JP2007025670A - 表示装置用母基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 生産性を向上させることができる表示装置用母基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 区画された複数のセル領域を有するベース基板と、互いに隣接した少なくとも２つの前記セル領域にかけて形成され、前記各セル領域に対応して各セル領域を識別するための各々のセル識別子が設置されるセル識別表示部とを有する。
【選択図】 図１

Description

本発明は表示装置用母基板及びその製造方法に係り、より詳細には、製品の生産性を向上させることができる表示装置用母基板及びその製造方法に関する。

一般に、画像を表示する液晶表示パネルは、製品量産の効率化のために、複数の薄膜トランジスタ基板（以下、ＴＦＴ基板）又は複数のカラーフィルタ基板を一つの母基板に形成する。母基板は、ＴＦＴ基板又はカラーフィルタ基板が形成されたセル領域毎に切断され、切断されたＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板がアセンブリされ、液晶表示パネルを形成する。

このように液晶表示パネルは母基板を利用して大量生産されるので、工程上の効率のために、母基板及びＴＦＴ基板又はカラーフィルタ基板が形成された各領域を区別するための識別子を形成するタイトリング（Ｔｉｔｌｉｎｇ）工程を必要とする。

母基板に形成される識別子としては、母基板を区別するためのガラス識別子及び各セル領域を区別するためのセル識別子がある。携帯電話やＰＤＰのような中小型製品は、一つの母基板に複数のセル領域が形成されるので、セル識別子を形成するのに多くの時間が所要される。従って、作業処理率が劣化され生産性が低下するという問題があった。

そこで、本発明は上記従来の表示装置用母基板における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、製品の生産性を向上させることができる表示装置用母基板を提供することにある。

又、本発明の他の目的は、上記した表示装置用母基板を製造する方法を提供することにある。

上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置用母基板は、区画された複数のセル領域を有するベース基板と、互いに隣接した少なくとも２つの前記セル領域にかけて形成され、前記各セル領域に対応して各セル領域を識別するための各々のセル識別子が設置されるセル識別表示部とを有することを特徴とする。

上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置用母基板の製造方法は、区画された複数のセル領域を有するベース基板上に金属層を形成する段階と、前記金属層をパターニングして互いに隣接した少なくとも２つのセル領域にかけてセル識別表示部を形成する段階とを有し、前記セル識別表示部は前記セル領域に対応して、対応するセル領域を識別するための各々のセル識別子を含むことを特徴とする。

本発明に係る液晶表示装置用母基板によれば、互いに隣接した２つのセル領域にかけて形成されたセル識別表示部を含む。これによって、液晶表示装置用母基板は、セル識別表示部の個数を減少させることができる。セル識別表示部には、２つのセル識別子が形成され、セル識別子は各セル領域に対応して位置する。タイトリング装置は、一つのセル識別表示部が形成された２つのセル領域が配置された方向と直交する方向にセルアレイをスキャンする。タイトリング装置は、一つのセル識別表示部に２つのセル識別子を形成した後、次のセル識別表示部に移動する。

従って、液晶表示装置用母基板は、セルアレイ上でのタイトリング装置の移動距離を各セル領域別にセル識別表示部が分離され形成された従来より約５０％程度減少させることができる。これによって、液晶表示装置用母基板は、セル識別子を形成する時間を短縮させることができ、全体工程時間を短縮させることができるので、生産性を向上させることができるという効果がある。

次に、本発明に係る表示装置用母基板及びその製造方法を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。

図１は本発明の一実施形態による液晶表示装置用母基板を示す平面図であり、図２は図１のＡ部分を拡大して示す平面図であり、図３は図２のＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図である。

図１を参照すると、液晶表示装置用母基板１００は、ベース基板１１０、ベース基板１１０上に形成された第１及び第２ガラス識別子１２０ａ、１２０ｂ、及びベース基板１１０上に形成された複数のセル識別表示部１３０を含む。

ベース基板１１０は、光を透過させる透明な材質、例えば、ガラスや石英のような材質からなる。ベース基板１１０は、セルアレイ領域ＣＡＡ及びセルアレイ領域ＣＡＡを囲む非セルアレイ領域ＮＣＡに区画される。

セルアレイ領域ＣＡＡは複数のセル領域で構成される。複数のセル領域はアレイ形態に配置される。従って、以下、複数のセル領域をセルアレイと言い、セルアレイは、第１行ＭＨ１からｉ番目行ＭＨｉで構成された複数の行（ＭＨ１〜ＭＨｉ）、及び第１列ＭＶ１からｊ番目列ＭＶｊで構成された複数の列（ＭＶ１〜ＭＶｊ）を含む。ここで、ｉとｊは１以上の自然数である。

液晶表示装置用母基板１００は各セル領域毎に切断され、切断された液晶表示装置用母基板は、液晶表示パネルを形成する２つの基板のうち、いずれか一つの基板になる。

第１及び第２ガラス識別表示部１２０ａ、１２０ｂは、非セルアレイ領域ＮＣＡに形成される。平面上で見た時、第１ガラス識別表示部１２０ａは、ベース基板１１０の上部に位置し、第２ガラス識別表示部１２０ｂは、ベース基板１１０の下部に位置する。

この実施形態において、第１及び第２ガラス識別表示部１２０ａ、１２０ｂは、互いに同じ構造を有する。従って、第１及び第２ガラス識別表示部１２０ａ、１２０ｂの説明において、第１ガラス識別表示部１２０ａを具体的に説明し、第２ガラス識別表示部１２０ｂについての説明は省略する。

