JP2007024555A - プローブカード - Google Patents

Abstract

【課題】 プローブカードにおける同一面積の支持板において，従来よりも狭ピッチのガイド孔を形成し，プローブピンを付勢するための弾性部材の選択の自由度も高めて，高集積化デバイスの検査を精細に行う。
【解決手段】 支持板３のガイド孔５内に，弾性部１３とピン部１２を有するプローブピン１１が挿入され，ピン部１２の先端は支持板３の下方に突出し，段西部１３の上端部は，回路基板の接触部２ａに接触している。ガイド孔５は，その水平断面形状が長方形である。同一面積の支持板３において，水平断面形状が円形の従来のガイド孔の場合よりも，同一面積内において，狭ピッチのガイド孔が形成でき，狭ピッチでプローブピンを装着できる。弾性部材には，コイルスプリングを使う必要がない。
【選択図】 図６

Description

本発明は，プローブカードに関するものである。

例えば半導体ウエハ上に形成されたＩＣ，ＬＳＩなどの電子回路の電気的特性の検査は，プローブ装置に装着されたプローブカードを用いて行われている。いわゆるポゴピンタイプのプローブカードは，通常，多数の針状のプローブピンを支持する，コンタクタやガイド板と呼ばれる支持板と，当該支持板と電気的に接続されている回路基板を有している。支持板は，プローブピンの先端接触部が突出している下面がウエハに対向するように配置され，回路基板は支持板の上面に重ねられて配置されている。ウエハ上のデバイスの電気的特性の検査は，複数のプローブピンの先端接触部をデバイスの電子回路の電極に接触させ，回路基板を通じて各プローブピンから当該電極に対して検査用の電気信号を印加することにより行われている。

前記プローブピンは，支持板に多数形成されたガイド孔の中に上下方向にスライド自在に収容され，ピン部に続いて取り付けられたらせん状のコイルスプリングによって付勢されていて，ピン部の先端接触部が支持板の下面から突出している。そして従来は，ガイド孔の水平断面形状が円形であった（例えば特許文献１）。

特開２００４−１５６９６９号公報

しかしながらガイド孔の水平断面形状が円形であると，近年の高集積化デバイスに対応できない。すなわち，ガイド孔の形状が円孔だと，孔と孔とのピッチを狭くさせようとする場合，微細な孔の場合には，孔の直径にかかわらず孔あけ加工上最低限必要となる円孔と円孔との間の隔壁の間隔は変わらないので，孔の直径を極端に小さくしなければならない。しかし孔あけ加工とポゴピンの小型化には限界があり，また高集積化に対応して隣接するプローブピン間のピッチを狭くしようとしても限界があった。この点改善が望まれている。

しかも弾性材として使用しているコイルスプリングは円形のガイド孔内に納めるのには適してはいるが，全長が長くなってしまい，その分インダクタンスが大きくなって，微弱な検査信号にとっては好ましくなく，また精細な測定には不利であった。さらにまた周辺のノイズを拾いやすいという面も否めなかった。それらを防止するには構造的にポゴピンが大型化してしまい，高集積化には対応できなかった。

本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，同一面積の支持板において従来よりも多数のガイド孔を形成可能とし，プローブピンを付勢するための弾性部材の選択の自由度も高めて，高集積化デバイスの検査を精細に行うことを目的としている。

前記目的を達成するため，本発明においては，回路基板と，当該回路基板の下に配置されてプローブピンを支持する支持板とを有し，被検査体の電気的特性を検査するために使用されるプローブカードであって，前記支持板に形成されたガイド孔内に，弾性部とピン部を有するプローブピンが挿入され，ピン部の先端は前記支持板の下方に突出し，前記ガイド孔は，その水平断面形状が四角形であることを特徴としている。

このようにプローブピンが挿入されるガイド孔の水平断面形状を四角形としたので，従来の円形のガイド孔よりもより狭ピッチで隣接するガイド孔を形成することが可能である。しかもガイド孔内の水平断面形状が四角形であるから，例えば波型のスプリングを使用することができ，コイルスプリングよりも太くかつ全長を短くしてインダクタンスを小さくした弾性部材を使用することができる。

