JP2007023378A - スパッタターゲット、磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】磁気記録媒体における信号対雑音比の改善及びデータ記録容量の増大を図る。
【解決手段】スパッタターゲットは、コバルト(Ｃｏ)、０より多く２４原子％以下のクロム(Ｃｒ)、０より多く２０原子％以下の白金（Ｐｔ）、０より多く２０原子％以下のホウ素(Ｂ)及び０より多く１０原子％以下の金(Ａｕ)を含む。このスパッタターゲットは、更にＸ₁を含み、前記Ｘ₁が、タングステン(Ｗ)，イットリウム(Ｙ)，マンガン(Ｍｎ)及びモリブデン(Ｍｏ)からなるグループから選択される。このスパッタターゲットは、更に０〜７原子％までのＸ₂を含み、前記Ｘ₂が、チタン(Ｔｉ)，バナジウム(Ｖ)，ジルコニウム(Ｚｒ)，ニオブ(Ｎｂ)，ルテニウム(Ｒｕ)，ロジウム(Ｒｈ)，パラジウム(Ｐｄ)，ハフニウム(Ｈｆ)，タンタル(Ｔａ)及びイリジウム(Ｉｒ)からなるグループから選択された１つの元素である。磁気記録媒体３００は、このスパッタターゲットでスパッタリング形成したデータ記録薄膜層３０６を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、スパッタターゲット、このスパッタターゲットを用いて形成した磁気記録媒体及びこの磁気記録媒体の製造方法に関し、より詳しくは、改良された金属特性を持つ合金組成からなるスパッタターゲット、このスパッタターゲットでスパッタされた磁気記録媒体及びこの磁気記録媒体の製造方法に関する。

ＤＣマグネトロンスパッタリングプロセスは、例えば半導体表面を被覆したり、磁気記録媒体の表面に膜を形成したりするような、精密に制御された厚さ及び狭い原子片の許容差範囲内の物理的な付着物の薄膜を基板上に形成する種々の分野に用いられている。１つの共通の形態において、長円形状の磁場を、ターゲットの背面に磁石を配置することによりスパッタターゲットに与える。電子が、スパッタリングターゲット近傍で捕捉され、アルゴンイオンの生成を改善し、スパッタリング速度を増大する。このプラズマ内のイオンはスパッタターゲット表面に衝突してスパッタターゲットがその表面から原子を放出する。陰極のスパッタターゲットと被覆される陽極の基板との間の電圧差で、放出された原子が基板表面に所望の膜を形成する。

従来の磁気記録媒体は、一般的に、夫々が異なる材料の複数のスパッタターゲットにより順次基板上にスパッタされる複数の薄膜層を備える。図７に示すように、従来の磁気記録媒体１００の代表的な薄膜積層構造は、非磁性基板１０１、シード層１０２、少なくとも１つのクロム（Ｃｒ）を主成分とする非磁性の下地層１０４、少なくとも１つのコバルト（Ｃｏ）を主成分とする微磁性の中間層１０５、少なくとも１つの磁気データ記録層１０６及び潤滑層１０８を含んでいる。

磁気記録媒体上の単位面積当たりの記録可能なデータ量は、データ記録層の金属特性と組成とに直接的に関係し、相応して、データ記録層をスパッタするスパッタターゲット材に関係する。図８は、振動試料型磁力計（ＶＳＭ：Vibrating Sample Magnetometer)法によって得た、データ記録薄膜層の典型的なヒステリシスループを示している。このプロセスを使用する場合、振動試料型磁力計は、準静的に電磁石から与えられた磁界を用いてそのヒステリシスループの周りに磁石を駆動する。前記試料をこの磁界内で振動し、その測定システムが、与えられた磁界（Ｈ）とこの磁界（Ｈ）中における試料の磁化（Ｍ）を検出する。図８は、与えられた磁界（Ｈ）方向における材料の磁化（Ｍ）変化を示す。