図２及び図３を参照すると、第１ガラス識別表示部１２０ａは、ベース基板１１０の上面に形成され、不透明な金属材質からなる。

第１ガラス識別表示部１２０ａには、液晶表示装置用母基板１００に対応するガラス識別子ＧＩＤが形成される。液晶表示装置用母基板１００は大量生産されるので、それぞれの液晶表示装置用母基板を区別するのが難しい。ガラス識別子ＧＩＤは、それぞれの液晶表示装置用母基板を区別するための識別子で、液晶表示装置用母基板１００に対応するように付与される。

ガラス識別子ＧＩＤは、第１ガラス識別表示部１２０ａに陰刻方式で形成され、第２ガラス識別表示部１２０ｂにもガラス識別子ＧＩＤが形成される。例えば、ガラス識別子ＧＩＤが「４ＡＡ５Ａ」である場合、第１ガラス識別表示部１２０ａに「４ＡＡ５Ａ」を陰刻方式で形成する。同様に、第２ガラス識別表示部１２０ｂにも「４ＡＡ５Ａ」を陰刻方式で形成する。

非セルアレイ領域ＮＣＡは、液晶表示装置用母基板１００が各セル領域毎に切断されると、各セル領域毎に分離された基板から切断され除去される部分である。第１及び第２ガラス識別表示部１２０ａ、１２０ｂは、非セルアレイ領域ＮＣＡに形成されるので、完成された液晶表示パネルには存在しない。

第１ガラス識別表示部１２０ａが形成されたベース基板１１０上には、ゲート絶縁膜１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０は金属物質との接着力が良好で、界面に空気層の形成を抑制する酸化シリコン（ＳｉＯ_２）や窒化シリコン（ＳｉＮ_Ｘ）のような無機絶縁物質からなる。ゲート絶縁膜１４０は、プラズマ化学気相蒸着方法によって形成される。

図４は図１のＢ部分を拡大して示す平面図であり、図５は図４のＣ部分を拡大して示す平面図であり、図６は図４のＩＩ−ＩＩ’線、及び図５のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿って切断した断面図である。

図１及び図４を参照すると、液晶表示装置用母基板１００は、各セル領域毎に同じ構成要素を有する。従って、以下、第１セル領域ＣＡ１を一例として各セル領域毎に同一に具備される構成要素を説明する。

前記第１セル領域ＣＡ１は、画像が表示される表示領域ＤＡ及び表示領域ＤＡを囲む非表示領域ＰＡ１で構成される。非表示領域ＰＡ１は、実質的に画像が表示されない。

ベース基板１１０上の表示領域ＤＡには、複数のゲートライン（ＧＬ１〜ＧＬｎ）、複数のデータライン（ＤＬ１〜ＤＬｍ）、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）１５０、及び画素電極１６０が形成される。ここで、ｎとｍは１以上の自然数である。

複数のゲートライン（ＧＬ１〜ＧＬｎ）は、外部から受信したゲート信号を伝送する。複数のデータライン（ＤＬ１〜ＤＬｍ）は、複数のゲートライン（ＧＬ１〜ＧＬｎ）と互いに絶縁され交差するように形成され、データ信号を伝送する。複数のゲートライン（ＧＬ１〜ＧＬｎ）及び複数のデータライン（ＤＬ１〜ＤＬｍ）は複数の画素領域を定義する。複数の画素領域は、表示領域ＤＡに形成される。

図４及び図６を参照すると、ＴＦＴ１５０は画素領域に形成され、ゲートライン及びデータラインと連結される。ＴＦＴ１５０は、ベース基板１１０上に形成されたゲート電極１５１、活性層１５２、オーミックコンタクト層１５３、ソース電極１５４、及びドレイン電極１５５を含む。

ゲート電極１５１は、ゲートラインから分岐され形成される。図４及び図６には図示していないが、ゲート電極１５１は、第１及び第２ガラス識別表示部１２０ａ、１２０ｂ（図１参照）と同一層に形成され、同じ物質からなる。

ゲート電極１５１が形成されたベース基板１１０上には、ゲート絶縁膜１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０上には、活性層１５２が形成される。活性層１５２は、ゲート電極１５２と対応して形成され、非晶質シリコンからなる。

オーミックコンタクト層１５３は、活性層１５２の上面に形成され、ｎ＋非晶質シリコンからなる。オーミックコンタクト層１５３は中央部が除去され、活性層１５２を部分的に露出する。活性層１５２が露出された領域はチャンネル領域に提供される。

オーミックコンタクト層１５３の上面には、ソース電極１５４及びドレイン電極１５５が形成される。ソース電極１５４は、データラインから分岐され形成される。ドレイン電極１５５は、チャンネル領域を挟んでソース電極１５４と向かい合う。

画素電極１６０は、ＴＦＴ１５０と電気的に連結される。ＴＦＴ１６０は、透明な金属物質、例えば、インジウムティンオキサイド（以下、ＩＴＯ）又はインジウムジンクオキサイド（以下、ＩＺＯ）からなる。

