上述の変形例のように第１の配線を第１の実施形態と異なる配置とすることに限られるものではなく、例えば図９のＹ軸方向に対し右上がりに斜めに配置する方を第２の配線とし、第１の配線を第１の実施形態のようにＹ軸に平行にして第１のバンプ３３及び第１のコンタクトホール３２に平面的に重なるようにしても良い。これによって、更に第２の配線の配置の自由度が向上し、効率的な配線設計とすることが可能となる。

（第２の実施形態）

次に、本発明に係る液晶装置の第２の実施形態について説明する。本実施形態においては、Ｘ，ＹドライバーがＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）実装であることと、バンプが所謂樹脂コアバンプである点で、第１の実施形態と異なるのでその点を中心に説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態の構成要素と同一の符号を付し、その説明を省略する。

図１０は本発明の第２の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図、図１１は図１０のＧ−Ｇ線断面図（Ｘドライバーは切断していない。）、図１２はＸ，Ｙドライバーの実装状態の説明図及び図１３はＸ，Ｙドライバーの部分概略断面図である。

（液晶装置の構成）

液晶装置４０１は、例えば図１０に示すように実装構造体でもある液晶パネル４０２、当該液晶パネル４０２に電気的に接続された回路基板としてのフレキシブル基板４０３等を有する。ここで、液晶装置４０１には、フレキシブル基板４０３の他にも、バックライト等の照明装置やその他の付帯機構が必要に応じて付設される（図示しない）。

液晶パネル４０２は、図１０及び図１１に示すようにシール材４を介して貼り合わされた一対の電気光学装置用基板である第１の基板４０５、第２の基板６及び両基板の間隙に封入された電気光学物質としてのＴＮ型の液晶７等を有する。

第１及び第２の基板４０５，６は例えばガラスといった透光性を有する材料からなる板状部材であり、図１１に示すように第１及び第２の基板４０５，６の外側には入射光を偏光させるための偏光板８，９が夫々貼着されている。

また、第１の基板４０５はその内側（液晶側）に例えば図１０及び図１１に示すようにＹ軸方向にゲート電極１０が形成され、Ｘ軸方向に信号線としてのソース電極１１が形成されており、更にそのゲート電極１０及びソース電極１１等の液晶側には配向膜１２が形成されている。

更に第１の基板４０５は、第２の基板６の外周縁から張出した張出し部４１４を有し、当該張出し部４１４には、例えばゲート電極１０及びソース電極１１がシール材４で囲まれる領域から当該張出し部４１４に延びた基板配線としてのゲート電極用配線１５及びソース電極用配線１６等が形成され、その各電極用配線に電気的に接続された半導体装置としての液晶駆動用のＸドライバー４２２及びＹドライバー４２３が実装されている。

張出し部４１４は、例えば図１２に示すようにＸドライバー４２２及びＹドライバー４２３の実装面に対応する領域にゲート電極用配線１５及びソース電極用配線１６に電気的に接続された基板配線に含まれるＩＣ接続用端子２６、更にフレキシブル基板４０３等からの電流をＸドライバー４２２及びＹドライバー４２３に入力する入力用端子２７を有する。

更に張出し部４１４は、例えばフレキシブル基板４０３からの電流を受取る外部用端子１７、その外部からの電流を入力用端子２７に供給する基板配線にとしての入力用配線４４５等を有する。

また、Ｘ，Ｙドライバー４２２，４２３は例えば図１３に示すように当該Ｘ，Ｙドライバー内部に第１の配線２８を有し、その第１の配線２８上（図１３の上方側）に第１の層間絶縁層２９、第２の配線３０、第２の層間絶縁層３１がその順で積層されている。

更にその第２の層間絶縁層３１には、例えば図４及び図１３に示すように第１の配線２８に一部が平面的に重なる複数の第１のコンタクトホール３２と当該第１のコンタクトホール３２と平面的に離れた領域Ｄ（図１３中のＤ）表面に第１のバンプ４３３が当該第１のコンタクトホール３２に夫々対応して複数設けられており、当該第１のバンプ４３３と第２の配線３０とを個々に電気的に接続する接続用配線３４等を有する。

第１のバンプ４３３は、例えば図１２及び図１３に示すように第２の層間絶縁層３１の領域Ｄに突状部４４６及びその突状部４４６の突出側表面に形成された導電部材としての接続用端子４４７を有し、封止樹脂材としての絶縁性接着材４４８により張出し部４１４上のＩＣ接続用端子２６及び入力用端子２７に夫々電気的に接続し、固定されている。