ヒステリシスパラメータは、飽和（又は最大）磁化（Ｍｓ）、残留磁化（Ｍｒ）、保磁力（Ｈｃ）、保磁力角型比（Ｓ*＝１−（Ｍｒ／Ｈｃ）／（ｄＭ／ｄＨ））及び残留磁化角型比（Ｓ＝Ｍｒ／Ｍｓ）を含む。残留磁化（Ｍｒ）は、磁界を零に減少させた時に残留している磁化の大きさであり、保磁力（Ｈｃ）は、飽和した後に磁化を零にするのに必要な反対方向の磁界の大きさである。これら巨視的特性は、パルス形状、振幅及び分解能のような復唱信号（Ｓｏ）変数を決定する。

従来の磁気記録媒体に用いられる主な材料は、現状ではＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂを主成分とする強磁性合金であり、各粒子が一般的に１０ｎｍ以下のナノスケールの粒子列で配列されている。これらの粒界で粒間ギャップは、一般的に非常に狭い。そして、その粒間ギャップは多くの場合、静磁気及び粒間変化を妨げるには不十分である。

薄膜のノイズ低減に対しては、３つの技術がある。即ち、粒界での組成偏析、多層アプリケーション及び物理的な粒子分離である。簡単に言えば、非磁性の薄い層で分離されて積み重ねられた強磁性膜内に磁性の多層を設けることにより、或いは、空隙化された粒子構造を生成するために低温、高圧で薄膜をスパッタリングすることにより、磁気媒体のノイズを低減でき、データ記録能力を増大できる。

多層アプリケーション或いは物理的な粒子分離において、スパッタリングパラメータは、媒体粒子の物理的分離を調整するのに非常に重要である。粒子サイズ、粒子結合、粒子の結晶配向性のような微視的特性について更に研究することにより、薄膜のノイズ性能（Ｎ）に改善をもたらすためのこれら２つの技術をより改良して行くことが必要とされる。また、巨視的磁気特性と微視的磁気特性の両者を最適化することが、最適な磁気記録媒体の生産を保証することになる。

ノイズ低減のための３つ目の技術に関して、組成分離におけるある程度の成果は、コバルト（Ｃｏ）母材に不溶性の元素を添加することにより達成されている。一例として、ＣｏＣｒＰｔＴａやＣｏＣｒＰｔＢのようなスパッタリング４元合金は、特に、ホウ素（Ｂ）を含有する薄膜で、低ノイズ媒体を生産する有効な方法であることが立証されている。しかしながら、ホウ素（Ｂ）が粒子結合の低減に有効であるためには、ＣｏＣｒＰｔＢ合金内のホウ素含有量が１２原子パーセントを越える必要がある。しかし、そのような高い原子パーセントのホウ素（Ｂ）を添加した場合、材料が非常に脆くなり、高温で処理したときでさえ材料が加工時に割れる傾向がある。このように、高い原子パーセントのホウ素（Ｂ）添加は、その後の熱機械処理に対する材料の適合性に悪影響を与える。

従って、磁気データ記録層に高密度粒子構造を有する磁気記録媒体を提供し、信号対雑音比を改善し、且つ、潜在的なデータ記録能力を増大させることが極めて望ましいと考えられる。特に、改善された組成偏析を有するホウ素含有合金のような合金を提供することが望ましい。そして、その合金をスパッタターゲットに用いて、改善、強化された組成を持つ薄膜にスパッタすることが可能である。

本発明は、磁気データ記録薄膜層をスパッタリングするためのスパッタターゲットを提供することにより前述の諸問題を解決せんとするものであり、前記スパッタターゲットが、２次粒界の析出を達成する合金組成を含んで成る。

１つの構成によれば、本発明は、スパッタターゲットであり、該スパッタターゲットは、コバルト（Ｃｏ）、０より多く２４原子パーセント以下のクロム（Ｃｒ）、０より多く２０原子パーセント以下の白金（Ｐｔ）、０より多く２０原子パーセント以下のホウ素（Ｂ）及び０より多く１０原子パーセント以下の金（Ａｕ）を含む。

本発明に係るスパッタターゲットは、金（Ａｕ）を含み、金（Ａｕ）は、コバルト（Ｃｏ）及び／又はクロム（Ｃｒ）内への固体非混和性と、白金（Ｐｔ）と結合して低い割合の白金（Ｐｔ）原子と支配的な割合の添加元素を含むような化学量論的に有利な化合式を形成する傾向とに基づいて選択される。この状態は、保磁力を犠牲にしないようにすべく、コバルト（Ｃｏ）母材に十分な白金（Ｐｔ）原子比率を維持する上に重大な意味を持つ。また、コバルト（Ｃｏ）とクロム（Ｃｒ）のどちらか一方に不溶である元素を添加することにより、その添加元素はＣｏ−Ｐｔ相から拒絶され、粒界に押しやられ、粒子の分離を増大し、結果的に信号対雑音比を改善する。