液晶表示装置用母基板１００は、保護膜１７０及び有機絶縁膜１８０を更に具備する。保護膜１７０は、ゲート絶縁膜１４０の上部に形成され、ＴＦＴ１５０をカバーする。

有機絶縁膜１８０は保護膜１７０上に形成され、画素電極１６０は有機絶縁膜１８０上に形成される。保護膜１７０及び有機絶縁膜１８０が部分的に除去され、ドレイン電極１５５を一部分露出するコンタクトホール１８１を形成する。画素電極１６０は、コンタクトホール１８１を通じてドレイン電極１５５と電気的に連結する。

再び、図１及び図４を参照すると、複数のセル識別表示部１３０は、セルアレイ領域ＣＡＡに形成され、不透明な金属物質からなる。複数のセル識別表示部１３０は互いに隣接した２つのセル領域にかけて形成される。

この実施形態において、複数のセル識別表示部１３０は、その構造が互いに同じである。従って、以下、複数のセル識別表示部１３０についての具体的な説明において、第１セル識別表示部１３１を一例として説明する。

第１セル識別表示部１３１は、第１セル領域ＣＡ１及び第１セル領域ＣＡ１と互いに隣接した第２セル領域ＣＡ２にかけて形成される。第１及び第２セル領域ＣＡ１、ＣＡ２は、セルアレイの複数の行（ＭＨ１〜ＭＨｉ）のうちで、第１行ＭＨ１に位置する。即ち、第１及び第２セル領域ＣＡ１、ＣＡ２は、複数の列（ＭＶ１〜ＭＶｊ）が配置される第１方向Ｄ１に互いに隣接して位置する。

第１セル識別表示部１３１は、第１セル領域ＣＡ１の周辺領域ＰＡ１及び第２セル領域ＣＡ２の周辺領域ＰＡ２に形成される。第１セル識別表示部１３１は、第１及び第２セル領域ＣＡ１、ＣＡ２が接するコーナー部に隣接して位置する。

図５及び図６を参照すると、第１セル識別表示部１３１はベース基板１１０上に形成され、第１セル識別表示部１３１は、不透明な金属材質からなる。この実施形態において、第１セル識別表示部１３１は、ゲート電極１５１と同一層に形成され、ゲート電極１５１と同じ材質からなる。しかし、第１セル識別表示部１３１は、ソース及びドレイン電極１５４、１５５と同一層に形成することもでき、ソース及びドレイン電極１５４、１５５と同じ材質で形成することもできる。

第１セル識別表示部１３１は、第１及び第２セル領域ＣＡ１、ＣＡ２内に形成されるので、第１及び第２ガラス識別表示部１２０ａ、１２０ｂ（図１参照）と異なり、完成された液晶表示パネル内に存在する。

第１セル識別表示部１３１には、第１及び第２セル領域ＣＡ１、ＣＡ２に対応するセル識別子ＣＩＤ＿１、ＣＩＤ＿２が形成される。セル識別子ＣＩＤ＿１、ＣＩＤ＿２は、各セル領域毎に互いに異なるように付与される識別子で、電子機器製品の一連番号のような機能を有する。セル識別子ＣＩＤ＿１、ＣＩＤ＿２は、液晶表示装置用母基板１００の製造日付、製品名、ガラス識別子、ベース基板１１０上での該当セル領域の位置情報等を暗号化して、一種の記号で示す。このようなセル識別子ＣＩＤ＿１、ＣＩＤ＿２は、完成された液晶表示パネルの事後管理に利用される。

以下、説明の便宜のために、第１セル領域ＣＡ１のセル識別子ＣＩＤ＿１を第１セル識別子ＣＩＤ＿１と言い、第２セル領域ＣＡ１のセル識別子ＣＩＤ＿２を第２セル識別子ＣＩＤ＿２と言う。

第１セル識別子ＣＩＤ＿１は第１セル領域ＣＡ１に形成され、第２セル識別子ＣＩＤ＿２は第２セル領域ＣＡ２に形成される。第１及び第２セル識別子ＣＩＤ＿１、ＣＩＤ＿２は、切断ラインＳＬを挟んで互いに向かい合う。切断ラインＳＬは、液晶表示装置用母基板１００を各セル領域毎に切断するためのラインであり、切断装置は切断ラインＳＬに沿って液晶表示装置用母基板１００を切断する。

従って、液晶表示装置用母基板１００が切断ラインＳＬに沿って切断されると、第１セル識別表示部１３１は２つに分離され、第１セル領域ＣＡ１及び第２セル領域ＣＡ２にそれぞれ位置する。

第１及び第２セル識別子ＣＩＤ＿１、ＣＩＤ＿２は、ガラス識別子ＧＩＤ（図２参照）と同様に第１セル識別表示部１３１に陰刻方式で形成される。例えば、第１セル識別子ＣＩＤ＿１が「５Ａ０１１１」で、第２セル識別子ＣＩＤ＿２が「５Ａ０１１２」であれば、第１セル識別表示部１３１に「５Ａ０１１１」及び「５Ａ０１１２」が陰刻方式で刻まれる。第１及び第２セル識別子ＣＩＤ＿１、ＣＩＤ＿２はタイトリング装置（図示せず）によって形成され、タイトリング装置は、第１セル識別表示部１３１にレーザーを照射して、第１及び第２セル識別子ＣＩＤ＿１、ＣＩＤ＿２を刻む。第１セル識別表示部１３１は、第１及び第２セル識別子ＣＩＤ＿１、ＣＩＤ＿２が刻まれた部分が除去される。