また、第１のバンプ４３３は例えば図７に示すように図に向かって上方の長辺側と下方の長辺側に電気的に接続させる相手側端子のピッチに合わせ所定の間隔で、Ｘ軸方向に一列に並設されており、上方のバンプが出力側となり、下方のバンプが入力側となる。

更に突状部４４６は、例えば図１３に示すように断面が略半円で蒲鉾形状に形成されており、その材料としては例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂等が用いられている。これにより、Ｘ，Ｙドライバー４２２，４２３を張出し部４１４に実装する際に突状部４４６が押圧され少し上下方向（図１３中のＺ軸方向）に変形し、その表面に形成された接続用端子４４７の頂点の接触面積が拡大し導電性を良好なものとすると共に、その樹脂としての弾性力により圧着時等の基板側の端子からの応力を緩和し、Ｘ，Ｙドライバー４２２，４２３内の第１及び第２の配線２８，３０へのストレスを弱くさせることができる。

また、接続用端子４４７は例えば図１３に示すように蒲鉾形状である突状部４４６の突状側表面を覆う略帯状に形成されており、その一端はそのまま突状部４４６の突状側表面を覆うように延在されて、第２の層間絶縁層３１表面の第１のコンタクトホール３２に入り込むように形成された接続用配線３４に電気的に接続されている。勿論、当該接続用配線３４をそのまま突状部４４６の突状側表面を覆うように延在させて第１のバンプ４３３と一体的に形成しても良い。

更に第１のバンプ４３３は、例えば図１３に示すように比較的硬質な第２の層間絶縁層３１側の面４３９（以下「バンプ下面」という。）が平坦に形成されている。これにより、バンプ下面３９と同様、応力集中が生じることも無く当該第２の層間絶縁層３１の下に配置された第１及び第２の配線２８，３０に強いストレスを与えることを防ぐことができる。

また、絶縁性接着材４４８は、例えば図１２に示すように異方性導電膜２４，３８のように導電性粒子４１は混在されていないＮＣＦ（Ｎｏｎ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）であり、第１のバンプ４３３の接続用端子４４７と基板側のＩＣ接続用端子２６や入力用端子２７が直接、接して電気的接続を図っており、Ｘ，Ｙドライバー４２２，４２３を当該張出し部４１４に固定している。

これにより、異方性導電膜のように導電性粒子の弾性力を用いなくても第１のバンプ４３３と電気光学装置用基板側の端子との導通信頼性を向上させることができると共に、導電性粒子が不要となるので製造コストの低減が図れる。勿論、当該絶縁性接着材４４８を用いずに異方性導電膜を用いてもよい。

（液晶装置の製造方法）

本実施形態に係る液晶装置の製造方法は、略第１の実施形態と同様であるがＣＯＧ実装である点とバンプが所謂樹脂コアバンプであるのでその点を中心に簡単に説明する。

まず、液晶パネル４０２を製造する。

例えば夫々電極や配向膜等が形成された第１の基板側と第２の基板側とを貼り合わせ、液晶７を注入し、注入口を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する。

次に、絶縁性接着材４４８を例えば図１２に示すように張出し部４１４のＩＣ接続用端子２６及び入力用端子２７を覆うように貼着する。そして、その絶縁性接着材４４８の上に当該夫々の端子に対応して第１のバンプ４３３の接続用端子４４７が夫々位置するようにＸ，Ｙドライバー４２２，４２３を配置し、当該Ｘ，Ｙドライバー４２２，４２３を圧着ヘッド等により熱圧着してＩＣ接続用端子２６及び入力用端子２７に第１のバンプ４３３の接続用端子４４７を直接接触させ、固定して電気的接続を図る。

尚、第１のバンプ４３３は例えば第１のコンタクトホール３２が形成された第２の層間絶縁層３１の上に突状部４４６の材料であるアクリル樹脂やエポキシ樹脂による樹脂層をスピンコート法等により形成する。そして、その樹脂層をフォトリソグラフィ法等により複数の略蒲鉾形状にパターニングして突状部４４６を形成し、更にパターンニングされた突状部４４６を含め第２の層間絶縁層上に金等の接続用端子４４７の材料をスパッタリング法等により成膜する。この際、当該金等を第１のコンタクトホール３２に入り込ませ、露出した第２の配線３０に第１のコンタクトホール３２を介して電気的に接続するように成膜すれば、その後のフォトリソグラフィ法によるパターニングで第１のバンプ４３３の接続用端子４４７と接続用配線３４とが一体的に形成できる。勿論接続用端子４４７と接続用配線３４とを夫々別々の材料で別の工程として製造しても良い。