本発明のスパッタターゲットは、更にＸ₁を含んで成り、前記Ｘ₁が、タングステン（Ｗ），イットリウム（Ｙ），マンガン（Ｍｎ）及びモリブデン（Ｍｏ）から選択される。

更に、本発明のスパッタターゲットは、０〜７原子パーセントまでのＸ₂を含み、前記Ｘ₂が、チタン（Ｔｉ），バナジウム（Ｖ），ジルコニウム（Ｚｒ），ニオブ（Ｎｂ），ルテニウム（Ｒｕ），ロジウム（Ｒｈ），パラジウム（Ｐｄ），ハフニウム（Ｈｆ），タンタル（Ｔａ）及びイリジウム（Ｉｒ）からなるグループから選択された１つの元素である。

本発明に係るスパッタターゲットを形成する合金は、媒体の粒界で核となり成長する化合物を含み、粒子における別のタイプの物理的分離を提供する。タングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）のような低い拡散性の他の添加元素は、更に、微粒化を可能とし且つ粒界へのより多くのクロム（Ｃｒ）の偏析を促進する新たな核生成場所を提供することが期待される。

第２の構成によれば、本発明は、基板とこの基板上に形成されたデータ記録薄膜層とを含む磁気記録媒体である。前記データ記録薄膜層は、コバルト（Ｃｏ）、０より多く２４原子パーセント以下のクロム（Ｃｒ）、０より多く２０原子パーセント以下の白金（Ｐｔ）、０より多く２０原子パーセント以下のホウ素（Ｂ）及び０より多く１０原子パーセント以下の金（Ａｕ）を含む。

前記データ記録薄膜層は、１０００エルステッド〜４０００エルステッドの間に保磁力値を持ち、また、信号対雑音比において対応のＣｏＣｒＰｔＢ４元合金に対して少なくとも１．５ｄＢの利得を有する。

この範囲に含まれるように保磁力を改善することにより、飽和後に磁化を零にするのに必要な反対方向の磁界がユーザの所望する条件の範囲に含まれるように調整できる。その結果、信号対雑音比（Ｓ₀／Ｎ）が増大し、高密度磁気記録を意図した薄膜の全面的な磁気特性が改善する。本発明のスパッタターゲットでスパッタされた薄膜層は、信号対雑音比（Ｓ₀／Ｎ）において対応のＣｏＣｒＰｔＢ４元合金に対して０．５ｄＢから１．５ｄＢを超える利得を持つ。ここで、対応のＣｏＣｒＰｔＢ４元合金とは、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）及びホウ素（Ｂ）がそれぞれＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ−Ａｕ合金と同じ原子パーセントを有し、金（Ａｕ）が添加されていない合金である。

第３の構成によれば、本発明は、磁気記録媒体の製造方法である。この方法は、スパッタターゲットで基板上に少なくとも第１のデータ記録薄膜層をスパッタリングするステップを含み、前記スパッタターゲットは、コバルト（Ｃｏ）、０より多く２４原子パーセント以下のクロム（Ｃｒ）、０より多く２０原子パーセント以下の白金（Ｐｔ）、０より多く２０原子パーセント以下のホウ素（Ｂ）及び０より多く１０原子パーセント以下の金（Ａｕ）を含む。

下記の好ましい実施形態の記載において、同記載の一部をなす添付図面を参照して本発明を実施する特定の実施形態について説明する。尚、他の諸実施形態を利用することが可能であり、且つ、本発明を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることを理解すべきである。

本発明は、スパッタターゲット材に対して最適な組成を達成するために、基本のＣｏＣｒＰｔＢ合金に選択した第５及び／又は第６の元素を添加することにより、磁気記録媒体のデータ記録容量を増大させることができる。