図７は、図１に図示された液晶表示装置用母基板にセル識別子を形成する工程を示すフローチャートである。

図１及び図７を参照すると、まず、ベース基板１１０上に金属層を形成する（ステップＳ１１０）。

次に、金属層をパターニングして、複数のセル識別表示部１３０を形成する（ステップＳ１２０）。図面には図示していないが、複数のセル識別表示部１３０を形成する過程で、複数のゲートライン（ＧＬ１〜ＧＬｎ）（図４参照）、ゲート電極１５１（図６参照）、第１及び第２ガラス識別表示部１２０ａ、１２０ｂも共に形成される。

次に、タイトリング装置をベース基板１１０上に配置し、タイトリング装置は、セルアレイの最後の行であるＩ番目行ＭＨｉから第１行ＭＨ１側に移動しながら、セルアレイの第１列ＭＶ１及び第２列ＭＶ２にかけて形成されたセル識別表示部１３０にセル識別子を形成する（ステップＳ１３０）。これによって、第１列ＭＶ１及び第２列ＭＶ２に位置する各セル領域のセル識別子が形成される。

互いに隣接した２つのセル領域は、一つのセル識別表示部１３０を共有するので、タイトリング装置は、一つのセル識別表示部１３０に２つのセル識別子を形成した後に次ぎの行に移動する。例えば、タイトリング装置は、第１及び第２列ＭＶ１、ＭＶ２のｉ番目行ＭＨｉに位置するセル識別表示部１３０に２つのセル識別子を形成した後、第１及び第２列ＭＶ１、ＭＶ２のｉ−１番目行に移動する。

ステップＳ１３０が終了すると、タイトリング装置は、第１及び第２列ＭＶ１、ＭＶ２の第１行ＭＨ１に位置する。タイトリング装置は、第１行ＭＨ１の第３列ＭＶ３及び第４列ＭＶ４に移動する。以後、タイトリング装置は、第１及び第２列ＭＶ１、ＭＶ２と異なり、第１行ＭＨ１から最後番目行ＭＨｉ側に移動しながら、第３及び第４列ＭＶ３、ＭＶ４にかけて形成されたセル識別表示部１３０にセル識別子を形成する（ステップＳ１４０）。これによって、第３列ＭＶ３及び第４列ＭＶ４に位置する各セル領域のセル識別子が形成される。

このように、複数のセル識別表示部１３０がセルアレイの２つの列にかけて位置するので、タイトリング装置が第１行ＭＨ１からｉ番目行ＭＨｉまで昇順又は降順に一回スキャンする度に、隣接した２つの列に対応するセル領域にセル識別子が形成される。タイトリング装置は、第１行ＭＨ１からｉ番目行ＭＨｉまでを昇順にスキャンする動作と、降順にスキャンする動作は交互に行われる。

図７には図示していないが、タイトリング装置は、上記のような方法でセルアレイの最後番目列であるｊ番目列ＭＶｊまで移動しながらセル識別子を形成し、図１に図示された第１スキャン経路ＳＤ１は、このようなタイトリング装置の移動経路を示す。

以下、図１を参照して、タイトリング装置がセルアレイを移動する過程をセル識別表示部１３０が各セル領域毎に分離されて位置する場合（従来例）と本発明を比較して説明する。

複数のセル識別表示部１３０は、第１方向Ｄ１に隣接した２つのセル領域にかけて形成される。これによって、タイトリング装置は、第１スキャン経路ＳＤ１に沿って移動し、タイトリング装置がセルアレイを第１行ＭＨ１からｉ番目行ＭＨｉまで昇順又は降順に一回スキャンする度にセルアレイの２つの列にセル識別子が形成される。

例えば、タイトリング装置が第１及び第２列ＭＶ１、ＭＶ２に沿って第１行ＭＨ１からｉ番目行ＭＨｉまで降順に移動すると、セル識別子が第１及び第２列ＭＶ１、ＭＶ２に位置する各セル領域に形成される。一つの列には、ｉ個のセル領域が位置するので、タイトリング装置がスキャンする度にｉ×２個のセル領域にセル識別子が形成される。

反面、セル識別表示部１３０が各領域毎に分離されて形成される場合（従来例）には、タイトリング装置が第１行ＭＨ１からｉ番目行ＭＨｉまで昇順又は降順に一回スキャンする度に一つの列にセル識別子が形成され、第２スキャン経路ＳＤ２は、これによるタイトリング装置の移動経路を示す。

例えば、セル識別表示部１３０が各セル領域毎に分離して位置するので、タイトリング装置が第１列ＭＶ１に沿って第１行ＭＨ１からｉ番目行ＭＨｉまでスキャンすると、第１列ＭＶ１に対応するセル領域にのみセル識別子が形成される。従って、第１及び第２列ＭＶ１、ＭＶ２に対応する各セル領域にセル識別子を形成しようとすると、タイトリング装置が第１列ＭＶ１に沿って第１行ＭＨ１からｉ番目行ＭＨｉまで降順に一回スキャンした後、更に第２列ＭＶ２を第１行ＭＨ１からｉ番目行ＭＨｉまで昇順にスキャンしなければならない。

このように、液晶表示装置用母基板１００は、タイトリング装置が第１行ＭＨ１からｉ番目行ＭＨｉまで移動する回数をセル識別表示部１３０が各セル領域毎に分離されて形成された場合より約２倍程度減少させることができる。これは、液晶表示装置用母基板１００は、互いに隣接した２つのセル領域にかけてセル識別表示部１３０が形成されるので、セル識別表示部１３０が各セル領域毎に分離されて形成される場合よりセル識別表示部１３０の個数が約半分程度に減少するためである。