更に偏光板８，９等を第１及び第２の基板５，６の各外面に貼着し液晶パネル４０２を完成させる。

次に、フレキシブル基板４０３を製造し、例えば照明装置がセットされた液晶パネル４０２に組み付ける。

例えば可撓性を有するフイルム状のベース基材２０の上にスパッタリング法やフォトリソグラフィ法等により配線パターン２１である出力用端子２５等を形成し、他の電子部品等を形成し実装してフレキシブル基板４０３を完成させる。

そして、完成されたフレキシブル基板４０３の出力用端子２５を異方性導電膜２４を介して液晶パネル４０２の張出し部４１４の外部用端子１７に電気的に接続し、必要に応じて液晶パネル４０２の表示側と反対側に折り曲げ組み込む。

その後、他の必要な部品例えば樹脂フレーム等を取り付けて液晶装置４０１が完成する。

以上で製造方法の説明を終了する。

このように本実施形態によれば、第１のバンプ４３３は、樹脂により第２の層間絶縁層３１上に形成された突状部４４６と、突状部４６６の突出側表面に形成された導電部材としての接続用端子４４７とを有し、接続配線としての接続用配線３４は、接続用端子４４７に電気的に接続されているので、当該第１のバンプ４３３を電気光学装置用基板例えばガラス基板等の基板配線であるＩＣ接続用端子２６や入力用端子２７に圧着することによる応力をより軽減し、半導体装置内の配線である第１及び第２の配線２８，３０へのストレスを更に減少させることが可能となり、液晶装置４０１の電気的信頼性を向上できる。

特に硬質の基板、例えばガラス基板にＸ，Ｙドライバー４２２，４２３をＣＯＧ実装するときは、その圧着時等に反力が大きくなるので、第２の配線３０の一部が露出する第１のコンタクトホール３２を有し、当該第２の配線上に設けられた第２の層間絶縁層３１上で、第１のコンタクトホール３２が設けられた領域Ｃ（図１３中のＣ）と異なる領域Ｄ（図１３中のＤ）に第１のバンプ４３３を設けることによる効果に加えて、第１のバンプ４３３のコアとして樹脂による突状部４４６を設けたことにより、より確実に半導体装置内の配線である第１及び第２の配線２８，３０へのストレスを減少させることが可能となり、液晶装置４０１の電気的信頼性を向上できる。

（第３の実施形態）

次に、本発明に係る液晶装置の第３の実施形態について説明する。本実施形態においては、第１の配線と第２の配線との間で、第２の層間絶縁層の第１のコンタクトホールと平面的に重なる領域と異なる領域に第３の配線が設けられた点で、第１の実施形態と異なるのでその点を中心に説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態の構成要素と同一の符号を付し、その説明を省略する。

図１４は本発明の第３の実施形態に係るＸ，Ｙドライバーのバンプ側から見た概略部分平面図及び図１５は図１４のＨ−Ｈ線断面図である。

（液晶装置の構成）

液晶装置５０１は、例えば図１に示すように液晶パネル２、当該液晶パネル２に電気的に接続された実装構造体としての回路基板であるフレキシブル基板５０３等を有する。ここで、液晶装置５０１には、フレキシブル基板５０３の他にも、バックライト等の照明装置やその他の付帯機構が必要に応じて付設される（図示しない）。

また、フレキシブル基板５０３は例えば図１に示すようにベース基材２０上に銅（Ｃｕ）等から形成された基板配線としての配線パターン２１、その配線パターン２１に電気的に接続された半導体装置としての液晶駆動用のＸドライバー５２２及びＹドライバー５２３等が実装し、形成されている。

更にＸドライバー５２２は、例えば図１に示すようにゲート電極１０にゲート電極用配線１５等を介して電気的に接続されており、Ｙドライバー５２３はソース電極１１にソース電極用配線１６等を介して電気的に接続されている。

また、Ｘ，Ｙドライバー５２２，５２３は例えば図１５に示すように当該Ｘ，Ｙドライバー内部に第１の配線２８を有し、その第１の配線２８上（図１５の上方側）に第１の層間絶縁層２９、第３の配線５５１、第３の層間絶縁層５５２、第２の配線３０、第２の層間絶縁層３１がその順に積層されている。