図１は、データ記録薄膜層が本発明の一実施形態による強化された組成を含むスパッタターゲットによってスパッタされた磁気記録媒体を示す。尚、図中、図７と同じ参照番号は、対応した部分を示していることに留意すべきである。
簡単に言えば、前記磁気記録媒体は、基板とこの基板上に形成されたデータ記録薄膜層とを含む。前記データ記録薄膜層は、コバルト（Ｃｏ）、０より多く２４原子パーセント以下のクロム（Ｃｒ）、０より多く２０原子パーセント以下の白金（Ｐｔ）、０より多く２０原子パーセント以下のホウ素（Ｂ）及び０より多く１０原子パーセント以下の金（Ａｕ）を含む。

より詳しくは、磁気記録媒体３００は、非磁性基板１０１、シード層１０２、少なくとも１つのクロム（Ｃｒ）を主成分とする非磁性の下地層１０４、少なくとも１つのコバルト（Ｃｏ）を主成分とする微磁性の中間層１０５、データ記録薄膜層３０６及び潤滑層１０８を具備する。上述したように、磁気記録媒体３００のデータ記録薄膜層３０６は、コバルト（Ｃｏ）、０より多く２４原子パーセント以下のクロム（Ｃｒ）、０より多く２０原子パーセント以下の白金（Ｐｔ）、０より多く２０原子パーセント以下のホウ素（Ｂ）及び０より多く１０原子パーセント以下の金（Ａｕ）を含む。別の変形構成として、磁気記録媒体３００は、シード層１０２、下地層１０４、中間層１０５及び／又は潤滑層１０８を省略してもよい。

磁気記録媒体３００は、スパッタターゲットから基板１０１上にデータ記録薄膜層３０６をスパッタリングすることによって製造される。前記スパッタターゲットもまた、コバルト（Ｃｏ）、０より多く２４原子パーセント以下のクロム（Ｃｒ）、０より多く２０原子パーセント以下の白金（Ｐｔ）、０より多く２０原子パーセント以下のホウ素（Ｂ）及び０より多く１０原子パーセント以下の金（Ａｕ）を含む。スパッタリングプロセスは材料科学において周知である。

本発明に係るスパッタターゲットは、金（Ａｕ）を含んでいる。以下により十分に論述するように、金（Ａｕ）は、コバルト（Ｃｏ）及び／又はクロム（Ｃｒ）内への固体非混和性と、白金（Ｐｔ）と結合して化学量論的に好ましい化合物形態を形成する傾向とに基づいて選択された。

スパッタターゲット及び相応するデータ記録薄膜層は、更にＸ₁を含み、前記Ｘ₁は、タングステン（Ｗ），イットリウム（Ｙ），マンガン（Ｍｎ）及びモリブデン（Ｍｏ）から選択される。加えて、スパッタターゲット及び相応するデータ記録薄膜層は、更に、０〜７原子パーセントまでのＸ₂を含み、前記Ｘ₂は、チタン（Ｔｉ），バナジウム（Ｖ），ジルコニウム（Ｚｒ），ニオブ（Ｎｂ），ルテニウム（Ｒｕ），ロジウム（Ｒｈ），パラジウム（Ｐｄ），ハフニウム（Ｈｆ），タンタル（Ｔａ）及びイリジウム（Ｉｒ）からなるグループから選択された１つの元素である。付加的ながら別の変形構成としては、Ｘ₁及び／又はＸ₂を省略してもよい。

コバルト（Ｃｏ）とクロム（Ｃｒ）のどちらか一方に不溶な元素を添加することにより、その添加元素がコバルト（Ｃｏ）とクロム（Ｃｒ）の各相から拒絶され、粒界へ押しやられる。本発明に係るスパッタターゲットを形成する合金は、媒体の粒界で核となり成長する化合物を含み、粒子における別の型式の物理的分離を提供する。添加元素であるタングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）は、微粒化を可能とし粒界へのＣｒの偏析をより一層促進する新たな核生成場所を提供する。

白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、イリジウム（Ｉｒ）、サマリウム（Ｓｍ）のような大きな径の遷移元素を有する合金を形成することにより、スパッタターゲットでスパッタされた磁気データ記録薄膜層が、１０００エルステッド〜４０００エルステッド超の保磁力値を有するよう調製される。この範囲に含まれるように保磁力を改善することにより、飽和後に磁化を零にするのに必要な反対方向の磁界をユーザの所望する条件の範囲内に調整することができる。従って、信号対雑音比は増大し、意図した高密度磁気記録性薄膜の全体的な磁気特性が改善する。粒子サイズ、粒子結合及び粒子の結晶配向性のような微視的特性が、薄膜のノイズ性能（Ｎ）を決定する。そして、巨視的磁気特性及び微視的磁気特性を最適化することが、最適なディスクを生成するために必要である。