ガイド孔の下部には段部が形成され，前記プローブピンは，前記段部に係止される係止部を有する構成としてもよい。さらにまたガイド孔の上端縁部に係止される係止部を有する構成としてもよく，ガイド孔の下端部に係止される係止部を有するものとしてもよい。さらに前記ガイド孔は，上部ガイド孔と，それに続く孔径の大きい下部ガイド孔とからなり，垂直プローブピンは，上部ガイド孔と下部ガイド孔との間の縁部周辺部に係止される係止部を有するものとしてもよい。

ガイド孔の水平断面形状は，特に長方形とすることで，同一領域内においてより狭ピッチのガイド孔を形成することが可能である。例えば５０μｍ×１００μｍの長方形の孔を，ピッチが１００μｍで縦列形成することが可能である。

ところでガイド孔の水平断面形状を四角形としたことで，支持板にプローブピン挿入用の基板に微細な穴を深くあける必要がある。支持板の材質は従来からポリイミド系の樹脂やセラミックスなどの絶縁性を有する材料が使用されている。しかしながらこれら従来の材料では，水平断面形状が四角形の微細なガイド孔を形成する場合，一般的なドリル加工では難しく，その他超音波加工，ブラスト加工などの機械加工やレーザ加工によっても，微細な四角形のガイド孔を高い位置精度と寸法精度でさらに深く形成することは極めて困難である。

そこで本発明においては，まず支持板の材質にガラス基板，例えばパイレックスガラス（米国コーニング社の登録商標）に代表されるホウケイ酸ガラスの基板を使用することとし，さらにそのガイド孔も次のような工程を経て形成されたものを使用している。

すなわち，まずエッチングによってピン立て基板に複数の孔を形成し，そのピン立て基板の複数の孔にピンを立設させる。そして上面が開口した容器にガラス基板を収容し，前記ピン立て基板の前記ピンが前記容器内のガラス基板側に向くように，前記ピン立て基板を前記ガラス基板に対向配置する。
次いで前記容器内のガラス基板を加熱し，前記ガラス基板を溶融させ，溶融したガラス基板に前記ピン立て基板を接近させて，前記ピン立て基板の前記ピンを前記ガラス基板内に挿入する。そして前記ピンが前記ガラス基板に挿入された状態で，前記容器内のガラス基板を冷却し前記ガラス基板を固化させる。その後前記ガラス基板を前記容器から取り出して，ガラス基板に挿入されているピンを除去する。そして前記ピンが除去された前記ガラス基板の下面を研磨して，前記ガイド孔を形成するのである。

前記ピンをガラス基板に挿入する工程は，昇降自在な保持部材によって前記ピン立て基板を保持し，前記保持部材によって所定の速度でピン立て基板を下降させることにより行なわれてもよい。また前記容器のガラス基板を加熱する際に，前記ピン立て基板も加熱してもよい。

前記ピン立て基板は，例えばシリコン基板によって構成できる。また前記容器は，カーボンにより形成されていてもよい。カーボンは，熱伝導性に優れ，かつ熱膨張率がホイケイ酸ガラスと同等のものを用いる。したがって，加熱時に容器の熱をガラス基板に効率的に伝えることができ，またカーボンは素材の粒子間に間隙があり，ガラス基板内の気泡が抜けやすい。さらにカーボンは，ガラス基板に接着しないので，ガラス基板を容器から簡単に取り出すことができる。前記ピンは，前記ガラス基板の加熱温度に対する耐熱性を有する材質で形成されていることが好ましい。

ピンを除去するにあたっては，例えば液体によって溶融して前記ガラス基板から除去されるようにしてもよい。かかる場合，例えばピンを金属で構成し，前記液体に王水を用いるようにしてもよい。ピンの材料には，例えばタングステン，ステンレス鋼，モリブデン，ニッケル又はニッケル合金を使用することができる。

本発明によれば，ガイド孔の断面形状が四角形であるから，従来よりも同一領域内で狭ピッチでガイド孔を形成することができる。しかも弾性部材の形状の選択の自由度が高くなり，例えば太くて短いものを使用することが可能になり，信号伝送にあたってインダクタンスが小さい下でこれを行うことが可能である。