ここで、第３の配線５５１は例えば図１５に示すようにトランジスタ等の半導体素子や抵抗、コンデンサー等の素子３５とその素子等をつなぐアルミニウム等で形成された導電配線５５３を有する。

また、第３の配線は例えば図１４及び図１５に示すように第１の層間絶縁層２９の上（図１５のＺ軸上方向）に第２の層間絶縁層３１の第１のコンタクトホール３２に平面的に重なる領域Ｃ（図１５中のＣ）には設けられておらず当該領域Ｃと異なる領域、例えば領域Ｉ（図１５中のＩ）に設けられている。

例えば図１４中の２点鎖線で示すように第１のコンタクトホール３２の領域Ｃを避けて図中下から進んだ第３の配線５５１は、当該第１のコンタクトホール３２の図中右側で右に略直角に折れて第１及び第２の配線２８，３０と平面的に一部重なりながら直進し第１のバンプ５３３が設けられた領域Ｄの一部と平面的に重なっている。

更に第３の層間絶縁層５５２は、ＳｉＮｘやＳｉＯ_２等により形成されており、図１５に示すように第１の層間絶縁層２９または第３の配線５５１と、第２の配線３０または第２の層間絶縁層３１との間に積層されている。これにより、第３の配線５５１が第２の配線３０とで短絡することを防ぐことができる。勿論、第２の配線と電気的に接続するために第３の層間絶縁層５５２に導通部を設けても良い。

また、第１の層間絶縁層２９は図１５に示すように第１の配線２８と、第３の配線５５１または第３の層間絶縁層５５２との間に積層されており、これにより第１の配線２８が第３の配線５５１と短絡することを防ぐことができる。勿論、第３の層間絶縁層５５２と同様に第１の配線２８と第３の配線或は第２の配線３０とを電気的に接続するために第１の層間絶縁層２９に導通部を設けても良い。

（液晶装置の製造方法）

次に、以上のように構成された液晶装置５０１の製造方法は第１の実施形態の製造方法と略同様であるので、その説明を省略する。

このように本実施形態によれば、第１の層間絶縁層２９と第２の配線３０との間に、第１の層間絶縁層上に設けられた第３の配線５５１とその第３の配線５５１と第２の配線３０との間に設けられた第３の層間絶縁層５５２とを更に具備し、当該第３の配線５５１は、第１の層間絶縁層上の第１のコンタクトホール３２に平面的に重なる領域Ｃ（図１５中のＣ）と異なる領域、例えば領域Ｉ（図１５中のＩ）に設けられていることとしたので、第１の配線２８と第２の配線３０との間に設けられた第３の配線５５１が第１のコンタクトホール３２に平面的に重ならない場合も当該第３の配線５５１に第１のバンプ３３からの応力が直接的に働くことがなく、その配線の電気的信頼性を確保しながら、第３の配線５５１の配置の自由度を向上でき、半導体装置としてのＸ，Ｙドライバー５２２，５２３のよりいっそうの小型化、効率化が図れ、それを用いた液晶装置５０１のより小型化が可能となる。

（第４の実施形態）

次に、本発明に係る液晶装置の第４の実施形態について説明する。本実施形態においては、第１のコンタクトホールと異なる領域に設けられた第１のバンプと第２のコンタクトホール上に設けられた第２のバンプとが同じ半導体装置に設けられている点で、第１の実施形態と異なるのでその点を中心に説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態の構成要素と同一の符号を付し、その説明を省略する。

図１６は本発明の第４の実施形態に係るＸ，Ｙドライバーのバンプ側から見た概略部分平面図及び図１７は図１６のＪ−Ｊ線断面図である。

（液晶装置の構成）

液晶装置６０１は、例えば図１に示すように液晶パネル２、当該液晶パネル２に電気的に接続された実装構造体としての回路基板であるフレキシブル基板６０３等を有する。ここで、液晶装置６０１には、フレキシブル基板６０３の他にも、バックライト等の照明装置やその他の付帯機構が必要に応じて付設される（図示しない）。

また、フレキシブル基板６０３は例えば図１に示すようにベース基材２０上に銅（Ｃｕ）等から形成された基板配線としての配線パターン２１、その配線パターン２１に電気的に接続された半導体装置としての液晶駆動用のＸドライバー６２２及びＹドライバー６２３等が実装し、形成されている。