これによって、液晶表示装置用母基板１００は、タイトリング装置の総移動距離を従来に対して約５０％程度減少させることができるので、複数のセル領域にセル識別子を形成する総時間を減少させることができる。従って、液晶表示装置用母基板１００は、全体工程時間を短縮させることができるので、生産性を向上させることができる。

図８は本発明の他の実施形態による液晶表示装置用母基板を示す平面図で、図９は図８のＤ部分を拡大して示す平面図である。

図８及び図９を参照すると、液晶表示装置用母基板２００は、複数のセル識別表示部２１０を除いては、図１に示した液晶表示装置用母基板１００と同じ構成を有する。従って、図８及び図９において、図１の液晶表示装置用母基板１００と同じ機能を果たす構成要素については、同じ参照符号を付与して、その重複説明は省略する。

液晶表示装置用母基板２００は、ベース基板１１０、ベース基板１１０上に形成された第１及び第２ガラス識別表示部１２０ａ、１２０ｂ、及びベース基板１１０上に形成された複数のセル識別表示部２１０を含む。

複数のセル識別表示部２１０は、互いに隣接した２つのセル領域にかけて形成される。互いに隣接した２つのセル領域は、セルアレイの複数の行（ＭＨ１〜ＭＨｉ）が配置される第２方向Ｄ２に配置される。

この実施形態において、複数のセル識別表示部２１０は、その構造が互いに同じである。従って、以下、複数のセル識別表示部２１０についての具体的な説明において、第１セル識別表示部２１１を一例として説明する。

第１セル識別表示部２１１は、第１セル領域ＣＡ１及び第１セル領域ＣＡ１と第２方向Ｄ２に隣接した第３セル領域ＣＡ３にかけて形成される。第１セル識別表示部２１１は、第１セル領域ＣＡ１の周辺領域ＰＡ１及び第３セル領域ＣＡ３の周辺領域ＰＡ３に形成される。第１セル識別表示部２１１は、第１及び第３セル領域ＣＡ１、ＣＡ３が互いに接するコーナー部に隣接して位置する。

図８及び図９には図示していないが、第１セル識別表示部２１１は、ベース基板１１０上に形成されるＴＦＴ１５０（図６参照）のゲート電極１５１と同じ層に形成され、ゲート電極１５１と同じ物質からなる。

第１セル識別表示部２１１には、第１セル領域ＣＡ１に対応するセル識別子ＣＩＤ＿１及び第３セル領域ＣＡ３に対応するセル識別子ＣＩＤ＿３が形成される。

以下、説明の便宜のために、第１セル領域ＣＡ１のセル識別子ＣＩＤ＿１を第１セル識別子ＣＩＤ＿１と言い、第３セル領域ＣＡ３のセル識別子ＣＩＤ＿３を第３セル識別子ＣＩＤ＿３と言う。

第１セル識別子ＣＩＤ＿１は第１セル領域ＣＡ１に形成され、第３セル識別子ＣＩＤ＿３は第３セル領域ＣＡ３に形成される。第１及び第３セル識別子ＣＩＤ＿１、ＣＩＤ＿３は、液晶表示装置用母基板２００を複数のセル領域毎に切断するための切断ラインＳＬを挟んで互いに向かい合う。従って、液晶表示装置用母基板２００が切断ラインＳＬに沿って切断されると、第１セル識別表示部２１１は２つに分離され、第１セル領域ＣＡ１及び第３セル領域ＣＡ３にそれぞれ位置する。

第１及び第３セル識別子ＣＩＤ＿１、ＣＩＤ＿３は、タイトリング装置によって陰刻方式で第１セル識別表示部２１１に形成される。例えば、第１セル識別子ＣＩＤ＿１が「５Ａ０１１１」で、第３セル識別子ＣＩＤ＿３が「５Ａ０１１３」であれば、第１セル識別表示部２１１に「５Ａ０１１１」及び「５Ａ０１１３」が陰刻方式で刻まれる。

図１０は、図８に図示された液晶表示装置用母基板２００にセル識別子を形成する工程を示すフローチャートである。

図８及び図１０を参照すると、まず、ベース基板１１０上に金属層を形成する（ステップＳ２１０）。

次に、金属層をパターニングして、複数のセル識別表示部２１０を形成する（ステップＳ２２０）。図面に図示していないが、複数のセル識別表示部２１０を形成する過程で、複数のゲートライン（ＧＬ１〜ＧＬｎ）（図４参照）、ゲート電極１５１（図６参照）、第１及び第２ガラス識別表示部１２０ａ、１２０ｂも共に形成される。

次に、タイトリング装置をベース基板１１０上に配置し、タイトリング装置は、セルアレイの第１列ＭＶ１からｊ番目列ＭＶｊ側に移動しながら、セルアレイの第１行ＭＨ１及び第２行ＭＨ２にかけて形成されたセル識別表示部２１０にセル識別子を形成する（ステップＳ２３０）。これによって、第１行ＭＨ１及び第２行ＭＨ２に位置する各セル領域のセル識別子が全部形成される。