本発明の１つの観点によるスパッタターゲットに用いられる第１の元素は、コバルト（Ｃｏ）である。大部分のデータ記録用途において主要な元素であるコバルトは、保磁力が低く、１０００エルステッド〜４０００エルステッド超の保磁力値を有する合金を形成するためには、白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、イリジウム（Ｉｒ）、サマリウム（Ｓｍ）のような大きな径の遷移元素の添加を必要とする。

データ記録用途において２番目に重要な元素であるクロム（Ｃｒ）は、合金内で２つの重要な目的を果たす。第１の目的は、クロム（Ｃｒ）は、合金表面を酸化し不動態化することにより合金の腐食ポテンシャルを減少させる。第２の目的は、磁性合金内のクロム（Ｃｒ）の存在は、粒界或いは粒子内でホウ素（Ｂ）のような他の元素の結晶相を析出させて、ノイズの低減を助成する。

上述したように、第３の元素であるホウ素（Ｂ）は、以前は粒子結合を減少するために用いられていた。しかしながら、粒子結合を減少するのに有効なホウ素（Ｂ）に関して、ＣｏＣｒＰｔＢ合金内のホウ素含有量は、１２原子パーセントを越えなければならず、材料を高温で処理したときでさえ加工に対して材料を非常に脆くする。そして、そのターゲット材をその後の熱機械処理に対して不適当なものにする。従って、本発明によるスパッタターゲットは、ホウ素（Ｂ）の有益な粒子結合減少効果を補足しながら、満足できる熱機械的な合金加工性を維持する合金添加物を含んでいるのである。

本発明においては、金（Ａｕ）は、コバルト（Ｃｏ）及び／又はクロム（Ｃｒ）への固体非混和性と、白金（Ｐｔ）と結合して化学量論的に好ましい化合物形態を形成する傾向とに基づいて用いた。このように選択、使用した元素は、低い割合の白金（Ｐｔ）原子と支配的な割合の添加元素を含んだ化合物構造を形成し、また、コバルト（Ｃｏ）母材内の十分な白金（Ｐｔ）原子比率を維持するために必須の条件を形成して、保磁力に影響を与えないようにしているものである。

金（Ａｕ）は、媒体の粒界で核になり成長する化合物を形成し、粒子における別の型式の物理的分離を提供する。更に、タングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）のような低い拡散性を有する別の添加元素は、微粒化を可能にし、また、粒界へのより多くのクロム（Ｃｒ）の偏析を促進するような新たな核生成場所を提供する。

図２〜図４は、それぞれＣｕ−Ｃｏ、Ｃｕ−Ｃｒ及びＣｕ−Ｐｔの各２元合金の状態図を示し、選択された添加物として銅（Ｃｕ）を添加した場合の影響を示す。室温で、εＣｏ（図２）及びＣｒ（図３）の各固溶体の限界範囲を定める固溶度曲線が温度軸に同化しており、銅（Ｃｕ）がこれら固溶体にごくわずかしか溶解しないことを示している。このように、図２及び図３は、銅（Ｃｕ）添加物が、室温でそれぞれどのようにしてコバルト（Ｃｏ）とクロム（Ｃｒ）に拒絶されるか、Ｃｏ−Ｃｒ粒子に取り込まれないかを示している。結果的に、銅（Ｃｕ）添加物は粒界に押しやられ、粒子分離を増大し、信号対雑音比を改善する。

図４において、Ｃｕ−Ｐｔの状態図データは、２つの規則相であるＣｕ₃ＰｔとＣｕＰｔの形成を示す。Ｃｕ₃Ｐｔは、低い割合の白金（Ｐｔ）原子と支配的な割合の銅（Ｃｕ）を含んだ化合物形態であるので、化学量論的に最も好ましい相は、Ｃｕ₃Ｐｔである。Ｃｕ₃Ｐｔが形成されると、保磁力に影響を与えないように、コバルト（Ｃｏ）母材内に十分な白金（Ｐｔ）原子の量が維持される。