更にＸドライバー６２２は、例えば図１に示すようにゲート電極１０にゲート電極用配線１５等を介して電気的に接続されており、Ｙドライバー６２３はソース電極１１にソース電極用配線１６等を介して電気的に接続されている。

また、Ｘ，Ｙドライバー６２２，６２３は例えば図１６及び図１７に示すように当該Ｘ，Ｙドライバー内部に第１の配線６２８を有し、その第１の配線６２８上（図１７の上方側）に第１の層間絶縁層２９、第２の配線３０（図１７には示していない）及び第４の配線６３０、第２の層間絶縁層６３１がその順に積層されている。

ここで、第２の層間絶縁層６３１には、例えば図１６に示すように第１の配線６２８に一部が平面的に重なる第１のコンタクトホール３２と当該第１の配線６２８が設けられた領域Ｋ（図１７中のＫ）と異なる領域Ｌ（図１７中のＬ）に設けられた第２のコンタクトホール６３２とが夫々複数形成されている。

また、その第２のコンタクトホール上に例えば図１７に示すように当該第２のコンタクトホール６３２により露出した第４の配線６３０の面積より大きい断面積となるように、第２のバンプ６３３が第２のコンタクトホール６３２に対応して複数設けられており、当該第２のコンタクトホール６３２を介して第４の配線６３０と第２のバンプ６３３とが電気的に接続されている。

更に第１の配線、第２の配線及び第４の配線６２８，３０，６３０は例えば図５及び図１７に示すようにトランジスタ等の半導体素子や抵抗、コンデンサー等の素子３５とその素子等をつなぐアルミニウム等で形成された導電配線３６，３７，６３７等を有する。

また、第２の層間絶縁層６３１はＳｉＮｘやＳｉＯ_２等により形成されており、例えば図１６に示すように第１及び第２のコンタクトホール３２，６３２が形成されている。

第２のコンタクトホール６３２は、例えば図１６及び図１７に示すように第２の層間絶縁層６３１を略矩形にその下に形成された第４の配線６３０の一部が露出するように開けられており、第２のバンプ６３３はその第２のコンタクトホール６３２から露出した第４の配線６３０に入り込んで第４の配線６３０に接するように形成されている。これにより、第２のバンプ６３３と第４の配線とは第２のコンタクトホール６３２を介して電気的に接続されることとなる。

また、第２のバンプ６３３は例えば略矩形の金（Ａｕ）等から形成されており、封止樹脂材としての異方性導電膜３８を介してフレキシブル基板６０３のＩＣ接続用端子２６及び入力用端子２７に夫々電気的に接続されている。

更に第１の配線６２８は、例えば図１６及び図１７に示すように第１のコンタクトホール３２が設けられた領域Ｃの一部に重なるように、導電配線３６がＹ軸方向にその幅が第１のコンタクトホール３２の縦幅（図１６中のＸ軸方向）より小さく形成されており、第１のコンタクトホール内に所定の長さの当該導電配線３６や素子３５が平面的に重なって配置されることとなると共に第１のバンプ３３の一部にも第２の層間絶縁層６３１を介して素子３５や導電配線３６が平面的に重なる。

また、第１の配線６２８は第２の層間絶縁層３１の第２のコンタクトホール６３２に平面的に重なる領域Ｌ（図１７中のＬ）には設けられておらず、当該領域Ｌと異なる領域、例えば領域Ｋ（図１７中のＫ）に設けられている。

例えば図１６に示すように図中左側から進んだ第１の配線６２８は、当該第２のコンタクトホール６３２の手前で領域Ｌ（図１７中のＬ）を避けるように下方に略直角に折れて延在されている。

更に第４の配線６３０は例えば図１７に示すようにトランジスタ等の半導体素子や抵抗、コンデンサー等の素子３５とその素子等をつなぐアルミニウム等で形成された導電配線６３７を有する。

また、第４の配線は例えば図１６及び図１７に示すように第１の層間絶縁層２９の上（図１７のＺ軸上方向）に第２の層間絶縁層６３１の第２のコンタクトホール６３２に平面的に重なる領域Ｌ（図１７中のＬ）と異なる領域、例えば領域Ｋ（図１７中のＫ）に設けられている。

例えば図１６及び図１７に示すように第２のコンタクトホール６３２が設けられた領域Ｌの一部に重なるように、導電配線６３７がＹ軸方向にその幅が第２のコンタクトホール６３２の縦幅（図１６中のＸ軸方向）より小さく形成されており、第２のコンタクトホール内に所定の長さの当該導電配線６３７が平面的に重なって配置されることとなる。