以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかるプローブカード１の側面の概略を示しており，このプローブカード１は，回路基板２と，当該回路基板２の下面に配置される支持板３とを有している。なおプローブカード１全体は，載置台４上に載置された被検査体であるウエハＷと対向して平行になるようにプローブ装置（図示せず）に支持される。

支持板３は，ガラス板からなり，図２に示したように全体としては略円板形状をなし，載置台３上のウエハＷに対向する中央部には，水平断面が長方形の複数のガイド孔５が形成されている。各ガイド孔５内の下部には，図３に示したように，段部６が形成されている。

このガイド孔５内に，図４に示したプローブピン１１が挿入される。プローブピン１１は，下部のピン部１２と上部の弾性部１３とが一体となった構成を有している。弾性部１３は，帯状で波型形状をなしている。弾性部１３の上端部には，回路基板の所定の接触部と接触して電気的導通を得るための接触部１３ａが形成されている。弾性部１３の下端部は略Ｃ型に成形され，その下端中央にピン部１２が設けられている。略Ｃ型に成型された部分が，係止部１４を構成する。したがって図５に示したように，プローブピン１１をガイド孔５内に挿入した際には，段部６がストッパーとして機能し，係止部１４が段部６に係止されて，ガイド孔５の下面からピン部１２の下方のみが突出する。一方，ガイド孔５の上面からは弾性部１３の接触部１３ａが突出している。

かかるようにしてガイド孔５内にセットされたプローブピン１１は，図６に示したように，支持板３の下面側には，接触部１２ａを含めたピン部１２の下方が突出し，支持板３の上面側には，弾性部１３の接触部１３ａが突出して回路基板２の所定の接触部２ａと接触している。そして図７に示したように，ウエハＷ上の所定箇所，例えば形成されたデバイスの電極部に接触部１２ａを接触させることで，当該電極部と接触部２ａとが電気的に導通する。

前記した例では，ガイド孔５は，下部に段部６が形成された形状を有しており，弾性部１３の下部に形成された係止部１４が段部６に係止されるものであったが，図８に示したように，段部を持たないストレートな形状のガイド孔５を採用することもできる。かかる場合には，プローブピン１１の弾性部１３の上端部に，ガイド孔５の開口よりも大きい形状の係止部１５を形成し，この係止部１５の上端部に，回路基板２と接触する接触部１５ａを設ければよい。なおかかる場合，プローブピン１１のピン部１２，弾性部１３がガイド孔５内において安定して摺動するために，弾性部１３とピン部１２との間に，ガイド孔５内の形状に適合した直方体のガイド部材１６を設けると，弾性部１３の伸縮，ピン部１２の摺動が円滑に行える。

本実施の形態におけるガイド孔５の大きさは，図９に示したように，幅Ｄが，５０μｍ，長さＬが１００μｍ，ガイド孔５同士の間隔Ｔが５０μｍ，深さが１．５ｍｍである。このように微細で深さのある四角形のガイド孔５を形成するのは，従来のドリル等による穿孔では不可能であり，まして図３に示したガイド孔５の下部に段部６を有する形態のガイド孔５の形成はさらに困難である。

このようなガイド孔５は，例えば以下のようにして形成することができる。図１０は，ガイド孔５をガラス基板に形成するための穴あけ装置２１の構成の概略を示しており，この穴あけ装置２１は，支持板３となるガラス基板２２を収容する容器２３を備えている。容器２３は，上面が開口し縦断面が凹型の箱状に形成されている。容器２３の内側の側面は，容器２３の底面から開口面に近づくにつれて容器２３の内径が次第に大きくなるようにテーパ形状に形成されている。容器２３は，ガラス基板２２よりも線膨張係数が小さい材料で，なおかつ熱伝導性が良好でガラス基板２２と融着しない材質，例えばカーボンで形成されている。これにより，冷却時の縮小により容器２３内のガラス基板２２が破損したり，冷却後に容器２３からガラス基板２２が取り出せなくなることが防止できる。