図５は、Ｃｏ−１４Ｃｒ−１２．５Ｐｔ−６Ｃｕ−１２Ｂ原子パーセント合金の鋳放しミクロ組織を示す。このミクロ組織は、共晶の母材（ラメラ様の相として表示されている）によって囲まれた１次樹枝状晶（薄い灰色で示されている）からなる。前記樹枝状晶は、少量のクロム（Ｃｒ）が溶解したＣｏＰｔＣｕが豊富な相である。共晶の母材は、実質的にＣｒＣｏＢ相である。

図６は、粒子の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真の反射電子像を示す。このような画像のコントラストは、種々の相の構成要素の原子量の相違により起こる。樹枝状晶が単一の相であるように見える一方、化学的にエッチングされた試料は、別の銅（Ｃｕ）の豊富な層の存在を明らかにした。この点について、図６は、ピットを粒界で識別できる樹枝状晶の高倍率画像を示し、これは、エッチングによるＣｕ₃Ｐｔの豊富な相の優先的なエロージョンに起因している。

本発明に係るスパッタターゲットを用いて磁気データ記録薄膜層をスパッタリングすることにより、最適な保磁力Ｈｃと飽和（又は最大）磁化Ｍｓで信号対雑音比において０．５ｄＢから１．５ｄＢ超程度の利得となることが、Ｃｏ−１４Ｃｒ−１２．５Ｐｔ−６Ｃｕ−１２Ｂからなる合金及び種々の銅（Ｃｕ）組成を有する他の類似のベース合金で報告された。

第２の構成によれば、本発明は、基板とこの基板上に形成されたデータ記録薄膜層を含む磁気記録媒体である。データ記録薄膜層は、コバルト（Ｃｏ）、０より多く２４原子パーセント以下のクロム（Ｃｒ）、０より多く２０原子パーセント以下の白金（Ｐｔ）、０より多く２０原子パーセント以下のホウ素（Ｂ）及び０より多く１０原子パーセント以下の金（Ａｕ）からなる。

第３の構成によれば、本発明は、磁気記録媒体の製造方法である。この方法は、スパッタターゲットから基板上に少なくとも第１のデータ記録薄膜層をスパッタリングするステップを含み、前記スパッタターゲットが、コバルト（Ｃｏ）、０より多く２４原子パーセント以下のクロム（Ｃｒ）、０より多く２０原子パーセント以下の白金（Ｐｔ）、０より多く２０原子パーセント以下のホウ素（Ｂ）及び０より多く１０原子パーセント以下の金（Ａｕ）からなる。

上記実施形態では、特定な具体的実施形態について記述したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や変形が本発明の精神及び範囲から逸脱することなく当業者によってなされるであろうことは理解されるであろう。

本発明の一実施形態による強化された組成を含むスパッタターゲットによってスパッタされた磁気データ記録層を含む薄膜積層構造を示す図である。 Ｃｏ−Ｃｕ合金の状態図である。 Ｃｒ−Ｃｕ合金の状態図である。 Ｃｕ−Ｐｔ合金の状態図である。 Ｃｏ−１４Ｃｒ−１２．５Ｐｔ−６Ｃｕ−１２Ｂ原子パーセント合金の代表的な鋳放しミクロ組織を示す図である。 樹枝状晶内のＣｕ₃Ｐｔのエッチピット状況分布を示す図である。 従来の磁気記録媒体の代表的な薄膜積層構造を示す図である。 磁気材料の代表的なＭ−Ｈヒステリシスループを示す図である。

符号の説明

１０１ 非磁性基板
１０２ シード層
１０４ 下地層
１０５ 中間層
１０８ 潤滑層
３００ 磁気記録媒体
３０６ データ記録薄膜層

Claims (14)