尚、第１、第２及び第４の配線６２８，３０，６３０の幅は図１６に限られるものではなく、第１及び第２のコンタクトホール３２，６３２の幅より大きくてもいいし、形状も図１６に示したものに限られるものではない。

（液晶装置の製造方法）

次に、以上のように構成された液晶装置６０１の製造方法は第１の実施形態の製造方法と略同様であるので、その説明を省略する。

このように本実施形態によれば、第１の層間絶縁層２９と第２の層間絶縁層６３１との間に設けられた第４の配線６３０と、当該第２の層間絶縁層６３１は、第１の配線６２８が設けられた領域Ｋ（図１７中のＫ）と平面的に異なる領域Ｌ（図１７中のＬ）に設けられた第２のコンタクトホール６３２を有し、当該第２のコンタクトホール上に、その第２のコンタクトホール６３２を介して第４の配線６３０と電気的に接続するように設けられた第２のバンプ６３３とを更に具備することとしたので、第１の配線６２８は第２のバンプ６３３と平面的に重ならないため第２のバンプ６３３からの応力が第１の配線６２８に直接的には働かず、当該第１の配線６２８のバンプからのストレスによるダメージを防ぎ電気的信頼性を図りながら、例えば第２のバンプ６３３の直下に第２のコンタクトホール６３２を設け、当該第２のコンタクトホール６３２を介して第２のバンプ６３３を第４の配線６３０に電気的に接続することができ、半導体装置の実装面でのバンプとコンタクトホールとで占める面積を小さくすることが可能となる。

また、同じ半導体装置で第１のバンプ３３及び第２のバンプ６３３を使い分けることができるので、例えば第１の配線６２８がコンタクトホールと平面的に重なるときは第１のバンプ３３を用い、第１の配線６２８がコンタクトホールと平面的に重ならないときは第２のバンプ６３３を用いることで、そのバンプを設ける場所及び半導体装置内の配線の配置状況等により第１のバンプ３３及び第２のバンプ６３３を使い分け、最も効率的でかつ、電気的接続の信頼性を図ることができる液晶装置６０１とすることが可能となる。

（第５の実施形態・電子機器）

次に、上述した液晶装置１，１０１，２０１，４０１，５０１，６０１を備えた本発明の第５の実施形態に係る電子機器について説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態の構成要素と同一の符号を付しその説明を省略する。

図１８は本発明の第５の実施形態に係る電子機器の表示制御系の全体構成を示す概略構成図である。

電子機器３００は、表示制御系として例えば図１８に示すように液晶パネル２及び表示制御回路３９０などを備え、その表示制御回路３９０は表示情報出力源３９１、表示情報処理回路３９２、電源回路３９３及びタイミングジェネレータ３９４などを有する。

また、液晶パネル２には表示領域Ｐを駆動する駆動回路３６１を有する。

表示情報出力源３９１は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備えている。更に表示情報出力源３９１は、タイミングジェネレータ３９４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路３９２に供給するように構成されている。

また、表示情報処理回路３９２はシリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路３６１へ供給する。また、電源回路３９３は、上述した各構成要素に夫々所定の電圧を供給する。

このように本実施形態によれば、電子機器３００に用いられる液晶装置１は半導体装置内の配線の配置自由度を確保しながら、当該配線に基板への圧着時等のバンプによる応力が直接的にかかることを防止し、電気的信頼性を向上させた半導体装置としてのＸ，Ｙドライバー２２，２３を実装することとしたので、より製品信頼性が向上し高機能化した電子機器３００を提供できる。

特に最近の電子機器にあっては、より製品信頼性が向上し高機能化された電子機器であることが要求されており、係る電子機器を提供する本発明の意義は大きいといえる。

具体的な電子機器としては、携帯電話機やパーソナルコンピュータなどの他に液晶装置が搭載されたタッチパネル、プロジェクタ、液晶テレビやビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した例えば液晶装置１，１０１，２０１，４０１，５０１，６０１が適用可能なのは言うまでもない。

尚、本発明の電気光学装置及び電子機器は、上述した例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更を加え得ることは勿論である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、上記各実施形態及び変形例を組み合わせ得る。