容器２３は，支持部材３０に支持されて加熱容器３１内に収容されている。加熱容器３１は，例えば上面が開口し底面が閉口した略円筒状に形成されている。加熱容器３１は，例えば石英ガラスにより形成されている。加熱容器３１の上面開口部は，蓋体３２によって気密に閉鎖されている。蓋体３２は，例えばセラミックスにより形成されている。

加熱容器３１の周囲には，電力の供給によって発熱するヒータ３３が配置されている。ヒータ３３は，例えば加熱容器３１の外側面と下面に配置されている。加熱容器３１は，断熱材によって形成された外カバー３４によって覆われている。上記ヒータ３３は，外カバー３４と加熱容器３１の間に介在されている。

蓋体３２の中央部には，上下方向に貫通する貫通孔３２ａが形成されている。貫通孔３２ａには，蓋体３２の上方から加熱容器３１内まで上下方向に延伸するシャフト４０が挿通している。シャフト４０は，例えばセラミックスにより形成されている。シャフト４０は，例えば中空に形成されている。

シャフト４０の下端部には，例えば厚みのある四角形板の形状を持った保持部材４１が取り付けられている。保持部材４１の下面４１ａは，水平に形成されている。保持部材４１の下面４１ａには，吸引口４１ｂが形成されている。吸引口４１ｂは，図１に示すようにシャフト４０内を通過する真空ライン４２によって，図示しない真空ポンプなどの負圧発生装置に連通している。この吸引口４１ｂからの吸引を動・停止することにより，図１１にも示したピン立て基板としてのシリコン基板５０を保持部材４１の下面４１ａに着脱できる。

シャフト４０の上端部は，蓋体３２の上方に配置されたモータなどの昇降駆動部６０に接続されている。昇降駆動部６０は，例えば蓋体３２の上面に設置された支持体６１上に支持されている。昇降駆動部６０は，例えば制御部６２によって動作を制御されている。昇降駆動部６０は，シャフト４０を上下動させることで，保持部材４１を上下動させて，保持部材４１に保持されたシリコン基板５０を容器２３内のガラス基板２２に対して進退させることができる。シリコン基板５０の昇降速度，昇降位置は，制御部６２によって制御されている。

例えば蓋体３２と昇降駆動部６０との間のシャフト４０には，例えば円盤状のフランジ７０が取り付けられている。フランジ７０と蓋体３２との間には，伸縮自在なベローズ７１が介在されている。このベローズ７１には，図示しない冷却機構が設けられており，加熱容器３１側の熱が昇降駆動部６０側に伝わることを抑制している。なお，上記真空ライン４２は，フランジ７０から外部の負圧発生装置に接続されている。

穴あけ装置２１には，加熱容器３１内に所定のガスを供給するガス供給管７５が設けられている。ガス供給管７５は，例えば加熱容器３１の側面に接続されている。ガス供給管７５は，図示しないガス供給源に通じている。本実施の形態においては，ガス供給源には，窒素ガスが封入されており，加熱容器３１内には，ガス供給管７５を通じて窒素ガスが供給される。

次に，上記穴あけ装置２１を用いたガイド孔の形成工程について説明する。本実施の形態では，パイレックスガラス（コーニング社の登録商標）などのホウケイ酸ガラスのガラス基板に対し，図３に示したガイド孔５を形成する場合を例に採って説明する。

先ず，図１１に示すように方形のシリコン基板５０の所定の位置には，複数の方形の孔５０ａが形成されており，これらの各孔５０ａに，四角柱形状の穴あけピン８０が挿入される。シリコン基板５０の孔５０ａは，フォトリソグラフィー技術によるドライエッチング加工により形成される。この孔５０ａは，例えば５０μｍ程度の径で１００μｍ以下のピッチ間隔で形成され，２μｍ以内の位置精度と寸法精度を備えている。孔５０ａは，挿入される穴あけピン８０よりも僅かに大きな径で形成される。シリコン基板５０の孔５０ａの配置や数は，最終的にガラス基板２２に形成されるガイド孔５の位置に応じて適宜設定される。