互いに隣接した２つのセル領域は、一つのセル識別表示部２１０を共有するので、タイトリング装置は、一つのセル識別表示部２１０に２つのセル識別子を形成した後、次ぎの行に移動する。例えば、タイトリング装置は、第１及び第２行ＭＨ１、ＭＨ２の第１列ＭＶ１に位置するセル識別表示部２１０に２つのセル識別子を形成した後、第１及び第２行ＭＨ１、ＭＨ２の第２列ＭＶ２に移動する。

ステップＳ２３０が終了すると、タイトリング装置は、第１及び第２行ＭＨ１、ＭＨ２のｊ番目列ＭＶｊに位置する。タイトリング装置は、ｊ番目列ＭＨｊの第３及び第４行ＭＨ３、ＭＨ４に移動する。以後、タイトリング装置は、第１及び第２行ＭＨ１、ＭＨ２と逆にｊ番目列ＭＶｊから第１列ＭＶ１側に移動しながら、第３及び第４行ＭＨ３、ＭＨ４にかけて形成されたセル識別表示部２１０にセル識別子を形成する（ステップＳ２４０）。これによって、セル識別子が第３行ＭＨ３及び第４行ＭＨ４に対応する各セル領域に形成される。

このように、複数のセル識別表示部２１０がセルアレイの互いに隣接した２つの行にかけて位置するので、タイトリング装置が第１列ＭＶ１からｊ番目列ＭＶｊを昇順又は降順に一回スキャンする度に、セル識別子が互いに隣接した２つの行に対応するセル領域に形成される。ここで、タイトリング装置は、第１列ＭＶ１からｊ番目列ＭＶｊを昇順にスキャンする動作と降順にスキャンする動作を交互に行う。

図１０には図示していないが、タイトリング装置は、上記のような方法でセルアレイのｉ番目行ＭＨｉまで移動しながらセル識別子を形成し、図９に図示された第３スキャン経路ＳＤ３は、このようなタイトリング装置の移動経路を示す。

以下、図９を参照してタイトリング装置がセルアレイを移動する過程を、セル識別表示部２１０が各セル領域毎に分離されて位置する場合（従来例）と本発明を比較して説明する。

複数のセル識別表示部２１０は、第２方向Ｄ２に隣接する２つのセル領域にかけて形成される。これによって、タイトリング装置は、第３スキャン経路ＳＤ３に沿って移動し、タイトリング装置がセルアレイを第１列ＭＶ１からｊ番目列ＭＶｊまで昇順又は降順に一回スキャンする度に、セルアレイの２つの行にセル識別子が形成される。

例えば、タイトリング装置が第１及び第２行ＭＨ１、ＭＨ２に沿って第１列ＭＶ１からｊ番目列ＭＶｊまで昇順に移動すると、セル識別子が第１及び第２行ＭＨ１、ＭＨ２に位置する各セル領域に形成される。一つの行には、ｊ個のセル領域が位置するので、タイトリング装置がスキャンする度にｊ×２個のセル領域にセル識別子が形成される。

一方、セル識別表示部２１０が各セル領域毎に分離されて形成される場合（従来例）には、タイトリング装置が第１列ＭＶ１からｊ番目行ＭＶｊまで昇順又は降順に一回スキャンする度に一つの行にセル識別子が形成され、第４スキャン経路ＳＤ４は、これによるタイトリング装置の移動経路を示す。

例えば、タイトリング装置が第１行ＭＨ１に沿って第１列ＭＶ１からｊ番目行ＭＶｊまでスキャンすると、第１行ＭＨ１に対応するセル領域にのみセル識別子が形成される。従って、第１及び第２行ＭＨ１、ＭＨ２に対応する各セル領域にセル識別子を形成しようとすると、タイトリング装置が第１行ＭＨ１に沿って第１列ＭＶ１からｊ番目列ＭＶｊまで昇順に一回スキャンした後、更に第２行ＭＨ２を第１列ＭＶ１からｊ番目列ＭＶｊまで降順にスキャンする。

このように、液晶表示装置用母基板２００は、タイトリング装置が第１列ＭＶ１からｊ番目列ＭＶｊまで移動する回数をセル識別表示部２１０が各セル領域毎に分離されて形成された場合より約２倍程度減少させることができる。これは、液晶表示装置用母基板２００は、各セル識別表示部２１０が互いに隣接した２つのセル領域にかけて形成されるので、セル識別表示部２１０が各セル領域毎に分離されて形成される場合よりセル識別表示部２１０の個数が約半分程度減少されるためである。

これによって、液晶表示装置用母基板２００は、タイトリング装置の総移動距離を従来に対して約５０％程度減少させることができるので、複数のセル領域にセル識別子を形成する総時間を減少させることができる。従って、液晶表示装置用母基板２００は、全体工程時間を短縮させることができるので、生産性を向上させることができる。

図１１は本発明の更に他の実施形態による液晶表示装置用母基板を示す平面図で、図１２は図１１のＥ部分を拡大して示す平面図である。

図１１及び図１２を参照すると、液晶表示装置用母基板３００は、複数のセル識別表示部３１０を除いては、図１に示した液晶表示装置用母基板１００と同じ構成を有する。従って、図１１及び図１２において、図１の液晶表示装置用母基板１００と同じ機能を果たす構成要素に対しては、同じ参照番号を付与して、その重複説明は省略する。

液晶表示装置用母基板３００は、ベース基板１１０、ベース基板１１０上に形成された第１及び第２ガラス識別表示部１２０ａ、１２０ｂ、及びベース基板１１０上に形成された複数のセル識別表示部３１０を含む。