以上、好ましい実施形態を上げて本発明を説明したが、本発明は上述したいずれの実施形態にも限定されず、本発明の技術思想の範囲内で適宜変更して実施できる。

例えば、上述の実施形態では薄膜トランジスタ素子アクティブマトリクス型の液晶装置について説明したがこれに限られるものではなく、例えば、薄膜ダイオード素子アクティブマトリクス型やパッシブマトリクス型の液晶装置であってもよい。これにより、多種多様な液晶装置についても、より低コストで電気的信頼性を向上させ、高機能化させることができる。

また、上述の第１の実施形態、変形例１、変形例２、第３の実施形態及び第４の実施形態では、Ｘ，Ｙドライバーの実装をＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）として説明したがこれに限られるものではなく、ＣＯＧ実装であってもよい。更に第２の実施形態では、Ｘ，Ｙドライバーの実装をＣＯＧ実装で説明したがこれに限られるものではなく、ＣＯＦ実装でもよい。これにより、より多様な液晶装置において電気的信頼性を向上させると共に、より小型化を図ることが可能となる。

第１の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図である。 図１のＡ−Ａ線概略断面図（Ｘ軸ドライバーは切断していない。）である。 第１の実施形態に係るＸ，Ｙ軸ドライバーの実装状態の説明図である。 第１の実施形態に係るＸ，Ｙ軸ドライバーの概略部分平面図である。 図４のＢ−Ｂ線概略断面図である。 第１の実施形態に係る圧着したときの応力の伝わり方の説明図である。 第１の実施形態に係るＸ，Ｙ軸ドライバーの実装面の概略平面図である。 変形例１のＸ，Ｙ軸ドライバーのバンプ側から見た概略部分平面図である。 変形例２のＸ，Ｙ軸ドライバーのバンプ側から見た概略部分平面図である。 第２の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図である。 図１０のＧ−Ｇ線断面図（Ｘ軸ドライバーは切断していない。）である。 第２の実施形態に係るＸＹドライバーの実装状態の説明図である。 第２の実施形態に係るＸＹドライバーの部分概略断面図である。 第３の実施形態に係るＸ，Ｙ軸ドライバーの概略部分平面図である。 図１４のＨ−Ｈ線断面図である。 第４の実施形態に係るＸ，Ｙドライバーのバンプ側から見た概略部分平面図である。 図１６のＪ−Ｊ線断面図である。 第５の実施形態に係る電子機器の表示制御系の概略構成図である。

符号の説明

１，１０１，２０１，４０１，５０１，６０１ 液晶装置、 ２，４０２ 液晶パネル、 ３，１０３，２０３，４０３，５０３，６０３ フレキシブル基板、 ４ シール材、 ５，４０５ 第１の基板、 ６ 第２の基板、 ７ 液晶、 ８，９ 偏光板、 １０ ゲート電極、 １１ ソース電極、 １２，１９ 配向膜、 １３ 画素電極、 １４，４１４ 張出し部、 １５ ゲート電極用配線、 １６ ソース電極用配線、 １７ 外部用端子、 １８ 共通電極、 ２０ ベース基材、 ２１ 配線パターン、 ２２，１２２，２２２，４２２，５２２，６２２ Ｘドライバー、 ２３，１２３，２２３，４２３，５２３，６２３ Ｙドライバー、 ２４，３８ 異方性導電膜、 ２５ 出力用端子、 ２６ ＩＣ接続用端子、 ２７ 入力用端子、 ２８，１２８，２２８，６２８ 第１の配線、 ２９ 第１の層間絶縁層、 ３０ 第２の配線、 ３１，６３１ 第２の層間絶縁層、 ３２ 第１のコンタクトホール、 ３３，４３３ 第１のバンプ、 ３４ 接続用配線、 ３５ 素子、 ３６，３７，５５３，６３７ 導電配線、 ３９，４３９ バンプ下面、 ４０，４４８ 絶縁性接着材、 ４１ 導電性粒子、 ４２ ギャップ材、 ３００ 電子機器、 ３６１ 駆動回路、 ３９０ 表示制御回路、 ４４５ 入力用配線、 ４４６ 突状部、 ４４７ 接続用端子、 ５５１ 第３の配線、 ５５２ 第３の層間絶縁層、 ６３０ 第４の配線、 ６３２ 第２のコンタクトホール、 ６３３ 第２のバンプ

Claims (12)