穴あけピン８０は，例えば後述する加熱時の温度，例えば１０００℃に対する耐熱性を有し，例えばタングステン，ステンレス鋼，モリブデン，ニッケル又はニッケル合金などの金属により形成されている。穴あけピン８０は，例えば金属ワイヤーを切断したり，旋盤等で切削加工したり，又はＬＩＧＡプロセスなどのメッキ技術を用いて形成される。穴あけピン８０は，図１２に示したように，例えば側周面の１辺Ｍが５０μｍ程度で１ｍｍ以上の長さで形成される。さらに先端部には，斜面部８０ａを介して突部８０ｂが形成されている。

穴あけピン８０がシリコン基板５０に挿入されると，例えば図１３に示すようにシリコン基板５０に，接着剤Ｌが塗布され，穴あけピン８０がシリコン基板５０に固定される。なお，この穴あけピン８０の固定は，例えば圧入による嵌合により行われてもよい。

穴あけピン８０が固着されたシリコン基板５０は，図１に示すように穴あけピン８０を下に向けた状態で，穴あけ装置１内の保持部材４１の下面に吸着保持される。このシリコン基板５０の吸着は，吸引口４１ｂからの吸引により行われる。

一方，穴あけ装置２１の容器２３には，方形で平板形状のガラス基板２２が収容される。ガラス基板２２が容器２３内に収容されると，ガス供給管７５から加熱容器３１内に窒素ガスが供給され，加熱容器３１内が窒素雰囲気に維持される。この際，加熱容器３１内は，外部に対して陽圧に維持され，外気が加熱容器３１内に流入することを防止する。

次に，図１４（ａ）に示すようにシリコン基板５０とガラス基板２２とが近接された状態で，ヒータ３３の発熱により加熱容器３１内が昇温される。これにより，容器２３内のガラス基板２２が軟化点より高い約１０００℃に加熱される。このとき，シリコン基板５０と穴あけピン８０もガラス基板２２と同程度の温度に昇温される。

ガラス基板２２の温度が軟化点を超えると，ガラス基板２２が溶融し始める（図１４（ｂ））。ガラス基板２２が溶融し始めると，制御部６２により昇降駆動部６０が作動し，保持部材４１が所定の速度で所定の位置まで下降する（図１４（ｃ））。これにより，シリコン基板５０の穴あけピン８０がガラス基板２２内の所定の深さまで挿入される。その後，ヒータ３３による発熱が停止され，穴あけピン８０が溶融したガラス基板２２に挿入された状態で，ガラス基板２２が約１００℃まで冷却され，固化される。このときの冷却は，加熱時の温度変動より緩やかに行われる。また，この冷却は，保持部材４１がシリコン基板５０を保持した状態で行われる。

ガラス基板２２が冷却され固化されると，保持部材４１の吸引口４１ｂの吸引が停止され，昇降駆動部６０により保持部材４１が上昇して，シリコン基板５０から保持部材４１が退避する（図１４（ｄ））。

次に例えば図１５（ａ）に示すようにガラス基板２２は，穴あけピン８０とシリコン基板５０が取り付けられた状態で，加熱容器３１から取り出される。次いで例えば王水などの薬液に浸漬され，穴あけピン８０が溶融される（図１５（ｂ））。こうしてガラス基板２２から穴あけピン８０とシリコン基板５０が除去され，ガラス基板２２の上面に穴１００が形成される。

その後，例えばガラス基板２２の下面が研磨され，ガラス基板２２の穴１００が貫通する。こうして，ガラス基板２２に，例えば長辺×短辺が，８０μｍ×４０μｍで，８０μｍのピッチ間隔の所望の長方形のガイド孔５が形成される（図１５（ｃ））。この後，必要に応じてガラス基板２２の上面が研磨される。

以上の工程によれば，フォトリソ技術を用いてシリコン基板５０には，高い位置精度と寸法精度を有する微細な孔５０ａが多数形成され，その孔５０ａに立設された穴あけピン８０によって，ガラス基板２２に穴１００が形成されるので，微細で高い位置精度と寸法精度を有するガイド孔５を，支持板３としてのガラス基板２２に容易に形成できる。