複数のセル識別表示部３１０は、互いに隣接した４つのセル領域にかけて形成される。

この実施形態において、複数のセル識別表示部３１０は、その構造が互いに同じである。従って、以下、複数のセル識別子３１０に対する具体的な説明において、第１セル識別表示部３１１を一例として説明する。

第１セル識別表示部３１１は、互いに隣接した第１乃至第４セル領域ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４にかけて形成される。ここで、第１及び第２セル領域ＣＡ１、ＣＡ２は、セルアレイの第１行ＭＨ１に形成され、第３及び第４セル領域ＣＡ３、ＣＡ４は、セルアレイの第２行ＭＨ２に形成される。第１及び第３セル領域ＣＡ１、ＣＡ３は、セルアレイの第１列ＭＶ１に形成され、第２及び第４セル領域ＣＡ２、ＣＡ４は、セルアレイの第２列ＭＶ２に形成される。

第１セル識別表示部３１１は、第１乃至第４セル領域ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４の周辺領域ＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４に形成され、第１乃至第４セル領域ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４が互いに接するコーナー部に隣接して位置する。

図１１及び図１２には図示していないが、第１セル識別表示部３１１は、ベース基板１１０上に形成されるＴＦＴ１５０（図６参照）のゲート電極１５１と同じ層に形成され、ゲート電極１５１と同じ物質からなる。

第１セル識別表示部３１１には、第１乃至第４セル領域ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４に対応するセル識別子ＣＩＤ＿１、ＣＩＤ＿２、ＣＩＤ＿３、ＣＩＤ＿４が形成される。

以下、説明の便宜のために、第１セル領域ＣＡ１のセル識別子ＣＩＤ＿１を第１セル識別子ＣＩＤ＿１と言い、第２セル領域ＣＡ２のセル識別子ＣＩＤ＿２を第２セル識別子ＣＩＤ＿２と言い、第３セル領域ＣＡ３のセル識別子ＣＩＤ＿３を第３セル識別子ＣＩＤ＿３と言い、第４セル領域ＣＡ４のセル識別子ＣＩＤ＿４を第４セル識別子ＣＩＤ＿４と言う。

第１セル識別子ＣＩＤ＿１は第１セル領域ＣＡ１に対応して形成され、第２セル識別子ＣＩＤ＿２は第２セル領域ＣＡ２に対応して形成され、第３セル識別子ＣＩＤ＿３は第３セル領域ＣＡ３に対応して形成され、第４セル識別子ＣＩＤ＿４は第４セル領域ＣＡ４に対応して形成される。

第１セル識別子ＣＩＤ＿１は、液晶表示装置用母基板２００を複数のセル領域毎に切断するための切断ラインＳＬを挟んで、第２及び第３セル識別子ＣＩＤ＿２、ＣＩＤ＿３と向かい合う。ここで、第４セル領域ＣＡ４は、第１セル領域ＣＡ１と対角線方向に位置する。従って、第４セル識別子ＣＩＤ＿４は、切断ラインＳＬを挟んで第２及び第３セル識別子ＣＩＤ＿２、ＣＩＤ＿３と向かい合う。

液晶表示装置用母基板２００が切断ラインＳＬに沿って切断されると、第１セル識別表示部３１１は４つに分離され、第１乃至第４セル領域ＣＡ１、ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４にそれぞれ位置する。

第１乃至第４セル識別子ＣＩＤ＿１、ＣＩＤ＿２、ＣＩＤ＿３、ＣＩＤ＿４は、タイトリング装置によって陰刻方式で第１セル識別表示部３１１に形成される。

タイトリング装置は、互いに隣接した２つの列に沿ってセルアレイをスキャンするか、互いに隣接した２つの行に沿ってセルアレイをスキャンする。

例えば、タイトリング装置は、図１１に示すように、セルアレイの第１及び第２行ＭＨ１、ＭＨ２に沿って第１列ＭＶ１からｊ番目列ＭＶｊまで昇順に移動しながら、第１及び第２行ＭＨ１、ＭＨ２にかけて形成されたセル識別表示部３１０にセル識別子を形成する。ここで、タイトリング装置は、一つのセル識別表示部３１０に４つのセル識別子を形成した後、次ぎ列に移動する。

これによって、セル識別子が第１及び第２行ＭＨ１、ＭＨ２に対応する各セル領域に形成される。図１１に図示された第５スキャン経路ＳＤ５は、このようにセルアレイ上で特定行に沿って移動するタイトリング装置の移動経路を示す。

又、タイトリング装置は、図１１のように、セルアレイの第１及び第２列ＭＶ１、ＭＶ２に沿って第１行ＭＨ１からｉ番目行ＭＨｉまで降順に移動しながら、第１及び第２列ＭＶ１、ＭＶ２にかけて形成されたセル識別表示部３１０にセル識別子を形成する。同様に、タイトリング装置は、一つのセル識別表示部３１０に４つのセル識別子を形成した後、次ぎの行に移動する。

これによって、セル識別子が第１及び第２列ＭＶ１、ＭＶ２に対応する各セル領域に形成される。図１１に図示された第６スキャン経路ＳＤ６は、このようにセルアレイ上で特定列に沿って移動するタイトリング装置の移動経路を示す。