1. コバルト（Ｃｏ）、０より多く２４原子％以下のクロム（Ｃｒ）、０より多く２０原子％以下の白金（Ｐｔ）、０より多く２０原子％以下のホウ素（Ｂ）及び０より多く１０原子％以下の金（Ａｕ）を含むことを特徴とするスパッタターゲット。
2. 更にＸ₁を含み、前記Ｘ₁が、タングステン（Ｗ），イットリウム（Ｙ），マンガン（Ｍｎ）及びモリブデン（Ｍｏ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項１に記載のスパッタターゲット。
3. 更に０〜７原子％までのＸ₂を含み、前記Ｘ₂が、チタン（Ｔｉ），バナジウム（Ｖ），ジルコニウム（Ｚｒ），ニオブ（Ｎｂ），ルテニウム（Ｒｕ），ロジウム（Ｒｈ），パラジウム（Ｐｄ），ハフニウム（Ｈｆ），タンタル（Ｔａ）及びイリジウム（Ｉｒ）からなるグループから選択された１つの元素であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタターゲット。
4. 更にＸ₁を含み、前記Ｘ₁が、タングステン（Ｗ），イットリウム（Ｙ），マンガン（Ｍｎ）及びモリブデン（Ｍｏ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項３に記載のスパッタターゲット。
5. 基板と、
   該基板上に形成されたデータ記録薄膜層と、
   を備え、
   前記データ記録薄膜層が、コバルト（Ｃｏ）、０より多く２４原子％以下のクロム（Ｃｒ）、０より多く２０原子％以下の白金（Ｐｔ）、０より多く２０原子％以下のホウ素（Ｂ）及び０より多く１０原子％以下の金（Ａｕ）を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
6. 前記データ記録薄膜層が、更にＸ₁を含み、前記Ｘ₁が、タングステン（Ｗ），イットリウム（Ｙ），マンガン（Ｍｎ）及びモリブデン（Ｍｏ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体。
7. 前記データ記録薄膜層が、更に０〜７原子％までのＸ₂を含み、前記Ｘ₂が、チタン（Ｔｉ），バナジウム（Ｖ），ジルコニウム（Ｚｒ），ニオブ（Ｎｂ），ルテニウム（Ｒｕ），ロジウム（Ｒｈ），パラジウム（Ｐｄ），ハフニウム（Ｈｆ），タンタル（Ｔａ）及びイリジウム（Ｉｒ）からなるグループから選択された１つの元素であることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体。
8. 前記データ記録薄膜層が、更にＸ₁を含み、前記Ｘ₁が、タングステン（Ｗ），イットリウム（Ｙ），マンガン（Ｍｎ）及びモリブデン（Ｍｏ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体。
9. 前記データ記録薄膜層が、１０００エルステッド〜４０００エルステッドの間に保磁力値を持つことを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体。
10. 前記データ記録薄膜層が、信号対雑音比において、対応のコバルト・クロム・白金・ホウ素（ＣｏＣｒＰｔＢ）４元合金に対して少なくとも１．５ｄＢの利得を有することを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体。
11. 磁気記録媒体の製造方法であって、
    スパッタターゲットで基板上に少なくとも第１のデータ記録薄膜層をスパッタリングするステップを含み、前記スパッタターゲットが、コバルト（Ｃｏ）、０より多く２４原子％以下のクロム（Ｃｒ）、０より多く２０原子％以下の白金（Ｐｔ）、０より多く２０原子％以下のホウ素（Ｂ）及び０より多く１０原子％以下の金（Ａｕ）を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
12. 前記スパッタターゲットが、更にＸ₁を含み、前記Ｘ₁が、タングステン（Ｗ），イットリウム（Ｙ），マンガン（Ｍｎ）及びモリブデン（Ｍｏ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項１１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
13. 前記スパッタターゲットが、更に０〜７原子％までのＸ₂を含み、前記Ｘ₂が、チタン（Ｔｉ），バナジウム（Ｖ），ジルコニウム（Ｚｒ），ニオブ（Ｎｂ），ルテニウム（Ｒｕ），ロジウム（Ｒｈ），パラジウム（Ｐｄ），ハフニウム（Ｈｆ），タンタル（Ｔａ）及びイリジウム（Ｉｒ）からなるグループから選択された１つの元素であることを特徴とする請求項１１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
14. 前記スパッタターゲットが、更にＸ₁を含み、前記Ｘ₁が、タングステン（Ｗ），イットリウム（Ｙ），マンガン（Ｍｎ）及びモリブデン（Ｍｏ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項１３に記載の磁気記録媒体の製造方法。