以上の例では，段部６を有するガイド孔５の形状に合わせるため，ピン８０の形状が四角柱形状で先端部に突部８０ｂを形成したものを用いたが，ピン８０の形状を変更することによって，種々の形状のガイド孔５を形成することができる。例えば図８に示したような，段部を持たないストレートの長方形のガイド孔５を形成するには，例えばストレートな四角柱とすればよい。

またストレートの長方形のガイド孔５を形成する場合，適宜短辺と長辺の長さを変更することで，例えば図１６に示した形状のプローブピン１１０をガイド孔５に着脱自在に取り付けることが可能である。

このプローブピン１１０は，その下部に例えばガイド孔５の下端周縁に係止される係止部１１１を対向して有している。また上部にはガイド孔５の上端周縁に係止される係止部１１２を有している。係止部１１１は，外側へと付勢される弾性を有し，係止突起１１１ａが当該弾性によってガイド孔５の下端周縁に係止されることで，プローブピン１１０をガイド孔５の所定位置に取り付けることが可能である。また交換の際には，係止部１１１を弾性に抗して内側に寄せることで，係止突起１１１ａの係止を容易に解除し，プローブピン１１０をガイド孔５の上方へと引き出すことが可能である。またガイド孔５の平面形態を長方形とすることで，係止部１１２の上方に配置された接触部１１３を正しく位置決めすることも容易である。なお電極部（図示せず）との接触は，例えば係止部１１１が直接これを行ってもよいが，係止部１１２の下面側に弾性を有するピン部１１４を設けてもよい。

また図１７に示した形状のプローブピン１２０を使用することも可能である。このプローブピン１２０は，図１６のプローブピン１１０における係止部１１１よりも短い係止部１２１を対向して有し，係止部１２１間に，ピン部１２２を有する構成を有している。ピン部１２２は，電極部１２３側に付勢されるように，湾曲構造による弾性を有するブリッジ１２４によって支持されている。

かかる構成のプローブピン１２０を使用する場合，ガイド孔は，図１７に示したように，上部の径の小さい上部ガイド孔１３１と，下部の径の大きい下部ガイド孔１３２とによって形成され，係止部１２１は，これら上部ガイド孔１３１と下部ガイド孔１３２との間の縁部１３３の周辺部に係止させる。

かかる上部ガイド孔１３１と径の大きい下部ガイド孔１３２を連続して有するガイド孔を形成するには，例えば前出図１５に示したように形成したガラス基板２２を上下逆にして使用すればよい。

本発明は，高集積度の電子デバイスの電気的特性を検査するプローブカードに有用である。

実施の形態にかかるプローブカードの側面図である。 図１のプローブカードに使用された支持板の平面図である。 ガイド孔の縦断面図である。 プローブピンの斜視図である。 図４のプローブピンがガイド孔に挿入された様子を示すガイド孔の縦断面図である。 プローブピンがガイド孔内に装着された様子を示すガイド孔の縦断面図である。 プローブピンの接触部がウエハ上の被測定対象に接触している様子を示す説明図である。 ガイド孔の上端部に弾性部の上部が係止される形状のプローブピンを示す説明図である。 ガイド孔のサイズを示す平面図である。 穴あけ装置の構成の概略を示す縦断面図である。 シリコン基板の斜視図である。 段部を有するガイド孔を形成するために使用したピンの先端部の断面図である。 穴あけピンが固定されたシリコン基板の縦断面図である。 ガラス基板にガイド孔を形成する工程を示す説明図であり，（ａ）は保持部材にシリコン基板を取り付けた様子を示し，（ｂ）はガラス基板を溶融させた状態を示し，（ｃ）はピンを溶融したガラス基板内に進入させた様子を示し，（ｄ）は，保持部材によるガラス基板の吸着を解除した様子を示している。 図１４に続くガラス基板にガイド孔を形成する工程を示し（ａ）は，容器からガラス基板を取り出した様子を示し，（ｂ）はシリコン基板を取り去りピンを除去した様子を示し，（ｃ）はガラス基板の下面を研磨してガイド孔を完成させた様子を示している。 ガイド孔の上下端に係止部を有するプローブピンのガイド孔への装着状態を示す縦断面図である。 ガイド孔の上下端に係止部を有するプローブピンの上部ガイド孔と下部ガイド孔を有するガイド孔への装着状態を示す縦断面図である。 上部ガイド孔と下部ガイド孔を有するガイド孔の縦断面図である。