このように、液晶表示装置用母基板３００は、各セル識別表示部３１０が互いに隣接した４つのセル領域にかけて形成されるので、セル識別表示部３１０が各セル領域毎に分離されて形成された場合よりセル識別表示部３１０の個数を約１／４程度減少させることができる。これによって、タイトリング装置が特定列又は特定行に沿って一回移動する度に、セルアレイの２つの列又は２つの行にセル識別子が形成される。

従って、液晶表示装置用母基板３００は、セル識別表示部３１０が各セル領域毎に分離されて形成された場合より、タイトリング装置の移動距離を約５０％程度減少させることができるので、複数のセル領域にセル識別子を形成する総時間を減少させることができる。これによって、前記液晶表示装置用母基板３００は、全体工程時間を短縮させることができるので、生産性を向上させることができる。

尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。

本発明の一実施形態による液晶表示装置用母基板を示す平面図である。 図１のＡ部分を拡大して示す平面図である。 図２のＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図である。 図１のＢ部分を拡大して示す平面図である。 図４のＣ部分を拡大して示す平面図である。 図４のＩＩ−ＩＩ’線及び図５のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿って切断した断面図である。 図１に図示された液晶表示装置用母基板にセル識別子を形成する工程を示すフローチャートである。 本発明の他の実施形態による液晶表示装置用母基板を示す平面図である。 図８のＤ部分を拡大して示す平面図である。 図８に図示された液晶表示装置用母基板にセル識別子を形成する工程を示すフローチャートである。 本発明の更に他の実施形態による液晶表示装置用母基板を示す平面図である。 図１１のＥ部分を拡大して示す平面図である。

符号の説明

１００、２００、３００ 液晶表示装置用母基板
１１０ ベース基板
１４０ ゲート絶縁膜
１２０ａ、１２０ｂ ガラス識別表示部
１３０、２１０、３１０ セル識別表示部
１３１、２１１、３１１ 第１セル識別表示部

Claims (19)

1. 区画された複数のセル領域を有するベース基板と、
   互いに隣接した少なくとも２つの前記セル領域にかけて形成され、前記各セル領域に対応して各セル領域を識別するための各々のセル識別子が設置されるセル識別表示部とを有することを特徴とする表示装置用母基板。
2. 前記セル識別表示部は、互いに隣接した２つのセル領域にかけて形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置用母基板。
3. 前記複数のセル領域は、少なくとも１つの行及び少なくとも２つの列で構成されるマトリックス形態に形成され、前記互いに隣接した２つのセル領域は、同じ行に位置することを特徴とする請求項２に記載の表示装置用母基板。
4. 前記複数のセル領域は、少なくとも２つの行及び少なくとも１つの列で構成されるマトリックス形態に形成され、前記互いに隣接した２つのセル領域は、同じ列に位置することを特徴とする請求項２に記載の表示装置用母基板。
5. 前記セル識別表示部は、互いに隣接した４つのセル領域にかけて形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置用母基板。
6. 前記複数のセル領域は、少なくとも２つの行及び少なくとも２つの列で構成されるマトリックス形態に形成されることを特徴とする請求項５に記載の表示装置用母基板。
7. 前記セル識別表示部は、前記４つのセル領域が接するコーナー部に位置することを特徴とする請求項５に記載の表示装置用母基板。
8. 前記ベース基板にはセル領域間に、切断するための切断ラインが形成され、前記互いに隣接した２つのセル領域は、前記切断ラインを挟んで両側に配置されることを特徴とする請求項２に記載の表示装置用母基板。
9. 前記セル領域は、画像が表示される表示領域と、前記表示領域を囲む第１周辺領域とで構成され、前記各々のセル識別子は、前記第１周辺領域に形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置用母基板。
10. 前記ベース基板上に形成され、各ベース基板を識別するために、ベース基板別に付与されたガラス識別子を有するガラス識別表示部を更に有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置用母基板。
11. 前記ガラス識別子は、前記複数のセル領域を囲む第２周辺領域に形成されることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置用母基板。
12. 前記セル識別子は前記セル識別表示部に陰刻方式で形成され、製造日付情報を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置用母基板。
13. 区画された複数のセル領域を有するベース基板上に金属層を形成する段階と、
    前記金属層をパターニングして互いに隣接した少なくとも２つのセル領域にかけてセル識別表示部を形成する段階とを有し、
    前記セル識別表示部は前記セル領域に対応して、対応するセル領域を識別するための各々のセル識別子を含むことを特徴とする表示装置用母基板の製造方法。
14. 前記複数のセル領域は、マトリックス形態に形成されることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置用母基板の製造方法。
15. 前記セル識別子は、レーザーを出射するタイトリング（ｔｉｔｌｉｎｇ）装置によって形成されることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置用母基板の製造方法。
16. 前記セル識別表示部は、互いに隣接した２つのセル領域にかけて形成され、前記互いに隣接した２つのセル領域は、同じ行に形成されることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置用母基板の製造方法。
17. 前記タイトリング装置は、互いに隣接した２つの列ずつ前記複数のセル領域の前記行を順次に移動しながらセル識別子を形成することを特徴とする請求項１６に記載の表示装置用母基板の製造方法。
18. 前記セル識別表示部は、互いに隣接した２つのセル領域にかけて形成され、前記互いに隣接した２つのセル領域は、同じ列に形成されることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置用母基板の製造方法。
19. 前記タイトリング装置は、互いに隣接した２つの行ずつ前記複数のセル領域の前記行を順次に移動しながらセル識別子を形成することを特徴とする請求項１８に記載の表示装置用母基板の製造方法。
    

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