1. 第１の配線と、
   前記第１の配線上に設けられた第１の層間絶縁層と、
   前記第１の層間絶縁層上に設けられた第２の配線と、
   前記第１の配線に少なくとも一部が平面的に重なる第１のコンタクトホールを有し、前記第２の配線上に設けられた第２の層間絶縁層と、
   前記第２の層間絶縁層上で、前記第１のコンタクトホールが設けられた領域と異なる領域に設けられた第１のバンプと、
   前記第１のコンタクトホールを介して前記第２の配線と前記第１のバンプとを電気的に接続する接続配線と
   を具備することを特徴とする半導体装置。
2. 前記第１の層間絶縁層と前記第２の配線との間に、前記第１の層間絶縁層上に設けられた第３の配線とその第３の配線と前記第２の配線との間に設けられた第３の層間絶縁層とを更に具備し、
   前記第３の配線は、前記第１の層間絶縁層上の前記第１のコンタクトホールに平面的に重なる領域と異なる領域に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第１のバンプは、前記第１及び第２の配線の少なくともいずれか一方に、少なくとも前記第１のバンプの一部が平面的に重なっていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記第１のバンプは、金属により形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。
5. 前記第１のバンプは、樹脂により前記第２の層間絶縁層上に形成された突状部と、前記突状部の突出側表面に形成された導電部材とを有し、
   前記接続配線は、前記導電部材に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。
6. 前記第１のバンプは、前記第２の層間絶縁層側の面が平坦であることを特徴とする請求項１から請求項５のうちのいずれか一項に記載の半導体装置。
7. 前記第１の層間絶縁層と前記第２の層間絶縁層との間に設けられた第４の配線と、
   前記第２の層間絶縁層は、前記第１の配線が設けられた領域と平面的に異なる領域に設けられた第２のコンタクトホールを有し、前記第２のコンタクトホール上に、その第２のコンタクトホールを介して前記第４の配線と電気的に接続するように設けられた第２のバンプと
   を更に具備することを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の半導体装置。
8. 基板と、
   前記基板上に設けられた基板配線と、
   第１の配線と、前記第１の配線上に設けられた第１の層間絶縁層と、前記第１の層間絶縁層上に設けられた第２の配線と、前記第１の配線に少なくとも一部が平面的に重なるコンタクトホールを有し、前記第２の配線上に設けられた第２の層間絶縁層と、前記第２の層間絶縁層上で、前記コンタクトホールが設けられた領域と異なる領域に設けられたバンプと、前記コンタクトホールを介して前記第２の配線と前記バンプとを電気的に接続する接続配線とを有し、前記基板配線に前記バンプが電気的に接続される半導体装置と、
   前記基板に前記半導体装置を固定する封止樹脂材と
   を具備することを特徴とする実装構造体。
9. 電気光学装置用基板と、
   前記電気光学装置用基板上に設けられた基板配線と、
   第１の配線と、前記第１の配線上に設けられた第１の層間絶縁層と、前記第１の層間絶縁層上に設けられた第２の配線と、前記第１の配線に少なくとも一部が平面的に重なるコンタクトホールを有し、前記第２の配線上に設けられた第２の層間絶縁層と、前記第２の層間絶縁層上で、前記コンタクトホールが設けられた領域と異なる領域に設けられたバンプと、前記コンタクトホールを介して前記第２の配線と前記バンプとを電気的に接続する接続配線とを有し、前記基板配線に前記バンプが電気的に接続される半導体装置と、
   前記電気光学装置用基板に前記半導体装置を固定する封止樹脂材と
   を具備することを特徴とする電気光学装置。
10. 前記電気光学装置用基板は、ガラス基板であることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
11. 電気光学装置用基板と、
    前記電気光学装置用基板に電気的に接続された回路基板と、
    前記回路基板上に設けられた基板配線と、
    第１の配線と、前記第１の配線上に設けられた第１の層間絶縁層と、前記第１の層間絶縁層上に設けられた第２の配線と、前記第１の配線に少なくとも一部が平面的に重なるコンタクトホールを有し、前記第２の配線上に設けられた第２の層間絶縁層と、前記第２の層間絶縁層上で、前記コンタクトホールが設けられた領域と異なる領域に設けられたバンプと、前記コンタクトホールを介して前記第２の配線と前記バンプとを電気的に接続する接続配線とを有し、前記基板配線に前記バンプが電気的に接続される半導体装置と、
    前記回路基板に前記半導体装置を固定する封止樹脂材と
    を具備することを特徴とする電気光学装置。
12. 請求項９から請求項１１のうちいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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