符号の説明

１ プローブカード
２ 回路基板
３ 支持板
５ ガイド孔
６ 突部
１１ プローブピン
１２ ピン部
１３ 弾性部
１４ 係止部

Claims (15)

1. 回路基板と，当該回路基板の下に配置されてプローブピンを支持する支持板とを有し，被検査体の電気的特性を検査するために使用されるプローブカードであって，
   前記支持板に形成されたガイド孔内に，弾性部とピン部を有するプローブピンが挿入され，ピン部の先端は前記支持板の下方に突出し，
   前記ガイド孔は，その水平断面形状が四角形であることを特徴とする，プローブカード。
2. 前記ガイド孔内の下部には段部が形成され，前記プローブピンは，前記段部に係止される係止部を有することを特徴とする，請求項１に記載のプローブカード。
3. 前記プローブピンは，前記ガイド孔の上端部に係止される係止部を有することを特徴とする，請求項１に記載のプローブカード。
4. 前記プローブピンは，前記ガイド孔の下端部に係止される係止部を有することを特徴とする，請求項１に記載のプローブカード。
5. 前記ガイド孔は，上部ガイド孔と，それに続く孔径の大きい下部ガイド孔とからなり，前記プローブピンは，上部ガイド孔と下部ガイド孔との間の縁部周辺部に係止される係止部を有することを特徴とする，請求項１に記載のプローブカード。
6. 前記四角形は長方形であることを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載のプローブカード。
7. 前記支持板はガラス基板からなり，前記ガイド孔は以下の工程を経て形成されることを特徴とする，請求項１〜６のいずれかに記載のプローブカード。
   エッチングによってピン立て基板に複数の孔を形成し，そのピン立て基板の複数の孔にピンを立設する工程と，
   上面が開口した容器にガラス基板を収容する工程と，
   前記ピン立て基板の前記ピンが前記容器内のガラス基板側に向くように，前記ピン立て基板を前記ガラス基板に対向配置する工程と，
   前記容器内のガラス基板を加熱し，前記ガラス基板を溶融させる工程と，
   溶融したガラス基板に前記ピン立て基板を接近させて，前記ピン立て基板の前記ピンを前記ガラス基板内に挿入する工程と，
   前記ピンが前記ガラス基板に挿入された状態で，前記容器内のガラス基板を冷却し前記ガラス基板を固化する工程と，
   前記ガラス基板を前記容器から取り出す工程と，
   前記ガラス基板に挿入されているピンを除去する工程と，
   前記ピンが除去された前記ガラス基板の下面を研磨して，前記ガイド孔を形成する工程。
8. 前記ピンをガラス基板に挿入する工程は，昇降自在な保持部材によって前記ピン立て基板を保持し，前記保持部材によって所定の速度でピン立て基板を下降させることにより行なわれることを特徴とする，請求項７に記載のプローブカード。
9. 前記容器のガラス基板を加熱する際に，前記ピン立て基板も加熱されることを特徴とする，請求項７または８に記載のプローブカード。
10. 前記ピン立て基板は，シリコン基板であることを特徴とする，請求項７〜９のいずれかに記載のプローブカード。
11. 前記容器は，カーボンにより形成されていることを特徴とする，請求項７〜１０のいずれかに記載のプローブカード。
12. 前記ピンは，前記ガラス基板の加熱温度に対する耐熱性を有する材質で形成されていることを特徴とする，請求項７〜１１のいずれかに記載のプローブカード。
13. 前記ピンは，液体により溶融されて前記ガラス基板から除去されることを特徴とする，請求項７〜１２のいずれかに記載のプローブカード。
14. 前記ピンは金属からなり，前記液体は王水であることを特徴とする，請求項１３に記載のプローブカード。
15. 前記ピンは，タングステン，ステンレス鋼，モリブデン，ニッケル又はニッケル合金により形成されていることを特徴とする，請求項１４に記載のプローブカード。

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